🇰🇷 Память. HBM. Корея
SK Hynix представила 16-слойную HBM3E на 48 ГБ
В новых стеках – 16 расположенных стопкой кристаллов DRAM по 3 ГБ каждый. Заявляется, что это обеспечивает повышение производительности на 18% в процессах обучения моделей ИИ и до 32% при обработке данных, проценты даны в сравнении с 12-кристальными конструкциями, представленными в конце сентября 2024 года.
Такие микросхемы позволяют ускорителям использовать до 384 ГБ памяти в конфигурации из 8 микросхем.
Для серийного производства HBM3E 16i будет использоваться технология Advanced MR-MUF, которая уже себя неплохо показала в производстве HBM3E 12i, - эти микросхемы будут поставляться AMD (MI325X) и Nvidia (Blackwell Ultra).
SK Hynix в который уже раз опережает конкурентов – Samsung и Micron, у которых пока нет таких решений. Тестовые образцы 16-слойной памяти будут готовы к началу 2025 года.
Возможно, им уготована недолгая жизнь, в ускорителях Nvidia Rubin, производство которых готовится с конца 2025 года, планируется задействовать HBM4. В этих микросхемах ширина канала вырастет с 1024 до 2048, что позволит поддерживать до 16 вертикально расположенных модулей емкостью уже в 4 ГБ. Тестирование HBM4 тот же Samsung должен завершить в конце 2024 года, а в SK Hynix, по слухам, это уже сделано в октябре. В AMD и Nvidia рассчитывают увидеть сэмплы HBM4 в 1q2024 / 2q2024.
Параллельно в SK Hynix работают над SSD PCie 6.0, высокопроизводительными накопителями QLC для ИИ-серверов и UFC 5.0 для мобильных устройств.
Для ноутбуков будущего в SK Hynix разрабатывают модуль LPCAMM2 и память LPDDR5/6 с использованием узлов 1нм.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#HBM #HBM3E
SK Hynix представила 16-слойную HBM3E на 48 ГБ
В новых стеках – 16 расположенных стопкой кристаллов DRAM по 3 ГБ каждый. Заявляется, что это обеспечивает повышение производительности на 18% в процессах обучения моделей ИИ и до 32% при обработке данных, проценты даны в сравнении с 12-кристальными конструкциями, представленными в конце сентября 2024 года.
Такие микросхемы позволяют ускорителям использовать до 384 ГБ памяти в конфигурации из 8 микросхем.
Для серийного производства HBM3E 16i будет использоваться технология Advanced MR-MUF, которая уже себя неплохо показала в производстве HBM3E 12i, - эти микросхемы будут поставляться AMD (MI325X) и Nvidia (Blackwell Ultra).
SK Hynix в который уже раз опережает конкурентов – Samsung и Micron, у которых пока нет таких решений. Тестовые образцы 16-слойной памяти будут готовы к началу 2025 года.
Возможно, им уготована недолгая жизнь, в ускорителях Nvidia Rubin, производство которых готовится с конца 2025 года, планируется задействовать HBM4. В этих микросхемах ширина канала вырастет с 1024 до 2048, что позволит поддерживать до 16 вертикально расположенных модулей емкостью уже в 4 ГБ. Тестирование HBM4 тот же Samsung должен завершить в конце 2024 года, а в SK Hynix, по слухам, это уже сделано в октябре. В AMD и Nvidia рассчитывают увидеть сэмплы HBM4 в 1q2024 / 2q2024.
Параллельно в SK Hynix работают над SSD PCie 6.0, высокопроизводительными накопителями QLC для ИИ-серверов и UFC 5.0 для мобильных устройств.
Для ноутбуков будущего в SK Hynix разрабатывают модуль LPCAMM2 и память LPDDR5/6 с использованием узлов 1нм.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#HBM #HBM3E
Tom's Hardware
SK hynix announces the world's first 48GB 16-Hi HBM3E memory — Next-gen PCIe 6.0 SSDs and UFS 5.0 storage are also in the works
SK hynix touts a 32% performance increment in inference vs its 12-Hi offerings.
👌1