🇲🇾 Участники рынка. Малайзия
Малайзия стремится стать энергетическим хабом и одним из глобальных центров производства микроэлектроники
О таких целях заявили премьер-министр и министр экономики этой страны. Этому способствует рост экономики страны и стабильность валюты. Экономика страны в 2024 году «существенно восстановилась», чему способствовал приток стратегических инвестиций, в основном в возобновляемые источники энергии и в инфраструктуру ИИ.
«В 2025 году мы хотим удвоить нашу географическую привлекательность как поставщика электроэнергии, рабочей силы и возможности диверсифицировать цепочки поставок», - заявил премьер-министр Анвар Ибрагим на экономическом форуме.
Страна намеревается совершенствовать свою экспертизу в области нефти и газа, полупроводников и исламских финансов, чтобы стать одним из мировых лидеров в каждой из этих областей.
Министр экономики Рафизи Рамли заявил, что Малайзия стремится освоить производство собственных графических процессоров, поскольку растет спрос на ИИ и ЦОД.
«Мы надеемся, что сможем начать производство графических процессоров и ряда других чипов в Малайзии в течение следующих 5-10 лет», - сказал он.
Малайзия – крупный участник рынка полупроводников, на долю этой страны приходится порядка 13% общемирового объема тестирования и упаковки/корпусирования чипов. В этот сегмент в Малайзии планируют инвестировать более $100 млрд (не сказано за какой период).
В Малайзии добывают ряд РЗЭ, причем обсуждается запрет экспорта этих материалов.
К Малайзии внимательно приглядываются США, Тайвань и ряд европейских стран, десятки зарубежных компаний, работающих в области микроэлектроники, имеют в Малайзии производственные мощности или планы их создания в ближайшие годы (Amkor, AT&S, Bosh, Foxconn, GlobalWafers, Infineon, Intel, Kinsus Interconnect, Melexis, Micron, MKS Instruments и другие). Интерес к созданию полупроводниковых производств в Малайзии в области упаковки проявляют и китайские компании, которые диверсифицируют свою деятельность за рубежом. Всего в области полупроводникового рынка в стране действует порядка 50 компаний, включая малайзийские.
В 2024 году экономика Малайзии получила заметное вливание от американской Alphabet.
@RUSmicro по материалам Reuters
Малайзия стремится стать энергетическим хабом и одним из глобальных центров производства микроэлектроники
О таких целях заявили премьер-министр и министр экономики этой страны. Этому способствует рост экономики страны и стабильность валюты. Экономика страны в 2024 году «существенно восстановилась», чему способствовал приток стратегических инвестиций, в основном в возобновляемые источники энергии и в инфраструктуру ИИ.
«В 2025 году мы хотим удвоить нашу географическую привлекательность как поставщика электроэнергии, рабочей силы и возможности диверсифицировать цепочки поставок», - заявил премьер-министр Анвар Ибрагим на экономическом форуме.
Страна намеревается совершенствовать свою экспертизу в области нефти и газа, полупроводников и исламских финансов, чтобы стать одним из мировых лидеров в каждой из этих областей.
Министр экономики Рафизи Рамли заявил, что Малайзия стремится освоить производство собственных графических процессоров, поскольку растет спрос на ИИ и ЦОД.
«Мы надеемся, что сможем начать производство графических процессоров и ряда других чипов в Малайзии в течение следующих 5-10 лет», - сказал он.
Малайзия – крупный участник рынка полупроводников, на долю этой страны приходится порядка 13% общемирового объема тестирования и упаковки/корпусирования чипов. В этот сегмент в Малайзии планируют инвестировать более $100 млрд (не сказано за какой период).
В Малайзии добывают ряд РЗЭ, причем обсуждается запрет экспорта этих материалов.
К Малайзии внимательно приглядываются США, Тайвань и ряд европейских стран, десятки зарубежных компаний, работающих в области микроэлектроники, имеют в Малайзии производственные мощности или планы их создания в ближайшие годы (Amkor, AT&S, Bosh, Foxconn, GlobalWafers, Infineon, Intel, Kinsus Interconnect, Melexis, Micron, MKS Instruments и другие). Интерес к созданию полупроводниковых производств в Малайзии в области упаковки проявляют и китайские компании, которые диверсифицируют свою деятельность за рубежом. Всего в области полупроводникового рынка в стране действует порядка 50 компаний, включая малайзийские.
В 2024 году экономика Малайзии получила заметное вливание от американской Alphabet.
@RUSmicro по материалам Reuters
Reuters
Malaysia aims to be conduit for diversification of energy and supply chains, PM says
Malaysia wants to optimise its location and become a conduit for diversification of energy and supply chains this year, aiming to become a leader in the semiconductors industry and Islamic finance, its premier said on Thursday.
January 10
🇺🇸 Регулирование. Экспортные ограничения. США
Запрет на экспорт чипов из США в Китай может быть расширен на чипы по технологии до 16 нм
Как узнали в Economic Daily News, в США готовятся ужесточить экспортный контроль в части экспорта чипов в Китай. На днях США могут представить еще более строгие ограничения на экспорт ИИ и передовых чипов в Китай. Кроме того, отраслевые источники указывают, что США могут распространить ограничения с текущих от 7нм и ниже до 16нм и ниже, то есть на часть «зрелых» техпроцессов. Это может создать немалые проблемы для производственных предприятий, значительная доля заказов которых пока что поступает из Китая.
Некоторые эксперты уверены, что расширение запрета до 16нм приведет к заметным негативным последствиям для целого ряда производителей, что может спровоцировать новую волну сбоев в мировой полупроводниковой промышленности.
Например, у крупнейшего в мире контрактного производителя, компании TSMC, изделия по техпроцессу 16 нм обеспечили около 8% выручки. Впрочем, далеко не весь этот объем приходится на потребителей из Китая. Да и доля в выручке от процессов 3нм и 5нм быстро растет. Так что TSMC может пострадать от новых ограничений заметно меньше, чем, например, GlobalFoundries, у которой изделия 16нм обеспечивают большую часть дохода.
Кроме ограничений по техпроцессу, в администрации Байдена размышляют над ограничениями на продажи чипов ИИ в большинство мировых регионов, что может негативно повлиять, прежде всего, на такие компании как Nvidia и AMD. В частности, может быть создана «трехуровневая система ограничений» торговли чипами, которая должна будет заблокировать доступ к передовым технологиям для Китая и России.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#санкции #экспортныйконтрольСША
Запрет на экспорт чипов из США в Китай может быть расширен на чипы по технологии до 16 нм
Как узнали в Economic Daily News, в США готовятся ужесточить экспортный контроль в части экспорта чипов в Китай. На днях США могут представить еще более строгие ограничения на экспорт ИИ и передовых чипов в Китай. Кроме того, отраслевые источники указывают, что США могут распространить ограничения с текущих от 7нм и ниже до 16нм и ниже, то есть на часть «зрелых» техпроцессов. Это может создать немалые проблемы для производственных предприятий, значительная доля заказов которых пока что поступает из Китая.
Некоторые эксперты уверены, что расширение запрета до 16нм приведет к заметным негативным последствиям для целого ряда производителей, что может спровоцировать новую волну сбоев в мировой полупроводниковой промышленности.
Например, у крупнейшего в мире контрактного производителя, компании TSMC, изделия по техпроцессу 16 нм обеспечили около 8% выручки. Впрочем, далеко не весь этот объем приходится на потребителей из Китая. Да и доля в выручке от процессов 3нм и 5нм быстро растет. Так что TSMC может пострадать от новых ограничений заметно меньше, чем, например, GlobalFoundries, у которой изделия 16нм обеспечивают большую часть дохода.
Кроме ограничений по техпроцессу, в администрации Байдена размышляют над ограничениями на продажи чипов ИИ в большинство мировых регионов, что может негативно повлиять, прежде всего, на такие компании как Nvidia и AMD. В частности, может быть создана «трехуровневая система ограничений» торговли чипами, которая должна будет заблокировать доступ к передовым технологиям для Китая и России.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#санкции #экспортныйконтрольСША
[News] U.S. Chip Export Ban to China May Extend to 16nm Before Biden Leaves Office | TrendForce News
According to a report from Economic Daily News, the U.S. is reportedly preparing to tighten chip export controls on China. Before the end of President...
January 10
📈 Прогнозы. Оценки. Статистика. Тренды
По данным SEMI, в 2025 году в мире планируется запуск строительства 18 новых фабрик
Из них – 3 ориентированы на пластины 200 мм, 15 – на пластины 300 мм. Запуски производства на этих фабах планируются в период 2026-2027.
Если говорить о региональном распределении, то в Америке запланировано начать стройку 4 фабрик, в Японии – 4, в Китае – 3, в Европе и на Ближнем востоке еще 3 (совокупно), на Тайване – 2, в Юго-Восточной Азии – 1, в Южной Корее – 1.
В отчете Ассоциации SEMI World Fab Forecast за 4q2024, охватывающем период 2023-2025 год, показано, что мировая полупроводниковая промышленность планирует запустить за этот период 97 новых крупносерийных фабов.
В 2024 году было начато производство на 48 фабах по всему миру, в 2025 году планируется запуск производства еще на 32 предприятиях. Они будут работать с пластинами от 50 до 300 мм.
Прогнозируется дальнейшее наращивание производственных мощностей. Совокупный объем производства пластин в 2025 году оценивается на уровне 33,6 млн пластин в месяц (пвм), а среднегодовые темпы роста – в 6,6%. Необходимость в росте производственных мощностей диктуется трендами на растущую востребованность высокопроизводительных вычислений (HPC) и растущим проникновением генеративного ИИ в периферийные устройства.
Полупроводниковая промышленность растет, реагируя на спрос на LLM, особенно это касается расширения мощностей производств 7нм и ниже, которые, как ожидается, покажут рост в 16%, что эквивалентно годовому росту производства на 300 тысяч пластин в месяц до совокупных 2.2 млн пвм в 2025 году.
На процессы влияет ориентация Китая на локализацию производства, рост потребностей в чипах автоиндустрии, приложений IoT. В результате «мейнстримовые» техпроцессы от 8нм до 45нм, как ожидается, покажут прирост объемов производства в 6%, что обеспечит в 2025 году превышение порога в 15 млн пвм.
Производство по зрелым технологиям (от 50нм и более) будет расширяться, но, как ожидается, более скромными темпами, отражая низкие темпы восстановления рынка. Как ожидается, этот сегмент будет расти со скоростью 5% и достигнет 14 млн пвм в 2025 году.
Контрактное производство продолжит рост
Контрактные производители, как ожидается, останутся лидерами по объемам закупок производственного оборудования. Контрактный сегмент, как ожидается, покажет рост на 10,9% год к году, его мощности вырастут с 11,3 млн пвм в 2024 году до 12,6 млн пвм в 2025 году.
Производственные мощности рынка памяти - тоже рост
Сегмент производства памяти демонстрирует измеримый рост объемов производства, но небольшой – 3.5% в 2024 году и 2.9% в 2025 году. Тем не менее, заметный спрос на решения GenAI стимулирует к рост и этот рынок. HBM-память особенно востребована.
Сегмент производства памяти DRAM испытывает рост примерно в 7% год к году и покажет рост в 4.5 млн пвм в 2025 году.
Установленные производственные мощности 3D NAND, как ожидается, покажут рост на 5% до 3.7 млн пвм в 2025 году.
@RUSmicro по материалам SEMI
#прогнозы #статистика #производственныемощности
По данным SEMI, в 2025 году в мире планируется запуск строительства 18 новых фабрик
Из них – 3 ориентированы на пластины 200 мм, 15 – на пластины 300 мм. Запуски производства на этих фабах планируются в период 2026-2027.
Если говорить о региональном распределении, то в Америке запланировано начать стройку 4 фабрик, в Японии – 4, в Китае – 3, в Европе и на Ближнем востоке еще 3 (совокупно), на Тайване – 2, в Юго-Восточной Азии – 1, в Южной Корее – 1.
В отчете Ассоциации SEMI World Fab Forecast за 4q2024, охватывающем период 2023-2025 год, показано, что мировая полупроводниковая промышленность планирует запустить за этот период 97 новых крупносерийных фабов.
В 2024 году было начато производство на 48 фабах по всему миру, в 2025 году планируется запуск производства еще на 32 предприятиях. Они будут работать с пластинами от 50 до 300 мм.
Прогнозируется дальнейшее наращивание производственных мощностей. Совокупный объем производства пластин в 2025 году оценивается на уровне 33,6 млн пластин в месяц (пвм), а среднегодовые темпы роста – в 6,6%. Необходимость в росте производственных мощностей диктуется трендами на растущую востребованность высокопроизводительных вычислений (HPC) и растущим проникновением генеративного ИИ в периферийные устройства.
Полупроводниковая промышленность растет, реагируя на спрос на LLM, особенно это касается расширения мощностей производств 7нм и ниже, которые, как ожидается, покажут рост в 16%, что эквивалентно годовому росту производства на 300 тысяч пластин в месяц до совокупных 2.2 млн пвм в 2025 году.
На процессы влияет ориентация Китая на локализацию производства, рост потребностей в чипах автоиндустрии, приложений IoT. В результате «мейнстримовые» техпроцессы от 8нм до 45нм, как ожидается, покажут прирост объемов производства в 6%, что обеспечит в 2025 году превышение порога в 15 млн пвм.
Производство по зрелым технологиям (от 50нм и более) будет расширяться, но, как ожидается, более скромными темпами, отражая низкие темпы восстановления рынка. Как ожидается, этот сегмент будет расти со скоростью 5% и достигнет 14 млн пвм в 2025 году.
Контрактное производство продолжит рост
Контрактные производители, как ожидается, останутся лидерами по объемам закупок производственного оборудования. Контрактный сегмент, как ожидается, покажет рост на 10,9% год к году, его мощности вырастут с 11,3 млн пвм в 2024 году до 12,6 млн пвм в 2025 году.
Производственные мощности рынка памяти - тоже рост
Сегмент производства памяти демонстрирует измеримый рост объемов производства, но небольшой – 3.5% в 2024 году и 2.9% в 2025 году. Тем не менее, заметный спрос на решения GenAI стимулирует к рост и этот рынок. HBM-память особенно востребована.
Сегмент производства памяти DRAM испытывает рост примерно в 7% год к году и покажет рост в 4.5 млн пвм в 2025 году.
Установленные производственные мощности 3D NAND, как ожидается, покажут рост на 5% до 3.7 млн пвм в 2025 году.
@RUSmicro по материалам SEMI
#прогнозы #статистика #производственныемощности
January 10
🇪🇺 Кремниевая фотоника. Источники света. Европа
Компания Imec сообщает о полномасштабном производстве наногребневых GaAs лазеров на пластинах 300 мм
Мы уже начинали обсуждать европейский прорыв в кремниевой фотонике, в основе которого – возможность на обычной кремниевой пластине 300 мм создать лазерный диод GaAs. Сегодня – еще немного подробностей.
Компания Imec объявила об успешной демонстрации электрически управляемых наногребневых лазерных диодов на основе GaAs, которые были полностью монолитно изготовлены на 300-мм кремниевых пластинах на пилотной линии, где проводится прототипирование кремниевых структур. Это существенное достижение – важная веха в области кремниевой фотоники.
Эти результаты показывают потенциал прямого эпитаксиального роста высококачественных материалов III-V на кремнии. Выращенный лазер может непрерывно работать при комнатной температуре с пороговыми токами всего 5 мА и выходными напряжениями более 1 мВт.
Этот прорыв открывает путь к разработке высокопроизводительных и экономически эффективных оптических устройств для приложений в области ИИ, ML и передачи данных.
До сих пор широкое распространении кремниевой фотоники сдерживалось отсутствием собственных источников света на базе КМОП-технологий, которые славятся высокой масштабируемостью. Сложные процессы интеграции лазеров или необходимость использования дорогостоящих подложек III-V, которые часто приходится выбрасывать после попыток обработки, являются неотъемлемой частью гибридных или гетерогенных интеграционных решений, таких как соединение кристалла с пластиной, микротрансферная печать или методом перевернутого кристалла. Это приводит к росту затрат. По этой причине прямой эпитаксиальный рост высококачественных материалов с оптическим усилением III-V селективно на крупногабаритных кремниевых фотонных пластинах остается востребованной целью.
Образование дефектов из-за несоответствия кристаллических структур неизбежно из-за разницы коэффициентов теплового расширения и параметров кристаллической решетки таких материалов как III-V и Si. Известно, что эти дефекты могут снижать надежность и производительность лазера.
Удерживая дислокации несоответствия в канавках, вытравленных в диэлектрической маске, селективный рост областей (SAG) в сочетании с захватом соотношения сторон (ASP – aspect-ratio trapping) существенно снижает дефекты в материалах III-V, интегрированных в кремний.
В лазерах используются низкодефектные наноструктуры GaAs с наногребнями для интеграции множественных квантовых ям (MQW / МКЯ) InGaAs в качестве области оптического усиления. Эти MQW встроены в легированный in situ (на месте) p-i-n диод и пассивированы защитным слоем InGaP. Получение непрерывной работы лазера при комнатной температуре посредством электрической инжекции является значительным достижением, поскольку позволяет преодолеть препятствия в проектировании интерфейса и подаче тока.
Устройство демонстрирует лазерную генерацию на длине волны около 1020 нм с пороговыми токами всего 5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.5 Вт/А и оптической мощностью, приближающейся к 1,75 мВт. Это демонстрирует масштабируемый путь для развития кремниевой фотоники. Это мощный импульс для ее превращения в востребованную технологию.
@RUSmicro по материалам Embedded
#кремниеваяфотоника #источникисвета
Компания Imec сообщает о полномасштабном производстве наногребневых GaAs лазеров на пластинах 300 мм
Мы уже начинали обсуждать европейский прорыв в кремниевой фотонике, в основе которого – возможность на обычной кремниевой пластине 300 мм создать лазерный диод GaAs. Сегодня – еще немного подробностей.
Компания Imec объявила об успешной демонстрации электрически управляемых наногребневых лазерных диодов на основе GaAs, которые были полностью монолитно изготовлены на 300-мм кремниевых пластинах на пилотной линии, где проводится прототипирование кремниевых структур. Это существенное достижение – важная веха в области кремниевой фотоники.
Эти результаты показывают потенциал прямого эпитаксиального роста высококачественных материалов III-V на кремнии. Выращенный лазер может непрерывно работать при комнатной температуре с пороговыми токами всего 5 мА и выходными напряжениями более 1 мВт.
Этот прорыв открывает путь к разработке высокопроизводительных и экономически эффективных оптических устройств для приложений в области ИИ, ML и передачи данных.
До сих пор широкое распространении кремниевой фотоники сдерживалось отсутствием собственных источников света на базе КМОП-технологий, которые славятся высокой масштабируемостью. Сложные процессы интеграции лазеров или необходимость использования дорогостоящих подложек III-V, которые часто приходится выбрасывать после попыток обработки, являются неотъемлемой частью гибридных или гетерогенных интеграционных решений, таких как соединение кристалла с пластиной, микротрансферная печать или методом перевернутого кристалла. Это приводит к росту затрат. По этой причине прямой эпитаксиальный рост высококачественных материалов с оптическим усилением III-V селективно на крупногабаритных кремниевых фотонных пластинах остается востребованной целью.
Образование дефектов из-за несоответствия кристаллических структур неизбежно из-за разницы коэффициентов теплового расширения и параметров кристаллической решетки таких материалов как III-V и Si. Известно, что эти дефекты могут снижать надежность и производительность лазера.
Удерживая дислокации несоответствия в канавках, вытравленных в диэлектрической маске, селективный рост областей (SAG) в сочетании с захватом соотношения сторон (ASP – aspect-ratio trapping) существенно снижает дефекты в материалах III-V, интегрированных в кремний.
В лазерах используются низкодефектные наноструктуры GaAs с наногребнями для интеграции множественных квантовых ям (MQW / МКЯ) InGaAs в качестве области оптического усиления. Эти MQW встроены в легированный in situ (на месте) p-i-n диод и пассивированы защитным слоем InGaP. Получение непрерывной работы лазера при комнатной температуре посредством электрической инжекции является значительным достижением, поскольку позволяет преодолеть препятствия в проектировании интерфейса и подаче тока.
Устройство демонстрирует лазерную генерацию на длине волны около 1020 нм с пороговыми токами всего 5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.5 Вт/А и оптической мощностью, приближающейся к 1,75 мВт. Это демонстрирует масштабируемый путь для развития кремниевой фотоники. Это мощный импульс для ее превращения в востребованную технологию.
@RUSmicro по материалам Embedded
#кремниеваяфотоника #источникисвета
January 10
🇺🇸 Производственные мощности. Техпроцессы. США
Fab 21 TSMC в Аризоне уже производит чипы по техпроцессу 4нм
Министр торговли США Джина Раймондо сообщила агентству Reuters, что TSMC начала производство чипов на своей фабрике Fab 21 неподалеку от Финикса, Аризона, с использованием техпроцесса 4нм. Это первый случай изготовления столь передового производственного узла в США. Это первое официальное подтверждение информации о том, что речь идет о серийном производстве.
По заявлению г-жи Раймондо, чипы производятся с тем же, что в Тайване уровнем качества и выхода годных. На сегодня это самое технологически передовое производство в США.
По неофициальной информации, завод TSMC Fab 21 в Аризоне выпускает как минимум 3 модели процессоров: однокристальную систему A16 Bionic, используемую в iPhone 15 и iPhone 15 Plus от Apple, основной процессор однокристальной системы S9 от Apple для умных часов, который имеет два 64-битных ядра и 4-х ядерный нейронный движок, а также процессор AMD Ryzen серии 9000. Эти чипы производятся с использованием техпроцессов TSMC – N4 и N4P.
Проект TSMC Arizona имеет важное значение в исполнении планов США – производить 20% самых передовых в мире логических микросхем к 2030 году. Администрация Байдена поставила эту цель несколько лет назад, еще до разработки и принятия «Закона о чипах». Завод TSMC под Аризоной производит современные чипы для американских компаний в сравнительно большом объеме – около 10 тысяч пластин в месяц.
Впрочем, называть микросхемы по техпроцессам N4 и N4P можно лишь с некоторой натяжкой, учитывая, что TSMC на Тайване уже освоила производство чипов с использованием техпроцесса 2нм. Так что США пока что продолжают отставать от Тайваня по технологическим возможностям. У Южной Кореи тоже более передовые производственные возможности. Япония пока что отстает, но в этой стране явно решили, что пришло время вернуться в Топ-4 стран по уровню чиповых технологий и активно действуют для достижения этой цели.
Минторг США предоставил TSMC гранты на сумму $6.6 млрд и кредитные гарантии на сумму до $5 млрд. Общая сумма инвестиций в Fab 21 потребует финансирования в размере около $65 млрд, чтобы построить и запустить 3 фабричных модуля. Запуск планируется осуществить до конца десятилетия.
Ожидается, что фаза 2 Fab 21 начнет производство в 2028 году с использованием техпроцесса 3нм. К концу десятилетия TSMC рассчитывает построить 3-ю фазу фаба, который, как планируется, будет выпускать чипы на основе узлов 2нм и 1.6нм, включая модификации с подачей питания с обратной стороны кристалла.
@RUSmicro по материалам Tom’s Hardware
#4нм
Fab 21 TSMC в Аризоне уже производит чипы по техпроцессу 4нм
Министр торговли США Джина Раймондо сообщила агентству Reuters, что TSMC начала производство чипов на своей фабрике Fab 21 неподалеку от Финикса, Аризона, с использованием техпроцесса 4нм. Это первый случай изготовления столь передового производственного узла в США. Это первое официальное подтверждение информации о том, что речь идет о серийном производстве.
По заявлению г-жи Раймондо, чипы производятся с тем же, что в Тайване уровнем качества и выхода годных. На сегодня это самое технологически передовое производство в США.
По неофициальной информации, завод TSMC Fab 21 в Аризоне выпускает как минимум 3 модели процессоров: однокристальную систему A16 Bionic, используемую в iPhone 15 и iPhone 15 Plus от Apple, основной процессор однокристальной системы S9 от Apple для умных часов, который имеет два 64-битных ядра и 4-х ядерный нейронный движок, а также процессор AMD Ryzen серии 9000. Эти чипы производятся с использованием техпроцессов TSMC – N4 и N4P.
Проект TSMC Arizona имеет важное значение в исполнении планов США – производить 20% самых передовых в мире логических микросхем к 2030 году. Администрация Байдена поставила эту цель несколько лет назад, еще до разработки и принятия «Закона о чипах». Завод TSMC под Аризоной производит современные чипы для американских компаний в сравнительно большом объеме – около 10 тысяч пластин в месяц.
Впрочем, называть микросхемы по техпроцессам N4 и N4P можно лишь с некоторой натяжкой, учитывая, что TSMC на Тайване уже освоила производство чипов с использованием техпроцесса 2нм. Так что США пока что продолжают отставать от Тайваня по технологическим возможностям. У Южной Кореи тоже более передовые производственные возможности. Япония пока что отстает, но в этой стране явно решили, что пришло время вернуться в Топ-4 стран по уровню чиповых технологий и активно действуют для достижения этой цели.
Минторг США предоставил TSMC гранты на сумму $6.6 млрд и кредитные гарантии на сумму до $5 млрд. Общая сумма инвестиций в Fab 21 потребует финансирования в размере около $65 млрд, чтобы построить и запустить 3 фабричных модуля. Запуск планируется осуществить до конца десятилетия.
Ожидается, что фаза 2 Fab 21 начнет производство в 2028 году с использованием техпроцесса 3нм. К концу десятилетия TSMC рассчитывает построить 3-ю фазу фаба, который, как планируется, будет выпускать чипы на основе узлов 2нм и 1.6нм, включая модификации с подачей питания с обратной стороны кристалла.
@RUSmicro по материалам Tom’s Hardware
#4нм
Tom's Hardware
TSMC's Arizona Fab 21 is already making 4nm chips
It was alleged to be for AMD and Apple, but Raimondo did not say that.
January 11
🇨🇳 Материалы. Литий
Китай стал вторым по величине в мире держателем запасов лития
Китай объявил об открытии большого месторождения сподумена (силикат алюминия с литием, пироксен, относится к группе пегматитовых материалов) в Тибете. Литий добывают из сподумена, например, в Австралии, крупном поставщике этого материала.
Это месторождение примерно утроило запасы лития, находящегося в распоряжении Китая. Ранее на долю Китая приходилось порядка 6% разведанных мировых запасов, теперь оценка меняется на 16,5%, что больше, чем у Австралии, Аргентины, Боливии, но меньше, чем у Чили.
Пояс сподумена, открытый в Тибете, протянулся на 2800 км. По предварительным оценкам, пояс может содержать более 6,5 млн тонн лития, потенциально до 30 млн тонн.
Кроме того, на Тибетском нагорье были обнаружены соленые озера с запасами более 14 млн тонн лития, третьи по величине в мире озера такого рода.
Своевременное открытие, учитывая вялотекущий, но массовый переход на электромобили во всем мире.
Для них нужен литий и в значительных количествах, в частности, в отчете Global Times со ссылкой на официальные данные говорится, что с января по октябрь 2024 года производство литий-ионных аккумуляторов в Китае выросло на 16%, достигнув 890 ГВт.ч.
На сегодня Китай в значительной мере зависит от импорта лития, что повышает себестоимость продукции и ограничивает рост автомобильной отрасли.
В 2022 году на долю Китая пришлось 76% мирового производства Li-Ion аккумуляторов. За последние 20 лет Китай инвестировал в закупки и производств, став крупнейшим в мире потребителем аккумуляторов. В частности, компания CATL является одним из крупнейших производителей Li-Ion аккумуляторов в Китае и мировым лидером по производству аккумуляторов.
@RUSmicro по материалам Trend Force
#литий #материалы
Китай стал вторым по величине в мире держателем запасов лития
Китай объявил об открытии большого месторождения сподумена (силикат алюминия с литием, пироксен, относится к группе пегматитовых материалов) в Тибете. Литий добывают из сподумена, например, в Австралии, крупном поставщике этого материала.
Это месторождение примерно утроило запасы лития, находящегося в распоряжении Китая. Ранее на долю Китая приходилось порядка 6% разведанных мировых запасов, теперь оценка меняется на 16,5%, что больше, чем у Австралии, Аргентины, Боливии, но меньше, чем у Чили.
Пояс сподумена, открытый в Тибете, протянулся на 2800 км. По предварительным оценкам, пояс может содержать более 6,5 млн тонн лития, потенциально до 30 млн тонн.
Кроме того, на Тибетском нагорье были обнаружены соленые озера с запасами более 14 млн тонн лития, третьи по величине в мире озера такого рода.
Своевременное открытие, учитывая вялотекущий, но массовый переход на электромобили во всем мире.
Для них нужен литий и в значительных количествах, в частности, в отчете Global Times со ссылкой на официальные данные говорится, что с января по октябрь 2024 года производство литий-ионных аккумуляторов в Китае выросло на 16%, достигнув 890 ГВт.ч.
На сегодня Китай в значительной мере зависит от импорта лития, что повышает себестоимость продукции и ограничивает рост автомобильной отрасли.
В 2022 году на долю Китая пришлось 76% мирового производства Li-Ion аккумуляторов. За последние 20 лет Китай инвестировал в закупки и производств, став крупнейшим в мире потребителем аккумуляторов. В частности, компания CATL является одним из крупнейших производителей Li-Ion аккумуляторов в Китае и мировым лидером по производству аккумуляторов.
@RUSmicro по материалам Trend Force
#литий #материалы
[News] China Becomes Second-Largest Lithium Holder after New Mine Discovery, Boosting EV Battery Sector | TrendForce News
China may have more bargaining power in the electric vehicle and battery sectors, though in an unexpected way. According to a report from Interesting ...
January 11
📚 Справочная информация. Датчики
Готов второй выпуск Каталога датчиков для гражданского рынка от АКРП-Консорциум дизайн-центров
📈 В данный выпуск вошло более 160 единиц флагманской продукции от более, чем 20 российских разработчиков датчиков
📘 Каталог объединяет информацию по ключевым технологическим группам:
▫️Для добычного оборудования
▫️Электронных комплектующих для транспорта
▫️Для спутникового и навигационного оборудования
▫️Энергетического оборудования
▫️Для систем и дополнительного оборудования защиты и безопасности
▫️Для периферийного и вспомогательного оборудования вычислительных систем
▫️Для комплектующих к осветительному оборудованию
▫️Для климатического оборудования
▫️Датчики и регистраторы
▫️Для измерения физических величин
▫️Для узкоспециализированных измерений
▫️Датчики положения
▫️Для измерения излучения
▫️Датчики контрольного и испытательного оборудования
▫️Оптические датчики
Не могу включать в текст ссылку на получение, чтобы этот информационный пост не посчитали рекламным. Уверен, что кому этот каталог необходим, легко его найдет.
С декабря 2021 года Ассоциация выпустила уже 12 каталогов ЭKБ, модулей, датчиков, сервисов и стажировок, в которых более 340 компаний-разработчиков представило не менее 3 тысяч предложений, в том числе аналогов известных мировых лидеров.
@RUSmicro по информации АКРП
#справочная #датчики
Готов второй выпуск Каталога датчиков для гражданского рынка от АКРП-Консорциум дизайн-центров
📈 В данный выпуск вошло более 160 единиц флагманской продукции от более, чем 20 российских разработчиков датчиков
📘 Каталог объединяет информацию по ключевым технологическим группам:
▫️Для добычного оборудования
▫️Электронных комплектующих для транспорта
▫️Для спутникового и навигационного оборудования
▫️Энергетического оборудования
▫️Для систем и дополнительного оборудования защиты и безопасности
▫️Для периферийного и вспомогательного оборудования вычислительных систем
▫️Для комплектующих к осветительному оборудованию
▫️Для климатического оборудования
▫️Датчики и регистраторы
▫️Для измерения физических величин
▫️Для узкоспециализированных измерений
▫️Датчики положения
▫️Для измерения излучения
▫️Датчики контрольного и испытательного оборудования
▫️Оптические датчики
Не могу включать в текст ссылку на получение, чтобы этот информационный пост не посчитали рекламным. Уверен, что кому этот каталог необходим, легко его найдет.
С декабря 2021 года Ассоциация выпустила уже 12 каталогов ЭKБ, модулей, датчиков, сервисов и стажировок, в которых более 340 компаний-разработчиков представило не менее 3 тысяч предложений, в том числе аналогов известных мировых лидеров.
@RUSmicro по информации АКРП
#справочная #датчики
January 13
January 13
🇷🇺 Силовая микроэлектроника. Производство структур. Россия
ГК Элемент будет производить до 140 тысяч пластин с кристаллами силовых диодов и транзисторов в год
Об этом мы читали в публикации КоммерсантЪ еще в июле 2024 года. На этот раз информацию дополняет 1ru.
Финансирование производства будет осуществляться Госкорпорацией ВЭБ.рф. Если ранее утверждалось, что ГК Элемент возьмет кредит в ВЭБ.рф на 15 млрд рублей, то в публикации 1ru говорится о том, что Госкорпорация ВЭБ.рф «займется финансированием» и что средства будут предоставлены в рамках программы «Кластерная инвестиционная платформа». Сумма не изменилась – все те же 15 млрд. Общая стоимость запуска производства – 19,5 млрд руб., видимо 4,5 млрд – это вклад «Элемент».
Как сообщал КоммерсантЪ в марте 2024 года, производством кристаллов для силовых диодов и транзисторов займется Микрон.
Как и сообщалось полгода назад, речь идет о производстве на кремниевых пластинах и пластинах карбида кремния (SiC). Пластины будут нарезаться на кристаллы силовых диодов и транзисторов.
Как и ранее, декларируется, что запуск данного производства позволит в ближайшие 6 лет (до магического 2030 года) нарастить объем российского производства силовой микроэлектроники с текущих 2% до 70%. Кто-нибудь понимает, что означают эти проценты? Это доля российских кристаллов в общем объеме закупаемых Россией пластин с кристаллами силовой микроэлектроники? Или что-то иное?
Для производства кристаллов силовых диодов и транзисторов не требуется сверхсовременное оборудование типа UAV литографов, размеры узлов силовых приборов сравнительно велики.
@RUSmicro по материалам 1ru
#силоваяэлектроника #силоваямикроэлектроника #производства
ГК Элемент будет производить до 140 тысяч пластин с кристаллами силовых диодов и транзисторов в год
Об этом мы читали в публикации КоммерсантЪ еще в июле 2024 года. На этот раз информацию дополняет 1ru.
Финансирование производства будет осуществляться Госкорпорацией ВЭБ.рф. Если ранее утверждалось, что ГК Элемент возьмет кредит в ВЭБ.рф на 15 млрд рублей, то в публикации 1ru говорится о том, что Госкорпорация ВЭБ.рф «займется финансированием» и что средства будут предоставлены в рамках программы «Кластерная инвестиционная платформа». Сумма не изменилась – все те же 15 млрд. Общая стоимость запуска производства – 19,5 млрд руб., видимо 4,5 млрд – это вклад «Элемент».
Как сообщал КоммерсантЪ в марте 2024 года, производством кристаллов для силовых диодов и транзисторов займется Микрон.
Как и сообщалось полгода назад, речь идет о производстве на кремниевых пластинах и пластинах карбида кремния (SiC). Пластины будут нарезаться на кристаллы силовых диодов и транзисторов.
Как и ранее, декларируется, что запуск данного производства позволит в ближайшие 6 лет (до магического 2030 года) нарастить объем российского производства силовой микроэлектроники с текущих 2% до 70%. Кто-нибудь понимает, что означают эти проценты? Это доля российских кристаллов в общем объеме закупаемых Россией пластин с кристаллами силовой микроэлектроники? Или что-то иное?
Для производства кристаллов силовых диодов и транзисторов не требуется сверхсовременное оборудование типа UAV литографов, размеры узлов силовых приборов сравнительно велики.
@RUSmicro по материалам 1ru
#силоваяэлектроника #силоваямикроэлектроника #производства
www1.ru
Россия впервые запустит производство кристаллов силовых диодов и транзисторов на основе кремния и карбида кремния
Финансированием нового производства ПАО «Элемент», которое будет выпускать компоненты силовой микроэлектроники гражданского назначения, займётся Госкорпорация ВЭБ.РФ.. Решение об участии ВЭБ.РФ в проекте уже принято наблюдательным советом. По программе «Кластерная…
January 13
January 14
Это решение
Anonymous Poll
85%
вполне мной ожидаемое, в логике остальных происходящих в мире событий
15%
неожиданное для меня
January 14
🇨🇳 RISC-V. Высокопроизводительные решения. Китай
Китай в 2025 году надеется выпустить высокопроизводительный процессор RISC-V
Разработка осуществляется в рамках проекта Xiangshan и должна поднять процессоры RISC-V с уровня бюджетного кремния до уровня ЦОД. Предполагается использование лицензии Mulan PSL-2.0 с открытым исходным кодом. Такая новинка снизит зависимость Китая от иностранных технологий.
Согласно сообщению в китайской социальной сети Weibo, написанному Юнганом Бао из Института вычислительных технологий Китайской академии наук, идея состоит в том, чтобы использовать лицензированную RISC-V ISA и исходный код Scala.
Бао руководит этим проектом. Команда намерена создать продукт и проект, который должен сделать для RISC-V то же, что Red Hat сделала для Linux. Ранее проект Xiangshan стремился к релизам 2 раза в год, но последней его разработкой, судя по всему, является чип 2-го поколения Nanhu, появившийся в конце 2023 года. Этот кристалл работал на частоте 2 ГГц и опирался на техпроцесс 14нм.
С тех пор разработчики начали работать над дизайном чипа 3-го поколения под названием Kunminghu и опубликовал изображение, демонстрирующее обзор его микроархитектуры.
Бао признает, что проект не продвигается так быстро, как это ожидалось. В 2024 году команда была сосредоточена на оптимизации площади и энергопотребления. При этом задачи ставятся амбициозные – добиться разрыва в энергопотреблении менее 8% по отношению к традиционному процессу N2.
@RUSmicro по материалам Fudzilla
#RISCV #высокопроизводительные
Китай в 2025 году надеется выпустить высокопроизводительный процессор RISC-V
Разработка осуществляется в рамках проекта Xiangshan и должна поднять процессоры RISC-V с уровня бюджетного кремния до уровня ЦОД. Предполагается использование лицензии Mulan PSL-2.0 с открытым исходным кодом. Такая новинка снизит зависимость Китая от иностранных технологий.
Согласно сообщению в китайской социальной сети Weibo, написанному Юнганом Бао из Института вычислительных технологий Китайской академии наук, идея состоит в том, чтобы использовать лицензированную RISC-V ISA и исходный код Scala.
Бао руководит этим проектом. Команда намерена создать продукт и проект, который должен сделать для RISC-V то же, что Red Hat сделала для Linux. Ранее проект Xiangshan стремился к релизам 2 раза в год, но последней его разработкой, судя по всему, является чип 2-го поколения Nanhu, появившийся в конце 2023 года. Этот кристалл работал на частоте 2 ГГц и опирался на техпроцесс 14нм.
С тех пор разработчики начали работать над дизайном чипа 3-го поколения под названием Kunminghu и опубликовал изображение, демонстрирующее обзор его микроархитектуры.
Бао признает, что проект не продвигается так быстро, как это ожидалось. В 2024 году команда была сосредоточена на оптимизации площади и энергопотребления. При этом задачи ставятся амбициозные – добиться разрыва в энергопотреблении менее 8% по отношению к традиционному процессу N2.
@RUSmicro по материалам Fudzilla
#RISCV #высокопроизводительные
Fudzilla
China pushes high performance RISC-V Processor
Ready for data centres China's Xiangshan project is set to deliver a high-performance RISC-V processor by 2025. The move will elevate RISC-V from...
January 14
📈 Статистика. Проектирование электроники
Отрасль проектирования электронных систем получила доход $5,1 млрд в 3q2024
Такие данные представила ESD Alliance. Доход отрасли проектирования электронных систем (ESD) вырос на 8,8% до $5 114,5 млн c $4 702,4 млн на 3q2024. Скользящее среднее за 4 последовательных квартала год к году показывает рост на 13,7%.
Двузначный рост показала категория «Компьютерное проектирование и услуги», кроме того зафиксирован рост в категориях «Печатные платы и многокристальные модули» и «Интеллектуальная собственность в области полупроводников».
На региональном уровне двузначный рост зафиксирован в Северной и Южной Америке, в Европе, на Ближнем Востоке и в Африке.
В компаниях, отслеживаемых отчетом по рынку EDMD, в 3q2024 было занято 62 417 человек по всему миру, что на 4,5% больше, чем в 3q2023, когда численность персонала составляла 59 737 человек, но на 1,2% меньше, чем в 2q2024.
Если рассматривать отдельные категории, то изменения за 3q2024 год к году
▫️ Выручка от автоматизированного проектирования CAE выросла на 16% до $1,92 млрд в 3q2024. Скользящая средняя за 4 квартала выросла на 14,5%.
▫️ Выручка от физического проектирования и проверки интегральных схем (ИС) снизилась на 5,5% до $854,4 млн. Скользящая средняя показывает рост 4,3%.
▫️ Выручка от продаж печатных плат (PCB) и многокристальных модулей (MCM) выросла на 5,8% до $450,8 млн. Скользящая средняя для PCB и MCM выросла на 9,1%.
▫️ Выручка от продаж интеллектуальной собственности в сфере полупроводников (SIP) выросла на 7% до $1,686 млрд. Скользящая средняя SIP за 4 квартала выросла на 17,5%.
▫️ Выручка от оказания услуг выросла на 45,2% (!!) до $200,8 млн. Скользящая средняя – рост на 30,8%.
Доход по регионам, изменения за 3q2024 год к году
▫️ В 3q2024 в Северной и Южной Америке было закуплено продукции и услуг по проектированию электронных систем на сумму $2,325 млрд, что на 17,2% больше. Скользящая средняя за 4 квартала выросла на 17%.
▫️ В регионы Европы, Ближнего Востока и Африки (EMEA) было закуплено продукции и услуг по проектированию электронных систем на сумму $645,5 млн, это на 17,1% больше. Скользящая средняя в регионе выросла на 15,4%.
▫️ Закупки Японии продукции и услуг по проектированию электронных систем сократилась на 3,5% до $298,5 млн. Скользящая средняя за 4 квартала для Японии выросла на 7,6%.
▫️ Азиатско-Тихоокеанский регион (APAC) закупил продукцию и услуги по проектированию электронных систем на сумму $1,845 млрд, что на 0,7% меньше. Скользящая средняя за 4 квартала для APAC выросла на 10,6%.
@RUSmicro по материалам SEMI
#статистика #проектирование
Отрасль проектирования электронных систем получила доход $5,1 млрд в 3q2024
Такие данные представила ESD Alliance. Доход отрасли проектирования электронных систем (ESD) вырос на 8,8% до $5 114,5 млн c $4 702,4 млн на 3q2024. Скользящее среднее за 4 последовательных квартала год к году показывает рост на 13,7%.
Двузначный рост показала категория «Компьютерное проектирование и услуги», кроме того зафиксирован рост в категориях «Печатные платы и многокристальные модули» и «Интеллектуальная собственность в области полупроводников».
На региональном уровне двузначный рост зафиксирован в Северной и Южной Америке, в Европе, на Ближнем Востоке и в Африке.
В компаниях, отслеживаемых отчетом по рынку EDMD, в 3q2024 было занято 62 417 человек по всему миру, что на 4,5% больше, чем в 3q2023, когда численность персонала составляла 59 737 человек, но на 1,2% меньше, чем в 2q2024.
Если рассматривать отдельные категории, то изменения за 3q2024 год к году
▫️ Выручка от автоматизированного проектирования CAE выросла на 16% до $1,92 млрд в 3q2024. Скользящая средняя за 4 квартала выросла на 14,5%.
▫️ Выручка от физического проектирования и проверки интегральных схем (ИС) снизилась на 5,5% до $854,4 млн. Скользящая средняя показывает рост 4,3%.
▫️ Выручка от продаж печатных плат (PCB) и многокристальных модулей (MCM) выросла на 5,8% до $450,8 млн. Скользящая средняя для PCB и MCM выросла на 9,1%.
▫️ Выручка от продаж интеллектуальной собственности в сфере полупроводников (SIP) выросла на 7% до $1,686 млрд. Скользящая средняя SIP за 4 квартала выросла на 17,5%.
▫️ Выручка от оказания услуг выросла на 45,2% (!!) до $200,8 млн. Скользящая средняя – рост на 30,8%.
Доход по регионам, изменения за 3q2024 год к году
▫️ В 3q2024 в Северной и Южной Америке было закуплено продукции и услуг по проектированию электронных систем на сумму $2,325 млрд, что на 17,2% больше. Скользящая средняя за 4 квартала выросла на 17%.
▫️ В регионы Европы, Ближнего Востока и Африки (EMEA) было закуплено продукции и услуг по проектированию электронных систем на сумму $645,5 млн, это на 17,1% больше. Скользящая средняя в регионе выросла на 15,4%.
▫️ Закупки Японии продукции и услуг по проектированию электронных систем сократилась на 3,5% до $298,5 млн. Скользящая средняя за 4 квартала для Японии выросла на 7,6%.
▫️ Азиатско-Тихоокеанский регион (APAC) закупил продукцию и услуги по проектированию электронных систем на сумму $1,845 млрд, что на 0,7% меньше. Скользящая средняя за 4 квартала для APAC выросла на 10,6%.
@RUSmicro по материалам SEMI
#статистика #проектирование
January 15
🛰 Орбитальное производство микроэлектроники
Axiom Space задумывается о производстве полупроводниковых материалов в космосе
Axiom Space – американская компания, модули которой подключены к МКС. По данным Focus Taiwan, представители Axiom Space недавно посещали Тайвань, чтобы обсудить идеи производства в космосе некоторых полупроводниковых материалов, сообщает Tom’s hardware. В компании полагают, что уникальные орбитальные условия (микрогравитация и близкая к вакууму среда) дают возможность производства сверхчистых материалов. В этих условиях можно получать практически бездефектные структуры, которые трудно вырастить на Земле из-за гравитации и атмосферы даже в условиях чистых помещений.
Микрогравитация позволяет кристаллическим структурам расти равномерно. Близкая к вакууму среда – позволяет вести производство без использования контейнеров. Сочетание этих факторов в теории позволяет производить более крупные и высокопроизводительные кристаллы для полупроводников.
Axiom намерена сотрудничать с тайваньскими компаниями для проведения первоначальных экспериментов на борту МКС, а также после 2030 года планирует перенести производство на коммерческую орбитальную станцию Axiom. Компания намерена освоить масштабируемый процесс, развернуть полномасштабное производство в специальных космических модулях.
Axiom не раскрывает о каких кристаллах идет речь, но нетрудно предположить, что речь идет о монокристаллических материалах (кремнии, нитриде галлия, арсениде галлия и т.п.), которые используются в производстве полупроводников в качестве основных подложек. Полупроводниковые соединения, такие как GaN или GaAs и другие материалы нового поколения могут быть особенно чувствительны к примесям и дефектам, возникающим под воздействием гравитации и факторов окружающей среды на Земле. В условиях микрогравитации расплав и легирующие примеси могут распространяться более равномерно, что потенциально может позволить создавать пластины более высокого качества.
Минус идеи в высокой стоимости доставки на орбиту материалов. Сейчас запуск на орбиту 1 кг груза обходится примерно в $3 тысячи. Вес одной пластины – 100-150 г, стоимость $100-200 за пластину. Ожидается, что использование Falcon Heavy снизит стоимость до $2 тысячи за 1 кг и ниже. При таких ценах, даже если пластины будут отличаться высоким качеством, стоимость их производства за пределами планеты может перевесить потенциальные выгоды. Так что пока что эта идея не выглядит однозначно привлекательной. Прежде всего, из экономических соображений.
Возможно, когда микроэлектронная промышленность перейдет на субангстремные технологии, ей понадобятся сверхчистые пластины, что в теории может оправдать их производство на орбите. Однако компаниям, специализирующимся на производстве слитков кремния, GaN или GaAs, а также их поставщикам придется разработать соответствующие технологии. Но и в этом случае более вероятно, что производство будет продолжено на Земле, хотя и в «модифицированных» условиях.
Перспективными направлениями производства в космосе в Axiom считают также биотехнологии, фармацевтику и 3D-печать искусственных органов. Есть и другие компании, которые движутся в том же направлении.
Компания Thales Alenia Space подписала контракт на создание космической фабрики REV1/REV с европейским стартапом Space Cargo Unlimited. На орбиту аппарат планируется вывести в 2025 году. Целевыми рынками станут фармацевтика и биотехнологии.
Стартап Varda Space Industries планирует заняться в космосе производством кристаллизованного белка, который используется при производстве фармацевтических средств.
Компания Space Forge работает над проектированием собственного космического фаба по производству полупроводников нового поколения.
@RUSmicro
#космос
Axiom Space задумывается о производстве полупроводниковых материалов в космосе
Axiom Space – американская компания, модули которой подключены к МКС. По данным Focus Taiwan, представители Axiom Space недавно посещали Тайвань, чтобы обсудить идеи производства в космосе некоторых полупроводниковых материалов, сообщает Tom’s hardware. В компании полагают, что уникальные орбитальные условия (микрогравитация и близкая к вакууму среда) дают возможность производства сверхчистых материалов. В этих условиях можно получать практически бездефектные структуры, которые трудно вырастить на Земле из-за гравитации и атмосферы даже в условиях чистых помещений.
Микрогравитация позволяет кристаллическим структурам расти равномерно. Близкая к вакууму среда – позволяет вести производство без использования контейнеров. Сочетание этих факторов в теории позволяет производить более крупные и высокопроизводительные кристаллы для полупроводников.
Axiom намерена сотрудничать с тайваньскими компаниями для проведения первоначальных экспериментов на борту МКС, а также после 2030 года планирует перенести производство на коммерческую орбитальную станцию Axiom. Компания намерена освоить масштабируемый процесс, развернуть полномасштабное производство в специальных космических модулях.
Axiom не раскрывает о каких кристаллах идет речь, но нетрудно предположить, что речь идет о монокристаллических материалах (кремнии, нитриде галлия, арсениде галлия и т.п.), которые используются в производстве полупроводников в качестве основных подложек. Полупроводниковые соединения, такие как GaN или GaAs и другие материалы нового поколения могут быть особенно чувствительны к примесям и дефектам, возникающим под воздействием гравитации и факторов окружающей среды на Земле. В условиях микрогравитации расплав и легирующие примеси могут распространяться более равномерно, что потенциально может позволить создавать пластины более высокого качества.
Минус идеи в высокой стоимости доставки на орбиту материалов. Сейчас запуск на орбиту 1 кг груза обходится примерно в $3 тысячи. Вес одной пластины – 100-150 г, стоимость $100-200 за пластину. Ожидается, что использование Falcon Heavy снизит стоимость до $2 тысячи за 1 кг и ниже. При таких ценах, даже если пластины будут отличаться высоким качеством, стоимость их производства за пределами планеты может перевесить потенциальные выгоды. Так что пока что эта идея не выглядит однозначно привлекательной. Прежде всего, из экономических соображений.
Возможно, когда микроэлектронная промышленность перейдет на субангстремные технологии, ей понадобятся сверхчистые пластины, что в теории может оправдать их производство на орбите. Однако компаниям, специализирующимся на производстве слитков кремния, GaN или GaAs, а также их поставщикам придется разработать соответствующие технологии. Но и в этом случае более вероятно, что производство будет продолжено на Земле, хотя и в «модифицированных» условиях.
Перспективными направлениями производства в космосе в Axiom считают также биотехнологии, фармацевтику и 3D-печать искусственных органов. Есть и другие компании, которые движутся в том же направлении.
Компания Thales Alenia Space подписала контракт на создание космической фабрики REV1/REV с европейским стартапом Space Cargo Unlimited. На орбиту аппарат планируется вывести в 2025 году. Целевыми рынками станут фармацевтика и биотехнологии.
Стартап Varda Space Industries планирует заняться в космосе производством кристаллизованного белка, который используется при производстве фармацевтических средств.
Компания Space Forge работает над проектированием собственного космического фаба по производству полупроводников нового поколения.
@RUSmicro
#космос
Tom's Hardware
Axiom Space pitches idea to produce chipmaking materials in space, plans trials aboard ISS
But does it make economic sense?
January 15
🛰 Орбитальное производство микроэлектроники. Россия
Роскосмос рассказал о экспериментах на МКС, в рамках которых выращивают кристалл твердых растворов на основе теллурида кадмия-цинка.
Это, в частности, проведенный 14 января 2025 года эксперимент Вампир - выращивание кристаллов CdZnTe методом движущейся зоны растворителя во вращающемся магнитном поле. Этот полупроводниковый материал обычно используют в детекторах и спектрометрах.
В 2020 году Исследователи Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН подготовили к контрольно-доводочным испытаниям опытный образец комплекса научной аппаратуры для синтеза полупроводниковых структур на Международной космической станции.
В 2023 году о созданном оборудовании для выращивания полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии в открытом космосе рассказывал Александр Никифоров, зав.лаб. д.ф-м.н., ИФП СО РАН. Речь идет об опытном образце установки Экран-М для синтеза эпитаксиальных структур.
Так что в этой области идут и эксперименты российских ученых. Есть ли планы коммерческого производства российских полупроводников на орбите, мне неизвестно.
@RUSmicro, фото макета установки - Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Фото с установкой - отсюда.
#космос
Роскосмос рассказал о экспериментах на МКС, в рамках которых выращивают кристалл твердых растворов на основе теллурида кадмия-цинка.
Это, в частности, проведенный 14 января 2025 года эксперимент Вампир - выращивание кристаллов CdZnTe методом движущейся зоны растворителя во вращающемся магнитном поле. Этот полупроводниковый материал обычно используют в детекторах и спектрометрах.
В 2020 году Исследователи Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН подготовили к контрольно-доводочным испытаниям опытный образец комплекса научной аппаратуры для синтеза полупроводниковых структур на Международной космической станции.
В 2023 году о созданном оборудовании для выращивания полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии в открытом космосе рассказывал Александр Никифоров, зав.лаб. д.ф-м.н., ИФП СО РАН. Речь идет об опытном образце установки Экран-М для синтеза эпитаксиальных структур.
Так что в этой области идут и эксперименты российских ученых. Есть ли планы коммерческого производства российских полупроводников на орбите, мне неизвестно.
@RUSmicro, фото макета установки - Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Фото с установкой - отсюда.
#космос
January 15
🇺🇸 Передовые производства. 2нм. США
США договорились о производстве на своей территории по техпроцессу 2нм и с Samsung
Мы уж знаем, что TSMC обещает США начать массовое производство чипов в Аризоне по техпроцессу N2 к 2028 году. Звучит неплохо для американцев, но ожидается, что к этому времени американские технологические компании смогут производить передовые чипы на Тайване с использованием техпроцесса 1.4 нм. А производство по технологии 2нм на Тайване начнется во второй половине 2025 года.
TSMC будет не единственным контрактным производством в США, которое обещает наладить производство чипов 2нм.
В планах Samsung – построить современный завод по производству чипов в Тейлоре, штат Техас. США поддержит этот проект – компании обещано $4.74 млрд в виде господдержки. Производство на заводе в Тейлоре Samsung Foundry надеется начать в 2026 году. Как ожидается, здесь будет налажено производство по техпроцессам 3нм и 2нм. Необходимое оборудование, как ожидается, поступит на это предприятие в начале 2026 года.
Похоже, в США без производства чипов по техпроцессам 3нм и 2нм на собственной территории не останутся, пусть это и будут «зарубежные производства».
@RUSmicro по материалам PhoneArena
#2нм #производственныемощности
США договорились о производстве на своей территории по техпроцессу 2нм и с Samsung
Мы уж знаем, что TSMC обещает США начать массовое производство чипов в Аризоне по техпроцессу N2 к 2028 году. Звучит неплохо для американцев, но ожидается, что к этому времени американские технологические компании смогут производить передовые чипы на Тайване с использованием техпроцесса 1.4 нм. А производство по технологии 2нм на Тайване начнется во второй половине 2025 года.
TSMC будет не единственным контрактным производством в США, которое обещает наладить производство чипов 2нм.
В планах Samsung – построить современный завод по производству чипов в Тейлоре, штат Техас. США поддержит этот проект – компании обещано $4.74 млрд в виде господдержки. Производство на заводе в Тейлоре Samsung Foundry надеется начать в 2026 году. Как ожидается, здесь будет налажено производство по техпроцессам 3нм и 2нм. Необходимое оборудование, как ожидается, поступит на это предприятие в начале 2026 года.
Похоже, в США без производства чипов по техпроцессам 3нм и 2нм на собственной территории не останутся, пусть это и будут «зарубежные производства».
@RUSmicro по материалам PhoneArena
#2нм #производственныемощности
PhoneArena
Samsung Foundry, like TSMC, plans to build 2nm chips in the U.S.
Samsung Foundry plans on building 3nm and 2nm chips inside a fab it is building in Tyler, Texas.
January 15
🇷🇺 Научные разработки. Россия
В НовГУ изобрели и апробировали технологию измерения слабых магнитных полей
Новый подход позволяет измерять значения напряженности магнитного поля до уровня пикотесла. В основе технологии - слоистый композит, состоящий из магнитофибера и пьезофибера. Волокна магнитофибера реагируют на магнитное поле - чем оно сильнее, тем сильнее реакция деформации. В ответ на эту деформацию волокна пьезофибера генерируют электрическое напряжение. Измеряя его, можно рассчитать силу магнитного поля.
@RUSmicro по материалам НовГУ, на фото - Елена Ивашева, один из авторов разработки, студентка НовГУ
#датчики #наука #магнитные
В НовГУ изобрели и апробировали технологию измерения слабых магнитных полей
Новый подход позволяет измерять значения напряженности магнитного поля до уровня пикотесла. В основе технологии - слоистый композит, состоящий из магнитофибера и пьезофибера. Волокна магнитофибера реагируют на магнитное поле - чем оно сильнее, тем сильнее реакция деформации. В ответ на эту деформацию волокна пьезофибера генерируют электрическое напряжение. Измеряя его, можно рассчитать силу магнитного поля.
@RUSmicro по материалам НовГУ, на фото - Елена Ивашева, один из авторов разработки, студентка НовГУ
#датчики #наука #магнитные
January 15
🇪🇺 Участники рынка. Производители. Европа
NXP привлекла кредит на 1 млрд евро для стимулирования НИОКР в ЕС
Компания NXP Semiconductors получила кредит от Европейского инвестиционного банка (ЕИБ) для финансирования исследований, разработок и инноваций компании на внутреннем рынке Нидерландов и четырех других европейских стран.
Голландская компания по производству микросхем заявила, что будет использовать кредит для ускорения работы по предоставлению услуг в различных секторах, включая автомобилестроение, промышленность и Интернет вещей.
Процентная ставка по кредиту составит 4,75%, срок погашения – 6 лет.
Денежные средства будут направлены на существующие объекты NXP в Нидерландах, а также в Австрии, Франции, Германии и Румынии.
Маартен Диркцвагер, исполнительный вице-президент и директор по безопасности компании NXP Semiconductors, заявил, что компания стремится укреплять экосистему полупроводников в Европе, и кредит окажет значительную поддержку в этой работе.
Г-н Диркцвагер также заявил, что планы по расширению в Германии – это участие в совместном предприятии, которое занимается строительством предприятия под руководством специалистов TSMC (вероятно, речь идет о фабе в Дрездене, о котором мы сегодня уже говорили в чате).
Как видим, после того как США придержали планы европейских инвестиций, в Европе активизируют деятельность имеющимися силами. О европейском проекте TSMC давно не было слышно, но вот и упоминание.
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
NXP привлекла кредит на 1 млрд евро для стимулирования НИОКР в ЕС
Компания NXP Semiconductors получила кредит от Европейского инвестиционного банка (ЕИБ) для финансирования исследований, разработок и инноваций компании на внутреннем рынке Нидерландов и четырех других европейских стран.
Голландская компания по производству микросхем заявила, что будет использовать кредит для ускорения работы по предоставлению услуг в различных секторах, включая автомобилестроение, промышленность и Интернет вещей.
Процентная ставка по кредиту составит 4,75%, срок погашения – 6 лет.
Денежные средства будут направлены на существующие объекты NXP в Нидерландах, а также в Австрии, Франции, Германии и Румынии.
Маартен Диркцвагер, исполнительный вице-президент и директор по безопасности компании NXP Semiconductors, заявил, что компания стремится укреплять экосистему полупроводников в Европе, и кредит окажет значительную поддержку в этой работе.
Г-н Диркцвагер также заявил, что планы по расширению в Германии – это участие в совместном предприятии, которое занимается строительством предприятия под руководством специалистов TSMC (вероятно, речь идет о фабе в Дрездене, о котором мы сегодня уже говорили в чате).
Как видим, после того как США придержали планы европейских инвестиций, в Европе активизируют деятельность имеющимися силами. О европейском проекте TSMC давно не было слышно, но вот и упоминание.
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
Mobile World Live
NXP bags €1B loan to boost EU R&D
NXP Semiconductors secured a €1 billion loan from the European Investment Bank (EIB) to help fund the company’s RDI efforts.
January 15