🇷🇺 Технологии
В Санкт-Петербургском политехе разработали технологию изготовления солнечных панелей и кремниевых наноигл
Внедрение технологии обещает удешевление на треть производства солнечных панелей, а также улучшение их характеристик. Особенность установки - она "почти полностью" состоит из отечественных компонентов. Кремниевые наноструктуры в установке формируются с помощью. наносферной литографии и плазмохимического травления.
Еще одно возможное применение технологии - изготовление кремниевых наноигл, которые могут использоваться в качестве холодных катодах в электровакуумных приборах.
"Суть технологии санкт-петербургских ученых можно представить следующим образом. Изначально методом центрифугирования формируется массив из наносфер, который является защитным покрытием для последующего процесса плазмохимического травления. Наносферы представляют собой шарики, изготовленные из полистирола с размерами в нанометровом диапазоне. После процесса нанесения наносфер образец размещается в реакторе установки плазмохимического травления, где контролируемо уменьшается диаметр сфер, проводится процесс плазмохимического травления кремния и удаление сфер."
"Классическим подходом для создания солнечных элементов является планарная технология, где в качестве основы солнечного элемента используют полированные кремниевые пластины. Основой солнечного элемента команды из СПбПУ является кремниевая пластина с созданным на ней рельефом."
«В наших исследованиях мы используем монокристаллический кремний, — поясняет Артем Осипов. — С помощью воздействия плазмы удаляем лишний материал, который не защищен полистирольными наносферами. В результате на поверхности подложки образуется рельеф, выглядящий как массив цилиндров, усеченных конусов или конусов, в зависимости от параметров плазмы, которые можно регулировать и подконтрольно создавать структуры различной формы».
Созданный рельеф повышает коэффициент поглощения света, так как солнечные лучи попадают в ловушку между столбиками. Такие вертикальные наностолбики более эффективно поглощают рассеянный свет, поэтому панели на их основе работают даже в пасмурную погоду.
Подробнее stimul.online
#микроэлектроника #технологии
В Санкт-Петербургском политехе разработали технологию изготовления солнечных панелей и кремниевых наноигл
Внедрение технологии обещает удешевление на треть производства солнечных панелей, а также улучшение их характеристик. Особенность установки - она "почти полностью" состоит из отечественных компонентов. Кремниевые наноструктуры в установке формируются с помощью. наносферной литографии и плазмохимического травления.
Еще одно возможное применение технологии - изготовление кремниевых наноигл, которые могут использоваться в качестве холодных катодах в электровакуумных приборах.
"Суть технологии санкт-петербургских ученых можно представить следующим образом. Изначально методом центрифугирования формируется массив из наносфер, который является защитным покрытием для последующего процесса плазмохимического травления. Наносферы представляют собой шарики, изготовленные из полистирола с размерами в нанометровом диапазоне. После процесса нанесения наносфер образец размещается в реакторе установки плазмохимического травления, где контролируемо уменьшается диаметр сфер, проводится процесс плазмохимического травления кремния и удаление сфер."
"Классическим подходом для создания солнечных элементов является планарная технология, где в качестве основы солнечного элемента используют полированные кремниевые пластины. Основой солнечного элемента команды из СПбПУ является кремниевая пластина с созданным на ней рельефом."
«В наших исследованиях мы используем монокристаллический кремний, — поясняет Артем Осипов. — С помощью воздействия плазмы удаляем лишний материал, который не защищен полистирольными наносферами. В результате на поверхности подложки образуется рельеф, выглядящий как массив цилиндров, усеченных конусов или конусов, в зависимости от параметров плазмы, которые можно регулировать и подконтрольно создавать структуры различной формы».
Созданный рельеф повышает коэффициент поглощения света, так как солнечные лучи попадают в ловушку между столбиками. Такие вертикальные наностолбики более эффективно поглощают рассеянный свет, поэтому панели на их основе работают даже в пасмурную погоду.
Подробнее stimul.online
#микроэлектроника #технологии
VK
Чипы и чиплеты
🇷🇺 Технологии
В Санкт-Петербургском политехе разработали технологию изготовления солнечных панелей и кремниевых наноигл
Внедрение технологии обещает удешевление на треть производства солнечных панелей, а также улучшение их характеристик. Особенность установки…
В Санкт-Петербургском политехе разработали технологию изготовления солнечных панелей и кремниевых наноигл
Внедрение технологии обещает удешевление на треть производства солнечных панелей, а также улучшение их характеристик. Особенность установки…
(2)
На картинке ниже приведен 10-летний прогноз доходов от памяти, который показывает годовой доход, как от встроенных, так и от автономных новых модулей памяти. Использована полулогарифмическая шкала, поскольку сегодня соответствующие показатели для MRAM очень малы.
На диаграмме показан MRAM, но пока что рано говорить о том, какая технология выиграет гонку. Ясно только то, что это будет один новый вид памяти, а другие и далее останутся нишевыми.
В то время как доходы от флэш-памяти NAND и DRAM растут очень скромно, благодаря зрелости этих технологий, кривая MRAM как ожидается вырастет на 66% до $44 млрд к концу прогнозируемого периода в 2032 году. Отметим, что кривая агрегирует доходы от дискретной и встроенной памяти MRAM.
Ключевым фактором успеха будет экономия за счет масштаба. Наиболее важный фактор, обеспечивающий успех той или иной технологии памяти - это стоимость, а ее можно снизить только за счет оптимизации двух факторов: технологии обработки и необходимого объема пластины.
Экономия за счет масштабы учитывает пластины со встроенной памятью в уравнении объема. Крупносерийное производство пластин SoC или микроконтроллеров, включающих встроенную MRAM, скажется и на снижении стоимости производства дискретной MRAM.
Таким образом, в течение следующего десятилетия можно ожидать быстрый рост проникновения нового вида памяти, как во встроенной его форме, так и в виде дискретных микросхем, вплоть до конкурентного по объемам продаж уровня на котором сегодня находятся привычные нам технологии памяти.
#микроэлектроника #технологии
На картинке ниже приведен 10-летний прогноз доходов от памяти, который показывает годовой доход, как от встроенных, так и от автономных новых модулей памяти. Использована полулогарифмическая шкала, поскольку сегодня соответствующие показатели для MRAM очень малы.
На диаграмме показан MRAM, но пока что рано говорить о том, какая технология выиграет гонку. Ясно только то, что это будет один новый вид памяти, а другие и далее останутся нишевыми.
В то время как доходы от флэш-памяти NAND и DRAM растут очень скромно, благодаря зрелости этих технологий, кривая MRAM как ожидается вырастет на 66% до $44 млрд к концу прогнозируемого периода в 2032 году. Отметим, что кривая агрегирует доходы от дискретной и встроенной памяти MRAM.
Ключевым фактором успеха будет экономия за счет масштаба. Наиболее важный фактор, обеспечивающий успех той или иной технологии памяти - это стоимость, а ее можно снизить только за счет оптимизации двух факторов: технологии обработки и необходимого объема пластины.
Экономия за счет масштабы учитывает пластины со встроенной памятью в уравнении объема. Крупносерийное производство пластин SoC или микроконтроллеров, включающих встроенную MRAM, скажется и на снижении стоимости производства дискретной MRAM.
Таким образом, в течение следующего десятилетия можно ожидать быстрый рост проникновения нового вида памяти, как во встроенной его форме, так и в виде дискретных микросхем, вплоть до конкурентного по объемам продаж уровня на котором сегодня находятся привычные нам технологии памяти.
#микроэлектроника #технологии
🇷🇺 Химия
В Воронеже собираются создать электролиты для осаждения меди и никеля
Этим намерены заниматься в Воронежском госуниверситете (ВГУ) во вновь создаваемой лаборатории по микроэлектронике. Лаборатория создается с финансовой поддержкой Минобрнауки - 17 млн руб. в год. Проект поддержан также АО "НИИМЭ", АО "НИИЭТ", АО ВЗПП Микрон.
Ученые обещают ориентироваться на достижение практически важных результатов для развития отечественной микроэлектроники.
Подробнее: tass.ru
#новостиизбудущего #наука #химия #технологии
В Воронеже собираются создать электролиты для осаждения меди и никеля
Этим намерены заниматься в Воронежском госуниверситете (ВГУ) во вновь создаваемой лаборатории по микроэлектронике. Лаборатория создается с финансовой поддержкой Минобрнауки - 17 млн руб. в год. Проект поддержан также АО "НИИМЭ", АО "НИИЭТ", АО ВЗПП Микрон.
Ученые обещают ориентироваться на достижение практически важных результатов для развития отечественной микроэлектроники.
Подробнее: tass.ru
#новостиизбудущего #наука #химия #технологии
🔬 Память. MRAM
Как улучшить MRAM?
В статье "Субвольтовое переключение наноразмерных управляемых напряжением перпендикулярных магнитных туннельных переходов", опубликованной 14 ноября в журнале Communications Materials, Педрам Халили из Northwestern Engineering рассматривает две области, в которых разработчики сталкиваются с серьезными проблемами: плотность (бит на единицу площади) и энергия (энергия на операцию).
Ключевая новая технология, которая может дать возможность технологического развития, это магнитная память с произвольным доступом (MRAM), которая сочетает скорость, долговечность и энергонезависимость, что делает ее привлекательной альтернативой для существующей и других видов появляющейся памяти.
Группа Халили активно занимается разработкой материалов и устройств для создания MRAM. Один из подходов к созданию MRAM - это память, управляемая электрическими токами. Разработчики памяти на этом принципе сталкиваются двумя ограничениями - насколько малой может быть энергия на операцию и насколько близко друг к другу можно разместить ячейки, при том, что окружающие транзисторы должны быть достаточно большими, чтобы обеспечить необходимую силу тока.
Халили и его команда разработали альтернативную технологию MRAM (VCM), которая не использует электрические токи для переключения состояния ячеек магнитной памяти.
Эта технология позволяет масштабировать MRAM до гораздо более высокой плотности, что сейчас и требуется от устройств твердотельной памяти. Разработка VCM еще не завершена. Пока что проблемой является то, что экспериментальным устройствам MRAM VCM для переключения нужно около 2 В или более, что считается слишком большим показателем, поскольку современные микросхемы работают с напряжением менее 1 В.
Команда Халили разработала новую структуру материала для MRAM VCM с более высокой чувствительностью магнитных свойств к приложенному напряжению, что позволяет переключать состояния ячеек при меньшем напряжении, чем ранее. Важно отметить, что эта структура одновременно обладает другими важными атрибутами запоминающего устройства, включая высокий коэффициент включения/выключения (коэффициент туннельного магнитного сопротивления - TMR), и способностью выдерживать высокие температуры обработки.
В результате ученым удалось показать переключение VCM напряжением менее 1 В. Кроме того, была возможность организовать сравнительно плотную структуру VCM с размером 30 нм.
Это открывает дорогу к попыткам коммерческого внедрения технологии MRAM для создания элементов современной памяти. Кроме того, из-за высокой чувствительности магнитных свойств к приложенном напряжению, новая структура может быть использована в различных магнитных наноустройствах, например, в датчиках магнитного поля, в микроволновых детекторах, устройствах сбора энергии в сверхмаломощных системах.
#микроэлектроника #полупроводники #устройствапамяти #MRAM #память #технологии
Как улучшить MRAM?
В статье "Субвольтовое переключение наноразмерных управляемых напряжением перпендикулярных магнитных туннельных переходов", опубликованной 14 ноября в журнале Communications Materials, Педрам Халили из Northwestern Engineering рассматривает две области, в которых разработчики сталкиваются с серьезными проблемами: плотность (бит на единицу площади) и энергия (энергия на операцию).
Ключевая новая технология, которая может дать возможность технологического развития, это магнитная память с произвольным доступом (MRAM), которая сочетает скорость, долговечность и энергонезависимость, что делает ее привлекательной альтернативой для существующей и других видов появляющейся памяти.
Группа Халили активно занимается разработкой материалов и устройств для создания MRAM. Один из подходов к созданию MRAM - это память, управляемая электрическими токами. Разработчики памяти на этом принципе сталкиваются двумя ограничениями - насколько малой может быть энергия на операцию и насколько близко друг к другу можно разместить ячейки, при том, что окружающие транзисторы должны быть достаточно большими, чтобы обеспечить необходимую силу тока.
Халили и его команда разработали альтернативную технологию MRAM (VCM), которая не использует электрические токи для переключения состояния ячеек магнитной памяти.
Эта технология позволяет масштабировать MRAM до гораздо более высокой плотности, что сейчас и требуется от устройств твердотельной памяти. Разработка VCM еще не завершена. Пока что проблемой является то, что экспериментальным устройствам MRAM VCM для переключения нужно около 2 В или более, что считается слишком большим показателем, поскольку современные микросхемы работают с напряжением менее 1 В.
Команда Халили разработала новую структуру материала для MRAM VCM с более высокой чувствительностью магнитных свойств к приложенному напряжению, что позволяет переключать состояния ячеек при меньшем напряжении, чем ранее. Важно отметить, что эта структура одновременно обладает другими важными атрибутами запоминающего устройства, включая высокий коэффициент включения/выключения (коэффициент туннельного магнитного сопротивления - TMR), и способностью выдерживать высокие температуры обработки.
В результате ученым удалось показать переключение VCM напряжением менее 1 В. Кроме того, была возможность организовать сравнительно плотную структуру VCM с размером 30 нм.
Это открывает дорогу к попыткам коммерческого внедрения технологии MRAM для создания элементов современной памяти. Кроме того, из-за высокой чувствительности магнитных свойств к приложенном напряжению, новая структура может быть использована в различных магнитных наноустройствах, например, в датчиках магнитного поля, в микроволновых детекторах, устройствах сбора энергии в сверхмаломощных системах.
#микроэлектроника #полупроводники #устройствапамяти #MRAM #память #технологии
🇨🇳 Чипы памяти. 3D NAND
YMTC представила чипы 3D NAND с более чем 200 слоями
Об этом сообщает TechInsights. Таким образом, следует признать, что китайская фабрика опередила мировых лидеров Samsung, SK Hynix и Micron.
Микросхема YMTC Xtacking 3.0 с 232 слоями нашлась в твердотельном накопителе HikSemi CC700 емкостью 2 ТБ и это первое на рынке решение с более чем 200 слоями 3D NAND Flash.
Это серьезная заявка китайцев на лидерские позиции в сегменте чипов памяти.
Темпы развития технологий поражают - в 2018 году YMTC объявила о 64-слойной технологии (у лидеров уже было 90+), в 2020 году выпустила свои чипы по данной технологии. И вот через 2 года чипы 232-слойной памяти уже в изделиях. Лидеры все еще находятся в статусе "работа над 200+ слойной технологией". И это несмотря на то, что штаб-квартира компании находится в Ухане, где китайцев до последнего времени прессовали "антипандемийными" мерами.
В этой истории велика роль государства, денег самой YMTC не хватило бы на развитие технологий такими темпами. Но, как известно, Китай не жалеет денег на развитие ключевых технологий.
#память #технологии #YMTC #3DNAND
YMTC представила чипы 3D NAND с более чем 200 слоями
Об этом сообщает TechInsights. Таким образом, следует признать, что китайская фабрика опередила мировых лидеров Samsung, SK Hynix и Micron.
Микросхема YMTC Xtacking 3.0 с 232 слоями нашлась в твердотельном накопителе HikSemi CC700 емкостью 2 ТБ и это первое на рынке решение с более чем 200 слоями 3D NAND Flash.
Это серьезная заявка китайцев на лидерские позиции в сегменте чипов памяти.
Темпы развития технологий поражают - в 2018 году YMTC объявила о 64-слойной технологии (у лидеров уже было 90+), в 2020 году выпустила свои чипы по данной технологии. И вот через 2 года чипы 232-слойной памяти уже в изделиях. Лидеры все еще находятся в статусе "работа над 200+ слойной технологией". И это несмотря на то, что штаб-квартира компании находится в Ухане, где китайцев до последнего времени прессовали "антипандемийными" мерами.
В этой истории велика роль государства, денег самой YMTC не хватило бы на развитие технологий такими темпами. Но, как известно, Китай не жалеет денег на развитие ключевых технологий.
#память #технологии #YMTC #3DNAND
VK
Чипы и чиплеты
YMTC представила чипы 3D NAND с более чем 200 слоями
Об этом сообщает отчет TechInsights. Таким образом, следует признать, что китайская фабрика опередила мировых лидеров Samsung, SK Hynix и Micron.
Микросхема YMTC Xtacking 3.0 с 232 слоями нашлась в твердотельном…
Об этом сообщает отчет TechInsights. Таким образом, следует признать, что китайская фабрика опередила мировых лидеров Samsung, SK Hynix и Micron.
Микросхема YMTC Xtacking 3.0 с 232 слоями нашлась в твердотельном…
🇷🇺 Образование. Химия. Технологии
В Институте химии СПбГУ открыли новую кафедру
Это кафедра технологии высокоэффективных материалов и изделий. Готовить здесь будут химиков-технологов. Для института, который в основном предназначался для формирования прежде всего фундаментального образования это означает поворот к инженерному образованию.
Выпускники кафедры смогут практически применять разработки и фундаментальные исследования экспертов СПбГУ. В частности, результаты моделирования сверхпластичных неорганических полупроводников.
Студенты будут учиться по программе "Материалы высоких технологий". В идеале они станут специалистами широкого профиля, которые смогут руководить коллективами, создавать заявки на проекты и вести их до патентования. Научную работу студенты смоут производить на оборудовании и в ресурсных центрах научного парка СПбГУ, некоторые отправятся на практику в Институт прикладного материаловедения при Северо-Западном центре концерна Алмаз-Антей.
#образование #ВУЗы #материалы #технологии
В Институте химии СПбГУ открыли новую кафедру
Это кафедра технологии высокоэффективных материалов и изделий. Готовить здесь будут химиков-технологов. Для института, который в основном предназначался для формирования прежде всего фундаментального образования это означает поворот к инженерному образованию.
Выпускники кафедры смогут практически применять разработки и фундаментальные исследования экспертов СПбГУ. В частности, результаты моделирования сверхпластичных неорганических полупроводников.
Студенты будут учиться по программе "Материалы высоких технологий". В идеале они станут специалистами широкого профиля, которые смогут руководить коллективами, создавать заявки на проекты и вести их до патентования. Научную работу студенты смоут производить на оборудовании и в ресурсных центрах научного парка СПбГУ, некоторые отправятся на практику в Институт прикладного материаловедения при Северо-Западном центре концерна Алмаз-Антей.
#образование #ВУЗы #материалы #технологии
spbvedomosti.ru
Химики и инженеры. СПбГУ и «Алмаз-Антей» открыли совместную кафедру
Проект необычный: в классическом университете не так много кафедр инженерной направленности.