🇷🇺 Наука. Микроэлектроника. Финансирование разработок
Деньги на исследования есть, но...
Генеральный директор Российского научного фонда, выступая перед академиками 27 декабря, сообщил, что, согласно утвержденной программе деятельности фонда на 2023-2025 годы, правительством планируется выделить на научные исследования 122,6 млрд рублей (40,2 млрд – на 2023 год, 39,7 – на 2024 и 42,7 – на 2025 год). Об этом заседании рассказал "Московский комсомолец".
В 2023 году РНФ становится не только фондом оказания поддержки проектов в фундаментальной сфере научной деятельности, но и наделяется правом такой же поддержки в области опытно-конструкторских работ (или ОКРов).
Кроме того, в фонде формируется научно-технический совет (НТС) "для нужд микроэлектроники" (и пока только под нее). Жаль, что реальных денег под нее не выделено.
"В принципе, денежный ресурс у правительства есть, он большой, но исполнители отказываются от него", - руководитель Российского научного фонда. "Мы обошли предприятия микроэлектроники, их не так много, они базируются в четырех местах. Но реализация работы связана с теми механизмами, которые традиционно использовал Минпромторг — это субсидии, возвратные субсидии..."
Старая песня о главном - ученым предлагается взять на себя обязательства по выполнению ОКР с большим денежным ресурсом в конкретные сроки и без научно-исследовательского этапа. Сказать, что это "рискованно" - это очень мягко.
В РНФ это понимают и вроде как собираются разрешить перед ОКРами проводить что-то вроде НИРов на которые будут выделяться отдельные гранты на 1-2 года. И вот за эти НИРы за недостижение результата "карать" деньгами не будут. А вот с ОКРами менять ничего не предполагается.
#микроэлектроника #разработки #финансированиеразработок
Деньги на исследования есть, но...
Генеральный директор Российского научного фонда, выступая перед академиками 27 декабря, сообщил, что, согласно утвержденной программе деятельности фонда на 2023-2025 годы, правительством планируется выделить на научные исследования 122,6 млрд рублей (40,2 млрд – на 2023 год, 39,7 – на 2024 и 42,7 – на 2025 год). Об этом заседании рассказал "Московский комсомолец".
В 2023 году РНФ становится не только фондом оказания поддержки проектов в фундаментальной сфере научной деятельности, но и наделяется правом такой же поддержки в области опытно-конструкторских работ (или ОКРов).
Кроме того, в фонде формируется научно-технический совет (НТС) "для нужд микроэлектроники" (и пока только под нее). Жаль, что реальных денег под нее не выделено.
"В принципе, денежный ресурс у правительства есть, он большой, но исполнители отказываются от него", - руководитель Российского научного фонда. "Мы обошли предприятия микроэлектроники, их не так много, они базируются в четырех местах. Но реализация работы связана с теми механизмами, которые традиционно использовал Минпромторг — это субсидии, возвратные субсидии..."
Старая песня о главном - ученым предлагается взять на себя обязательства по выполнению ОКР с большим денежным ресурсом в конкретные сроки и без научно-исследовательского этапа. Сказать, что это "рискованно" - это очень мягко.
В РНФ это понимают и вроде как собираются разрешить перед ОКРами проводить что-то вроде НИРов на которые будут выделяться отдельные гранты на 1-2 года. И вот за эти НИРы за недостижение результата "карать" деньгами не будут. А вот с ОКРами менять ничего не предполагается.
#микроэлектроника #разработки #финансированиеразработок
www.mk.ru
Чиновник и академики обнаружили лишние 135 миллиардов грантовых денег
Небольшая словесная пикировка произошла в минувший вторник между руководителем Российского научного фонда Александром Хлуновым и президентом Российской академии наук Геннадием Красниковым на заседании Президиума РАН. Недопонимание проявилось после вопроса…
👍3
🔬 Наука. SiC
ИПМаш РАН научился изготавливать пластины из SiC
Об освоении технологии производства пластин из карбида кремния для полупроводникового производства сообщили специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН.
За рубежом SiC-пластины массово выпускают уже сравнительно давно, но, как утверждают специалисты ИПМаш, основной способ - выращивание пленки карбида кремния на кремниевых пластинах. Проблема этого метода - несовпадение кристаллических структур пленки и пластины, что зачастую ведет к растрескиванию структуры.
Российские ученые придумали способ, позволяющий избежать проблемы растрескивания, они последовательно заменяют ряд атомов кремния атомами углерода внутри исходного кристалла, не разрушая кристаллическую структуру, используя для этого угарный газ. В итоге стоимость получения пластин SiC почти в 10 раз меньше, чем у зарубежных (в условиях лабораторного производства).
Красивая история, но совершенно не ясно, найдутся ли в России желающие попробовать поставить промышленное производство новой технологии. А если найдутся, то когда дело дойдет до серийного производства.
#SiC #наука #разработки #карбидкремния
ИПМаш РАН научился изготавливать пластины из SiC
Об освоении технологии производства пластин из карбида кремния для полупроводникового производства сообщили специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН.
За рубежом SiC-пластины массово выпускают уже сравнительно давно, но, как утверждают специалисты ИПМаш, основной способ - выращивание пленки карбида кремния на кремниевых пластинах. Проблема этого метода - несовпадение кристаллических структур пленки и пластины, что зачастую ведет к растрескиванию структуры.
Российские ученые придумали способ, позволяющий избежать проблемы растрескивания, они последовательно заменяют ряд атомов кремния атомами углерода внутри исходного кристалла, не разрушая кристаллическую структуру, используя для этого угарный газ. В итоге стоимость получения пластин SiC почти в 10 раз меньше, чем у зарубежных (в условиях лабораторного производства).
Красивая история, но совершенно не ясно, найдутся ли в России желающие попробовать поставить промышленное производство новой технологии. А если найдутся, то когда дело дойдет до серийного производства.
#SiC #наука #разработки #карбидкремния
ТАСС
Ученые ИПМаш РАН первыми в России научились изготавливать пластины из карбида кремния
В институте отметили, что приборы на основе этого материала смогут работать почти при 300 градусах Цельсия, а также использоваться на ядерных станциях и в космосе
👍16🔥2
🇮🇳 Разработки. Защита микрочипов от статики
Samsung Semiconductor India Research и Индийский институт науки договорились о совместных разработках
Очередной пример тренда на интеграцию Индии в мировую микроэлектронику - на этот раз по части разработки.
Расположенная в Бангалоре дочерняя структура Samsung - SSIR и IISc договорились о совместных усилиях в области исследований и разработок технологий защиты от электростатических разрядов (ESD) на кристалле.
Партнеры намерены создавать решений защиты сверхскоростных последовательных интерфейсов в передовых интегральных схемах и системах на кристалле. Решения, которые будут разработаны планируется использовать в современных чипах Samsung.
Исследования в области ESD - это одно и важных направлений разработки современных полупроводников, но в мире не так много исследовательских организаций, которые занимаются этой темой. Индийский IISc - один из таких институтов.
#ESD #разработки #Индия #микроэлектроника #защитаотстатики
Samsung Semiconductor India Research и Индийский институт науки договорились о совместных разработках
Очередной пример тренда на интеграцию Индии в мировую микроэлектронику - на этот раз по части разработки.
Расположенная в Бангалоре дочерняя структура Samsung - SSIR и IISc договорились о совместных усилиях в области исследований и разработок технологий защиты от электростатических разрядов (ESD) на кристалле.
Партнеры намерены создавать решений защиты сверхскоростных последовательных интерфейсов в передовых интегральных схемах и системах на кристалле. Решения, которые будут разработаны планируется использовать в современных чипах Samsung.
Исследования в области ESD - это одно и важных направлений разработки современных полупроводников, но в мире не так много исследовательских организаций, которые занимаются этой темой. Индийский IISc - один из таких институтов.
#ESD #разработки #Индия #микроэлектроника #защитаотстатики
The Times of India
Samsung Semiconductor India Research and Indian Institute of Science partner to boost semiconductor R&D - Times of India
India Business News: CHENNAI: Samsung Semiconductor India Research (SSIR) has partnered with the Indian Institute of Science (IISc) to promote research and development in .
🇷🇺 Наука. Производственное оборудование. Ионные имплантеры. Россия
В ИЯФ СО РАН разработали устройство для создания сильноточных ионных имплантеров
В АО НИИМЭ занимаются ОКР Имплантер с целью создания отечественной установки ионной имплантации. Разработками ионных источников заняты в Институте ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН. Здесь разработали устройство для создания сильноточных имплантеров, формирующих потоки легирующих ионов требуемой энергии.
Разработан прототип каспового, то есть имеющего остроконечную структуру магнитного поля, ионного источника. Первые эксперименты показали, что устройство действительно позволяет работать с ленточными ионными пучками любой ширины, что обеспечивает качественное нанесение примесей, и подходит для создания сильноточных имплантеров необходимых в микроэлектронике.
Ленточные пучки тяжелых ионов имеют преимущества перед круглыми пучками, обеспечивая в разы более высокий предел объемного заряда, что необходимо для сильноточных имплантеров. Также они обеспечивают точное легирование путем механического сканирования подложки ионным пучком в одном измерении.
В 2024 году в ИЯФ СО РАН была создана молодежная лаборатория имплантерных ионных источников, чтобы, объединив специалистов, работающих в области физики плазмы, ускорительной физики, а также силовой электроники, развивать имплантерные технологии.
Имплантерные ионные источники ИЯФ СО РАН будут использоваться для развития современных отечественных ионных имплантеров, первые проекты которых уже реализуются в коллаборации с предприятиями Зеленограда (АО НИИТМ и АО НИИМЭ).
В настоящее время в имплантерах используются ионные источники Фримана и Бернаса. Они работают в магнитном поле, создаваемом внешним магнитом, вес которого растет в кубической зависимости от ширины ленточного пучка и может достигать многих сотен килограммов. Расположение такой конструкции под потенциалом в сотни киловольт и даже мегавольта становится весьма проблематичным.
Идея создать конструкцию ленточного источника ионов, сочетающую в себе модифицированную ловушку Пеннинга с системой магнитного удержания, которая позволяет расширить пучок до нескольких метров, сохраняя линейную плотность тока около 10 мА/см, показалась специалистам ИЯФ СО РАН привлекательной, и они приступили к выполнению задачи.
Получен прекрасный результат: эмиссия вдоль щели равномерна, и это открывает возможность разработки такого источника с любой шириной ленточного пучка. Отмечу, что в экспериментах ученые не стремились получить максимально возможный ионный ток, но уже сейчас он выдает ~20 мА при извлекающем потенциале 6 кВ, что вполне приемлемо.
Направление дальнейшей разработки каспового источника зависит от конкретных требуемых параметров ионного пучка. В высоковольтных имплантерах, таких как разрабатываются в ИЯФ, то есть с энергией ионов ~1 Мэв, разработанный тип источника предпочтителен, когда не требуется предельно большой ток ионов, (который при такой энергии может разрушить кремниевую пластину), и применения внешнего магнита.
@RUSmicro по материалам ИЯФ СО РАН
#ионныеимплантеры #наука #разработки #ионнаяимплантация
В ИЯФ СО РАН разработали устройство для создания сильноточных ионных имплантеров
В АО НИИМЭ занимаются ОКР Имплантер с целью создания отечественной установки ионной имплантации. Разработками ионных источников заняты в Институте ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН. Здесь разработали устройство для создания сильноточных имплантеров, формирующих потоки легирующих ионов требуемой энергии.
Разработан прототип каспового, то есть имеющего остроконечную структуру магнитного поля, ионного источника. Первые эксперименты показали, что устройство действительно позволяет работать с ленточными ионными пучками любой ширины, что обеспечивает качественное нанесение примесей, и подходит для создания сильноточных имплантеров необходимых в микроэлектронике.
Ленточные пучки тяжелых ионов имеют преимущества перед круглыми пучками, обеспечивая в разы более высокий предел объемного заряда, что необходимо для сильноточных имплантеров. Также они обеспечивают точное легирование путем механического сканирования подложки ионным пучком в одном измерении.
В 2024 году в ИЯФ СО РАН была создана молодежная лаборатория имплантерных ионных источников, чтобы, объединив специалистов, работающих в области физики плазмы, ускорительной физики, а также силовой электроники, развивать имплантерные технологии.
Имплантерные ионные источники ИЯФ СО РАН будут использоваться для развития современных отечественных ионных имплантеров, первые проекты которых уже реализуются в коллаборации с предприятиями Зеленограда (АО НИИТМ и АО НИИМЭ).
В настоящее время в имплантерах используются ионные источники Фримана и Бернаса. Они работают в магнитном поле, создаваемом внешним магнитом, вес которого растет в кубической зависимости от ширины ленточного пучка и может достигать многих сотен килограммов. Расположение такой конструкции под потенциалом в сотни киловольт и даже мегавольта становится весьма проблематичным.
Идея создать конструкцию ленточного источника ионов, сочетающую в себе модифицированную ловушку Пеннинга с системой магнитного удержания, которая позволяет расширить пучок до нескольких метров, сохраняя линейную плотность тока около 10 мА/см, показалась специалистам ИЯФ СО РАН привлекательной, и они приступили к выполнению задачи.
«Поскольку описание такого источника было представлено только одной лабораторией и не было подтверждения в печати другими авторами его работоспособности, а идея выглядела весьма привлекательной, в феврале 2024 г. мы начали проектирование, изготовление и исследование такого источника с шириной эмиссионной щели 5 см, – добавил Сергей Константинов, ведущий научный сотрудник ИЯФ СО РАН к.ф.-м.н. – Была также спроектирована и изготовлена ионно-оптическая система для формирования ленточного пучка».
Получен прекрасный результат: эмиссия вдоль щели равномерна, и это открывает возможность разработки такого источника с любой шириной ленточного пучка. Отмечу, что в экспериментах ученые не стремились получить максимально возможный ионный ток, но уже сейчас он выдает ~20 мА при извлекающем потенциале 6 кВ, что вполне приемлемо.
Направление дальнейшей разработки каспового источника зависит от конкретных требуемых параметров ионного пучка. В высоковольтных имплантерах, таких как разрабатываются в ИЯФ, то есть с энергией ионов ~1 Мэв, разработанный тип источника предпочтителен, когда не требуется предельно большой ток ионов, (который при такой энергии может разрушить кремниевую пластину), и применения внешнего магнита.
@RUSmicro по материалам ИЯФ СО РАН
#ионныеимплантеры #наука #разработки #ионнаяимплантация
👍16