(3) На диаграмме показана битовая плотность (Гбит/кв.мм) в зависимости от количества AWL. В TechInsights ожидают, что битовая плотность будущих кристаллов 232/238-L достигнет примерно 15 Гбит/кв.мм. Представленная на ISSCC-2022 тестовая разработка Samsung 2xx-L (c 4-х плоскостным TLC-кристаллом 1 Тб с краевым X-декодером) показала битовую плотность 11,55 Гб/кв.мм. В TechInsights ожидают, что битовая плотность увеличится до более, чем 14,5 Гбит/кв.мм при использовании производственного набора рабочих масок. Шестиплоскостной TLC-кристалл SK-hynix 238-L емкостью 1 ТБ с центральным X-декодером оценивается в 14,75 Гбит/кв.мм, что на 34% больше, чем в предыдущем поколении. Для шестиплоскостной TLC матрица Micron 232-L емкостью 1 ТБ заявлена плотность 14,60 Гбит/кв.мм.
При переходе к 232/238-L YMTC показала самую высокую плотность битов, а Samsung, по прогнозам, обеспечит самую низкую плотность битов. Что это означает для рынка NAND? Означает ли это, что Samsung выбывает из гонки? Конечно нет. Одним из наиболее важных факторов, которые следует учитывать, является общая стоимость, и, таким образом, показатель цена за бит является наиболее идеальным для сравнения.
#микроэлектроника #память #NAND #YMTC
При переходе к 232/238-L YMTC показала самую высокую плотность битов, а Samsung, по прогнозам, обеспечит самую низкую плотность битов. Что это означает для рынка NAND? Означает ли это, что Samsung выбывает из гонки? Конечно нет. Одним из наиболее важных факторов, которые следует учитывать, является общая стоимость, и, таким образом, показатель цена за бит является наиболее идеальным для сравнения.
#микроэлектроника #память #NAND #YMTC
👍2
♨️ Мнения. Тренды. Чипы DRAM
Мода на чат-боты поможет производителям микрочипов
Распространение чат-ботов на основе ИИ (типа ChatGPT) будет стимулировать рост спроса на передовые чипы памяти, заявил вице-председатель SK Hynix Пак Юнг-хо.
"Следуя этой тенденции, самая быстрая DRAM - HMB, разработанная SK hynix, играет важную роль в поддержке технологического развития в области ИИ".
В своем выступлении Пак подчеркнул растущую важность создания пулов памяти, а также отметил важность такого направления, как "мини-фабов", создание которых может оживить индустрию производства чипов. Мини-фабы, это небольшие системы по производству чипов, не требующие чистых помещений.
SK hynix начала массовое производство чипов HBM3, своего наиболее совершенного продукта в области памяти с высокой пропускной способностью, в июне 2022 года. Эти чипы используются для работы суперкомпьютеров и передовых технологий ИИ, в частности, их закупает NVidia.
#тренды #память #DRAM #HBM3 #SKhynix
Мода на чат-боты поможет производителям микрочипов
Распространение чат-ботов на основе ИИ (типа ChatGPT) будет стимулировать рост спроса на передовые чипы памяти, заявил вице-председатель SK Hynix Пак Юнг-хо.
"Следуя этой тенденции, самая быстрая DRAM - HMB, разработанная SK hynix, играет важную роль в поддержке технологического развития в области ИИ".
В своем выступлении Пак подчеркнул растущую важность создания пулов памяти, а также отметил важность такого направления, как "мини-фабов", создание которых может оживить индустрию производства чипов. Мини-фабы, это небольшие системы по производству чипов, не требующие чистых помещений.
SK hynix начала массовое производство чипов HBM3, своего наиболее совершенного продукта в области памяти с высокой пропускной способностью, в июне 2022 года. Эти чипы используются для работы суперкомпьютеров и передовых технологий ИИ, в частности, их закупает NVidia.
#тренды #память #DRAM #HBM3 #SKhynix
The Korea Herald
AI chatbot services will boost chip demand, says SK hynix chief
The proliferation of chatbots using artificial intelligence will become "killer applications" in boosting demand for advanced memory chips, SK hynix Vice Chairman Park Jung-ho said at a symposium Wednesday. Park, who also serves as the chief executive officer…
🇨🇳 Участники рынка. Производство памяти
В Китае создают еще одного крупного производителя памяти
Госфонд Китая инвестирует $2 млрд в компанию - производителя памяти
Похоже, в Китае решили, что YMTC им мало и нужна, как минимум, еще одна крупная компания - производитель памяти. Китайский государственный инвестиционный фонд инвестировал 14,56 млрд юаней ($1,99 млрд) в компанию по производству чипов памяти Changxin Xinqiao, - сообщает Reuters.
В результате китайский «Большой фонд» получил 33,15% от общего уставного капитала Changxin Xinqiao - соответствующая информация появилась в NECIPS (национальной системе публикации данных о кредитной информации).
Компания Changxin Xinqiao была основана в 2021 году в городе Хэфей, в восточной провинции Аньхой. Ее гендиректором стал Чжао Лунь, который совмещает эту позицию с позицией гендиректора ChangXin Memory Technologies.
Компания Changxin Xinqiao создает производственную базу по производству 12-дюймовых пластин памяти.
До этого Большой фонд вложил 13 млрд юаней в Yangtze Memory Technologies (YMTC) в начале 2023 года.
Changxin Xinqiao получила далеко не только $2 млрд от госфонда, кроме того, свой вклад в капитал компании увеличили ее инвесторы: Changxin Xinan и Hefei XiNY. Первая - на 10,4 млрд юаней, вторая - 14 млрд юаней.
#память #Китай #микроэлектроника
В Китае создают еще одного крупного производителя памяти
Госфонд Китая инвестирует $2 млрд в компанию - производителя памяти
Похоже, в Китае решили, что YMTC им мало и нужна, как минимум, еще одна крупная компания - производитель памяти. Китайский государственный инвестиционный фонд инвестировал 14,56 млрд юаней ($1,99 млрд) в компанию по производству чипов памяти Changxin Xinqiao, - сообщает Reuters.
В результате китайский «Большой фонд» получил 33,15% от общего уставного капитала Changxin Xinqiao - соответствующая информация появилась в NECIPS (национальной системе публикации данных о кредитной информации).
Компания Changxin Xinqiao была основана в 2021 году в городе Хэфей, в восточной провинции Аньхой. Ее гендиректором стал Чжао Лунь, который совмещает эту позицию с позицией гендиректора ChangXin Memory Technologies.
Компания Changxin Xinqiao создает производственную базу по производству 12-дюймовых пластин памяти.
До этого Большой фонд вложил 13 млрд юаней в Yangtze Memory Technologies (YMTC) в начале 2023 года.
Changxin Xinqiao получила далеко не только $2 млрд от госфонда, кроме того, свой вклад в капитал компании увеличили ее инвесторы: Changxin Xinan и Hefei XiNY. Первая - на 10,4 млрд юаней, вторая - 14 млрд юаней.
#память #Китай #микроэлектроника
VK
Госфонд Китая инвестирует $2 млрд в компанию - производителя памяти
Похоже, в Китае решили, что YMTC им мало и нужна, как минимум, еще одна крупная компания - производитель памяти. Китайский государственны..
👍3⚡1
🇰🇷 Память. NAND flash. Число слоев. Корея
Компания SK Hynix объявила о начале массового производства 321-слойной NAND-flash памяти, представленной в 2023 году
По заявлению компании, это дает выигрыш в 10% в энергоэффективности, 12% - в скорости передачи данных, 13% - в производительности чтения.
Микросхемы TLC емкостью 1ТБ на основе процесса «3 plugs» компания готова начать поставлять начиная с 1H2025.
До сих пор рекордными чипами компании SK Hynix были 238-слойные. В 2025 году компания намеревается представить память 3D NAND TCL с 400 слоями в 2025 году с планами массового производства в 2026 году. Весьма вероятно, что еще до этого мы получим 300-слойную память от Samsung (на основе менее эффективной, чем у SK Hynix технологии «двойного стека»), а в японской Kioxia к 2027 году собираются нарастить число слоев до 1000. Впрочем, этим занимаются и в других компаниях.
Пока что у конкурентов нет массового производства чипов, сравнимых с тем, что начала выпускать SK Hynix. А что есть?
🔸 280 – у Samsung, Корея
🔸 232 – у Micron, США и у YMTC, Китай
🔸 218 – у Kioxia, Япония
@RUSmicro по материалам Tom's hardware
#память #NAND #числослоев
Компания SK Hynix объявила о начале массового производства 321-слойной NAND-flash памяти, представленной в 2023 году
По заявлению компании, это дает выигрыш в 10% в энергоэффективности, 12% - в скорости передачи данных, 13% - в производительности чтения.
Микросхемы TLC емкостью 1ТБ на основе процесса «3 plugs» компания готова начать поставлять начиная с 1H2025.
До сих пор рекордными чипами компании SK Hynix были 238-слойные. В 2025 году компания намеревается представить память 3D NAND TCL с 400 слоями в 2025 году с планами массового производства в 2026 году. Весьма вероятно, что еще до этого мы получим 300-слойную память от Samsung (на основе менее эффективной, чем у SK Hynix технологии «двойного стека»), а в японской Kioxia к 2027 году собираются нарастить число слоев до 1000. Впрочем, этим занимаются и в других компаниях.
Пока что у конкурентов нет массового производства чипов, сравнимых с тем, что начала выпускать SK Hynix. А что есть?
🔸 280 – у Samsung, Корея
🔸 232 – у Micron, США и у YMTC, Китай
🔸 218 – у Kioxia, Япония
@RUSmicro по материалам Tom's hardware
#память #NAND #числослоев
👍7
🇺🇸 Господдержка. Субсидии. Производство памяти. США
Micron – еще один американский производитель микроэлектроники получил крупную госсубсидию
Минторг США сообщил о завершении оформления госсубсидии в размере $6,165 млрд для Micron Technology, которая поддержит долгосрочный план по развитию производства в штатах Нью-Йорк (инвестплан - $100 млрд) и Айдахо (инвестплан - $25 млрд). Для производства в Нью-Йорке правительством США выделено $4.6 млрд, для Айдахо – $1.5 млрд.
Это одна из нескольких крупнейших госсубсидий, которые правительство США направило на поддержку производства в США современных полупроводников. Две недели тому назад было выделено $7.86 млрд компании Intel и $6.6 млрд компании TSMC, а также $1.5 млрд компании Global Foundries.
В Минторге США делают все возможное, чтобы раскидать деньги по страждущим до вступления в должность президента США г-на Трампа, который критиковал программу госсубсидий для микроэлектронной промышленности США. Будет интересно посмотреть, в связи с этим, продолжит ли он ту же политику, став президентом, и к чему это приведет.
Кроме получения крупной субсидии Micron достиг предварительного соглашения с Минторгом о предоставлении еще $275 млн в качестве господдержки расширения и модернизации своего предприятия в Манассасе, Вирджиния, с целью наращивания производства пластин.
В Минторге США заявляют, что инвестиции Micron создадут около 20 тысяч рабочих мест и помогут США нарастить свою долю в производстве передовых микросхем памяти с нынешних менее 2% до примерно 10% к 2035 году.
Micron работает над кампусом площадью 5 665 600 кв.м, где будет производиться память DRAM в центральной части штата Нью-Йорк (округ Онодага).
Отрасль производства памяти отличается высокой конкуренцией в мировых масштабах. Ее лидеры сосредоточены в Корее, это Samsung по части объемов производства и SK Hynix – технологический лидер, как минимум, по части наиболее высокотехнологичной HBM памяти и не только.
Micron пока что удерживает третье место в мире, но китайские производители все более уверенно внедряются и на мировой рынок памяти.
Технологическое отставание китайских производителей еще сохраняется, например, если SK Hynix выпускает микросхемы HBM 3Е (5-е поколение), то китайская CXMT освоила пока что только HBM 2 (2-е поколение), да и то на американском оборудовании.
А вот по числу слоев, похоже, разрыв между продуктами NAND flash, произведенными Micron и китайской YMTC, практически ликвидирован. Японцы в лице Kioxia и вовсе позади, только Samsung и SK Hynix сохраняют лидерство по этому показателю.
@RUSmicro по материалам Reuters
#память #господдержка #госсубсидии
Micron – еще один американский производитель микроэлектроники получил крупную госсубсидию
Минторг США сообщил о завершении оформления госсубсидии в размере $6,165 млрд для Micron Technology, которая поддержит долгосрочный план по развитию производства в штатах Нью-Йорк (инвестплан - $100 млрд) и Айдахо (инвестплан - $25 млрд). Для производства в Нью-Йорке правительством США выделено $4.6 млрд, для Айдахо – $1.5 млрд.
Это одна из нескольких крупнейших госсубсидий, которые правительство США направило на поддержку производства в США современных полупроводников. Две недели тому назад было выделено $7.86 млрд компании Intel и $6.6 млрд компании TSMC, а также $1.5 млрд компании Global Foundries.
В Минторге США делают все возможное, чтобы раскидать деньги по страждущим до вступления в должность президента США г-на Трампа, который критиковал программу госсубсидий для микроэлектронной промышленности США. Будет интересно посмотреть, в связи с этим, продолжит ли он ту же политику, став президентом, и к чему это приведет.
Кроме получения крупной субсидии Micron достиг предварительного соглашения с Минторгом о предоставлении еще $275 млн в качестве господдержки расширения и модернизации своего предприятия в Манассасе, Вирджиния, с целью наращивания производства пластин.
В Минторге США заявляют, что инвестиции Micron создадут около 20 тысяч рабочих мест и помогут США нарастить свою долю в производстве передовых микросхем памяти с нынешних менее 2% до примерно 10% к 2035 году.
Micron работает над кампусом площадью 5 665 600 кв.м, где будет производиться память DRAM в центральной части штата Нью-Йорк (округ Онодага).
Отрасль производства памяти отличается высокой конкуренцией в мировых масштабах. Ее лидеры сосредоточены в Корее, это Samsung по части объемов производства и SK Hynix – технологический лидер, как минимум, по части наиболее высокотехнологичной HBM памяти и не только.
Micron пока что удерживает третье место в мире, но китайские производители все более уверенно внедряются и на мировой рынок памяти.
Технологическое отставание китайских производителей еще сохраняется, например, если SK Hynix выпускает микросхемы HBM 3Е (5-е поколение), то китайская CXMT освоила пока что только HBM 2 (2-е поколение), да и то на американском оборудовании.
А вот по числу слоев, похоже, разрыв между продуктами NAND flash, произведенными Micron и китайской YMTC, практически ликвидирован. Японцы в лице Kioxia и вовсе позади, только Samsung и SK Hynix сохраняют лидерство по этому показателю.
@RUSmicro по материалам Reuters
#память #господдержка #госсубсидии
Reuters
US finalizes $6.1 bln Micron chip-making subsidy
The U.S. Commerce Department said on Tuesday it had finalized a $6.165 billion government subsidy for Micron Technology to produce semiconductors in New York and Idaho.
👍2👀1🙈1
🇨🇳 Память. DDR5. Тренды
Китайские DDR5 – самые большие чипы в мире
Использование менее продвинутых техпроцессов привели к тому, что выпущенные китайским производителем CXMT (ChangXin Memory Technologies) чипы DDR5 отличаются от аналогичных чипов Samsung большими на 40% размерами кристаллов. Такой информацией делится Tom’s hardware.
Микросхема 16 Гб DDR5 компании CXMT имеет размеры 8.25 х 8.25 мм, то есть ее общая площадь составляет 68,06 кв.мм. Для сравнения, кристалл Samsung 16 Гб DDR5 имеет размеры 6,46 х 7,57 мм – его площадь 48,9 кв.мм.
Когда Micron, Samsung и SK Hynix начали массовое производство чипов памяти DDR5 16 Гб в 2021 году, размер кристаллов этих изделий варьировался в диапазоне от 66,25 кв.мм до 72.21 кв.мм (данные Techinsights), но со временем все эти производители сумели сократить размеры кристаллов DDR5.
Размер кристаллов CXMT 16 Гб DDR5 сопоставим с размерами кристаллов 1-го поколения мировых лидеров. Если предположить, что выход годных у CXMT находится на сопоставимом уровне с тем, что было у Micron, Samsung и SK Hynix в 2021 году, то и затраты CXMT скорее всего сопоставимы с тем, что приходилось тратить конкурентам 4-5 лет назад. И это значит, что текущая себестоимость кристаллов DDR5 у CXMT предположительно заметно больше, чем текущая себестоимость кристаллов производства глобальных лидеров. Так что еще предстоит выяснить, сможет ли китайский производитель конкурировать в плане цен. Тем более, что для того, чтобы отобрать рынок у конкурентов, к чему всякий раз стремятся китайские компании, продавать нужно будет не просто по конкурентной цене, а по цене ощутимо меньшей, чем у конкурентов.
Относительно значительный размер кристалла DDR5 CXMT указывает и на то, что компания использует техпроцесс, на годы отстающий от того, который в ходу у мировых лидеров, что вряд ли кого-то удивляет, учитывая американские ограничения на поставку в Китай современного производственного оборудования и технологий. И это отставание в технологиях означает также отставание в энергоэффективности китайских микросхем – еще один немаловажный фактор.
@RUSmicro
#DDR5 #память
Китайские DDR5 – самые большие чипы в мире
Использование менее продвинутых техпроцессов привели к тому, что выпущенные китайским производителем CXMT (ChangXin Memory Technologies) чипы DDR5 отличаются от аналогичных чипов Samsung большими на 40% размерами кристаллов. Такой информацией делится Tom’s hardware.
Микросхема 16 Гб DDR5 компании CXMT имеет размеры 8.25 х 8.25 мм, то есть ее общая площадь составляет 68,06 кв.мм. Для сравнения, кристалл Samsung 16 Гб DDR5 имеет размеры 6,46 х 7,57 мм – его площадь 48,9 кв.мм.
Когда Micron, Samsung и SK Hynix начали массовое производство чипов памяти DDR5 16 Гб в 2021 году, размер кристаллов этих изделий варьировался в диапазоне от 66,25 кв.мм до 72.21 кв.мм (данные Techinsights), но со временем все эти производители сумели сократить размеры кристаллов DDR5.
Размер кристаллов CXMT 16 Гб DDR5 сопоставим с размерами кристаллов 1-го поколения мировых лидеров. Если предположить, что выход годных у CXMT находится на сопоставимом уровне с тем, что было у Micron, Samsung и SK Hynix в 2021 году, то и затраты CXMT скорее всего сопоставимы с тем, что приходилось тратить конкурентам 4-5 лет назад. И это значит, что текущая себестоимость кристаллов DDR5 у CXMT предположительно заметно больше, чем текущая себестоимость кристаллов производства глобальных лидеров. Так что еще предстоит выяснить, сможет ли китайский производитель конкурировать в плане цен. Тем более, что для того, чтобы отобрать рынок у конкурентов, к чему всякий раз стремятся китайские компании, продавать нужно будет не просто по конкурентной цене, а по цене ощутимо меньшей, чем у конкурентов.
Относительно значительный размер кристалла DDR5 CXMT указывает и на то, что компания использует техпроцесс, на годы отстающий от того, который в ходу у мировых лидеров, что вряд ли кого-то удивляет, учитывая американские ограничения на поставку в Китай современного производственного оборудования и технологий. И это отставание в технологиях означает также отставание в энергоэффективности китайских микросхем – еще один немаловажный фактор.
@RUSmicro
#DDR5 #память
Tom's Hardware
China-made DDR5 memory chips use less advanced chipmaking tech
68 mm^2 vs 49 mm^2.
👍4😁2🔥1
📉 Память. NAND. Тренды
Samsung, SK Hynix и Micron сократили производство NAND на фоне снижения спроса
В дополнение к слухам о том, что крупные участники рынка сокращают производство DRAM памяти, согласно данным ZDNet, Samsung и SK Hynix недавно сократили производство старых моделей NAND и начали перевод недоиспользуемых производственных мощностей под более новые модели памяти этого типа. Кроме того, южнокорейское издание fnnews отмечает, что поскольку динамика спроса на SSD корпоративного класса также демонстрирует признаки ослабления, то и Micron начала сокращать закупку пластин для производства NAND.
Рынку eSSD не хватает спроса
В TrendForce предполагают, что поставщики NAND Flash столкнутся с растущим уровнем запасов и ухудшением спроса в 1q2025, при этом средние цены контрактов снизятся на 10-15% квартал к кварталу. Закупки SSD корпоративного типа, как ожидается, снизятся на 5-10% в квартальном исчислении за тот же период.
В отчете fnnews указано, что по мере замедления роста рынка eSSD ожидается снижение выручки Samsung и SK Hynix в 1q2025. Это заставляет крупные компании рассматривать возможность значительного сокращения объемов производства ради защиты цен на продукцию.
В частности, Samsung и SK Hynix снижают производство устаревших моделей памяти NAND на фоне рисков избыточного предложения. По данным ZDNet, оба производителя обратились к поставщикам производственного оборудования с просьбой модифицировать имеющееся у них оборудования для производства моделей NAND 8-го и 9-го поколений к 2H2025.
Избыточное предложение старых продуктов NAND, таких как NAND 7-го поколения, массовое производство которых Samsung и SK Hynix начали в конце 2021 года, ухудшилось из-за снижения спроса и появления новых конкурентов, прежде всего, японской Kioxia и китайской YMTC.
Вопросом остается, последуют ли снижению объемов производства китайские производители или они постараются заместить снижение объемов конкурентами своей продукцией, не поднимая на нее цену?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#NAND #eSSD #память
Samsung, SK Hynix и Micron сократили производство NAND на фоне снижения спроса
В дополнение к слухам о том, что крупные участники рынка сокращают производство DRAM памяти, согласно данным ZDNet, Samsung и SK Hynix недавно сократили производство старых моделей NAND и начали перевод недоиспользуемых производственных мощностей под более новые модели памяти этого типа. Кроме того, южнокорейское издание fnnews отмечает, что поскольку динамика спроса на SSD корпоративного класса также демонстрирует признаки ослабления, то и Micron начала сокращать закупку пластин для производства NAND.
Рынку eSSD не хватает спроса
В TrendForce предполагают, что поставщики NAND Flash столкнутся с растущим уровнем запасов и ухудшением спроса в 1q2025, при этом средние цены контрактов снизятся на 10-15% квартал к кварталу. Закупки SSD корпоративного типа, как ожидается, снизятся на 5-10% в квартальном исчислении за тот же период.
В отчете fnnews указано, что по мере замедления роста рынка eSSD ожидается снижение выручки Samsung и SK Hynix в 1q2025. Это заставляет крупные компании рассматривать возможность значительного сокращения объемов производства ради защиты цен на продукцию.
В частности, Samsung и SK Hynix снижают производство устаревших моделей памяти NAND на фоне рисков избыточного предложения. По данным ZDNet, оба производителя обратились к поставщикам производственного оборудования с просьбой модифицировать имеющееся у них оборудования для производства моделей NAND 8-го и 9-го поколений к 2H2025.
Избыточное предложение старых продуктов NAND, таких как NAND 7-го поколения, массовое производство которых Samsung и SK Hynix начали в конце 2021 года, ухудшилось из-за снижения спроса и появления новых конкурентов, прежде всего, японской Kioxia и китайской YMTC.
Вопросом остается, последуют ли снижению объемов производства китайские производители или они постараются заместить снижение объемов конкурентами своей продукцией, не поднимая на нее цену?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#NAND #eSSD #память
[News] Samsung, SK hynix and Micron Reportedly Cut NAND Production amid Slowing Demand | TrendForce News
Is the winter really coming in the memory market just as 2025 kick starts? In addition to rumors of major players scaling down traditional DRAM produc...
❤1👌1
🇰🇷 Память. HBM. Тренды. Корея
Samsung начинает пробное производство логического кристалла HBM4 по собственному техпроцессу 4нм, бросая вызов SK Hynix
По данным Chosun Daily, Samsung начал пробное производство логических кристаллов, используемых в микросхемах HBM4. После завершения этапа тестирования производительности, Samsung планирует начать предоставление новых чипов для тестирования.
В случае удачи, это станет важной для Samsung вехой. Ранее уже сообщалось, что Samsung начал разработку Custom HBM4 – памяти следующего поколения с высокой пропускной способностью, специально разработанной для клиентов CSP, таких как Microsoft. Ее массовое производство ожидается в 2025 году.
Поскольку SK Hynix получила львиную долю заказов Nvidia на микросхемы HBM3 и HBM3E, внедрение собственных внутренних усовершенствованных узлов в производство HBM4 может стать переломным моментом для Samsung на рынке HBM.
В отличие от HBM3E, где стеки DRAM подключаются к графическому процессору или аналогичному устройству, HBM4 включает в себя логический кристалл, который позволяет настраивать решения HBM, оптимизируя их для конкретных клиентских IP и приложений.
SK Hynix использует для производства своих логических кристаллов техпроцесс 5нм TSMC, тогда как Samsung рассчитывает на более совершенный узел 4нм для повышения производительности и энергоэффективности.
Кроме того, Samsung планирует использовать в своих решениях 6-е поколение DRAM по технологии 10нм, тогда как SK Hynix пока что ориентируется на 5-е поколение DRAM по технологии 10нм.
Мало того, вместо технологии TC-NCF (усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей пленки), Samsung планирует внедрить гибридную технологию склеивания для укладки 16-слойных продуктов HBM4, в основе которой прямое соединение чипов медными шинами, а не традиционными бампами (выступами).
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM #память
Samsung начинает пробное производство логического кристалла HBM4 по собственному техпроцессу 4нм, бросая вызов SK Hynix
По данным Chosun Daily, Samsung начал пробное производство логических кристаллов, используемых в микросхемах HBM4. После завершения этапа тестирования производительности, Samsung планирует начать предоставление новых чипов для тестирования.
В случае удачи, это станет важной для Samsung вехой. Ранее уже сообщалось, что Samsung начал разработку Custom HBM4 – памяти следующего поколения с высокой пропускной способностью, специально разработанной для клиентов CSP, таких как Microsoft. Ее массовое производство ожидается в 2025 году.
Поскольку SK Hynix получила львиную долю заказов Nvidia на микросхемы HBM3 и HBM3E, внедрение собственных внутренних усовершенствованных узлов в производство HBM4 может стать переломным моментом для Samsung на рынке HBM.
В отличие от HBM3E, где стеки DRAM подключаются к графическому процессору или аналогичному устройству, HBM4 включает в себя логический кристалл, который позволяет настраивать решения HBM, оптимизируя их для конкретных клиентских IP и приложений.
SK Hynix использует для производства своих логических кристаллов техпроцесс 5нм TSMC, тогда как Samsung рассчитывает на более совершенный узел 4нм для повышения производительности и энергоэффективности.
Кроме того, Samsung планирует использовать в своих решениях 6-е поколение DRAM по технологии 10нм, тогда как SK Hynix пока что ориентируется на 5-е поколение DRAM по технологии 10нм.
Мало того, вместо технологии TC-NCF (усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей пленки), Samsung планирует внедрить гибридную технологию склеивания для укладки 16-слойных продуктов HBM4, в основе которой прямое соединение чипов медными шинами, а не традиционными бампами (выступами).
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM #память
[News] Samsung Reportedly Starts Trial Production of HBM4 Logic Die with In-house 4nm, Challenging SK hynix | TrendForce News
Samsung’s turnaround in the DRAM sector certainly hinges on its progress of next-gen HBMs, and now there is a ray of hope. According to South Korean m...
👍6
🇯🇵 Память. MRAM. Разработки. Япония
В Университете Осака разработали прототип памяти MRAM с управлением электрическим полем, а не электрическим током
MRAM – одно из направлений, которое считается потенциально перспективным в плане создания замены для традиционных решений RAM. В пользу MRAM – высокая скорость работы, высокая емкость, повышенная долговечность и энергонезависимое хранение данных.
В RAM для хранения данных требуется постоянное энергопитание, обновляющее заряд в конденсаторах. В MRAM магнитные состояния стабильны и не требуют постоянной регенерации. С другой стороны, для переключения вектора намагниченности в разработках на основе управления электрическим током, требуется сравнительно большой ток, что не устраивает индустрию.
В Университете Осаки за основу MRAM нового типа взяли «мультиферроидную гетероструктуру», которую можно переключать электрическим полем. Об эффективности этой структуры позволяет судить обратный магнитоэлектрический коэффициент связи (CME). Первоначально ученые добились коэффициента CME более 10^-5 с/м на основе гетероструктуры Co2FeSi. Далее, чтобы повысить стабильность конфигурации, между пьезоэлектрическим и ферромагнитными слоями ввели тонкий слой ванадия (V). Это позволило сохранить высокий CME, еще более его увеличив, (что хорошо, так речь идет о более высоком магнитном отклике), и, основное – энергонезависимое двоичное состояние, не требующее приложения электрического поля для сохранности данных.
В теории, это создает основу для создания практических устройств ME-MRAM.
Темой MRAM заняты не только в Японии, но также практически о всех странах, обладающих «продвинутой» наукой в области микроэлектроники – США, Китае, России. В разработке MRAM VCM ученые из Northwestern Engineering, США, также отказались от использования тока, добившись в 2022 году возможности переключения состояний при приложении напряжений менее 1В.
@RUSmicro по материалам Research at Osaka University , картинка - T. Usami
#MRAM #память
В Университете Осака разработали прототип памяти MRAM с управлением электрическим полем, а не электрическим током
MRAM – одно из направлений, которое считается потенциально перспективным в плане создания замены для традиционных решений RAM. В пользу MRAM – высокая скорость работы, высокая емкость, повышенная долговечность и энергонезависимое хранение данных.
В RAM для хранения данных требуется постоянное энергопитание, обновляющее заряд в конденсаторах. В MRAM магнитные состояния стабильны и не требуют постоянной регенерации. С другой стороны, для переключения вектора намагниченности в разработках на основе управления электрическим током, требуется сравнительно большой ток, что не устраивает индустрию.
В Университете Осаки за основу MRAM нового типа взяли «мультиферроидную гетероструктуру», которую можно переключать электрическим полем. Об эффективности этой структуры позволяет судить обратный магнитоэлектрический коэффициент связи (CME). Первоначально ученые добились коэффициента CME более 10^-5 с/м на основе гетероструктуры Co2FeSi. Далее, чтобы повысить стабильность конфигурации, между пьезоэлектрическим и ферромагнитными слоями ввели тонкий слой ванадия (V). Это позволило сохранить высокий CME, еще более его увеличив, (что хорошо, так речь идет о более высоком магнитном отклике), и, основное – энергонезависимое двоичное состояние, не требующее приложения электрического поля для сохранности данных.
В теории, это создает основу для создания практических устройств ME-MRAM.
Темой MRAM заняты не только в Японии, но также практически о всех странах, обладающих «продвинутой» наукой в области микроэлектроники – США, Китае, России. В разработке MRAM VCM ученые из Northwestern Engineering, США, также отказались от использования тока, добившись в 2022 году возможности переключения состояний при приложении напряжений менее 1В.
@RUSmicro по материалам Research at Osaka University , картинка - T. Usami
#MRAM #память
👍7🔥2
🇰🇷 Производство памяти. HBM. Корея
SK hynix запустит массовое производство чипов 1с DRAM в феврале 2025 года
По данным MoneyToday, Samsung может оказаться в затруднительном положении, поскольку компания отложила разработку своего решения DRAM 6-го поколения на базе техпроцесса 10нм еще на 6 месяцев – на июнь 2025 года. Вместе с тем, SK hynix может начать массовое производство DRAM 1c уже в феврале 2025, сохранив технологическое лидерство и отрыв от конкурента.
Кроме того, согласно отчету, SK hynix недавно завершила квалификацию массового производства 1c DDR5.
У Samsung сохраняются технологические проблемы. Хотя компания и получила свой первый функциональный чип DRAM 1c в конце 2024 года, но она по-прежнему не достигла целевого выхода годных.
Эта задержка может повлиять на запланированное Samsung массовое производство HBM4 в 2H2025.
Обычно для отрасли характерен 18-месячный цикл разработки для каждого поколения. Хотя Samsung разработала свой 10нм класс (1b) DRAM 5-го поколения в декабре 2022 года и объявила о массовом производстве в мае 2023 года, с тех пор не было новостей о прогрессе в области 1c DRAM. Между тем, в SK hynix не тормозят, образцы HBM4 планируют отправить в Nvidia в июне 2025 года, а полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся примерно в конце 3q2025. Тем самым, попытка Samsung вернуть себе технологическое лидерство в области HBM, похоже, не реализуется в ближайшие месяцы.
В отчете MoneyToday высказывают опасения, что задержки в разработке 1c DRAM повлияют на планы Samsung по HBM. Если в конце 2025 года начнется производство 1c DRAM, то производство HBM4 может быть перенесено на 2026 год.
Впрочем, это все предположения. Samsung может попытаться ускорить процесс разработки.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #HBM
SK hynix запустит массовое производство чипов 1с DRAM в феврале 2025 года
По данным MoneyToday, Samsung может оказаться в затруднительном положении, поскольку компания отложила разработку своего решения DRAM 6-го поколения на базе техпроцесса 10нм еще на 6 месяцев – на июнь 2025 года. Вместе с тем, SK hynix может начать массовое производство DRAM 1c уже в феврале 2025, сохранив технологическое лидерство и отрыв от конкурента.
Кроме того, согласно отчету, SK hynix недавно завершила квалификацию массового производства 1c DDR5.
У Samsung сохраняются технологические проблемы. Хотя компания и получила свой первый функциональный чип DRAM 1c в конце 2024 года, но она по-прежнему не достигла целевого выхода годных.
Эта задержка может повлиять на запланированное Samsung массовое производство HBM4 в 2H2025.
Обычно для отрасли характерен 18-месячный цикл разработки для каждого поколения. Хотя Samsung разработала свой 10нм класс (1b) DRAM 5-го поколения в декабре 2022 года и объявила о массовом производстве в мае 2023 года, с тех пор не было новостей о прогрессе в области 1c DRAM. Между тем, в SK hynix не тормозят, образцы HBM4 планируют отправить в Nvidia в июне 2025 года, а полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся примерно в конце 3q2025. Тем самым, попытка Samsung вернуть себе технологическое лидерство в области HBM, похоже, не реализуется в ближайшие месяцы.
В отчете MoneyToday высказывают опасения, что задержки в разработке 1c DRAM повлияют на планы Samsung по HBM. Если в конце 2025 года начнется производство 1c DRAM, то производство HBM4 может быть перенесено на 2026 год.
Впрочем, это все предположения. Samsung может попытаться ускорить процесс разработки.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #HBM
[News] SK hynix Reportedly Set 1c DRAM Mass Production in Feb, While Samsung Delays by Six Months | TrendForce News
Ahead of SK hynix’s upcoming fourth-quarter results announcement, another Korean memory giant, Samsung, may be in trouble again. According to MoneyTod...
👀3👍1
🇨🇳 Память. Технологии. Flash. Китай
YMTC обогнала Micron и Kioxia и приблизилась к Samsung по числу слоев в чипах флеш-памяти
Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC), ведущий китайский производитель микросхем флэш-памяти, добилась значительного технологического прорыва, несмотря на санкции США, уверены в Techinsights на данные которых ссылается South China Morning Post.
В коммерчески доступном твердотельном устройстве хранения данных ZhiTai TiPro9000 обнаружились чипы 3D NAND, созданные по техпроцесссу Xtacking4.0 YMTC. Это чип «двухэтажной структуры» - нижний со 150 затворами и верхний со 144. В сумме – 294 затвора. Пластины этажей соединены «гибридным бондингом», когда между двумя поверхностями образуются как металлические, так и диэлектрические связи. Этот метод снижает паразитную емкость, сопротивление и индуктивность, лучше и тепловые параметры микросхемы.
В 2024 году YMTC уже использовала технологию Xtacking4.0, создав продукт в 160-слоев с 180-ю вентилями.
Новый продукт повышает плотность хранения до более чем 20 Гбит на кв.мм (возможно, это отраслевой рекорд)! В Techinsight думают, что дизайн содержит около 270 активных слоев памяти.
Какие выводы?
США не удается остановить китайский прогресс в технологиях микроэлектроники – без санкций китайцы, возможно, двигались бы еще быстрее, но они прогрессируют и без этого.
SK Hynix уже сообщала в 2024 году о начале массового производства 321-слойной NAND-flash памяти, представленной в 2023 году. Samsung заявляла о 280 слоях. Так что корейцы пока недосягаемы. Американская Micron с ее 232 слоями и японская Kioxia с 218 слоями, возможно, попадают в число отстающих. Впрочем, посмотрим, не будет ли от них обновлений информации в ближайшие недели.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
#память #слои #технологии
YMTC обогнала Micron и Kioxia и приблизилась к Samsung по числу слоев в чипах флеш-памяти
Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC), ведущий китайский производитель микросхем флэш-памяти, добилась значительного технологического прорыва, несмотря на санкции США, уверены в Techinsights на данные которых ссылается South China Morning Post.
В коммерчески доступном твердотельном устройстве хранения данных ZhiTai TiPro9000 обнаружились чипы 3D NAND, созданные по техпроцесссу Xtacking4.0 YMTC. Это чип «двухэтажной структуры» - нижний со 150 затворами и верхний со 144. В сумме – 294 затвора. Пластины этажей соединены «гибридным бондингом», когда между двумя поверхностями образуются как металлические, так и диэлектрические связи. Этот метод снижает паразитную емкость, сопротивление и индуктивность, лучше и тепловые параметры микросхемы.
В 2024 году YMTC уже использовала технологию Xtacking4.0, создав продукт в 160-слоев с 180-ю вентилями.
Новый продукт повышает плотность хранения до более чем 20 Гбит на кв.мм (возможно, это отраслевой рекорд)! В Techinsight думают, что дизайн содержит около 270 активных слоев памяти.
Какие выводы?
США не удается остановить китайский прогресс в технологиях микроэлектроники – без санкций китайцы, возможно, двигались бы еще быстрее, но они прогрессируют и без этого.
SK Hynix уже сообщала в 2024 году о начале массового производства 321-слойной NAND-flash памяти, представленной в 2023 году. Samsung заявляла о 280 слоях. Так что корейцы пока недосягаемы. Американская Micron с ее 232 слоями и японская Kioxia с 218 слоями, возможно, попадают в число отстающих. Впрочем, посмотрим, не будет ли от них обновлений информации в ближайшие недели.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
#память #слои #технологии
South China Morning Post
China’s top memory chip maker again defies US sanctions with design breakthrough
Yangtze Memory Technologies Corporation is integrating a new design into chips with 294 gates, research firm finds.
👍8❤3
🇨🇳 Память. Технологии. DRAM. Китай
Китайские микросхемы DDR5 от CXMT – не самые технологичные, но спрос находят.
В Китае на кристаллах CXMT уже выпускают линейки оперативной памяти DDR5, например, комплект Gloway из двух планок по 16 Гбайт DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) – его исследовали в TechInsights, а рассказывают об этом в 3dnews.
В планках Gloway стоят микросхемы CXMT с чипами памяти 8,19 х 8,18 мм, площадью, соответственно, 67 кв.мм. Плотность памяти – 0,239 Гбит/кв.мм. Кристалл изготавливают по технологии CXMT G4 (площадь ячейки – 0,002 кв.мм). Шаг ячейки – 29,8; 41,7 и 47.9 нм для активной линии, worldline и bitline, что напоминает о DDR5 других передовых производителей образца 2021 года.
Выход годных у CXMT – высокий, 80%.
Конкуренты, то есть Samsung, SK Hynix и Micron сейчас работают по техпроцессам 12-14нм, причем с использованием фотолитографов EUV, недоступных в Китае из-за санкций США.
Тем не менее в CXMT планируют двигаться дальше, в частности, к технологиям менее 15нм, выпускать чипы по которой попробуют без EUV. Идет подготовка и к выпуску микросхем HBM.
@RUSmicro
#DDR5 #DRAM #память
Китайские микросхемы DDR5 от CXMT – не самые технологичные, но спрос находят.
В Китае на кристаллах CXMT уже выпускают линейки оперативной памяти DDR5, например, комплект Gloway из двух планок по 16 Гбайт DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) – его исследовали в TechInsights, а рассказывают об этом в 3dnews.
В планках Gloway стоят микросхемы CXMT с чипами памяти 8,19 х 8,18 мм, площадью, соответственно, 67 кв.мм. Плотность памяти – 0,239 Гбит/кв.мм. Кристалл изготавливают по технологии CXMT G4 (площадь ячейки – 0,002 кв.мм). Шаг ячейки – 29,8; 41,7 и 47.9 нм для активной линии, worldline и bitline, что напоминает о DDR5 других передовых производителей образца 2021 года.
Выход годных у CXMT – высокий, 80%.
Конкуренты, то есть Samsung, SK Hynix и Micron сейчас работают по техпроцессам 12-14нм, причем с использованием фотолитографов EUV, недоступных в Китае из-за санкций США.
Тем не менее в CXMT планируют двигаться дальше, в частности, к технологиям менее 15нм, выпускать чипы по которой попробуют без EUV. Идет подготовка и к выпуску микросхем HBM.
@RUSmicro
#DDR5 #DRAM #память
3DNews - Daily Digital Digest
DDR5 на китайских чипах рвётся на рынок — они слегка уступают чипам SK hynix и Samsung, но стоят дешевле
Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) недавно наладил массовое производство чипов DDR5.
👍9
📈 Высокоскоростная память. Участники рынка. Тренды
Micron собирается начать массовое производство 12-стекового HBM3E
Согласно отчету ijiwei со ссылкой на Business Korea, Micron Technology собиралась начать массовое производство своего 12-стекового HBM в сентябре 2024 года. С тех пор компания уже успела показать образцы компании Nvidia и другим потенциальным клиентам.
Финансовый директор Micron Марк Мерфи заявил, что 12-стековый HBM3E Micron отличается на 20% меньшим энергопотреблением и имеет на 50% большую емкость по сравнению с 8-стековыми продуктами конкурентов. Он также прогнозирует, что большая часть продуктов HBM, производимых Micron в 2H2025 будет состоять из 12-стековых продуктов.
Кроме того, Мерфи упомянул, что следующее поколение HBM4 от Micron запланировано к массовому производству в 2026 году.
Samsung Electronics, похоже, отстает в технологиях HBM. Недавно компания сообщала о запуске малосерийного производства 8-стековой HBM. Корейский производитель все еще не прошел фазу тестирования 12-стековой HBM. До конца февраля 2025 года, компания планирует отправить образцы 12-стековой HBM в Nvidia. Перед поставками компании серийной продукции понадобится еще одно одобрение.
Samsung намерен начать массовое производство HBM4 в течение 2025 года.
Ранее сообщалось о планах массового выпуска 1c DRAM Samsung в этом году, но похоже, что первоначальное производство в конце 2024 года не оправдало ожиданий в плане выхода годных. Добиться высокого показателя не удалось даже после того, как Samsung перепроектировала эти чипы, увеличив размер кристалла.
SK hynix выглядит более успешной с планами отправить образцы HBM4 в Nvidia в июне 2025 года, и с идеей начать полномасштабные поставки продукта в конце 3q2025. А массовое производство 1c DRAM SK hunix планирует начать в феврале 2025 года.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #высокоскоростная #HBM
Micron собирается начать массовое производство 12-стекового HBM3E
Согласно отчету ijiwei со ссылкой на Business Korea, Micron Technology собиралась начать массовое производство своего 12-стекового HBM в сентябре 2024 года. С тех пор компания уже успела показать образцы компании Nvidia и другим потенциальным клиентам.
Финансовый директор Micron Марк Мерфи заявил, что 12-стековый HBM3E Micron отличается на 20% меньшим энергопотреблением и имеет на 50% большую емкость по сравнению с 8-стековыми продуктами конкурентов. Он также прогнозирует, что большая часть продуктов HBM, производимых Micron в 2H2025 будет состоять из 12-стековых продуктов.
Кроме того, Мерфи упомянул, что следующее поколение HBM4 от Micron запланировано к массовому производству в 2026 году.
Samsung Electronics, похоже, отстает в технологиях HBM. Недавно компания сообщала о запуске малосерийного производства 8-стековой HBM. Корейский производитель все еще не прошел фазу тестирования 12-стековой HBM. До конца февраля 2025 года, компания планирует отправить образцы 12-стековой HBM в Nvidia. Перед поставками компании серийной продукции понадобится еще одно одобрение.
Samsung намерен начать массовое производство HBM4 в течение 2025 года.
Ранее сообщалось о планах массового выпуска 1c DRAM Samsung в этом году, но похоже, что первоначальное производство в конце 2024 года не оправдало ожиданий в плане выхода годных. Добиться высокого показателя не удалось даже после того, как Samsung перепроектировала эти чипы, увеличив размер кристалла.
SK hynix выглядит более успешной с планами отправить образцы HBM4 в Nvidia в июне 2025 года, и с идеей начать полномасштабные поставки продукта в конце 3q2025. А массовое производство 1c DRAM SK hunix планирует начать в феврале 2025 года.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #высокоскоростная #HBM
[News] Micron Reportedly Set to Mass Produce 12-Stack HBM3E, Securing NVIDIA Supply Deal | TrendForce News
According to a report from ijiwei, citing Business Korea, Micron Technology is set to begin mass production of its 12-stack HBM and will supply it to ...
🇯🇵 NAND flash память. Рекорды. Япония
4.7 Гбит/с, 332 слоя – Kioxia и SanDisk совместно представили новое решение 3D NAND флэш памяти
Это решение для применения в ИИ-моделях, которое компании представили на академической конференции 2025 IEEE ISSCC. Важно не только рекордное число слоев – 332, но и рекордная для NAND flash скорость работы интерфейса – до 4.8 Гбит/с.
Решение основывается на использовании стандарта Toggle DDR6.0 и протокола SCA. Заявляемая скорость 4.8 Гбит/c на 33% выше, чем у продуктов «8-го поколения».
Мало того, данное решение отличается сниженным энергопотреблением. За счет применения технологии PI-LTT достигается сокращение энергопотребления при вводе данных на 10% и при считывании – на 34%.
Плотность хранения данных в новинке за счет 332 слоев и оптимизированной раскладки ячеек выросла на 59%.
Kioxia и SanDisk продолжат работу над 9-м и 10-м поколением 3D-flash памяти.
9-е поколение опирается на технологию CBA и будет использовать новую CMOS технологию, чтобы повысить высокой производительности.
В 10-м поколении ожидается дальнейший рост емкости, скорости и оптимизация потребления энергопотребления, чтобы соответствовать растущим требованиям ИИ-ЦОД и компаний, разрабатывающих ИИ.
CBA – это CMOS under Array, в контексте памяти NAND flash – это подход, когда управляющие логические схемы (контролллеры, декодеры, драйверы) располагают под массивом ячеек памяти, а не рядом с ними, как раньше.
@RUSmicro по материалам MinNews
#флэш #память #слои #NAND
4.7 Гбит/с, 332 слоя – Kioxia и SanDisk совместно представили новое решение 3D NAND флэш памяти
Это решение для применения в ИИ-моделях, которое компании представили на академической конференции 2025 IEEE ISSCC. Важно не только рекордное число слоев – 332, но и рекордная для NAND flash скорость работы интерфейса – до 4.8 Гбит/с.
Решение основывается на использовании стандарта Toggle DDR6.0 и протокола SCA. Заявляемая скорость 4.8 Гбит/c на 33% выше, чем у продуктов «8-го поколения».
Мало того, данное решение отличается сниженным энергопотреблением. За счет применения технологии PI-LTT достигается сокращение энергопотребления при вводе данных на 10% и при считывании – на 34%.
Плотность хранения данных в новинке за счет 332 слоев и оптимизированной раскладки ячеек выросла на 59%.
Kioxia и SanDisk продолжат работу над 9-м и 10-м поколением 3D-flash памяти.
9-е поколение опирается на технологию CBA и будет использовать новую CMOS технологию, чтобы повысить высокой производительности.
В 10-м поколении ожидается дальнейший рост емкости, скорости и оптимизация потребления энергопотребления, чтобы соответствовать растущим требованиям ИИ-ЦОД и компаний, разрабатывающих ИИ.
CBA – это CMOS under Array, в контексте памяти NAND flash – это подход, когда управляющие логические схемы (контролллеры, декодеры, драйверы) располагают под массивом ячеек памяти, а не рядом с ними, как раньше.
@RUSmicro по материалам MinNews
#флэш #память #слои #NAND
🇨🇳 Память. SCM. Китай
Китайский производитель представил память SCM
Известный пример памяти SCM (Storage Class Memory – память класса хранения) – Intel Optane. В свое время ее производство было приостановлено американскими компаниями, но, похоже, технология заинтересовала китайцев. Компания Numemory (Xincun Technology) представила свой вариант памяти SCM. Устройства памяти компании объединяют производительность DRAM и энергонезависимость NAND. Оборотной стороной медали будет, по всей видимости, сравнительно высокая цена и не слишком большая емкость.
Чипы NM101 были представлены еще осенью 2024 года. Они используют, предположительно, стандартный интерфейс NAND с 1.2-вольтовым I/O (что типично для накопителей M.2), что должно позволить использовать SSD для ПК. Но чипы NM101 64 Гбит (8 ГБ) и NM102 128 Гбит (16 ГБ) – не слишком интересный на сегодня размер. На таких чипах не собрать SSD 1ТБ в форм-факторе M.2-2280. Но, возможно, компания уже работает над микросхемами большей емкости? Кроме того, не всем же нужен M.2, а в большие по размерам корпуса можно будет поставить больше чипов SCM.
Кстати, у Intel тоже чипы Optane 2-го поколения не отличались гигантской емкостью, обеспечивая 128 гбит на устройство, но их раскупали в достойных объемах.
Xincun Technology еще в сентябре 2024 году представила устройства Numemory 1-го поколения: 64 гбит и 128 Гбит с интерфейсом 3200 МТ/c. NM101 – это память с одноуровневыми ячейками (SLC) 3D-стекирования емкостью 64 Гб (8 ГБ) и стандартным для отрасли интерфейсом NAND 3200 MT/с. Рабочее напряжение массива памяти – 5.3/4.5 В (это намек на то, что используются зрелые техпроцессы), а напряжение ввода/вывода – 1.2В.
В начале 2025 года компания выпустила устройство 2-го поколения, NM102 с емкостью 128 Гб (16 ГБ), у него тоже архитектура SLC и I/O 1.2В. Какие у него рабочие напряжения – неизвестно. Но у Optane 2-го поколения были те же 128 Гб с использованием 3D XPoint.
Xincun не раскрывает полной спецификации своих устройств, лишь кратко упоминая «сверхмалое время отклика» на уровне мс, что очень расплывчато характеризует задержки. Optane от Intel обеспечивал задержку чтения 10-15 мкс и задержку записи – более 200 мкс, тогда как современные 3D TLC NAND может похвастаться задержкой чтения в 80 мкс и задержкой записи в пределах сотен мкс. У DDR5 SDRAM задержка составляет от 10 до 20 нс, в зависимости от конкретной подсистемы памяти.
Xincun не раскрывает даже базовые данные о своем устройстве, - можно только гадать, это MRAM, FeRAM, память с изменением фазы, импеданса. Соответственно, мы не знаем, насколько эта SCM близка к DRAM и насколько далека от SLC 3D NAND.
Производитель заявляет, что это «многообещающая технология энергонезависимого хранения следующего поколения, пригодная к крупномасштабному массовому производству». Говоря о массовом производстве, непонятно, имеет ли Xincun собственные производственные мощности или отдала производство на аутсорсинг контрактному производителю. В компании работает всего 220 сотрудников, 80% из которых заняты в НИОКР, сомнительно, чтобы речь шла о собственно производстве.
Xincun Technology основана в Ухане в 2022 году с целью разработки памяти класса хранения. Производство чипов SCM – существенный шаг для Китая по укреплению возможностей в области производства современных полупроводников в целом и по разработке уникальных технологий в частности. Даже если речь идет, например, о реверс-инжиниринге американских разработок.
@RUSmicro по материалам Tom’s Hardware
#SCM #памятьклассахранения #память
Китайский производитель представил память SCM
Известный пример памяти SCM (Storage Class Memory – память класса хранения) – Intel Optane. В свое время ее производство было приостановлено американскими компаниями, но, похоже, технология заинтересовала китайцев. Компания Numemory (Xincun Technology) представила свой вариант памяти SCM. Устройства памяти компании объединяют производительность DRAM и энергонезависимость NAND. Оборотной стороной медали будет, по всей видимости, сравнительно высокая цена и не слишком большая емкость.
Чипы NM101 были представлены еще осенью 2024 года. Они используют, предположительно, стандартный интерфейс NAND с 1.2-вольтовым I/O (что типично для накопителей M.2), что должно позволить использовать SSD для ПК. Но чипы NM101 64 Гбит (8 ГБ) и NM102 128 Гбит (16 ГБ) – не слишком интересный на сегодня размер. На таких чипах не собрать SSD 1ТБ в форм-факторе M.2-2280. Но, возможно, компания уже работает над микросхемами большей емкости? Кроме того, не всем же нужен M.2, а в большие по размерам корпуса можно будет поставить больше чипов SCM.
Кстати, у Intel тоже чипы Optane 2-го поколения не отличались гигантской емкостью, обеспечивая 128 гбит на устройство, но их раскупали в достойных объемах.
Xincun Technology еще в сентябре 2024 году представила устройства Numemory 1-го поколения: 64 гбит и 128 Гбит с интерфейсом 3200 МТ/c. NM101 – это память с одноуровневыми ячейками (SLC) 3D-стекирования емкостью 64 Гб (8 ГБ) и стандартным для отрасли интерфейсом NAND 3200 MT/с. Рабочее напряжение массива памяти – 5.3/4.5 В (это намек на то, что используются зрелые техпроцессы), а напряжение ввода/вывода – 1.2В.
В начале 2025 года компания выпустила устройство 2-го поколения, NM102 с емкостью 128 Гб (16 ГБ), у него тоже архитектура SLC и I/O 1.2В. Какие у него рабочие напряжения – неизвестно. Но у Optane 2-го поколения были те же 128 Гб с использованием 3D XPoint.
Xincun не раскрывает полной спецификации своих устройств, лишь кратко упоминая «сверхмалое время отклика» на уровне мс, что очень расплывчато характеризует задержки. Optane от Intel обеспечивал задержку чтения 10-15 мкс и задержку записи – более 200 мкс, тогда как современные 3D TLC NAND может похвастаться задержкой чтения в 80 мкс и задержкой записи в пределах сотен мкс. У DDR5 SDRAM задержка составляет от 10 до 20 нс, в зависимости от конкретной подсистемы памяти.
Xincun не раскрывает даже базовые данные о своем устройстве, - можно только гадать, это MRAM, FeRAM, память с изменением фазы, импеданса. Соответственно, мы не знаем, насколько эта SCM близка к DRAM и насколько далека от SLC 3D NAND.
Производитель заявляет, что это «многообещающая технология энергонезависимого хранения следующего поколения, пригодная к крупномасштабному массовому производству». Говоря о массовом производстве, непонятно, имеет ли Xincun собственные производственные мощности или отдала производство на аутсорсинг контрактному производителю. В компании работает всего 220 сотрудников, 80% из которых заняты в НИОКР, сомнительно, чтобы речь шла о собственно производстве.
Xincun Technology основана в Ухане в 2022 году с целью разработки памяти класса хранения. Производство чипов SCM – существенный шаг для Китая по укреплению возможностей в области производства современных полупроводников в целом и по разработке уникальных технологий в частности. Даже если речь идет, например, о реверс-инжиниринге американских разработок.
@RUSmicro по материалам Tom’s Hardware
#SCM #памятьклассахранения #память
Tom's Hardware
Chinese chipmaker unveils Optane-like storage class memory
Quite expensive storage.
👍5🔥1
🇰🇷 Память. V-NAND. Число слоев. Рекорды. Корея
Samsung представляет 10-е поколение V-NAND – более 400 слоев, 5.6 ГТ/с и гибридное связывание
Недолго в Kioxia наслаждались своим рекордом в 332 слоя. Не прошло и пары недель с японского анонса, как Samsung представил свою флеш-память V-NAND 10-го поколения с более, чем 400 активными слоями и скоростью интерфейса 5.6 ГТ/с на Международной конференции по твердотельным схемам 2025 года (International Solid-State Circuit Conference 2025).
Новинка может похвастаться не только рекордным количеством активным слоев и высокой производительностью. Она использует фирменную технологию Samsung под названием CoP (cell-on-peripheral) с гибридным связыванием (bonding).
Samsung показал микросхему, выполненную по архитектуре 3D TLC NAND. Поскольку речь идет о трехуровневых ячейках, обеспечивается плотность памяти "лишь" в 28 Гб/кв.мм, что чуть меньше, чем у памяти на четырехуровневых ячейках: 1 ТБ 3D QLC V-NAND от того же Samsung с его 28.5 Гб/кв.мм.
Но в нашей новинке Samsung предположительно ставил целью повысить не плотность, а количество активных слоев, а также применить гибридный метод подключения периферийных схем (hybrid bonding).
Хотя и Samsung, и другие производители NAND уже не впервые размещает периферийные схемы под массовом памяти, в чипе 10-го поколения этот подход выглядит так: периферийные схемы, включая декодеры строк, усилители считывания, буферы, генераторы напряжения, I/O размещаются на собственной подложке. Затем она связывается с пластиной, на которой формируется стек 3D NAND. Тот же подход применяют сейчас и Kioxia/Sandisk, Япония, и YMTC, Китай.
Этот подход позволил заметно поднять скорости интерфейса V-NAND G10 - до 5.6 ГТ/с. При такой скорости одно устройство NAND может обеспечивать пиковую скорость передачи данных в 700 МБ/с. В более масштабных конфигурациях, 10 устройств могут полностью занять интерфейс PCIe 4.0 x4, а 20 – максимально задействовать соединение PCIe 5.0 x4. Установка с 32 кристаллами в двух пакетах NAND приблизит производительность к тому пределу, что способен обеспечить интерфейс PCIe 6.0 x4.
Большинство пакетов NAND в SSD накопителей основаны на сборке в стек 8 или 16 кристаллов. Пакет, содержащий 16 кристаллов способен обеспечить хранение до 2ТБ. Соответственно, если в одностороннем SSD задействовано 4 микросхемы с такими пакетами x16, то емкость хранилища составляет 8 ТБ. Форм-фактор M.2 2280 с его двусторонним размещением подразумевает емкость до 16 ТБ. Пока что Samsung такие не выпускает, возможно потому что большинство ноутбуков еще не способны поддержать столько памяти.
С появлением новых микросхем 10G V-NAND Samsung готов получить заметную долю рынка устройств хранения данных нового поколения, будь то SSD или UFS. Доступность этих устройств на рынке будет связана с тем, насколько быстро Samsung сможет наладить выпуск своей новейшей 3D TLC V-NAND. Пока что компания не раскрывает, как скоро появятся SSD Samsung на базе новых микросхем.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
Шаг за шагом конкуренты рынка NAND бодро движутся к ранее заявленной цели в 1000 слоев 3D-памяти.
#NAND #память #VNAND
Samsung представляет 10-е поколение V-NAND – более 400 слоев, 5.6 ГТ/с и гибридное связывание
Недолго в Kioxia наслаждались своим рекордом в 332 слоя. Не прошло и пары недель с японского анонса, как Samsung представил свою флеш-память V-NAND 10-го поколения с более, чем 400 активными слоями и скоростью интерфейса 5.6 ГТ/с на Международной конференции по твердотельным схемам 2025 года (International Solid-State Circuit Conference 2025).
Новинка может похвастаться не только рекордным количеством активным слоев и высокой производительностью. Она использует фирменную технологию Samsung под названием CoP (cell-on-peripheral) с гибридным связыванием (bonding).
Samsung показал микросхему, выполненную по архитектуре 3D TLC NAND. Поскольку речь идет о трехуровневых ячейках, обеспечивается плотность памяти "лишь" в 28 Гб/кв.мм, что чуть меньше, чем у памяти на четырехуровневых ячейках: 1 ТБ 3D QLC V-NAND от того же Samsung с его 28.5 Гб/кв.мм.
Но в нашей новинке Samsung предположительно ставил целью повысить не плотность, а количество активных слоев, а также применить гибридный метод подключения периферийных схем (hybrid bonding).
Хотя и Samsung, и другие производители NAND уже не впервые размещает периферийные схемы под массовом памяти, в чипе 10-го поколения этот подход выглядит так: периферийные схемы, включая декодеры строк, усилители считывания, буферы, генераторы напряжения, I/O размещаются на собственной подложке. Затем она связывается с пластиной, на которой формируется стек 3D NAND. Тот же подход применяют сейчас и Kioxia/Sandisk, Япония, и YMTC, Китай.
Этот подход позволил заметно поднять скорости интерфейса V-NAND G10 - до 5.6 ГТ/с. При такой скорости одно устройство NAND может обеспечивать пиковую скорость передачи данных в 700 МБ/с. В более масштабных конфигурациях, 10 устройств могут полностью занять интерфейс PCIe 4.0 x4, а 20 – максимально задействовать соединение PCIe 5.0 x4. Установка с 32 кристаллами в двух пакетах NAND приблизит производительность к тому пределу, что способен обеспечить интерфейс PCIe 6.0 x4.
Большинство пакетов NAND в SSD накопителей основаны на сборке в стек 8 или 16 кристаллов. Пакет, содержащий 16 кристаллов способен обеспечить хранение до 2ТБ. Соответственно, если в одностороннем SSD задействовано 4 микросхемы с такими пакетами x16, то емкость хранилища составляет 8 ТБ. Форм-фактор M.2 2280 с его двусторонним размещением подразумевает емкость до 16 ТБ. Пока что Samsung такие не выпускает, возможно потому что большинство ноутбуков еще не способны поддержать столько памяти.
С появлением новых микросхем 10G V-NAND Samsung готов получить заметную долю рынка устройств хранения данных нового поколения, будь то SSD или UFS. Доступность этих устройств на рынке будет связана с тем, насколько быстро Samsung сможет наладить выпуск своей новейшей 3D TLC V-NAND. Пока что компания не раскрывает, как скоро появятся SSD Samsung на базе новых микросхем.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
Шаг за шагом конкуренты рынка NAND бодро движутся к ранее заявленной цели в 1000 слоев 3D-памяти.
#NAND #память #VNAND
Tom's Hardware
Samsung unveils 10th Gen V-NAND: 400+ layers, 5.6 GT/s and hybrid bonding
High-performance high-capacity memory.
👍6
🇰🇷 Память. Высокоскоростная. HBM. Корея
SK Hynix достигла выхода годных в 70% для чипов HBM4
Это достижение укрепляет позиции южнокорейской компании на конкурентном рынке HBM4. Речь идет о 12-слойной памяти 6G, которая пока что выпускается в тестовом режиме с планами отправить образцы кристаллов в Nvidia летом 2025 года с планами начала их массового производства в конце 3q2025. К концу 2024 года по данным инсайдеров этот показатель превысил 60%.
В 12-слойной HBM4 используются узлы DRAM (1b) 5-го поколения, произведенные по техпроцессу 10нм, которые уже себя хорошо зарекомендовали в памяти 5G (HBM3E). Отсюда и прогнозы, что 12-слойные HBM4 быстро пройдут путь к массовому производству.
По слухам, 12-слойные HBM4 будут задействованы, в частности, в ускорителях Nvidia Rubin, которые планируются к запуску в 2026 году, но могут появиться на рынке даже ранее. А к середине 2026 года могут появиться 16-слойные версии памяти HBM от SK Hynix.
Интересное следствие. Если до сих пор все свои чипы корейский производитель производил на собственных мощностях, то HMB4 настолько высокотехнологичен, что SK Hynix решила сотрудничать с TSMC, чтобы использовать передовые возможности логического интерфейса тайваньской компании, нежели разрабатывать их самостоятельно.
Если SK Hynix поспеет за планами ускоренного развития Nvidia, южнокорейская компания упрочит свои позиции лидера в области высокоскоростной памяти для ИИ.
@RUSmicro по материалам DigiTimes
#HBM #память
SK Hynix достигла выхода годных в 70% для чипов HBM4
Это достижение укрепляет позиции южнокорейской компании на конкурентном рынке HBM4. Речь идет о 12-слойной памяти 6G, которая пока что выпускается в тестовом режиме с планами отправить образцы кристаллов в Nvidia летом 2025 года с планами начала их массового производства в конце 3q2025. К концу 2024 года по данным инсайдеров этот показатель превысил 60%.
В 12-слойной HBM4 используются узлы DRAM (1b) 5-го поколения, произведенные по техпроцессу 10нм, которые уже себя хорошо зарекомендовали в памяти 5G (HBM3E). Отсюда и прогнозы, что 12-слойные HBM4 быстро пройдут путь к массовому производству.
По слухам, 12-слойные HBM4 будут задействованы, в частности, в ускорителях Nvidia Rubin, которые планируются к запуску в 2026 году, но могут появиться на рынке даже ранее. А к середине 2026 года могут появиться 16-слойные версии памяти HBM от SK Hynix.
Интересное следствие. Если до сих пор все свои чипы корейский производитель производил на собственных мощностях, то HMB4 настолько высокотехнологичен, что SK Hynix решила сотрудничать с TSMC, чтобы использовать передовые возможности логического интерфейса тайваньской компании, нежели разрабатывать их самостоятельно.
Если SK Hynix поспеет за планами ускоренного развития Nvidia, южнокорейская компания упрочит свои позиции лидера в области высокоскоростной памяти для ИИ.
@RUSmicro по материалам DigiTimes
#HBM #память
DIGITIMES
SK Hynix reportedly hits 70% yield in HBM4 testing
SK Hynix has reportedly reached a significant milestone in its pre-production trials by raising the yield rate of its sixth-generation high-bandwidth memory (HBM4) to 70%. This achievement strengthens the South Korean semiconductor company's position in the…
👍2
🇺🇸 Память. DDR. Техпроцессы. США
Micron начала выпускать чипы DDR5 по техпроцессу 1-гамма с использованием EUV
Пока что образцы поставляются избранным партнерам.
Отмечается более высокая пропускная способность (до 9200 МТ/с), сниженное энергопотребление (на 20%) и конечно более высокая плотность размещения ячеек (на 30%) – все это крайне актуально для ИИ. Проценты указаны относительно техпроцесса 1-бэта. Техпроцесс 10нм-класса. Чипы – 16 Гбит.
@RUSmicro по материалам 3dnews
#DDR #DDR5 #память
Micron начала выпускать чипы DDR5 по техпроцессу 1-гамма с использованием EUV
Пока что образцы поставляются избранным партнерам.
Отмечается более высокая пропускная способность (до 9200 МТ/с), сниженное энергопотребление (на 20%) и конечно более высокая плотность размещения ячеек (на 30%) – все это крайне актуально для ИИ. Проценты указаны относительно техпроцесса 1-бэта. Техпроцесс 10нм-класса. Чипы – 16 Гбит.
@RUSmicro по материалам 3dnews
#DDR #DDR5 #память
👍4❤1
🇺🇸 Память. Модули SOCAMM. США
Micron и SK hynix представили новую память LPDDR5X SOCAMM объемом до 128 ГБ, которая пойдет в системы Nvidia GB300
В новых модулях задействована память LPDDR5X, они предназначены для использования в ИИ-серверах и в маломощных серверах и позиционируются как решения, объединяющие высокую емкость, производительность, компактность и низкое энергопотребление.
Размеры SOCAMM – 14x90 мм – треть от размеров RDIMM. При этом в каждом до 4-х 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X.
Micron начнет поставлять модули SOCAMM с емкостью 128 ГБ на основе памяти LPDDR5X, произведенных по техпроцессу компании DRAM 1-бета (5-е поколение, 10нм). Micron не раскрыла скорости передачи данных новых модулей, но память должна поддерживать 9.6 ГТ/с. А модули SOCAMM от SK Hynix, показанная на выставке GTC 2025, рассчитана на 7.5 ГТ/с.
На долю памяти приходится значительная часть мощности, потребляемой сервером. Например, в серверах с терабайтами DDR5 на сокет, потребление памяти превышает потребление CPU. Nvidia разработала свои CPU Grace на основе памяти LPDDR5X, которая потребляет меньше, чем DDR5, но реализовала широкую шину памяти (как у процессоров AMD и Intel ЦОД-класса), чтобы добиться высокой пропускной способностью. Но для машин на базе GB200 Grace Blackwell пришлось использовать запаиваемую память LPDDR5X, поскольку стандартные модули не отвечали требованиям.
SOCAMM от Micron – стандартное модульное решение, вмещающее до 4-х 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X, потенциально предлагая колоссальную емкость. Micron заявляет, что ее 128 ГБ SOCAMM требуют лишь трети энергии, потребляемой DDR5 RDIMM 128 ГБ, что является большим достижением. К сожалению, пока что нет ясности, станут ли когда-либо SOCAMM от Micron отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останутся фирменным решением, разработанным Micron, Samsung, SK Hynix и Nvidia для серверов на процессорах Grace и Vera.
Микросхемы SOCAMM от Micron уже запущены в массовое производство, поэтому ожидается, что GB300 Grace Blackwell Ultra Superchip будут основаны на этих модулях.
А Samsung, похоже, пока что и на этот праздник запаздывает.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#память #SOCAMM
Micron и SK hynix представили новую память LPDDR5X SOCAMM объемом до 128 ГБ, которая пойдет в системы Nvidia GB300
В новых модулях задействована память LPDDR5X, они предназначены для использования в ИИ-серверах и в маломощных серверах и позиционируются как решения, объединяющие высокую емкость, производительность, компактность и низкое энергопотребление.
Размеры SOCAMM – 14x90 мм – треть от размеров RDIMM. При этом в каждом до 4-х 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X.
Micron начнет поставлять модули SOCAMM с емкостью 128 ГБ на основе памяти LPDDR5X, произведенных по техпроцессу компании DRAM 1-бета (5-е поколение, 10нм). Micron не раскрыла скорости передачи данных новых модулей, но память должна поддерживать 9.6 ГТ/с. А модули SOCAMM от SK Hynix, показанная на выставке GTC 2025, рассчитана на 7.5 ГТ/с.
На долю памяти приходится значительная часть мощности, потребляемой сервером. Например, в серверах с терабайтами DDR5 на сокет, потребление памяти превышает потребление CPU. Nvidia разработала свои CPU Grace на основе памяти LPDDR5X, которая потребляет меньше, чем DDR5, но реализовала широкую шину памяти (как у процессоров AMD и Intel ЦОД-класса), чтобы добиться высокой пропускной способностью. Но для машин на базе GB200 Grace Blackwell пришлось использовать запаиваемую память LPDDR5X, поскольку стандартные модули не отвечали требованиям.
SOCAMM от Micron – стандартное модульное решение, вмещающее до 4-х 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X, потенциально предлагая колоссальную емкость. Micron заявляет, что ее 128 ГБ SOCAMM требуют лишь трети энергии, потребляемой DDR5 RDIMM 128 ГБ, что является большим достижением. К сожалению, пока что нет ясности, станут ли когда-либо SOCAMM от Micron отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останутся фирменным решением, разработанным Micron, Samsung, SK Hynix и Nvidia для серверов на процессорах Grace и Vera.
Микросхемы SOCAMM от Micron уже запущены в массовое производство, поэтому ожидается, что GB300 Grace Blackwell Ultra Superchip будут основаны на этих модулях.
А Samsung, похоже, пока что и на этот праздник запаздывает.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#память #SOCAMM
Tom's Hardware
Micron and SK hynix unveil new LPDDR5X SOCAMM memory up to 128GB, debuts on Nvidia GB300 systems
2.5X higher bandwidth than RDIMMs at the same capacity
👍1
🇷🇺 Отечественное производство. Память. Модули памяти. Россия
Линейка памяти DDR GS Nanotech – в реестре Мипромторга
Баллы, достаточные для попадания в Реестр (35 баллов) дали отечественные печатные платы 6-го класса точности. С постановкой на производство таких сложных плат предприятию пришлось повозиться порядка года, но компания утверждает, что смогла достичь стабильного качества производства.
Разработка, тестирование и производство DDR выполняется на производственной базе GS Nanotech в Калининградской области. Пластины с полупроводниковыми структурами закупаются по импорту у разных поставщиков.
Речь идет о двух изделиях:
🔸 SO-DIMM: 260 пин с конфигурацией микросхем памяти 1024M/2048Mx64 бит для ноутбуков, моноблоков, тонких клиентов
🔸 U-DIMM: 288 пин, 2048Mx64 бит для АРМ, ПК.
Оба исполнения поддерживают тактовую частоту 3200 МГц и выпускаются с объемом памяти 8/16/32 Гбайт, а также соответствуют стандарту JEDEC JESD-79–4.
@RUSmicro
#память #DDR #реестр
Линейка памяти DDR GS Nanotech – в реестре Мипромторга
Баллы, достаточные для попадания в Реестр (35 баллов) дали отечественные печатные платы 6-го класса точности. С постановкой на производство таких сложных плат предприятию пришлось повозиться порядка года, но компания утверждает, что смогла достичь стабильного качества производства.
Разработка, тестирование и производство DDR выполняется на производственной базе GS Nanotech в Калининградской области. Пластины с полупроводниковыми структурами закупаются по импорту у разных поставщиков.
Речь идет о двух изделиях:
🔸 SO-DIMM: 260 пин с конфигурацией микросхем памяти 1024M/2048Mx64 бит для ноутбуков, моноблоков, тонких клиентов
🔸 U-DIMM: 288 пин, 2048Mx64 бит для АРМ, ПК.
Оба исполнения поддерживают тактовую частоту 3200 МГц и выпускаются с объемом памяти 8/16/32 Гбайт, а также соответствуют стандарту JEDEC JESD-79–4.
@RUSmicro
#память #DDR #реестр
👍12❤1🔥1