🇰🇷 Память. HBM. Корея
SK Hynix представила 16-слойную HBM3E на 48 ГБ
В новых стеках – 16 расположенных стопкой кристаллов DRAM по 3 ГБ каждый. Заявляется, что это обеспечивает повышение производительности на 18% в процессах обучения моделей ИИ и до 32% при обработке данных, проценты даны в сравнении с 12-кристальными конструкциями, представленными в конце сентября 2024 года.
Такие микросхемы позволяют ускорителям использовать до 384 ГБ памяти в конфигурации из 8 микросхем.
Для серийного производства HBM3E 16i будет использоваться технология Advanced MR-MUF, которая уже себя неплохо показала в производстве HBM3E 12i, - эти микросхемы будут поставляться AMD (MI325X) и Nvidia (Blackwell Ultra).
SK Hynix в который уже раз опережает конкурентов – Samsung и Micron, у которых пока нет таких решений. Тестовые образцы 16-слойной памяти будут готовы к началу 2025 года.
Возможно, им уготована недолгая жизнь, в ускорителях Nvidia Rubin, производство которых готовится с конца 2025 года, планируется задействовать HBM4. В этих микросхемах ширина канала вырастет с 1024 до 2048, что позволит поддерживать до 16 вертикально расположенных модулей емкостью уже в 4 ГБ. Тестирование HBM4 тот же Samsung должен завершить в конце 2024 года, а в SK Hynix, по слухам, это уже сделано в октябре. В AMD и Nvidia рассчитывают увидеть сэмплы HBM4 в 1q2024 / 2q2024.
Параллельно в SK Hynix работают над SSD PCie 6.0, высокопроизводительными накопителями QLC для ИИ-серверов и UFC 5.0 для мобильных устройств.
Для ноутбуков будущего в SK Hynix разрабатывают модуль LPCAMM2 и память LPDDR5/6 с использованием узлов 1нм.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#HBM #HBM3E
SK Hynix представила 16-слойную HBM3E на 48 ГБ
В новых стеках – 16 расположенных стопкой кристаллов DRAM по 3 ГБ каждый. Заявляется, что это обеспечивает повышение производительности на 18% в процессах обучения моделей ИИ и до 32% при обработке данных, проценты даны в сравнении с 12-кристальными конструкциями, представленными в конце сентября 2024 года.
Такие микросхемы позволяют ускорителям использовать до 384 ГБ памяти в конфигурации из 8 микросхем.
Для серийного производства HBM3E 16i будет использоваться технология Advanced MR-MUF, которая уже себя неплохо показала в производстве HBM3E 12i, - эти микросхемы будут поставляться AMD (MI325X) и Nvidia (Blackwell Ultra).
SK Hynix в который уже раз опережает конкурентов – Samsung и Micron, у которых пока нет таких решений. Тестовые образцы 16-слойной памяти будут готовы к началу 2025 года.
Возможно, им уготована недолгая жизнь, в ускорителях Nvidia Rubin, производство которых готовится с конца 2025 года, планируется задействовать HBM4. В этих микросхемах ширина канала вырастет с 1024 до 2048, что позволит поддерживать до 16 вертикально расположенных модулей емкостью уже в 4 ГБ. Тестирование HBM4 тот же Samsung должен завершить в конце 2024 года, а в SK Hynix, по слухам, это уже сделано в октябре. В AMD и Nvidia рассчитывают увидеть сэмплы HBM4 в 1q2024 / 2q2024.
Параллельно в SK Hynix работают над SSD PCie 6.0, высокопроизводительными накопителями QLC для ИИ-серверов и UFC 5.0 для мобильных устройств.
Для ноутбуков будущего в SK Hynix разрабатывают модуль LPCAMM2 и память LPDDR5/6 с использованием узлов 1нм.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#HBM #HBM3E
Tom's Hardware
SK hynix announces the world's first 48GB 16-Hi HBM3E memory — Next-gen PCIe 6.0 SSDs and UFS 5.0 storage are also in the works
SK hynix touts a 32% performance increment in inference vs its 12-Hi offerings.
🇰🇷 Память. HBM. Тренды. Корея
Samsung начинает пробное производство логического кристалла HBM4 по собственному техпроцессу 4нм, бросая вызов SK Hynix
По данным Chosun Daily, Samsung начал пробное производство логических кристаллов, используемых в микросхемах HBM4. После завершения этапа тестирования производительности, Samsung планирует начать предоставление новых чипов для тестирования.
В случае удачи, это станет важной для Samsung вехой. Ранее уже сообщалось, что Samsung начал разработку Custom HBM4 – памяти следующего поколения с высокой пропускной способностью, специально разработанной для клиентов CSP, таких как Microsoft. Ее массовое производство ожидается в 2025 году.
Поскольку SK Hynix получила львиную долю заказов Nvidia на микросхемы HBM3 и HBM3E, внедрение собственных внутренних усовершенствованных узлов в производство HBM4 может стать переломным моментом для Samsung на рынке HBM.
В отличие от HBM3E, где стеки DRAM подключаются к графическому процессору или аналогичному устройству, HBM4 включает в себя логический кристалл, который позволяет настраивать решения HBM, оптимизируя их для конкретных клиентских IP и приложений.
SK Hynix использует для производства своих логических кристаллов техпроцесс 5нм TSMC, тогда как Samsung рассчитывает на более совершенный узел 4нм для повышения производительности и энергоэффективности.
Кроме того, Samsung планирует использовать в своих решениях 6-е поколение DRAM по технологии 10нм, тогда как SK Hynix пока что ориентируется на 5-е поколение DRAM по технологии 10нм.
Мало того, вместо технологии TC-NCF (усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей пленки), Samsung планирует внедрить гибридную технологию склеивания для укладки 16-слойных продуктов HBM4, в основе которой прямое соединение чипов медными шинами, а не традиционными бампами (выступами).
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM #память
Samsung начинает пробное производство логического кристалла HBM4 по собственному техпроцессу 4нм, бросая вызов SK Hynix
По данным Chosun Daily, Samsung начал пробное производство логических кристаллов, используемых в микросхемах HBM4. После завершения этапа тестирования производительности, Samsung планирует начать предоставление новых чипов для тестирования.
В случае удачи, это станет важной для Samsung вехой. Ранее уже сообщалось, что Samsung начал разработку Custom HBM4 – памяти следующего поколения с высокой пропускной способностью, специально разработанной для клиентов CSP, таких как Microsoft. Ее массовое производство ожидается в 2025 году.
Поскольку SK Hynix получила львиную долю заказов Nvidia на микросхемы HBM3 и HBM3E, внедрение собственных внутренних усовершенствованных узлов в производство HBM4 может стать переломным моментом для Samsung на рынке HBM.
В отличие от HBM3E, где стеки DRAM подключаются к графическому процессору или аналогичному устройству, HBM4 включает в себя логический кристалл, который позволяет настраивать решения HBM, оптимизируя их для конкретных клиентских IP и приложений.
SK Hynix использует для производства своих логических кристаллов техпроцесс 5нм TSMC, тогда как Samsung рассчитывает на более совершенный узел 4нм для повышения производительности и энергоэффективности.
Кроме того, Samsung планирует использовать в своих решениях 6-е поколение DRAM по технологии 10нм, тогда как SK Hynix пока что ориентируется на 5-е поколение DRAM по технологии 10нм.
Мало того, вместо технологии TC-NCF (усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей пленки), Samsung планирует внедрить гибридную технологию склеивания для укладки 16-слойных продуктов HBM4, в основе которой прямое соединение чипов медными шинами, а не традиционными бампами (выступами).
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM #память
[News] Samsung Reportedly Starts Trial Production of HBM4 Logic Die with In-house 4nm, Challenging SK hynix | TrendForce News
Samsung’s turnaround in the DRAM sector certainly hinges on its progress of next-gen HBMs, and now there is a ray of hope. According to South Korean m...
🇰🇷 Память. HBM4
SK hynix поставит образцы HBM4 компании Nvidia в июне 2025 года
По данным ZDNet, SK Hynix планирует отправить в Nvidia первые образцы кристаллов памяти HBM4 в июне 2025 года с планами начать массовое производство в конце 3q2025.
В отчете отмечается, что изначально Nvidia планировала оснастить свою высокопроизводительную серию графических процессоров следующего поколения Rubin 12-слойной памятью HMB4 к 2026 году. Однако планы решено скорректировать, компания Nvidia нацеливается на запуск этой продукции во второй половине 2025 года.
В ответ на это в SK Hynix ускоряют разработку HBM4. Как подчеркивается в отчете, компания сформировала специальную группу разработчиков для поставки HBM4 Nvidia и завершила процесс разработки HBM4 в 4q2024.
После этого SK Hynix скорректировала график поставки образцов HBM4 с первоначально запланированного срока «во второй половине 2025 года» на июнь 2025 года. Эти образцы, называемые сэмплами или образцами заказчика, предоставляют клиентам для сертификации перед началом массового производства.
На решения Nvidia и SK Hynix скорее всего повлияли и действия Samsung – этот конкурент на днях объявил о начале пробных образцов HBM4, планируя завершить процесс подготовки к началу массового производства (PRA – Production Readiness Approval) в 1H2025.
Как сообщала ZDNet, Samsung Electronics планирует оснастить свои чипы HBM4 памятью DRAM 1c (DRAM 6-го поколения, класс 10 нм). В отличие от конкурентов SK Hynix и Micron опираются на 1b DRAM. То есть стратегия Samsung – выделить свою продукцию на фоне продукции конкурентов за счет использования DRAM более нового поколения.
А что у Micron?
Американская компания в конце 2024 года объявила, что планирует наладить массовое производство HBM4, начиная с 2026 года.
По данным ETNews от 15 января 2025 года, сейчас Micron находится на этапе финального тестирования оборудования для производства 16-слойных матриц HBM3E, а массовое производство станет следующим этапом.
Таким образом заваривается интрига – предпочтет ли Nvidia более технологически совершенное решение Samsung или выберет продукцию SK hynix, качеством которой в компании были довольны в последние годы?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM
SK hynix поставит образцы HBM4 компании Nvidia в июне 2025 года
По данным ZDNet, SK Hynix планирует отправить в Nvidia первые образцы кристаллов памяти HBM4 в июне 2025 года с планами начать массовое производство в конце 3q2025.
В отчете отмечается, что изначально Nvidia планировала оснастить свою высокопроизводительную серию графических процессоров следующего поколения Rubin 12-слойной памятью HMB4 к 2026 году. Однако планы решено скорректировать, компания Nvidia нацеливается на запуск этой продукции во второй половине 2025 года.
В ответ на это в SK Hynix ускоряют разработку HBM4. Как подчеркивается в отчете, компания сформировала специальную группу разработчиков для поставки HBM4 Nvidia и завершила процесс разработки HBM4 в 4q2024.
После этого SK Hynix скорректировала график поставки образцов HBM4 с первоначально запланированного срока «во второй половине 2025 года» на июнь 2025 года. Эти образцы, называемые сэмплами или образцами заказчика, предоставляют клиентам для сертификации перед началом массового производства.
На решения Nvidia и SK Hynix скорее всего повлияли и действия Samsung – этот конкурент на днях объявил о начале пробных образцов HBM4, планируя завершить процесс подготовки к началу массового производства (PRA – Production Readiness Approval) в 1H2025.
Как сообщала ZDNet, Samsung Electronics планирует оснастить свои чипы HBM4 памятью DRAM 1c (DRAM 6-го поколения, класс 10 нм). В отличие от конкурентов SK Hynix и Micron опираются на 1b DRAM. То есть стратегия Samsung – выделить свою продукцию на фоне продукции конкурентов за счет использования DRAM более нового поколения.
А что у Micron?
Американская компания в конце 2024 года объявила, что планирует наладить массовое производство HBM4, начиная с 2026 года.
По данным ETNews от 15 января 2025 года, сейчас Micron находится на этапе финального тестирования оборудования для производства 16-слойных матриц HBM3E, а массовое производство станет следующим этапом.
Таким образом заваривается интрига – предпочтет ли Nvidia более технологически совершенное решение Samsung или выберет продукцию SK hynix, качеством которой в компании были довольны в последние годы?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM
[News] SK hynix Reported to Deliver HBM4 Samples to NVIDIA in June, with Mass Production by Q3 2025 | TrendForce News
According to a report from ZDNet, SK hynix is reportedly planning to ship HBM4 samples to NVIDIA as early as June 2025, with full-scale product supply...
🇰🇷 Производство памяти. HBM. Корея
SK hynix запустит массовое производство чипов 1с DRAM в феврале 2025 года
По данным MoneyToday, Samsung может оказаться в затруднительном положении, поскольку компания отложила разработку своего решения DRAM 6-го поколения на базе техпроцесса 10нм еще на 6 месяцев – на июнь 2025 года. Вместе с тем, SK hynix может начать массовое производство DRAM 1c уже в феврале 2025, сохранив технологическое лидерство и отрыв от конкурента.
Кроме того, согласно отчету, SK hynix недавно завершила квалификацию массового производства 1c DDR5.
У Samsung сохраняются технологические проблемы. Хотя компания и получила свой первый функциональный чип DRAM 1c в конце 2024 года, но она по-прежнему не достигла целевого выхода годных.
Эта задержка может повлиять на запланированное Samsung массовое производство HBM4 в 2H2025.
Обычно для отрасли характерен 18-месячный цикл разработки для каждого поколения. Хотя Samsung разработала свой 10нм класс (1b) DRAM 5-го поколения в декабре 2022 года и объявила о массовом производстве в мае 2023 года, с тех пор не было новостей о прогрессе в области 1c DRAM. Между тем, в SK hynix не тормозят, образцы HBM4 планируют отправить в Nvidia в июне 2025 года, а полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся примерно в конце 3q2025. Тем самым, попытка Samsung вернуть себе технологическое лидерство в области HBM, похоже, не реализуется в ближайшие месяцы.
В отчете MoneyToday высказывают опасения, что задержки в разработке 1c DRAM повлияют на планы Samsung по HBM. Если в конце 2025 года начнется производство 1c DRAM, то производство HBM4 может быть перенесено на 2026 год.
Впрочем, это все предположения. Samsung может попытаться ускорить процесс разработки.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #HBM
SK hynix запустит массовое производство чипов 1с DRAM в феврале 2025 года
По данным MoneyToday, Samsung может оказаться в затруднительном положении, поскольку компания отложила разработку своего решения DRAM 6-го поколения на базе техпроцесса 10нм еще на 6 месяцев – на июнь 2025 года. Вместе с тем, SK hynix может начать массовое производство DRAM 1c уже в феврале 2025, сохранив технологическое лидерство и отрыв от конкурента.
Кроме того, согласно отчету, SK hynix недавно завершила квалификацию массового производства 1c DDR5.
У Samsung сохраняются технологические проблемы. Хотя компания и получила свой первый функциональный чип DRAM 1c в конце 2024 года, но она по-прежнему не достигла целевого выхода годных.
Эта задержка может повлиять на запланированное Samsung массовое производство HBM4 в 2H2025.
Обычно для отрасли характерен 18-месячный цикл разработки для каждого поколения. Хотя Samsung разработала свой 10нм класс (1b) DRAM 5-го поколения в декабре 2022 года и объявила о массовом производстве в мае 2023 года, с тех пор не было новостей о прогрессе в области 1c DRAM. Между тем, в SK hynix не тормозят, образцы HBM4 планируют отправить в Nvidia в июне 2025 года, а полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся примерно в конце 3q2025. Тем самым, попытка Samsung вернуть себе технологическое лидерство в области HBM, похоже, не реализуется в ближайшие месяцы.
В отчете MoneyToday высказывают опасения, что задержки в разработке 1c DRAM повлияют на планы Samsung по HBM. Если в конце 2025 года начнется производство 1c DRAM, то производство HBM4 может быть перенесено на 2026 год.
Впрочем, это все предположения. Samsung может попытаться ускорить процесс разработки.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #HBM
[News] SK hynix Reportedly Set 1c DRAM Mass Production in Feb, While Samsung Delays by Six Months | TrendForce News
Ahead of SK hynix’s upcoming fourth-quarter results announcement, another Korean memory giant, Samsung, may be in trouble again. According to MoneyTod...