🇰🇷 Память. NAND flash. Число слоев. Корея

Компания SK Hynix объявила о начале массового производства 321-слойной NAND-flash памяти, представленной в 2023 году

По заявлению компании, это дает выигрыш в 10% в энергоэффективности, 12% - в скорости передачи данных, 13% - в производительности чтения.

Микросхемы TLC емкостью 1ТБ на основе процесса «3 plugs» компания готова начать поставлять начиная с 1H2025.

До сих пор рекордными чипами компании SK Hynix были 238-слойные. В 2025 году компания намеревается представить память 3D NAND TCL с 400 слоями в 2025 году с планами массового производства в 2026 году. Весьма вероятно, что еще до этого мы получим 300-слойную память от Samsung (на основе менее эффективной, чем у SK Hynix технологии «двойного стека»), а в японской Kioxia к 2027 году собираются нарастить число слоев до 1000. Впрочем, этим занимаются и в других компаниях.

Пока что у конкурентов нет массового производства чипов, сравнимых с тем, что начала выпускать SK Hynix. А что есть?

🔸 280 – у Samsung, Корея
🔸 232 – у Micron, США и у YMTC, Китай
🔸 218 – у Kioxia, Япония

@RUSmicro по материалам Tom's hardware

#память #NAND #числослоев