📈 Материалы. Тренды. InP
Спрос на рынке InP стимулируют технологии ИИ
Хотя многие уверены, что кремниевая технология еще далека от исчерпания своих возможностей, идет все более активное развитие рынков альтернативных полупроводниковых материалов. В частности, это касается таких полупроводников, как GaAs, GaN, GaN/Si, GaN/SiC, SiGe и InP.
В Yole Group ожидают, что рынок изделий на базе такого перспективного полупроводникового материала как InP (фосфид индия) достигнет $5.2 млрд в 2029 году. Этот рынок сейчас характеризуется консолидацией и расширением производственных мощностей, поскольку спрос на приложения ИИ продолжает стимулировать рост в сегменте передачи данных.
В частности, продолжает устойчиво расти рынок InP bare-die. Такие компоненты зачастую используют не только для дальнейшего корпусирования в индивидуальный корпус, но также для пакетирования вместе с другими чипами в единую систему, а иногда и для монтажа непосредственно на печатную плату. А вот перспективы рынка эпитаксиальных пластин и подложек не так очевидны.
InP – полупроводник III-V типа (A3B5) обладает прямой запрещенной зоной, величина которой Еg=1,34 эВ при Т=300 К и довольно высокими значениями подвижности носителей тока - μ n (4-5).103 см2 /В·с, Т=300 К, что позволяет применять его, в частности, в оптоэлектронике сверхвысокой частоты, в полевых транзисторах и преобразователях энергии, включая DWDM лазеры, вертикально-излучающие лазеры (VCSEL), лазеры с диодной накачкой, лавинные (APD) и PIN чувствительные фотодиоды, усилители и т.п. Также InP применяют для изготовления мощных и высокоскоростных полупроводниковых приборов для оптоволоконной техники – HEMT, HBT, в беспроводных и оптических системах связи.
Можно вспомнить такие применения, как автомобильные LiDAR, решения 3D-зондирования. Есть использование в радиооборудовании 5G, в ИК-тепловидении и в КРК-системах (системах квантового распределения ключей).
Возможности InP в диапазоне волн SWIR (коротковолновой ИК диапазон, длины волн 0.9-1.7 мкм, иногда под SWIR подразумевают диапазон 0.7-2.5 мкм), обеспечивают потенциал использования этого материала в потребительских решениях AR/VR.
Основные драйверы рынка InP на сегодня – рынок передачи данных и телекома. Изделия из этого материала зачастую выбирают за их способность обеспечивать высокую пропускную способность, высокие скорости передачи данных. На их основе собирают, например, оптические трансиверы дальнего действия.
Ожидается, что спрос на ИИ будет способствовать росту спроса на решения InP за счет необходимости перехода к системам передачи данных 100G и 200G EML и SiPh.
Напомню, что EML – это технология на базе электроабсорбционно-модулированного лазера, которая позволяет преобразовывать электрические входные данные в оптические сигналы CWDM (в свет), а SiPh – кремниевая фотоника, интеграция оптических устройств и электронных компонентов в рамках кремниевой пластины.
Спрос на изделия InP сдерживается высокими ценами на такие изделия.
Еще несколько лет назад применение InP сдерживалось отсутствием пластин сравнительно большого диаметра, но постепенно появляются пластины диаметром уже не только 50 мм, но и 76 мм и 100 мм. Ожидается дальнейший рост рынка пластин фосфида индия.
Лидеры рынка пластин фосфида индия:
▪️ AXT Inc. 🇺🇸
▪️ Wafer World Inc. 🇺🇸
▪️ Logitech Ltd. 🇨🇭
▪️ Western Minmetals (sc) Corp. 🇨🇳
▪️ Century Goldray Semiconductor Co. Ltd. 🇨🇳
В целом в этой области в 2024 году лидирует Азиатско-Тихоокеанский регион и можно предположить, что в ближайшие 5 лет эта ситуация не изменится.
В апреле 2024 года сообщалось о создании нидерландской компанией EFFECT Photonics на монолитной интегрированной фотонной схемы (PIC) перестраиваемого лазера (pITLA - Pico Integrated Tunable Laser Assembly) для сменных когерентных модулей-приемопередатчиков ZR 100G, 400G, 800G. Эта схема выполнена на базе InP. Подробнее об этом – здесь.
@RUSmicro
#InP #материалы #микроэлектроника
Спрос на рынке InP стимулируют технологии ИИ
Хотя многие уверены, что кремниевая технология еще далека от исчерпания своих возможностей, идет все более активное развитие рынков альтернативных полупроводниковых материалов. В частности, это касается таких полупроводников, как GaAs, GaN, GaN/Si, GaN/SiC, SiGe и InP.
В Yole Group ожидают, что рынок изделий на базе такого перспективного полупроводникового материала как InP (фосфид индия) достигнет $5.2 млрд в 2029 году. Этот рынок сейчас характеризуется консолидацией и расширением производственных мощностей, поскольку спрос на приложения ИИ продолжает стимулировать рост в сегменте передачи данных.
В частности, продолжает устойчиво расти рынок InP bare-die. Такие компоненты зачастую используют не только для дальнейшего корпусирования в индивидуальный корпус, но также для пакетирования вместе с другими чипами в единую систему, а иногда и для монтажа непосредственно на печатную плату. А вот перспективы рынка эпитаксиальных пластин и подложек не так очевидны.
InP – полупроводник III-V типа (A3B5) обладает прямой запрещенной зоной, величина которой Еg=1,34 эВ при Т=300 К и довольно высокими значениями подвижности носителей тока - μ n (4-5).103 см2 /В·с, Т=300 К, что позволяет применять его, в частности, в оптоэлектронике сверхвысокой частоты, в полевых транзисторах и преобразователях энергии, включая DWDM лазеры, вертикально-излучающие лазеры (VCSEL), лазеры с диодной накачкой, лавинные (APD) и PIN чувствительные фотодиоды, усилители и т.п. Также InP применяют для изготовления мощных и высокоскоростных полупроводниковых приборов для оптоволоконной техники – HEMT, HBT, в беспроводных и оптических системах связи.
Можно вспомнить такие применения, как автомобильные LiDAR, решения 3D-зондирования. Есть использование в радиооборудовании 5G, в ИК-тепловидении и в КРК-системах (системах квантового распределения ключей).
Возможности InP в диапазоне волн SWIR (коротковолновой ИК диапазон, длины волн 0.9-1.7 мкм, иногда под SWIR подразумевают диапазон 0.7-2.5 мкм), обеспечивают потенциал использования этого материала в потребительских решениях AR/VR.
Основные драйверы рынка InP на сегодня – рынок передачи данных и телекома. Изделия из этого материала зачастую выбирают за их способность обеспечивать высокую пропускную способность, высокие скорости передачи данных. На их основе собирают, например, оптические трансиверы дальнего действия.
Ожидается, что спрос на ИИ будет способствовать росту спроса на решения InP за счет необходимости перехода к системам передачи данных 100G и 200G EML и SiPh.
Напомню, что EML – это технология на базе электроабсорбционно-модулированного лазера, которая позволяет преобразовывать электрические входные данные в оптические сигналы CWDM (в свет), а SiPh – кремниевая фотоника, интеграция оптических устройств и электронных компонентов в рамках кремниевой пластины.
Спрос на изделия InP сдерживается высокими ценами на такие изделия.
Еще несколько лет назад применение InP сдерживалось отсутствием пластин сравнительно большого диаметра, но постепенно появляются пластины диаметром уже не только 50 мм, но и 76 мм и 100 мм. Ожидается дальнейший рост рынка пластин фосфида индия.
Лидеры рынка пластин фосфида индия:
▪️ AXT Inc. 🇺🇸
▪️ Wafer World Inc. 🇺🇸
▪️ Logitech Ltd. 🇨🇭
▪️ Western Minmetals (sc) Corp. 🇨🇳
▪️ Century Goldray Semiconductor Co. Ltd. 🇨🇳
В целом в этой области в 2024 году лидирует Азиатско-Тихоокеанский регион и можно предположить, что в ближайшие 5 лет эта ситуация не изменится.
В апреле 2024 года сообщалось о создании нидерландской компанией EFFECT Photonics на монолитной интегрированной фотонной схемы (PIC) перестраиваемого лазера (pITLA - Pico Integrated Tunable Laser Assembly) для сменных когерентных модулей-приемопередатчиков ZR 100G, 400G, 800G. Эта схема выполнена на базе InP. Подробнее об этом – здесь.
@RUSmicro
#InP #материалы #микроэлектроника
🔥4