🇷🇺 Наука. Микроэлектроника. Финансирование разработок
Деньги на исследования есть, но...
Генеральный директор Российского научного фонда, выступая перед академиками 27 декабря, сообщил, что, согласно утвержденной программе деятельности фонда на 2023-2025 годы, правительством планируется выделить на научные исследования 122,6 млрд рублей (40,2 млрд – на 2023 год, 39,7 – на 2024 и 42,7 – на 2025 год). Об этом заседании рассказал "Московский комсомолец".
В 2023 году РНФ становится не только фондом оказания поддержки проектов в фундаментальной сфере научной деятельности, но и наделяется правом такой же поддержки в области опытно-конструкторских работ (или ОКРов).
Кроме того, в фонде формируется научно-технический совет (НТС) "для нужд микроэлектроники" (и пока только под нее). Жаль, что реальных денег под нее не выделено.
"В принципе, денежный ресурс у правительства есть, он большой, но исполнители отказываются от него", - руководитель Российского научного фонда. "Мы обошли предприятия микроэлектроники, их не так много, они базируются в четырех местах. Но реализация работы связана с теми механизмами, которые традиционно использовал Минпромторг — это субсидии, возвратные субсидии..."
Старая песня о главном - ученым предлагается взять на себя обязательства по выполнению ОКР с большим денежным ресурсом в конкретные сроки и без научно-исследовательского этапа. Сказать, что это "рискованно" - это очень мягко.
В РНФ это понимают и вроде как собираются разрешить перед ОКРами проводить что-то вроде НИРов на которые будут выделяться отдельные гранты на 1-2 года. И вот за эти НИРы за недостижение результата "карать" деньгами не будут. А вот с ОКРами менять ничего не предполагается.
#микроэлектроника #разработки #финансированиеразработок
Деньги на исследования есть, но...
Генеральный директор Российского научного фонда, выступая перед академиками 27 декабря, сообщил, что, согласно утвержденной программе деятельности фонда на 2023-2025 годы, правительством планируется выделить на научные исследования 122,6 млрд рублей (40,2 млрд – на 2023 год, 39,7 – на 2024 и 42,7 – на 2025 год). Об этом заседании рассказал "Московский комсомолец".
В 2023 году РНФ становится не только фондом оказания поддержки проектов в фундаментальной сфере научной деятельности, но и наделяется правом такой же поддержки в области опытно-конструкторских работ (или ОКРов).
Кроме того, в фонде формируется научно-технический совет (НТС) "для нужд микроэлектроники" (и пока только под нее). Жаль, что реальных денег под нее не выделено.
"В принципе, денежный ресурс у правительства есть, он большой, но исполнители отказываются от него", - руководитель Российского научного фонда. "Мы обошли предприятия микроэлектроники, их не так много, они базируются в четырех местах. Но реализация работы связана с теми механизмами, которые традиционно использовал Минпромторг — это субсидии, возвратные субсидии..."
Старая песня о главном - ученым предлагается взять на себя обязательства по выполнению ОКР с большим денежным ресурсом в конкретные сроки и без научно-исследовательского этапа. Сказать, что это "рискованно" - это очень мягко.
В РНФ это понимают и вроде как собираются разрешить перед ОКРами проводить что-то вроде НИРов на которые будут выделяться отдельные гранты на 1-2 года. И вот за эти НИРы за недостижение результата "карать" деньгами не будут. А вот с ОКРами менять ничего не предполагается.
#микроэлектроника #разработки #финансированиеразработок
www.mk.ru
Чиновник и академики обнаружили лишние 135 миллиардов грантовых денег
Небольшая словесная пикировка произошла в минувший вторник между руководителем Российского научного фонда Александром Хлуновым и президентом Российской академии наук Геннадием Красниковым на заседании Президиума РАН. Недопонимание проявилось после вопроса…
🔬 Наука. SiC
ИПМаш РАН научился изготавливать пластины из SiC
Об освоении технологии производства пластин из карбида кремния для полупроводникового производства сообщили специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН.
За рубежом SiC-пластины массово выпускают уже сравнительно давно, но, как утверждают специалисты ИПМаш, основной способ - выращивание пленки карбида кремния на кремниевых пластинах. Проблема этого метода - несовпадение кристаллических структур пленки и пластины, что зачастую ведет к растрескиванию структуры.
Российские ученые придумали способ, позволяющий избежать проблемы растрескивания, они последовательно заменяют ряд атомов кремния атомами углерода внутри исходного кристалла, не разрушая кристаллическую структуру, используя для этого угарный газ. В итоге стоимость получения пластин SiC почти в 10 раз меньше, чем у зарубежных (в условиях лабораторного производства).
Красивая история, но совершенно не ясно, найдутся ли в России желающие попробовать поставить промышленное производство новой технологии. А если найдутся, то когда дело дойдет до серийного производства.
#SiC #наука #разработки #карбидкремния
ИПМаш РАН научился изготавливать пластины из SiC
Об освоении технологии производства пластин из карбида кремния для полупроводникового производства сообщили специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН.
За рубежом SiC-пластины массово выпускают уже сравнительно давно, но, как утверждают специалисты ИПМаш, основной способ - выращивание пленки карбида кремния на кремниевых пластинах. Проблема этого метода - несовпадение кристаллических структур пленки и пластины, что зачастую ведет к растрескиванию структуры.
Российские ученые придумали способ, позволяющий избежать проблемы растрескивания, они последовательно заменяют ряд атомов кремния атомами углерода внутри исходного кристалла, не разрушая кристаллическую структуру, используя для этого угарный газ. В итоге стоимость получения пластин SiC почти в 10 раз меньше, чем у зарубежных (в условиях лабораторного производства).
Красивая история, но совершенно не ясно, найдутся ли в России желающие попробовать поставить промышленное производство новой технологии. А если найдутся, то когда дело дойдет до серийного производства.
#SiC #наука #разработки #карбидкремния
ТАСС
Ученые ИПМаш РАН первыми в России научились изготавливать пластины из карбида кремния
В институте отметили, что приборы на основе этого материала смогут работать почти при 300 градусах Цельсия, а также использоваться на ядерных станциях и в космосе
🇮🇳 Разработки. Защита микрочипов от статики
Samsung Semiconductor India Research и Индийский институт науки договорились о совместных разработках
Очередной пример тренда на интеграцию Индии в мировую микроэлектронику - на этот раз по части разработки.
Расположенная в Бангалоре дочерняя структура Samsung - SSIR и IISc договорились о совместных усилиях в области исследований и разработок технологий защиты от электростатических разрядов (ESD) на кристалле.
Партнеры намерены создавать решений защиты сверхскоростных последовательных интерфейсов в передовых интегральных схемах и системах на кристалле. Решения, которые будут разработаны планируется использовать в современных чипах Samsung.
Исследования в области ESD - это одно и важных направлений разработки современных полупроводников, но в мире не так много исследовательских организаций, которые занимаются этой темой. Индийский IISc - один из таких институтов.
#ESD #разработки #Индия #микроэлектроника #защитаотстатики
Samsung Semiconductor India Research и Индийский институт науки договорились о совместных разработках
Очередной пример тренда на интеграцию Индии в мировую микроэлектронику - на этот раз по части разработки.
Расположенная в Бангалоре дочерняя структура Samsung - SSIR и IISc договорились о совместных усилиях в области исследований и разработок технологий защиты от электростатических разрядов (ESD) на кристалле.
Партнеры намерены создавать решений защиты сверхскоростных последовательных интерфейсов в передовых интегральных схемах и системах на кристалле. Решения, которые будут разработаны планируется использовать в современных чипах Samsung.
Исследования в области ESD - это одно и важных направлений разработки современных полупроводников, но в мире не так много исследовательских организаций, которые занимаются этой темой. Индийский IISc - один из таких институтов.
#ESD #разработки #Индия #микроэлектроника #защитаотстатики
The Times of India
Samsung Semiconductor India Research and Indian Institute of Science partner to boost semiconductor R&D - Times of India
India Business News: CHENNAI: Samsung Semiconductor India Research (SSIR) has partnered with the Indian Institute of Science (IISc) to promote research and development in .