🇯🇵 NAND flash память. Рекорды. Япония
4.7 Гбит/с, 332 слоя – Kioxia и SanDisk совместно представили новое решение 3D NAND флэш памяти
Это решение для применения в ИИ-моделях, которое компании представили на академической конференции 2025 IEEE ISSCC. Важно не только рекордное число слоев – 332, но и рекордная для NAND flash скорость работы интерфейса – до 4.8 Гбит/с.
Решение основывается на использовании стандарта Toggle DDR6.0 и протокола SCA. Заявляемая скорость 4.8 Гбит/c на 33% выше, чем у продуктов «8-го поколения».
Мало того, данное решение отличается сниженным энергопотреблением. За счет применения технологии PI-LTT достигается сокращение энергопотребления при вводе данных на 10% и при считывании – на 34%.
Плотность хранения данных в новинке за счет 332 слоев и оптимизированной раскладки ячеек выросла на 59%.
Kioxia и SanDisk продолжат работу над 9-м и 10-м поколением 3D-flash памяти.
9-е поколение опирается на технологию CBA и будет использовать новую CMOS технологию, чтобы повысить высокой производительности.
В 10-м поколении ожидается дальнейший рост емкости, скорости и оптимизация потребления энергопотребления, чтобы соответствовать растущим требованиям ИИ-ЦОД и компаний, разрабатывающих ИИ.
CBA – это CMOS under Array, в контексте памяти NAND flash – это подход, когда управляющие логические схемы (контролллеры, декодеры, драйверы) располагают под массивом ячеек памяти, а не рядом с ними, как раньше.
@RUSmicro по материалам MinNews
#флэш #память #слои #NAND
4.7 Гбит/с, 332 слоя – Kioxia и SanDisk совместно представили новое решение 3D NAND флэш памяти
Это решение для применения в ИИ-моделях, которое компании представили на академической конференции 2025 IEEE ISSCC. Важно не только рекордное число слоев – 332, но и рекордная для NAND flash скорость работы интерфейса – до 4.8 Гбит/с.
Решение основывается на использовании стандарта Toggle DDR6.0 и протокола SCA. Заявляемая скорость 4.8 Гбит/c на 33% выше, чем у продуктов «8-го поколения».
Мало того, данное решение отличается сниженным энергопотреблением. За счет применения технологии PI-LTT достигается сокращение энергопотребления при вводе данных на 10% и при считывании – на 34%.
Плотность хранения данных в новинке за счет 332 слоев и оптимизированной раскладки ячеек выросла на 59%.
Kioxia и SanDisk продолжат работу над 9-м и 10-м поколением 3D-flash памяти.
9-е поколение опирается на технологию CBA и будет использовать новую CMOS технологию, чтобы повысить высокой производительности.
В 10-м поколении ожидается дальнейший рост емкости, скорости и оптимизация потребления энергопотребления, чтобы соответствовать растущим требованиям ИИ-ЦОД и компаний, разрабатывающих ИИ.
CBA – это CMOS under Array, в контексте памяти NAND flash – это подход, когда управляющие логические схемы (контролллеры, декодеры, драйверы) располагают под массивом ячеек памяти, а не рядом с ними, как раньше.
@RUSmicro по материалам MinNews
#флэш #память #слои #NAND