🇩🇪 Производственные мощности. Силовые компоненты. Германия
Infineon расширяет производственные мощности в Дрездене
Германия выделит 920 млн евро на строительство нового завода по производству в Дрездене. Эти средства будет осваивать Infineon, компания планирует вложить в общей сложности около 3.4 млрд евро.
Эти планы озвучиваются с ноября 2022 года. Ранее звучала цифра инвестиций в $5,42 млрд, теперь, как видим, она сократилась до 3.4 млрд евро. Infineon планирует производить чипы для энергетического сектора, а также микросхемы с аналоговым и смешанным сигналами на пластинах 300мм. По техпроцессу данных нет, но обычно силовые микросхемы выпускаются на зрелых технологиях.
Запуск фаба запланирован на 2026 год. Это вполне реалистичный срок, учитывая, что строительство идет уже достаточно давно, еще в апреле 2024 года был готов котлован глубиной 22 метра, шло возведение несущих конструкций фаба и здания на опорной бетонной плите толщиной 150-190 см, которая предназначена для снижения вибраций. Закладка фундамента официально была проведена в мае 2023 года.
Infineon в Дрездене работает с 1994 года – у компании действуют две линии на 200мм и 300мм пластинах. Задействовано 3900 сотрудников (до прошлогоднего сокращения), выпускается более 400 различных изделий.
@RUSmicro по материалам Deutschland
#производство #силовая #300мм
Infineon расширяет производственные мощности в Дрездене
Германия выделит 920 млн евро на строительство нового завода по производству в Дрездене. Эти средства будет осваивать Infineon, компания планирует вложить в общей сложности около 3.4 млрд евро.
Эти планы озвучиваются с ноября 2022 года. Ранее звучала цифра инвестиций в $5,42 млрд, теперь, как видим, она сократилась до 3.4 млрд евро. Infineon планирует производить чипы для энергетического сектора, а также микросхемы с аналоговым и смешанным сигналами на пластинах 300мм. По техпроцессу данных нет, но обычно силовые микросхемы выпускаются на зрелых технологиях.
Запуск фаба запланирован на 2026 год. Это вполне реалистичный срок, учитывая, что строительство идет уже достаточно давно, еще в апреле 2024 года был готов котлован глубиной 22 метра, шло возведение несущих конструкций фаба и здания на опорной бетонной плите толщиной 150-190 см, которая предназначена для снижения вибраций. Закладка фундамента официально была проведена в мае 2023 года.
Infineon в Дрездене работает с 1994 года – у компании действуют две линии на 200мм и 300мм пластинах. Задействовано 3900 сотрудников (до прошлогоднего сокращения), выпускается более 400 различных изделий.
@RUSmicro по материалам Deutschland
#производство #силовая #300мм
deutschland.de
Германия спонсирует строительство нового завода по производству микросхем
Производитель полупроводников Infineon расширяет свои производственные мощности в Дрездене, повышая тем самым надежность поставок в Германии и Европе.
👍1🤣1
🇨🇳 🇳🇱 Силовая электроника. SiC. Китай. Нидерланды
Нидерландо-китайская компания начала производство силовой электроники на пластинах SiC в Китае
Нидерландская STMicroelectronics и ее китайский партнер Sanan Optoelectronics (Chongqing Sanan Semiconductor) официально приступили к производству полупроводниковых структур на пластинах карбида кремния в Чунцине. Серийное производство на 8-дюймовых SiC пластинах начнется в 4q2025.
В рамках проекта сооружается фабрика по производству чипов и предприятие по производству пластин SiC. Предприятие займется также R&D в области чипов, их продажами.
Это предприятие в промышленном парке Xiyong Microelectronics, Чунцин, должно стать крупнейшей линией такого рода в Китае. Как ожидается, это позволит удовлетворить растущий спрос на изделия на базе карбида кремния на рынке Китая, прежде всего, в сегментах электромобилей, промышленного электропитания и электроэнергетики.
Инвестиции в проект оцениваются на уровне $3.1 млрд (23 млрд юаней).
По оценкам TrendForce, рынок силовых устройств на базе SiC в Китае достиг примерно $1.8 млрд в 2024 году, вырастет до $2.2 млрд в 2025 году, и к 2030 году увеличится до $6.1 млрд.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#SiC #силовая #карбидкремния
Нидерландо-китайская компания начала производство силовой электроники на пластинах SiC в Китае
Нидерландская STMicroelectronics и ее китайский партнер Sanan Optoelectronics (Chongqing Sanan Semiconductor) официально приступили к производству полупроводниковых структур на пластинах карбида кремния в Чунцине. Серийное производство на 8-дюймовых SiC пластинах начнется в 4q2025.
В рамках проекта сооружается фабрика по производству чипов и предприятие по производству пластин SiC. Предприятие займется также R&D в области чипов, их продажами.
Это предприятие в промышленном парке Xiyong Microelectronics, Чунцин, должно стать крупнейшей линией такого рода в Китае. Как ожидается, это позволит удовлетворить растущий спрос на изделия на базе карбида кремния на рынке Китая, прежде всего, в сегментах электромобилей, промышленного электропитания и электроэнергетики.
Инвестиции в проект оцениваются на уровне $3.1 млрд (23 млрд юаней).
По оценкам TrendForce, рынок силовых устройств на базе SiC в Китае достиг примерно $1.8 млрд в 2024 году, вырастет до $2.2 млрд в 2025 году, и к 2030 году увеличится до $6.1 млрд.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#SiC #силовая #карбидкремния
[News] Sanan-STMicroelectronics SiC Device Fab Goes Online | TrendForce News
On February 27, the SiC (silicon carbide) wafer manufacturing joint venture between Sanan Optoelectronics and STMicroelectronics in Chongqing, officia...
👌3
🇷🇺 Силовая электроника. Компоненты. SiC. Россия
В ЛЭТИ разработали прототип силового транзистора на основе SiC
Об этом сообщили Известия.
Прототип транзистора на базе карбида кремния способен работать с напряжениями до 1700 В, заявил проректор по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ ЛЭТИ Александр Семенов. Также заявляется, что топология и технологический маршрут могут быть адаптированы к производственным возможностям российских предприятий.
В теории это означает, что при соответствующей коммутации целевые изделия способны работать при напряжениях более 15 кВ на более высоких, чем типовые кремниевые аналоги частотах.
Транзисторы на базе SiC, в среднем могут работать при более высоких температурах, выше 200 °C, например. Можно получить прибор SiC с тем же напряжением пробоя, что и у кремниевого аналога, но при этом с меньшей площадью кристалла: на пластине равного размера может поместиться больше кристаллов SiC приборов, впрочем, пластины SiC как правило существенно дороже кремниевых, так что здесь пока что особо не выиграть.
Пока что российские предприятия закупают SiC-транзисторы за рубежом.
Соответственно, разработка делает возможным создание востребованных отечественных аналогов.
В 2024 году стало известно о запуске совместного предприятия ЛЭТИЭЛ в Зеленограде группой компаний Элемент и СПбГЭТУ ЛЭТИ – это предприятие занимается разработкой компонентов на основе карбида кремния.
Производством карбидкремниевых приборов может заняться Микрон – есть план создания производства с мощностью до 40 тысяч пластин SiC в год к 2030 году.
Известно, что НПО Энергомодуль выпустило первые силовые модули на кристаллах SiC, разработанные ГК Элемент. Это, впрочем, тоже еще не серийное производство.
@RUSmicro
#SiC #карбидкремния #силовая
В ЛЭТИ разработали прототип силового транзистора на основе SiC
Об этом сообщили Известия.
Прототип транзистора на базе карбида кремния способен работать с напряжениями до 1700 В, заявил проректор по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ ЛЭТИ Александр Семенов. Также заявляется, что топология и технологический маршрут могут быть адаптированы к производственным возможностям российских предприятий.
В теории это означает, что при соответствующей коммутации целевые изделия способны работать при напряжениях более 15 кВ на более высоких, чем типовые кремниевые аналоги частотах.
Транзисторы на базе SiC, в среднем могут работать при более высоких температурах, выше 200 °C, например. Можно получить прибор SiC с тем же напряжением пробоя, что и у кремниевого аналога, но при этом с меньшей площадью кристалла: на пластине равного размера может поместиться больше кристаллов SiC приборов, впрочем, пластины SiC как правило существенно дороже кремниевых, так что здесь пока что особо не выиграть.
Пока что российские предприятия закупают SiC-транзисторы за рубежом.
Соответственно, разработка делает возможным создание востребованных отечественных аналогов.
В 2024 году стало известно о запуске совместного предприятия ЛЭТИЭЛ в Зеленограде группой компаний Элемент и СПбГЭТУ ЛЭТИ – это предприятие занимается разработкой компонентов на основе карбида кремния.
Производством карбидкремниевых приборов может заняться Микрон – есть план создания производства с мощностью до 40 тысяч пластин SiC в год к 2030 году.
Известно, что НПО Энергомодуль выпустило первые силовые модули на кристаллах SiC, разработанные ГК Элемент. Это, впрочем, тоже еще не серийное производство.
@RUSmicro
#SiC #карбидкремния #силовая
CNews.ru
В России создали отечественный прототип полевого транзистора из материала, альтернативного чистому кремнию - CNews
В Санкт-Петербургском университете «ЛЭТИ» создали прототип полевого транзистора на основе карбида кремния. В...
👍13🤔1
🇷🇺 Силовая электроника. SiC. Россия
Элемент собирается запустить серийное производство силовых модулей 30 и 40 кВт для ЭЗС до конца 2025 года
В структуре ГК Элемент темой занимается ООО «Элемент-Технологии», ранее я о нем не слышал. Эта компания разрабатывает и собирается выпускать зарядные модули. В их конструкции планируется задействовать компоненты, в частности, еще одной из компаний, входящей в группу – Силовой ключ, которая наладила выпуск карбид-кремниевых транзисторов (SiC).
Декларируемая мощность производства, которое планируют разместить в Москве, составит 10-15 тысяч модулей в год. Первая партия намечена к выпуску до конца 2025 года в объеме 1 тысяча штук.
Как ожидается, на модули найдется растущий спрос, в частности упоминается Ситроникс Электро, создающая сеть ЭЗС. На одну ЭЗС требуется обычно 4 модуля. В Элемент надеются также на экспортный потенциал в этом сегменте.
@RUSmicro
#SiC #силовая #зарядные #ЭЗС
(Вспоминается новость из Китая о мегаваттных ЭЗС).
Элемент собирается запустить серийное производство силовых модулей 30 и 40 кВт для ЭЗС до конца 2025 года
В структуре ГК Элемент темой занимается ООО «Элемент-Технологии», ранее я о нем не слышал. Эта компания разрабатывает и собирается выпускать зарядные модули. В их конструкции планируется задействовать компоненты, в частности, еще одной из компаний, входящей в группу – Силовой ключ, которая наладила выпуск карбид-кремниевых транзисторов (SiC).
Декларируемая мощность производства, которое планируют разместить в Москве, составит 10-15 тысяч модулей в год. Первая партия намечена к выпуску до конца 2025 года в объеме 1 тысяча штук.
Как ожидается, на модули найдется растущий спрос, в частности упоминается Ситроникс Электро, создающая сеть ЭЗС. На одну ЭЗС требуется обычно 4 модуля. В Элемент надеются также на экспортный потенциал в этом сегменте.
@RUSmicro
#SiC #силовая #зарядные #ЭЗС
(Вспоминается новость из Китая о мегаваттных ЭЗС).
👍11❤5
🇮🇹 Силовая микроэлектроника. SiC. Италия
Campus SiC – «интегрированный завод» на Сицилии, который займется производством силовой микроэлектроники
Это проект европейской компании STMicro, контракт на развертывание завода подписало Министерство предприятий и производства Италии. Господдержка с использованием фонда инвестиций Mimit и региональной поддержки Fesr Sicilia должна составить 2 млрд евро. Размер инвестиций в проект – 5 млрд евро.
На эти средства в Катании сооружается завод по производству силовой микроэлектроники на базе карбида кремния на пластинах 200 мм.
«Интегрированность» завода заключается в том, что на нем, как ожидается будут производиться некоторые из необходимых материалов, структуры на пластинах, корпусирование и тестирование изделий на основе этих полупроводниковых структур.
Выпускать здесь собираются, в частности, транзисторы SiC MOSFET и SiC диоды Шоттки.
Это должно послужить стратегической цели – обеспечению независимости ЕС от поставок карбид-кремниевых компонентов.
Реализация проекта, как ожидается, обеспечит Сицилию примерно 3 тысячами новых рабочих мест, из которых примерно 1240 составят специалисты высокой квалификации. В проекте задействовано 135 поставщиков.
Развертывание предприятия должно завершиться в декабре 2032 года. Заодно планируется создать академию микроэлектроники и наладить сотрудничество с исследовательскими центрами и университетами.
У STMicro уже есть производственные мощности SiC в Марокко и в Сингапуре. Вместе с новым заводом, компания рассчитывает нарастить долю на рынке SiC до 10% к 2030 года. Конкуренты на этом рынке - Wolfspeed, США; Infineon, Германия; Onsemi, США.
Завод в Катании – один из нескольких европейских проектов такого рода, наряду с проектом Infineon в Австрии и Bosch в Германии. Скромно, в основном все затевается ради «поддержания штанов» автопрома.
@RUSmicrо
#SiC #силовая
Campus SiC – «интегрированный завод» на Сицилии, который займется производством силовой микроэлектроники
Это проект европейской компании STMicro, контракт на развертывание завода подписало Министерство предприятий и производства Италии. Господдержка с использованием фонда инвестиций Mimit и региональной поддержки Fesr Sicilia должна составить 2 млрд евро. Размер инвестиций в проект – 5 млрд евро.
На эти средства в Катании сооружается завод по производству силовой микроэлектроники на базе карбида кремния на пластинах 200 мм.
«Интегрированность» завода заключается в том, что на нем, как ожидается будут производиться некоторые из необходимых материалов, структуры на пластинах, корпусирование и тестирование изделий на основе этих полупроводниковых структур.
Выпускать здесь собираются, в частности, транзисторы SiC MOSFET и SiC диоды Шоттки.
Это должно послужить стратегической цели – обеспечению независимости ЕС от поставок карбид-кремниевых компонентов.
Реализация проекта, как ожидается, обеспечит Сицилию примерно 3 тысячами новых рабочих мест, из которых примерно 1240 составят специалисты высокой квалификации. В проекте задействовано 135 поставщиков.
Развертывание предприятия должно завершиться в декабре 2032 года. Заодно планируется создать академию микроэлектроники и наладить сотрудничество с исследовательскими центрами и университетами.
У STMicro уже есть производственные мощности SiC в Марокко и в Сингапуре. Вместе с новым заводом, компания рассчитывает нарастить долю на рынке SiC до 10% к 2030 года. Конкуренты на этом рынке - Wolfspeed, США; Infineon, Германия; Onsemi, США.
Завод в Катании – один из нескольких европейских проектов такого рода, наряду с проектом Infineon в Австрии и Bosch в Германии. Скромно, в основном все затевается ради «поддержания штанов» автопрома.
@RUSmicrо
#SiC #силовая
👍4❤3✍1