🇰🇷 Память. HBM. Корея
SK Hynix представила 16-слойную HBM3E на 48 ГБ
В новых стеках – 16 расположенных стопкой кристаллов DRAM по 3 ГБ каждый. Заявляется, что это обеспечивает повышение производительности на 18% в процессах обучения моделей ИИ и до 32% при обработке данных, проценты даны в сравнении с 12-кристальными конструкциями, представленными в конце сентября 2024 года.
Такие микросхемы позволяют ускорителям использовать до 384 ГБ памяти в конфигурации из 8 микросхем.
Для серийного производства HBM3E 16i будет использоваться технология Advanced MR-MUF, которая уже себя неплохо показала в производстве HBM3E 12i, - эти микросхемы будут поставляться AMD (MI325X) и Nvidia (Blackwell Ultra).
SK Hynix в который уже раз опережает конкурентов – Samsung и Micron, у которых пока нет таких решений. Тестовые образцы 16-слойной памяти будут готовы к началу 2025 года.
Возможно, им уготована недолгая жизнь, в ускорителях Nvidia Rubin, производство которых готовится с конца 2025 года, планируется задействовать HBM4. В этих микросхемах ширина канала вырастет с 1024 до 2048, что позволит поддерживать до 16 вертикально расположенных модулей емкостью уже в 4 ГБ. Тестирование HBM4 тот же Samsung должен завершить в конце 2024 года, а в SK Hynix, по слухам, это уже сделано в октябре. В AMD и Nvidia рассчитывают увидеть сэмплы HBM4 в 1q2024 / 2q2024.
Параллельно в SK Hynix работают над SSD PCie 6.0, высокопроизводительными накопителями QLC для ИИ-серверов и UFC 5.0 для мобильных устройств.
Для ноутбуков будущего в SK Hynix разрабатывают модуль LPCAMM2 и память LPDDR5/6 с использованием узлов 1нм.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#HBM #HBM3E
SK Hynix представила 16-слойную HBM3E на 48 ГБ
В новых стеках – 16 расположенных стопкой кристаллов DRAM по 3 ГБ каждый. Заявляется, что это обеспечивает повышение производительности на 18% в процессах обучения моделей ИИ и до 32% при обработке данных, проценты даны в сравнении с 12-кристальными конструкциями, представленными в конце сентября 2024 года.
Такие микросхемы позволяют ускорителям использовать до 384 ГБ памяти в конфигурации из 8 микросхем.
Для серийного производства HBM3E 16i будет использоваться технология Advanced MR-MUF, которая уже себя неплохо показала в производстве HBM3E 12i, - эти микросхемы будут поставляться AMD (MI325X) и Nvidia (Blackwell Ultra).
SK Hynix в который уже раз опережает конкурентов – Samsung и Micron, у которых пока нет таких решений. Тестовые образцы 16-слойной памяти будут готовы к началу 2025 года.
Возможно, им уготована недолгая жизнь, в ускорителях Nvidia Rubin, производство которых готовится с конца 2025 года, планируется задействовать HBM4. В этих микросхемах ширина канала вырастет с 1024 до 2048, что позволит поддерживать до 16 вертикально расположенных модулей емкостью уже в 4 ГБ. Тестирование HBM4 тот же Samsung должен завершить в конце 2024 года, а в SK Hynix, по слухам, это уже сделано в октябре. В AMD и Nvidia рассчитывают увидеть сэмплы HBM4 в 1q2024 / 2q2024.
Параллельно в SK Hynix работают над SSD PCie 6.0, высокопроизводительными накопителями QLC для ИИ-серверов и UFC 5.0 для мобильных устройств.
Для ноутбуков будущего в SK Hynix разрабатывают модуль LPCAMM2 и память LPDDR5/6 с использованием узлов 1нм.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#HBM #HBM3E
Tom's Hardware
SK hynix announces the world's first 48GB 16-Hi HBM3E memory — Next-gen PCIe 6.0 SSDs and UFS 5.0 storage are also in the works
SK hynix touts a 32% performance increment in inference vs its 12-Hi offerings.
👌1
🇰🇷 Память. HBM. Тренды. Корея
Samsung начинает пробное производство логического кристалла HBM4 по собственному техпроцессу 4нм, бросая вызов SK Hynix
По данным Chosun Daily, Samsung начал пробное производство логических кристаллов, используемых в микросхемах HBM4. После завершения этапа тестирования производительности, Samsung планирует начать предоставление новых чипов для тестирования.
В случае удачи, это станет важной для Samsung вехой. Ранее уже сообщалось, что Samsung начал разработку Custom HBM4 – памяти следующего поколения с высокой пропускной способностью, специально разработанной для клиентов CSP, таких как Microsoft. Ее массовое производство ожидается в 2025 году.
Поскольку SK Hynix получила львиную долю заказов Nvidia на микросхемы HBM3 и HBM3E, внедрение собственных внутренних усовершенствованных узлов в производство HBM4 может стать переломным моментом для Samsung на рынке HBM.
В отличие от HBM3E, где стеки DRAM подключаются к графическому процессору или аналогичному устройству, HBM4 включает в себя логический кристалл, который позволяет настраивать решения HBM, оптимизируя их для конкретных клиентских IP и приложений.
SK Hynix использует для производства своих логических кристаллов техпроцесс 5нм TSMC, тогда как Samsung рассчитывает на более совершенный узел 4нм для повышения производительности и энергоэффективности.
Кроме того, Samsung планирует использовать в своих решениях 6-е поколение DRAM по технологии 10нм, тогда как SK Hynix пока что ориентируется на 5-е поколение DRAM по технологии 10нм.
Мало того, вместо технологии TC-NCF (усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей пленки), Samsung планирует внедрить гибридную технологию склеивания для укладки 16-слойных продуктов HBM4, в основе которой прямое соединение чипов медными шинами, а не традиционными бампами (выступами).
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM #память
Samsung начинает пробное производство логического кристалла HBM4 по собственному техпроцессу 4нм, бросая вызов SK Hynix
По данным Chosun Daily, Samsung начал пробное производство логических кристаллов, используемых в микросхемах HBM4. После завершения этапа тестирования производительности, Samsung планирует начать предоставление новых чипов для тестирования.
В случае удачи, это станет важной для Samsung вехой. Ранее уже сообщалось, что Samsung начал разработку Custom HBM4 – памяти следующего поколения с высокой пропускной способностью, специально разработанной для клиентов CSP, таких как Microsoft. Ее массовое производство ожидается в 2025 году.
Поскольку SK Hynix получила львиную долю заказов Nvidia на микросхемы HBM3 и HBM3E, внедрение собственных внутренних усовершенствованных узлов в производство HBM4 может стать переломным моментом для Samsung на рынке HBM.
В отличие от HBM3E, где стеки DRAM подключаются к графическому процессору или аналогичному устройству, HBM4 включает в себя логический кристалл, который позволяет настраивать решения HBM, оптимизируя их для конкретных клиентских IP и приложений.
SK Hynix использует для производства своих логических кристаллов техпроцесс 5нм TSMC, тогда как Samsung рассчитывает на более совершенный узел 4нм для повышения производительности и энергоэффективности.
Кроме того, Samsung планирует использовать в своих решениях 6-е поколение DRAM по технологии 10нм, тогда как SK Hynix пока что ориентируется на 5-е поколение DRAM по технологии 10нм.
Мало того, вместо технологии TC-NCF (усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей пленки), Samsung планирует внедрить гибридную технологию склеивания для укладки 16-слойных продуктов HBM4, в основе которой прямое соединение чипов медными шинами, а не традиционными бампами (выступами).
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM #память
[News] Samsung Reportedly Starts Trial Production of HBM4 Logic Die with In-house 4nm, Challenging SK hynix | TrendForce News
Samsung’s turnaround in the DRAM sector certainly hinges on its progress of next-gen HBMs, and now there is a ray of hope. According to South Korean m...
👍6
🇰🇷 Память. HBM4
SK hynix поставит образцы HBM4 компании Nvidia в июне 2025 года
По данным ZDNet, SK Hynix планирует отправить в Nvidia первые образцы кристаллов памяти HBM4 в июне 2025 года с планами начать массовое производство в конце 3q2025.
В отчете отмечается, что изначально Nvidia планировала оснастить свою высокопроизводительную серию графических процессоров следующего поколения Rubin 12-слойной памятью HMB4 к 2026 году. Однако планы решено скорректировать, компания Nvidia нацеливается на запуск этой продукции во второй половине 2025 года.
В ответ на это в SK Hynix ускоряют разработку HBM4. Как подчеркивается в отчете, компания сформировала специальную группу разработчиков для поставки HBM4 Nvidia и завершила процесс разработки HBM4 в 4q2024.
После этого SK Hynix скорректировала график поставки образцов HBM4 с первоначально запланированного срока «во второй половине 2025 года» на июнь 2025 года. Эти образцы, называемые сэмплами или образцами заказчика, предоставляют клиентам для сертификации перед началом массового производства.
На решения Nvidia и SK Hynix скорее всего повлияли и действия Samsung – этот конкурент на днях объявил о начале пробных образцов HBM4, планируя завершить процесс подготовки к началу массового производства (PRA – Production Readiness Approval) в 1H2025.
Как сообщала ZDNet, Samsung Electronics планирует оснастить свои чипы HBM4 памятью DRAM 1c (DRAM 6-го поколения, класс 10 нм). В отличие от конкурентов SK Hynix и Micron опираются на 1b DRAM. То есть стратегия Samsung – выделить свою продукцию на фоне продукции конкурентов за счет использования DRAM более нового поколения.
А что у Micron?
Американская компания в конце 2024 года объявила, что планирует наладить массовое производство HBM4, начиная с 2026 года.
По данным ETNews от 15 января 2025 года, сейчас Micron находится на этапе финального тестирования оборудования для производства 16-слойных матриц HBM3E, а массовое производство станет следующим этапом.
Таким образом заваривается интрига – предпочтет ли Nvidia более технологически совершенное решение Samsung или выберет продукцию SK hynix, качеством которой в компании были довольны в последние годы?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM
SK hynix поставит образцы HBM4 компании Nvidia в июне 2025 года
По данным ZDNet, SK Hynix планирует отправить в Nvidia первые образцы кристаллов памяти HBM4 в июне 2025 года с планами начать массовое производство в конце 3q2025.
В отчете отмечается, что изначально Nvidia планировала оснастить свою высокопроизводительную серию графических процессоров следующего поколения Rubin 12-слойной памятью HMB4 к 2026 году. Однако планы решено скорректировать, компания Nvidia нацеливается на запуск этой продукции во второй половине 2025 года.
В ответ на это в SK Hynix ускоряют разработку HBM4. Как подчеркивается в отчете, компания сформировала специальную группу разработчиков для поставки HBM4 Nvidia и завершила процесс разработки HBM4 в 4q2024.
После этого SK Hynix скорректировала график поставки образцов HBM4 с первоначально запланированного срока «во второй половине 2025 года» на июнь 2025 года. Эти образцы, называемые сэмплами или образцами заказчика, предоставляют клиентам для сертификации перед началом массового производства.
На решения Nvidia и SK Hynix скорее всего повлияли и действия Samsung – этот конкурент на днях объявил о начале пробных образцов HBM4, планируя завершить процесс подготовки к началу массового производства (PRA – Production Readiness Approval) в 1H2025.
Как сообщала ZDNet, Samsung Electronics планирует оснастить свои чипы HBM4 памятью DRAM 1c (DRAM 6-го поколения, класс 10 нм). В отличие от конкурентов SK Hynix и Micron опираются на 1b DRAM. То есть стратегия Samsung – выделить свою продукцию на фоне продукции конкурентов за счет использования DRAM более нового поколения.
А что у Micron?
Американская компания в конце 2024 года объявила, что планирует наладить массовое производство HBM4, начиная с 2026 года.
По данным ETNews от 15 января 2025 года, сейчас Micron находится на этапе финального тестирования оборудования для производства 16-слойных матриц HBM3E, а массовое производство станет следующим этапом.
Таким образом заваривается интрига – предпочтет ли Nvidia более технологически совершенное решение Samsung или выберет продукцию SK hynix, качеством которой в компании были довольны в последние годы?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM
[News] SK hynix Reported to Deliver HBM4 Samples to NVIDIA in June, with Mass Production by Q3 2025 | TrendForce News
According to a report from ZDNet, SK hynix is reportedly planning to ship HBM4 samples to NVIDIA as early as June 2025, with full-scale product supply...
👍6
🇰🇷 Производство памяти. HBM. Корея
SK hynix запустит массовое производство чипов 1с DRAM в феврале 2025 года
По данным MoneyToday, Samsung может оказаться в затруднительном положении, поскольку компания отложила разработку своего решения DRAM 6-го поколения на базе техпроцесса 10нм еще на 6 месяцев – на июнь 2025 года. Вместе с тем, SK hynix может начать массовое производство DRAM 1c уже в феврале 2025, сохранив технологическое лидерство и отрыв от конкурента.
Кроме того, согласно отчету, SK hynix недавно завершила квалификацию массового производства 1c DDR5.
У Samsung сохраняются технологические проблемы. Хотя компания и получила свой первый функциональный чип DRAM 1c в конце 2024 года, но она по-прежнему не достигла целевого выхода годных.
Эта задержка может повлиять на запланированное Samsung массовое производство HBM4 в 2H2025.
Обычно для отрасли характерен 18-месячный цикл разработки для каждого поколения. Хотя Samsung разработала свой 10нм класс (1b) DRAM 5-го поколения в декабре 2022 года и объявила о массовом производстве в мае 2023 года, с тех пор не было новостей о прогрессе в области 1c DRAM. Между тем, в SK hynix не тормозят, образцы HBM4 планируют отправить в Nvidia в июне 2025 года, а полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся примерно в конце 3q2025. Тем самым, попытка Samsung вернуть себе технологическое лидерство в области HBM, похоже, не реализуется в ближайшие месяцы.
В отчете MoneyToday высказывают опасения, что задержки в разработке 1c DRAM повлияют на планы Samsung по HBM. Если в конце 2025 года начнется производство 1c DRAM, то производство HBM4 может быть перенесено на 2026 год.
Впрочем, это все предположения. Samsung может попытаться ускорить процесс разработки.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #HBM
SK hynix запустит массовое производство чипов 1с DRAM в феврале 2025 года
По данным MoneyToday, Samsung может оказаться в затруднительном положении, поскольку компания отложила разработку своего решения DRAM 6-го поколения на базе техпроцесса 10нм еще на 6 месяцев – на июнь 2025 года. Вместе с тем, SK hynix может начать массовое производство DRAM 1c уже в феврале 2025, сохранив технологическое лидерство и отрыв от конкурента.
Кроме того, согласно отчету, SK hynix недавно завершила квалификацию массового производства 1c DDR5.
У Samsung сохраняются технологические проблемы. Хотя компания и получила свой первый функциональный чип DRAM 1c в конце 2024 года, но она по-прежнему не достигла целевого выхода годных.
Эта задержка может повлиять на запланированное Samsung массовое производство HBM4 в 2H2025.
Обычно для отрасли характерен 18-месячный цикл разработки для каждого поколения. Хотя Samsung разработала свой 10нм класс (1b) DRAM 5-го поколения в декабре 2022 года и объявила о массовом производстве в мае 2023 года, с тех пор не было новостей о прогрессе в области 1c DRAM. Между тем, в SK hynix не тормозят, образцы HBM4 планируют отправить в Nvidia в июне 2025 года, а полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся примерно в конце 3q2025. Тем самым, попытка Samsung вернуть себе технологическое лидерство в области HBM, похоже, не реализуется в ближайшие месяцы.
В отчете MoneyToday высказывают опасения, что задержки в разработке 1c DRAM повлияют на планы Samsung по HBM. Если в конце 2025 года начнется производство 1c DRAM, то производство HBM4 может быть перенесено на 2026 год.
Впрочем, это все предположения. Samsung может попытаться ускорить процесс разработки.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #HBM
[News] SK hynix Reportedly Set 1c DRAM Mass Production in Feb, While Samsung Delays by Six Months | TrendForce News
Ahead of SK hynix’s upcoming fourth-quarter results announcement, another Korean memory giant, Samsung, may be in trouble again. According to MoneyTod...
👀3👍1
📈 Высокоскоростная память. Участники рынка. Тренды
Micron собирается начать массовое производство 12-стекового HBM3E
Согласно отчету ijiwei со ссылкой на Business Korea, Micron Technology собиралась начать массовое производство своего 12-стекового HBM в сентябре 2024 года. С тех пор компания уже успела показать образцы компании Nvidia и другим потенциальным клиентам.
Финансовый директор Micron Марк Мерфи заявил, что 12-стековый HBM3E Micron отличается на 20% меньшим энергопотреблением и имеет на 50% большую емкость по сравнению с 8-стековыми продуктами конкурентов. Он также прогнозирует, что большая часть продуктов HBM, производимых Micron в 2H2025 будет состоять из 12-стековых продуктов.
Кроме того, Мерфи упомянул, что следующее поколение HBM4 от Micron запланировано к массовому производству в 2026 году.
Samsung Electronics, похоже, отстает в технологиях HBM. Недавно компания сообщала о запуске малосерийного производства 8-стековой HBM. Корейский производитель все еще не прошел фазу тестирования 12-стековой HBM. До конца февраля 2025 года, компания планирует отправить образцы 12-стековой HBM в Nvidia. Перед поставками компании серийной продукции понадобится еще одно одобрение.
Samsung намерен начать массовое производство HBM4 в течение 2025 года.
Ранее сообщалось о планах массового выпуска 1c DRAM Samsung в этом году, но похоже, что первоначальное производство в конце 2024 года не оправдало ожиданий в плане выхода годных. Добиться высокого показателя не удалось даже после того, как Samsung перепроектировала эти чипы, увеличив размер кристалла.
SK hynix выглядит более успешной с планами отправить образцы HBM4 в Nvidia в июне 2025 года, и с идеей начать полномасштабные поставки продукта в конце 3q2025. А массовое производство 1c DRAM SK hunix планирует начать в феврале 2025 года.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #высокоскоростная #HBM
Micron собирается начать массовое производство 12-стекового HBM3E
Согласно отчету ijiwei со ссылкой на Business Korea, Micron Technology собиралась начать массовое производство своего 12-стекового HBM в сентябре 2024 года. С тех пор компания уже успела показать образцы компании Nvidia и другим потенциальным клиентам.
Финансовый директор Micron Марк Мерфи заявил, что 12-стековый HBM3E Micron отличается на 20% меньшим энергопотреблением и имеет на 50% большую емкость по сравнению с 8-стековыми продуктами конкурентов. Он также прогнозирует, что большая часть продуктов HBM, производимых Micron в 2H2025 будет состоять из 12-стековых продуктов.
Кроме того, Мерфи упомянул, что следующее поколение HBM4 от Micron запланировано к массовому производству в 2026 году.
Samsung Electronics, похоже, отстает в технологиях HBM. Недавно компания сообщала о запуске малосерийного производства 8-стековой HBM. Корейский производитель все еще не прошел фазу тестирования 12-стековой HBM. До конца февраля 2025 года, компания планирует отправить образцы 12-стековой HBM в Nvidia. Перед поставками компании серийной продукции понадобится еще одно одобрение.
Samsung намерен начать массовое производство HBM4 в течение 2025 года.
Ранее сообщалось о планах массового выпуска 1c DRAM Samsung в этом году, но похоже, что первоначальное производство в конце 2024 года не оправдало ожиданий в плане выхода годных. Добиться высокого показателя не удалось даже после того, как Samsung перепроектировала эти чипы, увеличив размер кристалла.
SK hynix выглядит более успешной с планами отправить образцы HBM4 в Nvidia в июне 2025 года, и с идеей начать полномасштабные поставки продукта в конце 3q2025. А массовое производство 1c DRAM SK hunix планирует начать в феврале 2025 года.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #высокоскоростная #HBM
[News] Micron Reportedly Set to Mass Produce 12-Stack HBM3E, Securing NVIDIA Supply Deal | TrendForce News
According to a report from ijiwei, citing Business Korea, Micron Technology is set to begin mass production of its 12-stack HBM and will supply it to ...
🇰🇷 Память. Высокоскоростная. HBM. Корея
SK Hynix достигла выхода годных в 70% для чипов HBM4
Это достижение укрепляет позиции южнокорейской компании на конкурентном рынке HBM4. Речь идет о 12-слойной памяти 6G, которая пока что выпускается в тестовом режиме с планами отправить образцы кристаллов в Nvidia летом 2025 года с планами начала их массового производства в конце 3q2025. К концу 2024 года по данным инсайдеров этот показатель превысил 60%.
В 12-слойной HBM4 используются узлы DRAM (1b) 5-го поколения, произведенные по техпроцессу 10нм, которые уже себя хорошо зарекомендовали в памяти 5G (HBM3E). Отсюда и прогнозы, что 12-слойные HBM4 быстро пройдут путь к массовому производству.
По слухам, 12-слойные HBM4 будут задействованы, в частности, в ускорителях Nvidia Rubin, которые планируются к запуску в 2026 году, но могут появиться на рынке даже ранее. А к середине 2026 года могут появиться 16-слойные версии памяти HBM от SK Hynix.
Интересное следствие. Если до сих пор все свои чипы корейский производитель производил на собственных мощностях, то HMB4 настолько высокотехнологичен, что SK Hynix решила сотрудничать с TSMC, чтобы использовать передовые возможности логического интерфейса тайваньской компании, нежели разрабатывать их самостоятельно.
Если SK Hynix поспеет за планами ускоренного развития Nvidia, южнокорейская компания упрочит свои позиции лидера в области высокоскоростной памяти для ИИ.
@RUSmicro по материалам DigiTimes
#HBM #память
SK Hynix достигла выхода годных в 70% для чипов HBM4
Это достижение укрепляет позиции южнокорейской компании на конкурентном рынке HBM4. Речь идет о 12-слойной памяти 6G, которая пока что выпускается в тестовом режиме с планами отправить образцы кристаллов в Nvidia летом 2025 года с планами начала их массового производства в конце 3q2025. К концу 2024 года по данным инсайдеров этот показатель превысил 60%.
В 12-слойной HBM4 используются узлы DRAM (1b) 5-го поколения, произведенные по техпроцессу 10нм, которые уже себя хорошо зарекомендовали в памяти 5G (HBM3E). Отсюда и прогнозы, что 12-слойные HBM4 быстро пройдут путь к массовому производству.
По слухам, 12-слойные HBM4 будут задействованы, в частности, в ускорителях Nvidia Rubin, которые планируются к запуску в 2026 году, но могут появиться на рынке даже ранее. А к середине 2026 года могут появиться 16-слойные версии памяти HBM от SK Hynix.
Интересное следствие. Если до сих пор все свои чипы корейский производитель производил на собственных мощностях, то HMB4 настолько высокотехнологичен, что SK Hynix решила сотрудничать с TSMC, чтобы использовать передовые возможности логического интерфейса тайваньской компании, нежели разрабатывать их самостоятельно.
Если SK Hynix поспеет за планами ускоренного развития Nvidia, южнокорейская компания упрочит свои позиции лидера в области высокоскоростной памяти для ИИ.
@RUSmicro по материалам DigiTimes
#HBM #память
DIGITIMES
SK Hynix reportedly hits 70% yield in HBM4 testing
SK Hynix has reportedly reached a significant milestone in its pre-production trials by raising the yield rate of its sixth-generation high-bandwidth memory (HBM4) to 70%. This achievement strengthens the South Korean semiconductor company's position in the…
👍2
🇰🇷 Память ИИ. Корея
SK Hynix закроет книгу заказов на 2026 год уже в июне 2025
SK Hynix завершила прием заказов на чипы памяти с высокой пропускной способностью (HBM), которые будут произведены в 2025 году и ожидает, что к середине года закроет книгу заказов и на 2026 год. Этому способствуют пошлины США, которые заставили ряд компаний нарастить заказы. Об этом сообщает Mobile World Live.
Гендиректор Квак Но Чжун заявил на собрании акционеров, что компания повышает прозрачность продаж, заблаговременно договариваясь с клиентами, поскольку характер продуктов HBM подразумевает высокие инвестиционные затраты.
По его оценкам, рынок HBM в 2025 году вырастет в 9 раз по сравнению с 2023 годом.
SK Hynix – ключевой поставщик HBM памяти для производства ИИ-ускорителей Nvidia.
В марте 2025 года SK Hynix отправила образцы своего 12-слойного HBM4 6-го поколения основным клиентам, и раскрыла планы по массовому производству нового чипа в 2H2025. Недавно компания начала процесс сертификации.
В конце января 2025 года, компания SK Hynix прогнозировала, что спрос на HBM и серверные чипы продолжит расти, поскольку крупные технологические компании увеличивают инвестиции в платформы ИИ.
В 4q2024 компания сообщила о чистой прибыли в размере 8 трлн корейских вон ($5.4 млрд) по сравнению с убытком в размере 1.4 трлн в 4q2023. Выручка выросла на 75% до 19.8 трлн корейских вон.
@RUSmicro
#HBM
SK Hynix закроет книгу заказов на 2026 год уже в июне 2025
SK Hynix завершила прием заказов на чипы памяти с высокой пропускной способностью (HBM), которые будут произведены в 2025 году и ожидает, что к середине года закроет книгу заказов и на 2026 год. Этому способствуют пошлины США, которые заставили ряд компаний нарастить заказы. Об этом сообщает Mobile World Live.
Гендиректор Квак Но Чжун заявил на собрании акционеров, что компания повышает прозрачность продаж, заблаговременно договариваясь с клиентами, поскольку характер продуктов HBM подразумевает высокие инвестиционные затраты.
По его оценкам, рынок HBM в 2025 году вырастет в 9 раз по сравнению с 2023 годом.
SK Hynix – ключевой поставщик HBM памяти для производства ИИ-ускорителей Nvidia.
В марте 2025 года SK Hynix отправила образцы своего 12-слойного HBM4 6-го поколения основным клиентам, и раскрыла планы по массовому производству нового чипа в 2H2025. Недавно компания начала процесс сертификации.
В конце января 2025 года, компания SK Hynix прогнозировала, что спрос на HBM и серверные чипы продолжит расти, поскольку крупные технологические компании увеличивают инвестиции в платформы ИИ.
В 4q2024 компания сообщила о чистой прибыли в размере 8 трлн корейских вон ($5.4 млрд) по сравнению с убытком в размере 1.4 трлн в 4q2023. Выручка выросла на 75% до 19.8 трлн корейских вон.
@RUSmicro
#HBM
Mobile World Live
SK Hynix to tie up 2026 HBM orders in June
SK Hynix sold out its planned output of HBM chips this year and expects orders for its full production in 2026 to be finalised by midyear.
🇨🇳 Технологии упаковки. Производство памяти. Патенты. Китай
Китайская YMTC доминирует в патентах на гибридное соединение, что создает проблемы для Samsung и SK Hynix
Гиганты в области производства памяти, а это, прежде всего, южнокорейские SK Hynix и Samsung Electronics, ускоренно разрабатывают HBM4 и многослойные NAND микросхемы.
Это привлекает повышенный интерес к технологии гибридного соединения чипов (hybrid bonding). Компании усердно патентуют свои разработки. Южнокорейские лидеры Samsung и SK Hynix, по данным ZDNet, на которые ссылается TrendForce, оформили намного меньше патентов, чем китайская Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC). Об этом сообщает TrendForce.
В итоге теперь уже корейцы платят Китаю за лицензии на технологию гибридного соединения. В частности, Samsung Electronics подписала лицензионное соглашение с YMTC о внедрении технологии гибридного соединения в свои NAND следующего поколения. Говорят, что на этот шаг корейская компания была вынуждена пойти, убедившись в сложностях обхода патентов YMTC.
YMTC, крупнейший производитель NAND в Китае, занимается массовым использованием технологии гибридного склеивания под брендом Xtacking уже около 4 лет. Компания использует метод «от пластины к пластине» (W2W), производя ячейки памяти и периферийные схемы на отдельных пластинах, а затем их склеивая.
По данным ZDNet, YMTC раскрыла 119 патентов, связанных с гибридными соединениями в период с 2017 по январь 2024 года.
Для сравнения, у Samsung Electronics, которая первые патентные заявки по этой технологии начала оформлять с 2015 года, на январь 2024 года располагала 83-мя патентами. SK hynix, которая начала подавать заявки в 2020 году, раскрыла всего 11.
Южнокорейские компании только сейчас начали активно наращивать усилия в области гибридного соединения. Это позволяет им создавать более тонкие стеки слоя, формировать больше слоев, снижать потери сигнала и повышать выход годных. Эти преимущества особенно важны для SK Hynix, лидирующей в области HBM в мире.
Но и Samsung намерена производить 12-слойные HBM к концу 2025 года, поэтому сейчас в компании ведут активные исследования в этой области. Сообщается, что Samsung работает со своей дочерней структурой Sedaily в области производства оборудования SEMES (технологии TSV и 3D-упаковки).
По данным TrendForce, акцент при производстве HBM все более переключается на передовые технологии упаковки, такие как гибридное соединение. Основные производители рассматривают переход на гибридное соединение в 16-слойных продуктах HBM4 и планируют внедрить эту технологию в 20-слойные HBM5.
@RUSmicro
#патенты #HBM #тренды #гибридноесоединение #упаковка
Китайская YMTC доминирует в патентах на гибридное соединение, что создает проблемы для Samsung и SK Hynix
Гиганты в области производства памяти, а это, прежде всего, южнокорейские SK Hynix и Samsung Electronics, ускоренно разрабатывают HBM4 и многослойные NAND микросхемы.
Это привлекает повышенный интерес к технологии гибридного соединения чипов (hybrid bonding). Компании усердно патентуют свои разработки. Южнокорейские лидеры Samsung и SK Hynix, по данным ZDNet, на которые ссылается TrendForce, оформили намного меньше патентов, чем китайская Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC). Об этом сообщает TrendForce.
В итоге теперь уже корейцы платят Китаю за лицензии на технологию гибридного соединения. В частности, Samsung Electronics подписала лицензионное соглашение с YMTC о внедрении технологии гибридного соединения в свои NAND следующего поколения. Говорят, что на этот шаг корейская компания была вынуждена пойти, убедившись в сложностях обхода патентов YMTC.
YMTC, крупнейший производитель NAND в Китае, занимается массовым использованием технологии гибридного склеивания под брендом Xtacking уже около 4 лет. Компания использует метод «от пластины к пластине» (W2W), производя ячейки памяти и периферийные схемы на отдельных пластинах, а затем их склеивая.
По данным ZDNet, YMTC раскрыла 119 патентов, связанных с гибридными соединениями в период с 2017 по январь 2024 года.
Для сравнения, у Samsung Electronics, которая первые патентные заявки по этой технологии начала оформлять с 2015 года, на январь 2024 года располагала 83-мя патентами. SK hynix, которая начала подавать заявки в 2020 году, раскрыла всего 11.
Южнокорейские компании только сейчас начали активно наращивать усилия в области гибридного соединения. Это позволяет им создавать более тонкие стеки слоя, формировать больше слоев, снижать потери сигнала и повышать выход годных. Эти преимущества особенно важны для SK Hynix, лидирующей в области HBM в мире.
Но и Samsung намерена производить 12-слойные HBM к концу 2025 года, поэтому сейчас в компании ведут активные исследования в этой области. Сообщается, что Samsung работает со своей дочерней структурой Sedaily в области производства оборудования SEMES (технологии TSV и 3D-упаковки).
По данным TrendForce, акцент при производстве HBM все более переключается на передовые технологии упаковки, такие как гибридное соединение. Основные производители рассматривают переход на гибридное соединение в 16-слойных продуктах HBM4 и планируют внедрить эту технологию в 20-слойные HBM5.
@RUSmicro
#патенты #HBM #тренды #гибридноесоединение #упаковка
[News] China’s YMTC Dominates Hybrid Bonding Patents, Pressuring South Korean Memory Giants Samsung and SK hynix | TrendForce News
As memory giants accelerate development in HBM4 and high-layer NAND, hybrid bonding technology is drawing heightened attention. South Korean leaders S...
👍4