🇰🇷 Микроэлектроника. Микросхемы памяти
Samsung очертил перспективы развития чипов памяти
В частности, компания напомнила, что сейчас ведет разработку памяти 1b DRAM с планами массового производства в 2023 году. Чтобы решить проблемы масштабирования технологии DRAM за пределы 10 нм, компания разрабатывает высокотехнологичные решения в области паттернинга, материалов и архитектуры, в частности, планируя использование High-K.
В ближайших планах компании выпуск различных решений DRAM, таких, как 32-гигабитная DDR5 DRAM; 8,5-гигабитная LPDDR5X DRAM; 36-гигабитная GDDR7 DRAM, что, как ожидается, откроет новые возможности для ЦОД, рынков мобильной связи игр и автопрома.
В Samsung также подчеркивают важность специализированных решений DRAM, таких, как HBM-PIMl AXDIMM и CXL.
В отношении NAND флэш памяти, в Samsung прогнозируют появление изделий с 1000+ слоев V-NAND к 2030 году. С момента появления 10 лет назад технология Samsung V-NAND прошла через 8 поколений, число слоев выросло в 10 раз, прирост битов - в 15 раз. Самая "свежая" память V-NAND 8-го поколения объемом 512 Гбит отличается повышенной на 42% плотностью битов, достигая плотности продуктов 512 Гбит с трехуровневыми (TLC) ячейками. Самая большая в мире емкость 1Тб TLC V-NAND будет доступна покупателям еще до конца 2022 года.
Samsung также отметила, что ее память V-NAND 9-го поколения находится в стадии разработки и должна быть запущена в массовое производство в 2024 году. К 2030 году Samsung планирует объединить более 1000 слоев. Samsung также будет продолжать увеличивать плотность ячеек и постарается перейти на четырехуровневую ячейку (QLC), что должно повысить энергоэффективность чипов памяти.
#Samsung #микроэлектроника #память
Samsung очертил перспективы развития чипов памяти
В частности, компания напомнила, что сейчас ведет разработку памяти 1b DRAM с планами массового производства в 2023 году. Чтобы решить проблемы масштабирования технологии DRAM за пределы 10 нм, компания разрабатывает высокотехнологичные решения в области паттернинга, материалов и архитектуры, в частности, планируя использование High-K.
В ближайших планах компании выпуск различных решений DRAM, таких, как 32-гигабитная DDR5 DRAM; 8,5-гигабитная LPDDR5X DRAM; 36-гигабитная GDDR7 DRAM, что, как ожидается, откроет новые возможности для ЦОД, рынков мобильной связи игр и автопрома.
В Samsung также подчеркивают важность специализированных решений DRAM, таких, как HBM-PIMl AXDIMM и CXL.
В отношении NAND флэш памяти, в Samsung прогнозируют появление изделий с 1000+ слоев V-NAND к 2030 году. С момента появления 10 лет назад технология Samsung V-NAND прошла через 8 поколений, число слоев выросло в 10 раз, прирост битов - в 15 раз. Самая "свежая" память V-NAND 8-го поколения объемом 512 Гбит отличается повышенной на 42% плотностью битов, достигая плотности продуктов 512 Гбит с трехуровневыми (TLC) ячейками. Самая большая в мире емкость 1Тб TLC V-NAND будет доступна покупателям еще до конца 2022 года.
Samsung также отметила, что ее память V-NAND 9-го поколения находится в стадии разработки и должна быть запущена в массовое производство в 2024 году. К 2030 году Samsung планирует объединить более 1000 слоев. Samsung также будет продолжать увеличивать плотность ячеек и постарается перейти на четырехуровневую ячейку (QLC), что должно повысить энергоэффективность чипов памяти.
#Samsung #микроэлектроника #память
🇮🇱 Память. Резистивная память
Weebit Nano заявляет о соответствии своего модуля ReRAM стандартам JEDEC
Weebit Nano Ltd., разработчик технологий микросхем памяти, сообщает о завершении полной технологической квалификации своего модуля резистивной оперативной памяти Weebit ReRAM, изготовленного ее партнером по исследованию и разработкам CEA-Leti.
Квалификация проведена с использованием демонстрационных чипов Weebit ReRAM и на основе отраслевых стандартов JEDEC для энергонезависимой памяти (NVM). По мнению компании, это подтверждает готовность технологии Weebit к массовому производству.
Стандарты JEDEC предусматривают тщательное тестирование многих кремниевых кристаллов, случайным образом отобранных из трех независимых партий пластин, а также сбор значительного набора данных для дальнейшего детального анализа. Все матрицы успешно прошли комплекс квалификационных испытаний, продемонстрировав качество, повторяемость и надежность Weebit ReRAM, а также подтвердив пригодность для серийного производства в качестве встраиваемых ИС, - утверждает пресс-релиз компании.
Результаты квалификации показывают высокую износостойкость, длительное сохранение данных до и после ресурсных испытаний, а также высокотемпературную стабильность промышленного уровня:
🔹 Высокая надежность: 10 000 циклов (эквивалент флэш-памяти)
🔹 Хранение данных в течение 10 лет до и после испытаний на выносливость
🔹 Промышленная высокотемпературная стабильность – до 85°C
🔹 3 цикла SMT (само по себе мощное испытание на сохранение)
Компания продолжит работать над повышением характеристик своей разработки для еще более высоких температур и уровней надежности.
Демонстрационный чип Weebit ReRAM включает полную подсистему для встроенных приложений, включая модуль Weebit ReRAM, микроконтроллер RISC-V (MCU), системные интерфейсы, память и периферийные устройства. Модуль ReRAM включает в себя массив ReRAM размером 128 КБ, управляющую логику, декодеры, IO (элементы связи ввода/вывода) и код исправления ошибок (ECC).
#микроэлектроника #память #ReRAM #Weebit
Weebit Nano заявляет о соответствии своего модуля ReRAM стандартам JEDEC
Weebit Nano Ltd., разработчик технологий микросхем памяти, сообщает о завершении полной технологической квалификации своего модуля резистивной оперативной памяти Weebit ReRAM, изготовленного ее партнером по исследованию и разработкам CEA-Leti.
Квалификация проведена с использованием демонстрационных чипов Weebit ReRAM и на основе отраслевых стандартов JEDEC для энергонезависимой памяти (NVM). По мнению компании, это подтверждает готовность технологии Weebit к массовому производству.
Стандарты JEDEC предусматривают тщательное тестирование многих кремниевых кристаллов, случайным образом отобранных из трех независимых партий пластин, а также сбор значительного набора данных для дальнейшего детального анализа. Все матрицы успешно прошли комплекс квалификационных испытаний, продемонстрировав качество, повторяемость и надежность Weebit ReRAM, а также подтвердив пригодность для серийного производства в качестве встраиваемых ИС, - утверждает пресс-релиз компании.
Результаты квалификации показывают высокую износостойкость, длительное сохранение данных до и после ресурсных испытаний, а также высокотемпературную стабильность промышленного уровня:
🔹 Высокая надежность: 10 000 циклов (эквивалент флэш-памяти)
🔹 Хранение данных в течение 10 лет до и после испытаний на выносливость
🔹 Промышленная высокотемпературная стабильность – до 85°C
🔹 3 цикла SMT (само по себе мощное испытание на сохранение)
Компания продолжит работать над повышением характеристик своей разработки для еще более высоких температур и уровней надежности.
Демонстрационный чип Weebit ReRAM включает полную подсистему для встроенных приложений, включая модуль Weebit ReRAM, микроконтроллер RISC-V (MCU), системные интерфейсы, память и периферийные устройства. Модуль ReRAM включает в себя массив ReRAM размером 128 КБ, управляющую логику, декодеры, IO (элементы связи ввода/вывода) и код исправления ошибок (ECC).
#микроэлектроника #память #ReRAM #Weebit
🇯🇵 Производство микросхем. Память
Kioxia открыла 7-ю фабрику для производства чипов
Fab7 построена в Yokkaichi Plant в префектуре Мие. Первая фаза развертывания завершилась в апреле, а сейчас завершается монтаж оборудования на новой фабрике. Инвестиции в проект составили порядка $6.79 млрд. Здесь будут производить чипы памяти.
Момент для запуска выпал сложный, как известно, спрос на чипы памяти сейчас значительно упал. Впрочем, аналитики сходятся на том, что в ближайшие годы спрос вновь вырастет. Кроме того, учитывая турбулентность в цепочках поставок, японцам пригодится собственное производство чипов памяти.
#производство #микроэлектроника #память #Kioxia
Kioxia открыла 7-ю фабрику для производства чипов
Fab7 построена в Yokkaichi Plant в префектуре Мие. Первая фаза развертывания завершилась в апреле, а сейчас завершается монтаж оборудования на новой фабрике. Инвестиции в проект составили порядка $6.79 млрд. Здесь будут производить чипы памяти.
Момент для запуска выпал сложный, как известно, спрос на чипы памяти сейчас значительно упал. Впрочем, аналитики сходятся на том, что в ближайшие годы спрос вновь вырастет. Кроме того, учитывая турбулентность в цепочках поставок, японцам пригодится собственное производство чипов памяти.
#производство #микроэлектроника #память #Kioxia
🇰🇷 Память
Samsung начинает массовое производство V-NAND 8-го поколения
Samsung Electronics сегодня объявила о начале массового производства 1-терабитной трехуровневой ячейки (TLC) 8-го поколения V-NAND. В компании говорят о самой высокой в отрасли плотности битов.
Задействован интерфейс Toggle DDR 5.0, обеспечивающий скорость ввода-вывода (I/O) до 2400 Мбит/c, что в 1.5 раза больше, чем у 5-го поколения I/O DDR (1200 Мбит/c). Это позволит памяти V-NAND соответствовать требованиям производительности PCIe 4.0 и более поздних версий PCIe 5.0.
#микроэлектроника #память
Samsung начинает массовое производство V-NAND 8-го поколения
Samsung Electronics сегодня объявила о начале массового производства 1-терабитной трехуровневой ячейки (TLC) 8-го поколения V-NAND. В компании говорят о самой высокой в отрасли плотности битов.
Задействован интерфейс Toggle DDR 5.0, обеспечивающий скорость ввода-вывода (I/O) до 2400 Мбит/c, что в 1.5 раза больше, чем у 5-го поколения I/O DDR (1200 Мбит/c). Это позволит памяти V-NAND соответствовать требованиям производительности PCIe 4.0 и более поздних версий PCIe 5.0.
#микроэлектроника #память
VK
Чипы и чиплеты
🇰🇷 Память
Samsung начинает массовое производство V-NAND 8-го поколения
Samsung Electronics сегодня объявила о начале массового производства 1-терабитной трехуровневой ячейки (TLC) 8-го поколения V-NAND. В компании говорят о самой высокой в отрасли плотности…
Samsung начинает массовое производство V-NAND 8-го поколения
Samsung Electronics сегодня объявила о начале массового производства 1-терабитной трехуровневой ячейки (TLC) 8-го поколения V-NAND. В компании говорят о самой высокой в отрасли плотности…
🇺🇸 🇨🇳 Кадры. Технологии
Apple помогала китайской YMTC с наймом инженеров в США
Газета New York Times узнала, что это компания Apple помогала YMTC с наймом инженеров известных западных компаний. Пока что ни Apple, ни YMTC не подтвердили и не опровергли эту информацию. В пользу этой теории говорит то, что калифорнийская компания известна тем, что нередко помогала своим партнерам в налаживании их деятельности.
В 3D NAND микросхемах YMTC используется необычный подход Xtacking, подразумевающий объединение двух различных пластин, с тем, чтобы создавать быструю и высокоплотную память.
На одной пластине формируется массив памяти 3D NAND, на другой - необходимая периферийная логика. Соединение пластин обеспечивается за счет TSV (кремниевых переходных отверстий), что и позволяет добиваться высокой плотности и быстроты работы интерфейса.
Решение изящное, но в производстве оно сложнее, чем методы, используемые такими производителями как Western Digital, Samsung, SK Hynix и Micron. Не удивительно, что компания застряла на этапе отлаживания этого процесса, сталкиваясь с низкой доходностью. Тогда и вмешалась Apple, предоставив субсидию на разработку и оказав помощь в привлечении квалифицированных кадров.
Apple использует микросхемы 3D NAND в своих устройствах. Но после того, как правительство США ужесточило санкции в отношении китайской индустрии электроники и микроэлектроники в начале октября 2022 года, Apple, похоже, была вынуждена отказаться от использования чипов памяти 3D NAND YMTC.
YMTC в начале октября был включен в Непроверенный список (UVL) Министерства торговли США. В этом список включаются компании, конечные пользователи продукции которых не могут быть наверняка идентифицированы по причинам, не зависящим от правительства США.
Четыре ведущих производителя оборудования для производства чипов уже прекратили сотрудничество с YMTC после того, как в октябре правительство США ввело новые экспортные правила.
#кадры #производствомикроэлектроники #память #YMTC #Apple #3DNAND #геополитика #микроэлектроника #Китай #США
Apple помогала китайской YMTC с наймом инженеров в США
Газета New York Times узнала, что это компания Apple помогала YMTC с наймом инженеров известных западных компаний. Пока что ни Apple, ни YMTC не подтвердили и не опровергли эту информацию. В пользу этой теории говорит то, что калифорнийская компания известна тем, что нередко помогала своим партнерам в налаживании их деятельности.
В 3D NAND микросхемах YMTC используется необычный подход Xtacking, подразумевающий объединение двух различных пластин, с тем, чтобы создавать быструю и высокоплотную память.
На одной пластине формируется массив памяти 3D NAND, на другой - необходимая периферийная логика. Соединение пластин обеспечивается за счет TSV (кремниевых переходных отверстий), что и позволяет добиваться высокой плотности и быстроты работы интерфейса.
Решение изящное, но в производстве оно сложнее, чем методы, используемые такими производителями как Western Digital, Samsung, SK Hynix и Micron. Не удивительно, что компания застряла на этапе отлаживания этого процесса, сталкиваясь с низкой доходностью. Тогда и вмешалась Apple, предоставив субсидию на разработку и оказав помощь в привлечении квалифицированных кадров.
Apple использует микросхемы 3D NAND в своих устройствах. Но после того, как правительство США ужесточило санкции в отношении китайской индустрии электроники и микроэлектроники в начале октября 2022 года, Apple, похоже, была вынуждена отказаться от использования чипов памяти 3D NAND YMTC.
YMTC в начале октября был включен в Непроверенный список (UVL) Министерства торговли США. В этом список включаются компании, конечные пользователи продукции которых не могут быть наверняка идентифицированы по причинам, не зависящим от правительства США.
Четыре ведущих производителя оборудования для производства чипов уже прекратили сотрудничество с YMTC после того, как в октябре правительство США ввело новые экспортные правила.
#кадры #производствомикроэлектроники #память #YMTC #Apple #3DNAND #геополитика #микроэлектроника #Китай #США
VK
Чипы и чиплеты. Запись со стены.
🇺🇸 🇨🇳 Кадры. Технологии
Apple помогала китайской YMTC с наймом инженеров в США
Газета ... Смотрите полностью ВКонтакте.
Apple помогала китайской YMTC с наймом инженеров в США
Газета ... Смотрите полностью ВКонтакте.
🔬 Память. MRAM
Как улучшить MRAM?
В статье "Субвольтовое переключение наноразмерных управляемых напряжением перпендикулярных магнитных туннельных переходов", опубликованной 14 ноября в журнале Communications Materials, Педрам Халили из Northwestern Engineering рассматривает две области, в которых разработчики сталкиваются с серьезными проблемами: плотность (бит на единицу площади) и энергия (энергия на операцию).
Ключевая новая технология, которая может дать возможность технологического развития, это магнитная память с произвольным доступом (MRAM), которая сочетает скорость, долговечность и энергонезависимость, что делает ее привлекательной альтернативой для существующей и других видов появляющейся памяти.
Группа Халили активно занимается разработкой материалов и устройств для создания MRAM. Один из подходов к созданию MRAM - это память, управляемая электрическими токами. Разработчики памяти на этом принципе сталкиваются двумя ограничениями - насколько малой может быть энергия на операцию и насколько близко друг к другу можно разместить ячейки, при том, что окружающие транзисторы должны быть достаточно большими, чтобы обеспечить необходимую силу тока.
Халили и его команда разработали альтернативную технологию MRAM (VCM), которая не использует электрические токи для переключения состояния ячеек магнитной памяти.
Эта технология позволяет масштабировать MRAM до гораздо более высокой плотности, что сейчас и требуется от устройств твердотельной памяти. Разработка VCM еще не завершена. Пока что проблемой является то, что экспериментальным устройствам MRAM VCM для переключения нужно около 2 В или более, что считается слишком большим показателем, поскольку современные микросхемы работают с напряжением менее 1 В.
Команда Халили разработала новую структуру материала для MRAM VCM с более высокой чувствительностью магнитных свойств к приложенному напряжению, что позволяет переключать состояния ячеек при меньшем напряжении, чем ранее. Важно отметить, что эта структура одновременно обладает другими важными атрибутами запоминающего устройства, включая высокий коэффициент включения/выключения (коэффициент туннельного магнитного сопротивления - TMR), и способностью выдерживать высокие температуры обработки.
В результате ученым удалось показать переключение VCM напряжением менее 1 В. Кроме того, была возможность организовать сравнительно плотную структуру VCM с размером 30 нм.
Это открывает дорогу к попыткам коммерческого внедрения технологии MRAM для создания элементов современной памяти. Кроме того, из-за высокой чувствительности магнитных свойств к приложенном напряжению, новая структура может быть использована в различных магнитных наноустройствах, например, в датчиках магнитного поля, в микроволновых детекторах, устройствах сбора энергии в сверхмаломощных системах.
#микроэлектроника #полупроводники #устройствапамяти #MRAM #память #технологии
Как улучшить MRAM?
В статье "Субвольтовое переключение наноразмерных управляемых напряжением перпендикулярных магнитных туннельных переходов", опубликованной 14 ноября в журнале Communications Materials, Педрам Халили из Northwestern Engineering рассматривает две области, в которых разработчики сталкиваются с серьезными проблемами: плотность (бит на единицу площади) и энергия (энергия на операцию).
Ключевая новая технология, которая может дать возможность технологического развития, это магнитная память с произвольным доступом (MRAM), которая сочетает скорость, долговечность и энергонезависимость, что делает ее привлекательной альтернативой для существующей и других видов появляющейся памяти.
Группа Халили активно занимается разработкой материалов и устройств для создания MRAM. Один из подходов к созданию MRAM - это память, управляемая электрическими токами. Разработчики памяти на этом принципе сталкиваются двумя ограничениями - насколько малой может быть энергия на операцию и насколько близко друг к другу можно разместить ячейки, при том, что окружающие транзисторы должны быть достаточно большими, чтобы обеспечить необходимую силу тока.
Халили и его команда разработали альтернативную технологию MRAM (VCM), которая не использует электрические токи для переключения состояния ячеек магнитной памяти.
Эта технология позволяет масштабировать MRAM до гораздо более высокой плотности, что сейчас и требуется от устройств твердотельной памяти. Разработка VCM еще не завершена. Пока что проблемой является то, что экспериментальным устройствам MRAM VCM для переключения нужно около 2 В или более, что считается слишком большим показателем, поскольку современные микросхемы работают с напряжением менее 1 В.
Команда Халили разработала новую структуру материала для MRAM VCM с более высокой чувствительностью магнитных свойств к приложенному напряжению, что позволяет переключать состояния ячеек при меньшем напряжении, чем ранее. Важно отметить, что эта структура одновременно обладает другими важными атрибутами запоминающего устройства, включая высокий коэффициент включения/выключения (коэффициент туннельного магнитного сопротивления - TMR), и способностью выдерживать высокие температуры обработки.
В результате ученым удалось показать переключение VCM напряжением менее 1 В. Кроме того, была возможность организовать сравнительно плотную структуру VCM с размером 30 нм.
Это открывает дорогу к попыткам коммерческого внедрения технологии MRAM для создания элементов современной памяти. Кроме того, из-за высокой чувствительности магнитных свойств к приложенном напряжению, новая структура может быть использована в различных магнитных наноустройствах, например, в датчиках магнитного поля, в микроволновых детекторах, устройствах сбора энергии в сверхмаломощных системах.
#микроэлектроника #полупроводники #устройствапамяти #MRAM #память #технологии
🇨🇳 Производство памяти
Micron сократит производство и поставки чипов памяти в 2023 году
Американская компания Micron заявила о планах снизить поставки чипов, а также сократить запланированные ранее инвестиции, отвечая на изменения рыночной ситуации. А она такова, что многие производители сейчас сокращают складские запасы, отвечая тем самым на падение спроса на их продукцию.
Micron объявил, что сокращает запуск пластин DRAM и NAND в производство примерно на 20% по сравнению с кварталом, завершившимся 1 сентября.
Интересно будет посмотреть, последуют ли примеру Micron также другие топовые производители чипов памяти, в частности, Samsung Electronics и SK Hynix. С одной стороны, это позволило бы ожидать роста цен на память DRAM / NAND, c другой стороны - это может помочь в захвате большей доли рынка китайской YMTC.
#полупроводники #память #микроэлектроника #Micron
Micron сократит производство и поставки чипов памяти в 2023 году
Американская компания Micron заявила о планах снизить поставки чипов, а также сократить запланированные ранее инвестиции, отвечая на изменения рыночной ситуации. А она такова, что многие производители сейчас сокращают складские запасы, отвечая тем самым на падение спроса на их продукцию.
Micron объявил, что сокращает запуск пластин DRAM и NAND в производство примерно на 20% по сравнению с кварталом, завершившимся 1 сентября.
Интересно будет посмотреть, последуют ли примеру Micron также другие топовые производители чипов памяти, в частности, Samsung Electronics и SK Hynix. С одной стороны, это позволило бы ожидать роста цен на память DRAM / NAND, c другой стороны - это может помочь в захвате большей доли рынка китайской YMTC.
#полупроводники #память #микроэлектроника #Micron
🇨🇳 Чипы памяти. 3D NAND
YMTC представила чипы 3D NAND с более чем 200 слоями
Об этом сообщает TechInsights. Таким образом, следует признать, что китайская фабрика опередила мировых лидеров Samsung, SK Hynix и Micron.
Микросхема YMTC Xtacking 3.0 с 232 слоями нашлась в твердотельном накопителе HikSemi CC700 емкостью 2 ТБ и это первое на рынке решение с более чем 200 слоями 3D NAND Flash.
Это серьезная заявка китайцев на лидерские позиции в сегменте чипов памяти.
Темпы развития технологий поражают - в 2018 году YMTC объявила о 64-слойной технологии (у лидеров уже было 90+), в 2020 году выпустила свои чипы по данной технологии. И вот через 2 года чипы 232-слойной памяти уже в изделиях. Лидеры все еще находятся в статусе "работа над 200+ слойной технологией". И это несмотря на то, что штаб-квартира компании находится в Ухане, где китайцев до последнего времени прессовали "антипандемийными" мерами.
В этой истории велика роль государства, денег самой YMTC не хватило бы на развитие технологий такими темпами. Но, как известно, Китай не жалеет денег на развитие ключевых технологий.
#память #технологии #YMTC #3DNAND
YMTC представила чипы 3D NAND с более чем 200 слоями
Об этом сообщает TechInsights. Таким образом, следует признать, что китайская фабрика опередила мировых лидеров Samsung, SK Hynix и Micron.
Микросхема YMTC Xtacking 3.0 с 232 слоями нашлась в твердотельном накопителе HikSemi CC700 емкостью 2 ТБ и это первое на рынке решение с более чем 200 слоями 3D NAND Flash.
Это серьезная заявка китайцев на лидерские позиции в сегменте чипов памяти.
Темпы развития технологий поражают - в 2018 году YMTC объявила о 64-слойной технологии (у лидеров уже было 90+), в 2020 году выпустила свои чипы по данной технологии. И вот через 2 года чипы 232-слойной памяти уже в изделиях. Лидеры все еще находятся в статусе "работа над 200+ слойной технологией". И это несмотря на то, что штаб-квартира компании находится в Ухане, где китайцев до последнего времени прессовали "антипандемийными" мерами.
В этой истории велика роль государства, денег самой YMTC не хватило бы на развитие технологий такими темпами. Но, как известно, Китай не жалеет денег на развитие ключевых технологий.
#память #технологии #YMTC #3DNAND
VK
Чипы и чиплеты
YMTC представила чипы 3D NAND с более чем 200 слоями
Об этом сообщает отчет TechInsights. Таким образом, следует признать, что китайская фабрика опередила мировых лидеров Samsung, SK Hynix и Micron.
Микросхема YMTC Xtacking 3.0 с 232 слоями нашлась в твердотельном…
Об этом сообщает отчет TechInsights. Таким образом, следует признать, что китайская фабрика опередила мировых лидеров Samsung, SK Hynix и Micron.
Микросхема YMTC Xtacking 3.0 с 232 слоями нашлась в твердотельном…
🇰🇷 Тренды
Южнокорейские производители сокращают объемы выпуска полупроводниковых приборов
По данным Bloomberg, ссылающегося на официальную статистику Южной Кореи, объемы производства полупроводниковых приборов в Южной Корее снижаются вот уже 4-й месяц подряд. По итогам ноября - на 15% гг, что намного больше, чем снижение объемов промышленного производства (3.7%). И даже в этом режиме работы складские запасы полупроводниковых приборов выросли уже на 20% г/г и на 12,9% м/м.
Такой значительный спад производства объясняется не столько падением спроса на всем рынке полупроводников, сколько преимущественным сокращением спроса на чипы памяти - основной вида продукции крупнейших южнокорейских производителей.
Некоторые склонны видеть в этом не локальный спад, характерный для в целом волнообразных изменений спроса на полупроводники, а некие глобальные изменения. Мне ближе позиция более оптимистичная, согласно которой спрос на чипы памяти восстановится в ближайшие полгода.
#ЮжнаяКорея #память
Южнокорейские производители сокращают объемы выпуска полупроводниковых приборов
По данным Bloomberg, ссылающегося на официальную статистику Южной Кореи, объемы производства полупроводниковых приборов в Южной Корее снижаются вот уже 4-й месяц подряд. По итогам ноября - на 15% гг, что намного больше, чем снижение объемов промышленного производства (3.7%). И даже в этом режиме работы складские запасы полупроводниковых приборов выросли уже на 20% г/г и на 12,9% м/м.
Такой значительный спад производства объясняется не столько падением спроса на всем рынке полупроводников, сколько преимущественным сокращением спроса на чипы памяти - основной вида продукции крупнейших южнокорейских производителей.
Некоторые склонны видеть в этом не локальный спад, характерный для в целом волнообразных изменений спроса на полупроводники, а некие глобальные изменения. Мне ближе позиция более оптимистичная, согласно которой спрос на чипы памяти восстановится в ближайшие полгода.
#ЮжнаяКорея #память
VK
Чипы и чиплеты
Южнокорейские производители сокращают объемы выпуска полупроводниковых приборов
По данным Bloomberg, ссылающегося на официальную статистику Южной Кореи, объемы производства полупроводниковых приборов в Южной Корее снижаются вот уже 4-й месяц подряд. По…
По данным Bloomberg, ссылающегося на официальную статистику Южной Кореи, объемы производства полупроводниковых приборов в Южной Корее снижаются вот уже 4-й месяц подряд. По…
(3) На диаграмме показана битовая плотность (Гбит/кв.мм) в зависимости от количества AWL. В TechInsights ожидают, что битовая плотность будущих кристаллов 232/238-L достигнет примерно 15 Гбит/кв.мм. Представленная на ISSCC-2022 тестовая разработка Samsung 2xx-L (c 4-х плоскостным TLC-кристаллом 1 Тб с краевым X-декодером) показала битовую плотность 11,55 Гб/кв.мм. В TechInsights ожидают, что битовая плотность увеличится до более, чем 14,5 Гбит/кв.мм при использовании производственного набора рабочих масок. Шестиплоскостной TLC-кристалл SK-hynix 238-L емкостью 1 ТБ с центральным X-декодером оценивается в 14,75 Гбит/кв.мм, что на 34% больше, чем в предыдущем поколении. Для шестиплоскостной TLC матрица Micron 232-L емкостью 1 ТБ заявлена плотность 14,60 Гбит/кв.мм.
При переходе к 232/238-L YMTC показала самую высокую плотность битов, а Samsung, по прогнозам, обеспечит самую низкую плотность битов. Что это означает для рынка NAND? Означает ли это, что Samsung выбывает из гонки? Конечно нет. Одним из наиболее важных факторов, которые следует учитывать, является общая стоимость, и, таким образом, показатель цена за бит является наиболее идеальным для сравнения.
#микроэлектроника #память #NAND #YMTC
При переходе к 232/238-L YMTC показала самую высокую плотность битов, а Samsung, по прогнозам, обеспечит самую низкую плотность битов. Что это означает для рынка NAND? Означает ли это, что Samsung выбывает из гонки? Конечно нет. Одним из наиболее важных факторов, которые следует учитывать, является общая стоимость, и, таким образом, показатель цена за бит является наиболее идеальным для сравнения.
#микроэлектроника #память #NAND #YMTC
♨️ Мнения. Тренды. Чипы DRAM
Мода на чат-боты поможет производителям микрочипов
Распространение чат-ботов на основе ИИ (типа ChatGPT) будет стимулировать рост спроса на передовые чипы памяти, заявил вице-председатель SK Hynix Пак Юнг-хо.
"Следуя этой тенденции, самая быстрая DRAM - HMB, разработанная SK hynix, играет важную роль в поддержке технологического развития в области ИИ".
В своем выступлении Пак подчеркнул растущую важность создания пулов памяти, а также отметил важность такого направления, как "мини-фабов", создание которых может оживить индустрию производства чипов. Мини-фабы, это небольшие системы по производству чипов, не требующие чистых помещений.
SK hynix начала массовое производство чипов HBM3, своего наиболее совершенного продукта в области памяти с высокой пропускной способностью, в июне 2022 года. Эти чипы используются для работы суперкомпьютеров и передовых технологий ИИ, в частности, их закупает NVidia.
#тренды #память #DRAM #HBM3 #SKhynix
Мода на чат-боты поможет производителям микрочипов
Распространение чат-ботов на основе ИИ (типа ChatGPT) будет стимулировать рост спроса на передовые чипы памяти, заявил вице-председатель SK Hynix Пак Юнг-хо.
"Следуя этой тенденции, самая быстрая DRAM - HMB, разработанная SK hynix, играет важную роль в поддержке технологического развития в области ИИ".
В своем выступлении Пак подчеркнул растущую важность создания пулов памяти, а также отметил важность такого направления, как "мини-фабов", создание которых может оживить индустрию производства чипов. Мини-фабы, это небольшие системы по производству чипов, не требующие чистых помещений.
SK hynix начала массовое производство чипов HBM3, своего наиболее совершенного продукта в области памяти с высокой пропускной способностью, в июне 2022 года. Эти чипы используются для работы суперкомпьютеров и передовых технологий ИИ, в частности, их закупает NVidia.
#тренды #память #DRAM #HBM3 #SKhynix
The Korea Herald
AI chatbot services will boost chip demand, says SK hynix chief
The proliferation of chatbots using artificial intelligence will become "killer applications" in boosting demand for advanced memory chips, SK hynix Vice Chairman Park Jung-ho said at a symposium Wednesday. Park, who also serves as the chief executive officer…
🇨🇳 Участники рынка. Производство памяти
В Китае создают еще одного крупного производителя памяти
Госфонд Китая инвестирует $2 млрд в компанию - производителя памяти
Похоже, в Китае решили, что YMTC им мало и нужна, как минимум, еще одна крупная компания - производитель памяти. Китайский государственный инвестиционный фонд инвестировал 14,56 млрд юаней ($1,99 млрд) в компанию по производству чипов памяти Changxin Xinqiao, - сообщает Reuters.
В результате китайский «Большой фонд» получил 33,15% от общего уставного капитала Changxin Xinqiao - соответствующая информация появилась в NECIPS (национальной системе публикации данных о кредитной информации).
Компания Changxin Xinqiao была основана в 2021 году в городе Хэфей, в восточной провинции Аньхой. Ее гендиректором стал Чжао Лунь, который совмещает эту позицию с позицией гендиректора ChangXin Memory Technologies.
Компания Changxin Xinqiao создает производственную базу по производству 12-дюймовых пластин памяти.
До этого Большой фонд вложил 13 млрд юаней в Yangtze Memory Technologies (YMTC) в начале 2023 года.
Changxin Xinqiao получила далеко не только $2 млрд от госфонда, кроме того, свой вклад в капитал компании увеличили ее инвесторы: Changxin Xinan и Hefei XiNY. Первая - на 10,4 млрд юаней, вторая - 14 млрд юаней.
#память #Китай #микроэлектроника
В Китае создают еще одного крупного производителя памяти
Госфонд Китая инвестирует $2 млрд в компанию - производителя памяти
Похоже, в Китае решили, что YMTC им мало и нужна, как минимум, еще одна крупная компания - производитель памяти. Китайский государственный инвестиционный фонд инвестировал 14,56 млрд юаней ($1,99 млрд) в компанию по производству чипов памяти Changxin Xinqiao, - сообщает Reuters.
В результате китайский «Большой фонд» получил 33,15% от общего уставного капитала Changxin Xinqiao - соответствующая информация появилась в NECIPS (национальной системе публикации данных о кредитной информации).
Компания Changxin Xinqiao была основана в 2021 году в городе Хэфей, в восточной провинции Аньхой. Ее гендиректором стал Чжао Лунь, который совмещает эту позицию с позицией гендиректора ChangXin Memory Technologies.
Компания Changxin Xinqiao создает производственную базу по производству 12-дюймовых пластин памяти.
До этого Большой фонд вложил 13 млрд юаней в Yangtze Memory Technologies (YMTC) в начале 2023 года.
Changxin Xinqiao получила далеко не только $2 млрд от госфонда, кроме того, свой вклад в капитал компании увеличили ее инвесторы: Changxin Xinan и Hefei XiNY. Первая - на 10,4 млрд юаней, вторая - 14 млрд юаней.
#память #Китай #микроэлектроника
VK
Госфонд Китая инвестирует $2 млрд в компанию - производителя памяти
Похоже, в Китае решили, что YMTC им мало и нужна, как минимум, еще одна крупная компания - производитель памяти. Китайский государственны..