🇺🇸 Производители микросхем. GaN

Завод GlobalFoundries в Вермонте получит финансирование в размере $30 млн

GlobalFoundries сегодня объявила о получении федерального финансирования на сумму $30 млн для продвижения разработки и производства полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) на предприятии GlobalFoundries в Эссекс-Джанкшн, штат Вермонт.

Это финансирование позволит GlobalFoundries расширить разработку чипов и производство пластин GaN 200 мм. И, возможно, занять лидерские позиции на рынке полупроводниковых устройств на базе GaN.

Сегодня на предприятии в Эсскекс-Джанкшн работает около 2000 сотрудников GlobalFoundries, производственная мощность составляет более 600 тысяч пластин в год. Фабрика является доверенным производителем микросхем и производит безопасные микросхемы в сотрудничестве с Департаментом США.

#микроэлектроника #GaN #господдержка

🇨🇳 GaN. Пластины

Число производителей пластин GaN растет

Компания HG Semiconductor сообщила о начале производства 6-дюймовых эпитаксиальных пластин из нитрида галлия (GaN). Компания также планирует начать пилотное производство чипов на этих пластинах в 2q2023, а массовое производство - к началу 2024 года. У группы есть договоренности о сотрудничестве с GCL Technology Holdings Limited, которая интересуется возможностью применения чипов GaN в энергетическом секторе.

Объем рынка эпитаксиальных полупроводниковых пластин GaN достиг $420 млн в 2021 году и, по прогнозам, достигнет $1,5 млрд к 2028 году, что соответствует среднегодовым темпам роста в 21,2%.

Источник: marketscreener.com

#полупроводники #микроэлектроника #пластины #GaN

🇨🇳 GaN. Силовые приборы. Производители

Innoscience - ставка на расширение выпуска силовых устройств на базе технологии GaN сработала

Innoscience Technology, известная своей активностью в области создания экосистемы, основанной на высокопроизводительных и недорогих силовых полупроводников на основе нитрида галлия на кремнии (GaN-на-Si), в 2019 году запустила массовое производство на пластинах 8 дюймов. Бурный рост использования силовых устройств GaN подтверждает правильность ставки компании на расширение бизнеса, а также то, что GaN - одна из предпочтительных технологий в приложениях для преобразования и распределения энергии.

В 2022 году компания активно создавала и развивала местные службы поддержки клиентов в США, Европе и Южной Корее. Ранее были созданы команды на Тайване и в Японии.

В 2022 году компания отгрузила свое 100-млн устройство, что по мнению компании, иллюстрирует качество и надежность устройств GaN Innoscience Technology.

В 2022 году Innoscience также представила несколько семейств устройств, в том числе Bi-GaN, первые в мире двунаправленные GaN HEMT, которые можно использовать в смартфонах для экономии места, повышения эффективности и снижения нагрева, а также в устройствах для быстрой зарядки смартфонов и планшетов. Компания предлагает обширный набор компонентов на диапазон рабочих напряжений 30-150 В и 650 В, включая приборы GaN HEMT с низким сопротивлением 80 мОм (мини Ом) RDS(on) 650В в стандартных корпусах, доступные в больших объемах.

источник: wnie.online

#GaN #HEMT #InnoscienceTechnology

🇺🇸 Силовая электроника. GaN-приборы

Odyssey Semiconductor Technologies объявляет о начале семплирования образцов GaN приборов с вертикальной архитектурой на напряжения 650В и 1200В

В 1q2023 будет проводиться сэмплирование. Соглашения с клиентами о разработке и производстве для них продуктов GaN планируется заключать ближе к концу 2q2023.

В ходе сэмплирования своих GaN продуктов американская компания надеется собрать отзывы об их характеристиках, что позволят дополнительно улучшить разработку. Готовность к сэмплированию укрепляет позиции Odyssey как одного из технологических лидеров в области вертикальных GaN для применений в силовой электроники.

Компания уверена, что принимает участие в быстро развивающемся тренде выпуска приборов, способных работать со все более высокими напряжениями. Переход к вертикальным структурам GaN обещает компании коммерческие преимущества перед теми, кто выпускает силовые приборы на основе кремния, карбида кремния или латеральных структур GaN. В частности, компания говорит, что вертикальная структура GaN обеспечивает 10-кратное преимущество относительно SiC, включая производительность и стоимость, недостижимые для производителей, использующих другие технологии.

Компания ориентируется на большой и растущий рынок. Сегмент 650В на сегодня это более крупный рынок, чем сегмент 1200В, кроме того ожидается продолжение роста рынка 650В среднегодовым темпом 20%. Вместе с тем, рынок приборов 1200В будет расти быстрее - на 63% в среднем в год, что сделает его крупнейшим во второй половине двадцатых годов.

Ожидается, что в совокупности рынок силовых устройств 650В и 1200В превысит $5 млрд в 2027 году, что эквивалентно совокупному среднегодовому темпу роста в 40%. Оценками делится Yole Group, исследовательская компания из Франции.

#GaN #силоваяэлектроника #полупроводниковыеприборы

🇺🇸 GaN

Navitas Semiconductor представила свои разработки на основе GaN на CES-2023

Основанная в 2013 году американская компания Navitas Semiconductor - известный участник рынка силовых полупроводников на основе GaN. В январе компания показала свои изделия на CES2023 в Лас-Вегасе. Это различные устройства, от зарядников для смартфонов мощностью 20 Вт и до источников питания для ЦОД мощностью 2 кВт, а также зарядные устройства для электромобилей мощностью 20 кВт и продукты мегаваттного масштаба. Сейчас в компании работает порядка 200 человек, примерно половина базируется в США, остальные - в различных частях Азии и в Европе.

Выставка CES2023 стала хорошей площадкой для того, чтобы оценить прогресс в разработке полупроводников на основе GaN. До недавних пор, одной из проблем в развитии этого направления была нехватка высокопроизводительных схем для быстрого и экономичного управления GaN-транзисторами. В Navitas пошли путем монолитной интеграции логических схем на основе GaN и силовых полевых транзисторов на основе GaN. Такой подход обеспечивает возможность высокочастотного преобразования энергии, что позволяет снизить размер пассивных элементов, таких как трансформаторы, фильтры электромагнитных помех и выходные конденсаторы. Стало возможным создавать интегрированные решения, позволяющие ускорить зарядку втрое при вдвое меньшем размере и весе зарядного устройства, если сравнивать с устройствами на базе кремниевой технологии.

GaN - отличный материал для создания быстродействующих и энергоэффективных полупроводников, но у транзисторов на его основе есть неприятная особенность - если приложить к затвору слишком высокое напряжение, то прибор выйдет из строя. Раньше для решения этой проблемы вокруг выстраивали систему защиты, а это сводило к минимуму преимущества технологии. Интеграция GaN-переключателя, GaN-драйвера, GaN-регулятора и GaN-диода, защищающего от статики и некоторые другие меры приводят к созданию мощной и надежной GaN микросхемы.

Еще одна проблема связана с температурой. Внутреннее сопротивление изделий из GaN намного ниже, чем у кремниевых, что позволяет создавать приборы намного меньшего размера. Но когда чип меньше по площади, с него намного сложнее удалить излишки тепла. Это требуется предусмотреть при разработке, поэтому в Navitas решили использовать стандартный размер корпуса QFN (Quad Flat No-leads package - планарные корпуса квадратной формы с выводами под корпусом). Пластины для своих изделий Navitas Semiconductor заказывает в TSMC, а корпусированием занимается Amkor.

В целом далеко не все разработчики умеют работать с особенностями GaN, поскольку те, кто разрабатывает системы питания, привыкли работать с частотами 50 кГц, а не 2 МГц, как приборы GaN. В Navitas умеют.

👉 Больше информации на тему GaN

#GaN #Navitas

🇯🇵 Производство силовой электроники. GaN. Япония

Texas Instruments объявила о начале производства силовых полупроводников на основе GaN на своем заводе в Айдзу, Япония

Это в 4 раза нарастило производственные мощности американской компании, считая ее завод в Далласе, Техас, США.

В Японии предприятие TI работает с пластинами GaN 200 мм. Выпущенные на предприятии полупроводники будут использоваться в собственных высоковольтных изделиях американской компании.

Компания TI отмечает рыночный рост на решения на основе GaN, поскольку клиенты компании стремятся снизить энергопотребление и повысить энергоэффективность.

В TI работают над повышением напряжений от текущего уровня в 900В, соответствующие изделия востребованы в робототехнике и системах возобновляемой энергии.

Компания планирует переходить к использованию пластин GaN 300 мм по мере роста спроса на свою продукцию.

@RUSmicro по материалам TI

#GaN

🇷🇺 Производственное оборудование. Эпитаксия. GaN-on-Si

Об этом сообщают Известия. Разработкой установки для эпитаксии занимались ученые и инженеры АО НИИТМ (ГК Элемент), НТЦ микроэлектроники РАН, Петербург и ООО Софт-Импакт.

Участники проекта уверены, что российская установка по совокупности параметров опережает зарубежное аналогичное оборудование производства Aixtron, Германия, или Veeco, США. В частности, требуется меньше исходных высокочистых материалов (в основном, газов), а оснастка сможет использоваться дольше без снижения показателей изделий.

Основное преимущество разработки – это отечественная продукция, доступ к ней не перекроют санкции, а российский производитель не оставит российских покупателей без обслуживания.

Технология GaN-on-Si это одно из нескольких направлений в микроэлектронике, считающихся перспективными. За счет широкозонности нитрида галлия, приборы этого типа применяют в силовой электронике (транзисторы HEMT, ИС, диоды Шоттки) и в СВЧ-радио электронике – радарах, спутниковой и мобильной связи и т.п. Рынок изделий на основе этого материала пока что только формируется, но в России им занимаются все более активно, есть необходимая экспертиза, подкрепленная финансами, включая госсубсидии. Если будут отечественные компоненты, то можно надеяться на то, что начнется и разработка под них, появятся отечественная электроника на базе этой технологии.

В целом в РФ в рамках запланированных ОКР в 2025-2026 году планируется разработать 8 различных установок для эпитаксии. Кроме НИИТМ, темой занимаются, например, в АО НТО (под соединения A3B5).

Расчетная производственная мощность разработанной НИИТМ установки для эпитаксии – до 2 тысяч пластин 200 мм в год (6 пластин в сутки). Скромно, но в России пока что рынок GaN-устройств только формируется. Серийное производство установки ожидается с 2025 года.

@RUSmicro, по ссылке, в Известиях, есть несколько фото, но по ним трудно составить впечатление об установке.

#производственноеоборудование #эпитаксия #GaN