🇨🇳 Память. Технологии. Flash. Китай
YMTC обогнала Micron и Kioxia и приблизилась к Samsung по числу слоев в чипах флеш-памяти
Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC), ведущий китайский производитель микросхем флэш-памяти, добилась значительного технологического прорыва, несмотря на санкции США, уверены в Techinsights на данные которых ссылается South China Morning Post.
В коммерчески доступном твердотельном устройстве хранения данных ZhiTai TiPro9000 обнаружились чипы 3D NAND, созданные по техпроцесссу Xtacking4.0 YMTC. Это чип «двухэтажной структуры» - нижний со 150 затворами и верхний со 144. В сумме – 294 затвора. Пластины этажей соединены «гибридным бондингом», когда между двумя поверхностями образуются как металлические, так и диэлектрические связи. Этот метод снижает паразитную емкость, сопротивление и индуктивность, лучше и тепловые параметры микросхемы.
В 2024 году YMTC уже использовала технологию Xtacking4.0, создав продукт в 160-слоев с 180-ю вентилями.
Новый продукт повышает плотность хранения до более чем 20 Гбит на кв.мм (возможно, это отраслевой рекорд)! В Techinsight думают, что дизайн содержит около 270 активных слоев памяти.
Какие выводы?
США не удается остановить китайский прогресс в технологиях микроэлектроники – без санкций китайцы, возможно, двигались бы еще быстрее, но они прогрессируют и без этого.
SK Hynix уже сообщала в 2024 году о начале массового производства 321-слойной NAND-flash памяти, представленной в 2023 году. Samsung заявляла о 280 слоях. Так что корейцы пока недосягаемы. Американская Micron с ее 232 слоями и японская Kioxia с 218 слоями, возможно, попадают в число отстающих. Впрочем, посмотрим, не будет ли от них обновлений информации в ближайшие недели.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
#память #слои #технологии
YMTC обогнала Micron и Kioxia и приблизилась к Samsung по числу слоев в чипах флеш-памяти
Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC), ведущий китайский производитель микросхем флэш-памяти, добилась значительного технологического прорыва, несмотря на санкции США, уверены в Techinsights на данные которых ссылается South China Morning Post.
В коммерчески доступном твердотельном устройстве хранения данных ZhiTai TiPro9000 обнаружились чипы 3D NAND, созданные по техпроцесссу Xtacking4.0 YMTC. Это чип «двухэтажной структуры» - нижний со 150 затворами и верхний со 144. В сумме – 294 затвора. Пластины этажей соединены «гибридным бондингом», когда между двумя поверхностями образуются как металлические, так и диэлектрические связи. Этот метод снижает паразитную емкость, сопротивление и индуктивность, лучше и тепловые параметры микросхемы.
В 2024 году YMTC уже использовала технологию Xtacking4.0, создав продукт в 160-слоев с 180-ю вентилями.
Новый продукт повышает плотность хранения до более чем 20 Гбит на кв.мм (возможно, это отраслевой рекорд)! В Techinsight думают, что дизайн содержит около 270 активных слоев памяти.
Какие выводы?
США не удается остановить китайский прогресс в технологиях микроэлектроники – без санкций китайцы, возможно, двигались бы еще быстрее, но они прогрессируют и без этого.
SK Hynix уже сообщала в 2024 году о начале массового производства 321-слойной NAND-flash памяти, представленной в 2023 году. Samsung заявляла о 280 слоях. Так что корейцы пока недосягаемы. Американская Micron с ее 232 слоями и японская Kioxia с 218 слоями, возможно, попадают в число отстающих. Впрочем, посмотрим, не будет ли от них обновлений информации в ближайшие недели.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
#память #слои #технологии
South China Morning Post
China’s top memory chip maker again defies US sanctions with design breakthrough
Yangtze Memory Technologies Corporation is integrating a new design into chips with 294 gates, research firm finds.
👍8❤3
🇯🇵 NAND flash память. Рекорды. Япония
4.7 Гбит/с, 332 слоя – Kioxia и SanDisk совместно представили новое решение 3D NAND флэш памяти
Это решение для применения в ИИ-моделях, которое компании представили на академической конференции 2025 IEEE ISSCC. Важно не только рекордное число слоев – 332, но и рекордная для NAND flash скорость работы интерфейса – до 4.8 Гбит/с.
Решение основывается на использовании стандарта Toggle DDR6.0 и протокола SCA. Заявляемая скорость 4.8 Гбит/c на 33% выше, чем у продуктов «8-го поколения».
Мало того, данное решение отличается сниженным энергопотреблением. За счет применения технологии PI-LTT достигается сокращение энергопотребления при вводе данных на 10% и при считывании – на 34%.
Плотность хранения данных в новинке за счет 332 слоев и оптимизированной раскладки ячеек выросла на 59%.
Kioxia и SanDisk продолжат работу над 9-м и 10-м поколением 3D-flash памяти.
9-е поколение опирается на технологию CBA и будет использовать новую CMOS технологию, чтобы повысить высокой производительности.
В 10-м поколении ожидается дальнейший рост емкости, скорости и оптимизация потребления энергопотребления, чтобы соответствовать растущим требованиям ИИ-ЦОД и компаний, разрабатывающих ИИ.
CBA – это CMOS under Array, в контексте памяти NAND flash – это подход, когда управляющие логические схемы (контролллеры, декодеры, драйверы) располагают под массивом ячеек памяти, а не рядом с ними, как раньше.
@RUSmicro по материалам MinNews
#флэш #память #слои #NAND
4.7 Гбит/с, 332 слоя – Kioxia и SanDisk совместно представили новое решение 3D NAND флэш памяти
Это решение для применения в ИИ-моделях, которое компании представили на академической конференции 2025 IEEE ISSCC. Важно не только рекордное число слоев – 332, но и рекордная для NAND flash скорость работы интерфейса – до 4.8 Гбит/с.
Решение основывается на использовании стандарта Toggle DDR6.0 и протокола SCA. Заявляемая скорость 4.8 Гбит/c на 33% выше, чем у продуктов «8-го поколения».
Мало того, данное решение отличается сниженным энергопотреблением. За счет применения технологии PI-LTT достигается сокращение энергопотребления при вводе данных на 10% и при считывании – на 34%.
Плотность хранения данных в новинке за счет 332 слоев и оптимизированной раскладки ячеек выросла на 59%.
Kioxia и SanDisk продолжат работу над 9-м и 10-м поколением 3D-flash памяти.
9-е поколение опирается на технологию CBA и будет использовать новую CMOS технологию, чтобы повысить высокой производительности.
В 10-м поколении ожидается дальнейший рост емкости, скорости и оптимизация потребления энергопотребления, чтобы соответствовать растущим требованиям ИИ-ЦОД и компаний, разрабатывающих ИИ.
CBA – это CMOS under Array, в контексте памяти NAND flash – это подход, когда управляющие логические схемы (контролллеры, декодеры, драйверы) располагают под массивом ячеек памяти, а не рядом с ними, как раньше.
@RUSmicro по материалам MinNews
#флэш #память #слои #NAND