🇨🇿 Производство микроэлектроники. SiC

Onsemi расширит мощности фабрики по производству карбида кремния в Чехии

В ближайшие 2 года предприятие нарастит мощности по производству пластин карбида кремния (SiC) в 16 раз, чтобы удовлетворить растущий спрос на соответствующие чипы.

Onsemi сегодня отмечает открытие завода по производству чипов на пластинах SiC в Рознове, Чехия.

Компания начала расширять производство традиционных кремниевых пластин производством пластин SiC (полированных и эпитаксиальных) c 2019 года. В прошлом году началась реконструкция еще одного здания для дальнейшего расширения производства на пластинах SiC.

Как ожидается, в ближайшие пару лет компания нарастит производственные мощности SiC производства в 16 раз, создаст 200 рабочих мест.

Компания уже инвестировала в площадку в Рознове более $150 млн и планирует потратить еще $300 млн.

Одновременно компания расширяет производство SiC в Гудзоне, штат Нью-Гемпшир.

"Полной контроль над нашей производственной цепочкой и высокая эффективность наших продуктов подчеркивают прогресс onsemi в достижении лидерства в области продуктов на основе SiC, - говорит Саймон Китон, исполнительный вице-президент и генеральный менеджер компании.

#SiC #микроэлектроника

🇷🇺 🇨🇳 Материалы. SiC

В Воронежской области создадут производство карбида кремния?

Неназванный китайский инвестор готов вложить в создание предприятия по производству карбида кремния в Семилукском районе Воронежской области более 2 млрд рублей. Китайцы также поставят необходимые оборудование и технологии. Условие - 60% продукции должны будут уходить на экспорт в Китай.

В Семилукском районе есть необходимое сырье. Региону обещана "экологическая чистота" производства.

kommersant.ru

SiC безусловно необходим, например, для современной силовой электроники, которая используется в автопроме. Компания Yole, занимающаяся маркетингом и консультациями, в 2021 году прогнозировала, что рынок силовых изделий на базе SiC в период до 2025 года будет расти со среднегодовыми темпами в 30% к показателю в более, чем $2,5 млрд, причем на рынок производства электромобилей придется $1,5 млрд от этой суммы.

👉 Подробнее о карбиде кремния и его использовании: mforum.ru

#производство #микроэлектроника #SiC

🇯🇵 Силовая электроника. SiC. Партнерские проекты

Японская Rohm займется совместной с китайцами разработкой силовых полупроводников

DigiTimes сообщает, что японская Rohm Semiconductor подписала соглашение о стратегическом взаимодействии с китайской компанией BASiC Semiconductor в рамках которого будет проводиться совместная разработка силовых устройств на базе технологии SiC, предназначенных для использования в электрическом транспорте.

#Япония #SiC #силоваяэлектроника #партнерскиепроекты

🇪🇺 SiC. 200мм

STM и Soitec углубляют сотрудничество в области SiC

Французская компания Soitec - производитель материалов и производитель микросхем STMicroelectronics, в четверг заявили, что углубляют сотрудничество. Для STMicroelectronics это подтверждение гарантий получения такого материала, как карбид кремния (SiC) все активнее используемого в полупроводниках, необходимых в производстве электромобилей.

В частности, в рамках нового соглашения, STMicroelectronics надеется начать получать пластины SiC 200мм, производство которых Soitec собирается освоить в ближайшее время. В ближайшие 18 месяцев STMicro планирует оценивать качество этих пластин, предположительно, на эксклюзивной основе. Переход на пластины 200мм позволит нарастить производство чипов SiC, и, вдобавок, снизить их себестоимость.

В STMicro планируют продать чипы SiC на $700 млн в 2022 году и на $1 млрд в 2023 году.

STMicro планирует построить завод в Италии, где будут производиться то ли чипы из карбида кремния, то ли пластины (в англоязычном источнике трудно понять, что имеется в виду, мне кажется, что речь идет о чипах, а не о пластинах). Это - одна из европейских инициатив по усилению позиций Евросоюза на рынке полупроводников.

Soitec анонсировала планы создания в городе Бернин, Франция, нового производства, которое займется выпуском карбид-кремниевых (SiC) пластин, предназначенных для последующего выпуска полупроводниковых устройств для электромобилей и промышленного применения. Кроме того, новое производство позволит расширить выпуск пластин 300мм КНИ (SoI, кремний на изоляторе).

👉 Больше информации о SiC

#STMicro #Soitec #SiC

🇺🇸 Автопром. Силовая электроника

Jaguar Land Rover договорился с Wolfspeed о производстве SiC полупроводников для своих электромобилей

Продукты партнерства, как ожидается, заметно повысят эффективность трансмиссии и увеличит запас хода электромобилей компании. Jaguar Land Rover активно готовится к крупносерийному выпуску электромобилей, с целью к 2039 году добиться нулевого выброса углерода в своей цепочке поставок, продуктах, услугах и операциях.

Полупроводники на основе карбида кремния, создаваемые на основе технологии Wolfspeed, планируется использовать в инверторе электромобиля, управляющем передачей энергии от аккумулятора к электродвигателям. Первые электромобили Range Rover с такими инверторами будут доступны с 2024 года, а новый полностью электрический Jaguar выйдет в 2023 году.

Технология Wolfspeed - это полупроводниковые приборы, способные работать в силовых установках с рабочими напряжениями от 400В до 800В. Силовые полупроводники на базе SiC будут производится на заводе Wolfspeed Mohawk Valley Fab в Марси, штат Нью-Йорка, который открылся в апреле 2022 года как крупнейшее в мире предприятие по производству пластин SiC 200мм.

manufacturingtodayindia.com - источник

#SiC #электромобили #микроэлектроника #силовыеприборы #Wolfspeed

🇩🇪 Силовые полупроводники. SiC. Расширение производства

Resonac будет поставлять SiC пластины 8" для Infineon

Германская Infineon Technologies расширяет сотрудничество с поставщиком карбида кремния (SiC) Resonac (ранее Show Denko). Resonac будет поставлять германской компании материалы для производства SiC-полупроводников, покрывая двузначную долю прогнозируемого спроса на следующее десятилетие.

На первом этапе Resonac будет поставлять эпитаксиальные пластины SiC 6 дюймов (150 мм), в ближайшие годы Resonac будет также поддерживать переход Infineon на пластины диаметром 8 дюймов (200 мм) в последующие годы.

Производителям приборов на базе SiC важно, чтобы пластины отличались низкой плотностью поверхностных дефектов и стабильным качеством. В итоге в основном на сегодня используются эпи-пластины диаметром 150 мм, поскольку их проще произвести с заданным качеством. С другой стороны, дешевле было бы выпускать SiC-чипы на пластинах диаметром 200 мм.

Интересно, что это не просто сотрудничество по схеме "поставщик-покупатель", Infineon предоставит Resonac некую IP, касающуюся технологий работы с SiC.

Infineon сейчас активно расширяет свои производственные мощности в области SiC, чтобы к концу десятилетия достичь доли мирового рынка вплоть до 30%. Для этого компании придется нарастить производственные мощности в области SiC в 10 раз к 2027 году. Новый завод в Кулиме, Малайзия планируется запустить в 2024 году. Есть также планы строительства производства в Дрездене с инвестициями $5 млрд. Сегодня Infineon поставляет полупроводники SiC более чем 3600 клиентам по всему миру.

#Resonac #Infineon #SiC #силовыеполупроводники

🇯🇵 Автопром и микроэлектроника

Японская компания Resonac заявляет, что к 2026 году намерена увеличить выпуск материалов для производства полупроводников для электромобилей в 5 раз. Об этом сообщает Nikkei Asia.

Речь идет, прежде всего, о производстве эпитаксиальных пластин SiC. Изготовленные на их основе силовые полупроводники позволяют увеличить пробег электромобиля на 5-10%, по сравнению с использованием полупроводников на основе традиционной технологии.

Для этого компания Resonac в течение ближайших 4 лет готова инвестировать необходимые средства (десятки миллиардов иен) в расширение производственных мощностей в свой завод в Сайтаме.

#Resonac #SiC #электромобили

🇺🇸 🇩🇪 Совместные предприятия. SiC

Американская Wolfspeed построит завод по производству силовой электроники в Германии

Об этом сообщает Handelsblatt. По данным газеты, проект будет партнерским, со стороны Германии в нем будет участвовать ZF, предприятие, выпускающее компоненты для автопроизводителей.

Стройка завода по производству силовой электроники на базе карбида кремния (SiC) намечается на месте бывшей угольной электростанции в Энсдорфе. Кроме завода, планируется также создать исследовательский центр (в ZF хотят отставить за собой контрольный пакет акций). Как бы этим планам не помешала необходимость восстановления традиционной энергетики, столь опрометчиво разрушаемой в последние десятилетия.

Серийное производство планируется начать в ближайшие 4 года, причем американцы хотели бы приступить к проекту как можно быстрее. Но процесс затягивается, т.к. чиновники не спешат с предоставлением субсидий, а проект предусматривает вложения со стороны правительства Германии до 40% от общих затрат на проект, которые скорее всего превысят $2 млрд.

Открытие такого предприятия в Германии повысило бы стабильность снабжения местных производителей автомобилей полупроводниковыми изделиями на основе карбида кремния. Особенно это важно для всех производителей электромобилей.

Европейские компании наперебой стараются обеспечить гарантированные поставки SiC-чипов. Известно, например, что в начале 2023 года Mercedes заключила с Wolfspeed соглашение о гарантированных поставках (объемы и условия стороны не разглашают), ранее Borg-Warner договорилась с Wolfspeed о гарантированных закупках SiC-чипов на сумму $650 млн ежегодно.

В Германии уже есть собственное производство силовой электроники на основе карбида кремния, этим занимается компания Bosch, которая сейчас энергично расширяет свои производственные мощности в Ройтлинге с 35 тыс кв.м до 44 тыс. кв.м. В Bosch надеются занять на рынке доминирующие позиции.

Wolfspeed энергично расширяется - если еще 7 лет тому назад ее чуть не купила германская Infineon за $850 млн (сделку вовремя запретило правительство США), то в 3q2022 компания заработала $241 млн за квартал (оставаясь при этом убыточной, -$26 млн). Сейчас у нее все шансы, наконец, прийти к успеху - гендиректор Лоу обещает объемы продаж в $4 млрд к 2027 году. Для этого планируется инвестировать около $6.5 млрд в дополнительные производственные мощности. Интересно, что Wolfspeed продает не только чипы, но и карбид кремния в качестве сырья для производства силовой электроники. В число клиентов входят такие компании, как Infineon (Германия), STMicroelectronics (Швейцария) и Onsemi (США).

В целом можно констатировать, что в отношении Германии есть планы существенного расширения полупроводникового производства, в том числе, с активным участием США (планы Intel по развертыванию двух заводов в Магдебурге) и Тайваня (TSMC приглядывается к Дрездену, как к возможной точке для размещения своего первого контрактного производства в Европе). Вероятно, для того, чтобы эти планы стали реальностью, немцы должны продемонстрировать большую поддержку политики англосаксов, чем сегодня. А пока что немцы и сами не теряют времени - Infineon инвестирует $5 млрд в дополнительное производство в Дрездене, а Bosch расширяется в Ройтлинге.

#микроэлектроника #Германия #расширениепроизводства #SiC #инвестиции #совместныепроекты #силоваяэлектроника #автоэлектроника

🔬 Наука. SiC

ИПМаш РАН научился изготавливать пластины из SiC

Об освоении технологии производства пластин из карбида кремния для полупроводникового производства сообщили специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН.

За рубежом SiC-пластины массово выпускают уже сравнительно давно, но, как утверждают специалисты ИПМаш, основной способ - выращивание пленки карбида кремния на кремниевых пластинах. Проблема этого метода - несовпадение кристаллических структур пленки и пластины, что зачастую ведет к растрескиванию структуры.

Российские ученые придумали способ, позволяющий избежать проблемы растрескивания, они последовательно заменяют ряд атомов кремния атомами углерода внутри исходного кристалла, не разрушая кристаллическую структуру, используя для этого угарный газ. В итоге стоимость получения пластин SiC почти в 10 раз меньше, чем у зарубежных (в условиях лабораторного производства).

Красивая история, но совершенно не ясно, найдутся ли в России желающие попробовать поставить промышленное производство новой технологии. А если найдутся, то когда дело дойдет до серийного производства.

#SiC #наука #разработки #карбидкремния

🇺🇸 Силовая электроника. SiC. Господдержка. США

Минторг США обещает германской Bosch $225 млн

В США заявили о предварительной сделке с немецким автопроизводителем Bosch, которому обещаны субсидии на сумму до $225 млн, если она переориентирует свое производство в Розвилле, Калифорния, на выпуск силовых полупроводников из карбида кремния. Это финансирование должно поддержать запланированные ранее инвестиции компании на сумму $1,9 млрд. Кроме того, компании обещают еще около $350 млн льготных кредитов.

Bosch рассчитывает начать выпуск первых чипов на 200 мм пластинах на заводе в Розвилле в 2026 году.

В 2023 году Bosch приобрела активы калифорнийской TSI Semiconductors.

Проект Bosch по выпуску SiC силовой микроэлектронике должен будет создать дополнительный объем выпуска этой востребованной продукции. Основным производителем SiC компонентов в США, как ожидается, будет Wolfspeed и с фабом в Северной Каролине.

@RUSmicro по материалам Reuters

#SiC #силоваяэлектроника #господдержка

🇺🇸 Силовая электроника. Участники рынка. Технологии. SiC. США

Onsemi завершила приобретение технологии JFET на основе карбида кремния у компании Qorvo

За $115 млн американская компания onsemi (ON Semiconductors) купила бизнес по производству полевых транзисторов на основе карбида кремния (SiC JFET) компании Qorvo и ее дочерней компании United Silicon Carbide.

SiC JFET — это технология карбидо-кремниевых нормально открытых полевых транзисторов. Транзисторы JFET открыты при напряжении затвор–исток VGS = 0 В. Они могут переключаться в тысячи раз быстрее, чем традиционные механические аналоги, при этом вносимые потери остаются сравнительно низкими, а SiC структуры отличаются высокой устойчивостью к пиковым температурам перехода. Приборы SiC JFET используют в качестве твердотельных автоматических выключателей и ограничителей тока.

Как ожидается, добавление этой технологии в портфель продуктов EliteSiC компании onsemi позволит ей лучше удовлетворять спрос на высокую эффективность и высокую плотность мощности в приложениях для питания ЦОД ИИ (AC-DC).

Впрочем, и в автомобилях замена нескольких компонентов на твердотельные автоматические прерыватели на основе SiC JFET повышает энергоэффективность и безопасность. На рынках автоматизации промышленности на эти устройства также есть спрос в приложениях твердотельных прерывателей.

@RUSmicro по материалам TrendForce

#SiC #JFET

🇨🇳 🇳🇱 Силовая электроника. SiC. Китай. Нидерланды

Нидерландо-китайская компания начала производство силовой электроники на пластинах SiC в Китае

Нидерландская STMicroelectronics и ее китайский партнер Sanan Optoelectronics (Chongqing Sanan Semiconductor) официально приступили к производству полупроводниковых структур на пластинах карбида кремния в Чунцине. Серийное производство на 8-дюймовых SiC пластинах начнется в 4q2025.

В рамках проекта сооружается фабрика по производству чипов и предприятие по производству пластин SiC. Предприятие займется также R&D в области чипов, их продажами.

Это предприятие в промышленном парке Xiyong Microelectronics, Чунцин, должно стать крупнейшей линией такого рода в Китае. Как ожидается, это позволит удовлетворить растущий спрос на изделия на базе карбида кремния на рынке Китая, прежде всего, в сегментах электромобилей, промышленного электропитания и электроэнергетики.

Инвестиции в проект оцениваются на уровне $3.1 млрд (23 млрд юаней).

По оценкам TrendForce, рынок силовых устройств на базе SiC в Китае достиг примерно $1.8 млрд в 2024 году, вырастет до $2.2 млрд в 2025 году, и к 2030 году увеличится до $6.1 млрд.

@RUSmicro по материалам TrendForce

#SiC #силовая #карбидкремния

🇷🇺 Силовая электроника. Компоненты. SiC. Россия

В ЛЭТИ разработали прототип силового транзистора на основе SiC
Об этом сообщили Известия.

Прототип транзистора на базе карбида кремния способен работать с напряжениями до 1700 В, заявил проректор по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ ЛЭТИ Александр Семенов. Также заявляется, что топология и технологический маршрут могут быть адаптированы к производственным возможностям российских предприятий.

В теории это означает, что при соответствующей коммутации целевые изделия способны работать при напряжениях более 15 кВ на более высоких, чем типовые кремниевые аналоги частотах.

Транзисторы на базе SiC, в среднем могут работать при более высоких температурах, выше 200 °C, например. Можно получить прибор SiC с тем же напряжением пробоя, что и у кремниевого аналога, но при этом с меньшей площадью кристалла: на пластине равного размера может поместиться больше кристаллов SiC приборов, впрочем, пластины SiC как правило существенно дороже кремниевых, так что здесь пока что особо не выиграть.

Пока что российские предприятия закупают SiC-транзисторы за рубежом.

Соответственно, разработка делает возможным создание востребованных отечественных аналогов.

В 2024 году стало известно о запуске совместного предприятия ЛЭТИЭЛ в Зеленограде группой компаний Элемент и СПбГЭТУ ЛЭТИ – это предприятие занимается разработкой компонентов на основе карбида кремния.

Производством карбидкремниевых приборов может заняться Микрон – есть план создания производства с мощностью до 40 тысяч пластин SiC в год к 2030 году.

Известно, что НПО Энергомодуль выпустило первые силовые модули на кристаллах SiC, разработанные ГК Элемент. Это, впрочем, тоже еще не серийное производство.

@RUSmicro

#SiC #карбидкремния #силовая

🇷🇺 Силовая электроника. SiC. Россия

Элемент собирается запустить серийное производство силовых модулей 30 и 40 кВт для ЭЗС до конца 2025 года

В структуре ГК Элемент темой занимается ООО «Элемент-Технологии», ранее я о нем не слышал. Эта компания разрабатывает и собирается выпускать зарядные модули. В их конструкции планируется задействовать компоненты, в частности, еще одной из компаний, входящей в группу – Силовой ключ, которая наладила выпуск карбид-кремниевых транзисторов (SiC).

Декларируемая мощность производства, которое планируют разместить в Москве, составит 10-15 тысяч модулей в год. Первая партия намечена к выпуску до конца 2025 года в объеме 1 тысяча штук.

Как ожидается, на модули найдется растущий спрос, в частности упоминается Ситроникс Электро, создающая сеть ЭЗС. На одну ЭЗС требуется обычно 4 модуля. В Элемент надеются также на экспортный потенциал в этом сегменте.

@RUSmicro

#SiC #силовая #зарядные #ЭЗС

(Вспоминается новость из Китая о мегаваттных ЭЗС).

🇮🇹 Силовая микроэлектроника. SiC. Италия

Campus SiC – «интегрированный завод» на Сицилии, который займется производством силовой микроэлектроники

Это проект европейской компании STMicro, контракт на развертывание завода подписало Министерство предприятий и производства Италии. Господдержка с использованием фонда инвестиций Mimit и региональной поддержки Fesr Sicilia должна составить 2 млрд евро. Размер инвестиций в проект – 5 млрд евро.

На эти средства в Катании сооружается завод по производству силовой микроэлектроники на базе карбида кремния на пластинах 200 мм.

«Интегрированность» завода заключается в том, что на нем, как ожидается будут производиться некоторые из необходимых материалов, структуры на пластинах, корпусирование и тестирование изделий на основе этих полупроводниковых структур.

Выпускать здесь собираются, в частности, транзисторы SiC MOSFET и SiC диоды Шоттки.

Это должно послужить стратегической цели – обеспечению независимости ЕС от поставок карбид-кремниевых компонентов.

Реализация проекта, как ожидается, обеспечит Сицилию примерно 3 тысячами новых рабочих мест, из которых примерно 1240 составят специалисты высокой квалификации. В проекте задействовано 135 поставщиков.

Развертывание предприятия должно завершиться в декабре 2032 года. Заодно планируется создать академию микроэлектроники и наладить сотрудничество с исследовательскими центрами и университетами.

У STMicro уже есть производственные мощности SiC в Марокко и в Сингапуре. Вместе с новым заводом, компания рассчитывает нарастить долю на рынке SiC до 10% к 2030 года. Конкуренты на этом рынке - Wolfspeed, США; Infineon, Германия; Onsemi, США.

Завод в Катании – один из нескольких европейских проектов такого рода, наряду с проектом Infineon в Австрии и Bosch в Германии. Скромно, в основном все затевается ради «поддержания штанов» автопрома.

@RUSmicrо

#SiC #силовая