🇷🇺 Химия
В Воронеже собираются создать электролиты для осаждения меди и никеля
Этим намерены заниматься в Воронежском госуниверситете (ВГУ) во вновь создаваемой лаборатории по микроэлектронике. Лаборатория создается с финансовой поддержкой Минобрнауки - 17 млн руб. в год. Проект поддержан также АО "НИИМЭ", АО "НИИЭТ", АО ВЗПП Микрон.
Ученые обещают ориентироваться на достижение практически важных результатов для развития отечественной микроэлектроники.
Подробнее: tass.ru
#новостиизбудущего #наука #химия #технологии
В Воронеже собираются создать электролиты для осаждения меди и никеля
Этим намерены заниматься в Воронежском госуниверситете (ВГУ) во вновь создаваемой лаборатории по микроэлектронике. Лаборатория создается с финансовой поддержкой Минобрнауки - 17 млн руб. в год. Проект поддержан также АО "НИИМЭ", АО "НИИЭТ", АО ВЗПП Микрон.
Ученые обещают ориентироваться на достижение практически важных результатов для развития отечественной микроэлектроники.
Подробнее: tass.ru
#новостиизбудущего #наука #химия #технологии
🇷🇺 Минералы. Научные исследования
Вонсенит, халсит и азопроит - перспективные минералы для создания кристаллов с нетривиальными магнитными свойствами
В перспективе эти кристаллы можно будет использовать в качестве элементов памяти в суперкомпьютерах. Об исследовании российских ученых сегодня рассказал КоммерсантЪ.
Перечисленные минералы - это так называемые оксобораты, строение и физические свойства которых ранее не были толком изучены. Ученые Института химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН (Санкт-Петеребург) и трех российских университетов описали кристаллическую структуру и поведение при нагреве вонсенита и халсита. При нагреве до 400 С оба вещества остаются стабильными. В случае с азопроитом было проведено еще больше исследований - изучались и магнитные и термические свойства. Ученые говорят о том, что синтетические аналоги на основе этих минералов можно будет использовать в микроэлектронике для создания элементов памяти нового поколения.
Подробнее - КоммерсантЪ
#материалы #химия #микроэлектроника #наука
Вонсенит, халсит и азопроит - перспективные минералы для создания кристаллов с нетривиальными магнитными свойствами
В перспективе эти кристаллы можно будет использовать в качестве элементов памяти в суперкомпьютерах. Об исследовании российских ученых сегодня рассказал КоммерсантЪ.
Перечисленные минералы - это так называемые оксобораты, строение и физические свойства которых ранее не были толком изучены. Ученые Института химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН (Санкт-Петеребург) и трех российских университетов описали кристаллическую структуру и поведение при нагреве вонсенита и халсита. При нагреве до 400 С оба вещества остаются стабильными. В случае с азопроитом было проведено еще больше исследований - изучались и магнитные и термические свойства. Ученые говорят о том, что синтетические аналоги на основе этих минералов можно будет использовать в микроэлектронике для создания элементов памяти нового поколения.
Подробнее - КоммерсантЪ
#материалы #химия #микроэлектроника #наука
Коммерсантъ
Три кристалла для хранения данных
Новый подход к информационному обеспечению суперкомпьютеров
🔬 Наука. Полупроводниковые материалы
В России совместили сверхпроводимость и магнетизм
До сих пор считалось, что эти два явления не сочетаются. Но в Центре Гинзбурга в группе синтеза и роста монокристаллов под руководством Кирилла Первакова впервые изучили электронную зонную структуру "магнитного" сверхпроводника EuRbFe4As4 и показали, что сверхпроводимость и магнетизм могут сосуществовать в одном соединении и вместе работать. Подробнее об этом - в статье КоммерсантЪ.
Статья хороша тем, что сравнительно сложная тема изложена простыми словами. Пересказывать ее нет смысла - почитайте по ссылке.
Практического выхода из замеченного явления, как я понимаю, пока что не просматривается - существование сложного соединения, которое требует помещать кристалл в атмосферу аргона "может быть ключиком для более глубокого понимания явлений сверхпроводимости и магнетизма". Или нет? Кроме того, в этом соединении можно управлять спином атомов европия, а это выход на тему "спинтроники" - нового поколения микроэлектроники. Но и здесь пока что рано говорить о практическом значении.
#наука #полупроводники #полупроводниковыематериалы
В России совместили сверхпроводимость и магнетизм
До сих пор считалось, что эти два явления не сочетаются. Но в Центре Гинзбурга в группе синтеза и роста монокристаллов под руководством Кирилла Первакова впервые изучили электронную зонную структуру "магнитного" сверхпроводника EuRbFe4As4 и показали, что сверхпроводимость и магнетизм могут сосуществовать в одном соединении и вместе работать. Подробнее об этом - в статье КоммерсантЪ.
Статья хороша тем, что сравнительно сложная тема изложена простыми словами. Пересказывать ее нет смысла - почитайте по ссылке.
Практического выхода из замеченного явления, как я понимаю, пока что не просматривается - существование сложного соединения, которое требует помещать кристалл в атмосферу аргона "может быть ключиком для более глубокого понимания явлений сверхпроводимости и магнетизма". Или нет? Кроме того, в этом соединении можно управлять спином атомов европия, а это выход на тему "спинтроники" - нового поколения микроэлектроники. Но и здесь пока что рано говорить о практическом значении.
#наука #полупроводники #полупроводниковыематериалы
Коммерсантъ
Как заставить работать антагонистов
Считалось, что сверхпроводимость не сочетается с магнетизмом, но решение найдено
🇷🇺 Научные исследования. Перспективные материалы
В России экспериментируют с полупроводником третьего поколения
Так нередко называют оксид галлия (Ga2O3). В МИСИС совместно с коллегами из компании "Совершенные кристаллы" вырастили пленку оксида галлия (k-Ga2O3) на подложке нитрида алюминия (AlN), изучили структуру и электрические свойства этой пленки.
Эксперименты подтвердили возможность получения так называемого "двумерного газа" (2DHG), который образуется на гетерогранице пленки k-Ga2O3 с другими широкозонными полупроводниками, например k-Ga2O3/AlN. В итоге такая структура демонстрировала дырочный тип проводимости, когда основным источником заряда являются дырки, а не электроны.
Этому эффекту, как выяснили ученые, материал обязан спонтанной поляризации, когда заряд поляризации материала компенсируется положительным зарядом дырок на гетерогранице, что и называют "двумерным газом". На основе этого эффекта можно создавать транзисторы с высокой подвижностью носителей заряда.
Ученые планируют продолжить эксперименты. На этот раз за основу возьмут β-оксид галлия, преобразуют его k-Ga2O3 и будут экспериментировать с добавлением большой дозы галлия, никеля, кислорода и золота.
Подробнее об эксперименте можно почитать в источнике - tadviser.ru
Также об оксиде галлия можно почитать на MForum.
#Ga2O3 #оксидгаллия #полупроводники #микроэлектроника #наука
В России экспериментируют с полупроводником третьего поколения
Так нередко называют оксид галлия (Ga2O3). В МИСИС совместно с коллегами из компании "Совершенные кристаллы" вырастили пленку оксида галлия (k-Ga2O3) на подложке нитрида алюминия (AlN), изучили структуру и электрические свойства этой пленки.
Эксперименты подтвердили возможность получения так называемого "двумерного газа" (2DHG), который образуется на гетерогранице пленки k-Ga2O3 с другими широкозонными полупроводниками, например k-Ga2O3/AlN. В итоге такая структура демонстрировала дырочный тип проводимости, когда основным источником заряда являются дырки, а не электроны.
Этому эффекту, как выяснили ученые, материал обязан спонтанной поляризации, когда заряд поляризации материала компенсируется положительным зарядом дырок на гетерогранице, что и называют "двумерным газом". На основе этого эффекта можно создавать транзисторы с высокой подвижностью носителей заряда.
Ученые планируют продолжить эксперименты. На этот раз за основу возьмут β-оксид галлия, преобразуют его k-Ga2O3 и будут экспериментировать с добавлением большой дозы галлия, никеля, кислорода и золота.
Подробнее об эксперименте можно почитать в источнике - tadviser.ru
Также об оксиде галлия можно почитать на MForum.
#Ga2O3 #оксидгаллия #полупроводники #микроэлектроника #наука
TAdviser.ru
В МИСИС создали полупроводник для ускорения разработки новых типов транзисторов
МИСИС и Совершенные кристаллы: Широкозонный полупроводник с дырочной проводимостью
🇷🇺 Господдержка. Субсидии
Институт физики полупроводников СО РАН получил госсубсидию - 113 млн
Субсидию в размере 113,5 млн руб. выделили на обновление приборной базы.
Как сообщает пресс-служба института, самой дорогой покупкой станет установка для производства жидкого азота с системой автоподачи. Жидкий азот в институте используют при создании полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ).
Также в списке - закупка атомно-силового и сканирующего электронного микроскопа, 3D профилометра — конфокального микроскопа для высокоточного измерения профиля поверхности, шероховатости поверхности и пленок, трехканальной системы СДОМ 3/100-2М предназначенной для термической обработки полупроводниковых пластин.
3D-профиломер планируется задействовать в новой молодежной лаборатории физико-технологических основ создания фотоприёмных устройств на основе полупроводников A3B5. Кроме того, лаборатории нужна установка для резки (скрайбирования) полупроводниковых пластин, благодаря гранту появилась возможность купить и ее.
Атомно-силовой и сканирующий электронные микроскопы предназначаются для лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур. Эти приборы хорошо дополняют друг друга — первый позволяет точно определять высоту рельефа наноструктуры, а второй — измерять латеральные параметры (длину, ширину, расстояние между отдельными элементами наноструктуры).
Установка термической обработки полупроводниковых пластин необходима для создания полупроводниковых материалов на основе кремния, она используется при проведении технологических процессов диффузии, окисления и отжига в потоке рабочих газов.
Примерно половина закупаемого оборудования - российского производства, в частности, атомно-силовой микроскоп - изделие российской компании NT MDT Spectrum Instruments.
Субсидия выделена в рамках федерального проекта "Развитие инфраструктуры для научных исследований и подготовки кадров» национального проекта «Наука и университеты».
#господдержка #наука #субсидии #измерительныеприборы
Институт физики полупроводников СО РАН получил госсубсидию - 113 млн
Субсидию в размере 113,5 млн руб. выделили на обновление приборной базы.
Как сообщает пресс-служба института, самой дорогой покупкой станет установка для производства жидкого азота с системой автоподачи. Жидкий азот в институте используют при создании полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ).
Также в списке - закупка атомно-силового и сканирующего электронного микроскопа, 3D профилометра — конфокального микроскопа для высокоточного измерения профиля поверхности, шероховатости поверхности и пленок, трехканальной системы СДОМ 3/100-2М предназначенной для термической обработки полупроводниковых пластин.
3D-профиломер планируется задействовать в новой молодежной лаборатории физико-технологических основ создания фотоприёмных устройств на основе полупроводников A3B5. Кроме того, лаборатории нужна установка для резки (скрайбирования) полупроводниковых пластин, благодаря гранту появилась возможность купить и ее.
Атомно-силовой и сканирующий электронные микроскопы предназначаются для лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур. Эти приборы хорошо дополняют друг друга — первый позволяет точно определять высоту рельефа наноструктуры, а второй — измерять латеральные параметры (длину, ширину, расстояние между отдельными элементами наноструктуры).
Установка термической обработки полупроводниковых пластин необходима для создания полупроводниковых материалов на основе кремния, она используется при проведении технологических процессов диффузии, окисления и отжига в потоке рабочих газов.
Примерно половина закупаемого оборудования - российского производства, в частности, атомно-силовой микроскоп - изделие российской компании NT MDT Spectrum Instruments.
Субсидия выделена в рамках федерального проекта "Развитие инфраструктуры для научных исследований и подготовки кадров» национального проекта «Наука и университеты».
#господдержка #наука #субсидии #измерительныеприборы
🔬 Наука. SiC
ИПМаш РАН научился изготавливать пластины из SiC
Об освоении технологии производства пластин из карбида кремния для полупроводникового производства сообщили специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН.
За рубежом SiC-пластины массово выпускают уже сравнительно давно, но, как утверждают специалисты ИПМаш, основной способ - выращивание пленки карбида кремния на кремниевых пластинах. Проблема этого метода - несовпадение кристаллических структур пленки и пластины, что зачастую ведет к растрескиванию структуры.
Российские ученые придумали способ, позволяющий избежать проблемы растрескивания, они последовательно заменяют ряд атомов кремния атомами углерода внутри исходного кристалла, не разрушая кристаллическую структуру, используя для этого угарный газ. В итоге стоимость получения пластин SiC почти в 10 раз меньше, чем у зарубежных (в условиях лабораторного производства).
Красивая история, но совершенно не ясно, найдутся ли в России желающие попробовать поставить промышленное производство новой технологии. А если найдутся, то когда дело дойдет до серийного производства.
#SiC #наука #разработки #карбидкремния
ИПМаш РАН научился изготавливать пластины из SiC
Об освоении технологии производства пластин из карбида кремния для полупроводникового производства сообщили специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН.
За рубежом SiC-пластины массово выпускают уже сравнительно давно, но, как утверждают специалисты ИПМаш, основной способ - выращивание пленки карбида кремния на кремниевых пластинах. Проблема этого метода - несовпадение кристаллических структур пленки и пластины, что зачастую ведет к растрескиванию структуры.
Российские ученые придумали способ, позволяющий избежать проблемы растрескивания, они последовательно заменяют ряд атомов кремния атомами углерода внутри исходного кристалла, не разрушая кристаллическую структуру, используя для этого угарный газ. В итоге стоимость получения пластин SiC почти в 10 раз меньше, чем у зарубежных (в условиях лабораторного производства).
Красивая история, но совершенно не ясно, найдутся ли в России желающие попробовать поставить промышленное производство новой технологии. А если найдутся, то когда дело дойдет до серийного производства.
#SiC #наука #разработки #карбидкремния
ТАСС
Ученые ИПМаш РАН первыми в России научились изготавливать пластины из карбида кремния
В институте отметили, что приборы на основе этого материала смогут работать почти при 300 градусах Цельсия, а также использоваться на ядерных станциях и в космосе
Forwarded from ВНИИР|Экскурсии, стажировки, события
ВНИИР при поддержке Департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга России объявляет конкурс!
Цель конкурса: выявление перспективных научных разработок в области радиоэлектроники, включая электронные и радиоэлектронные компоненты, программное обеспечение и подготовку квалифицированных кадров.
Лучшая научно-техническая работа
Лучшая инновационная разработка
Лучший проект по подготовке кадров
👥 Кто может участвовать?
- Студенты и сотрудники научно-образовательных учреждений
- Представители организаций
- Сертификаты на покупку электроники и техники
- Ценные призы от партнеров
По вопросам пишите @nastia_ilina
Участвуйте, демонстрируйте свои идеи и делитесь опытом!
Ждем ваши работы!
#Конкурс #Наука #Инновации #Радиоэлектроника
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🔬 Научные исследования. Технологии. Память. PCM
Учёные из Университета Пенсильвании, Массачусетского технологического института (MIT) и Индийского института науки (IISc) в лабораторных исследованиях добились более высокой энергоэффективности технологии PCM.
PCM – это перспективная технология хранения данных, которая для хранения информации использует изменения фазы материала, из аморфного в кристаллическое состояние, и обратно.
Препятствием для практического использования этого вида памяти остается ее энергоемкость. Но в экспериментах, о которых идет речь, ученые добились фазового перехода, используя одну миллиардную долю энергии, которая ранее требовалась для работы с селенидом индия (In2Se3).
Это может обеспечить технологии «путевку в жизнь».
В аморфной фазе атомы материала расположены в случайном порядке. Процесс перевода материала из кристаллической фазы в аморфную называют аморфизацией. Традиционный способ – расплавление материала до жидкого состояния, а затем быстрое охлаждение, чтобы не могли образоваться кристаллы. Этот способ весьма энергоемкий.
Исследовательская группа начала с экспериментов с электрическими импульсами, работая со сплавами германия, сурьмы и теллура еще 10 лет назад. Позднее эксперименты расширили также на селенид индия (In2Se3). Сегнетоэлектрические свойства этого материала позволяют ему спонтанно поляризоваться, на механическое напряжение этот материал реагирует генерацией тока, процесс приводит к деформации.
Ученые исследовали процесс аморфизации In2Se3, обнаружив схожие черты с механизмами землетрясения и лавины.
Когда электрический ток проходит через материал, крошечные участки размером с миллиардную часть квадратного метра начинают аморфизироваться. Слоистая структура и пьезоэлектрические свойства материала придают этим участкам нестабильное состояние, как будто это снег на вершине горы.
После достижения критической точки, начинается распространение деформаций, генерируются звуковые волны. Их можно сравнить с сейсмическими волнами, которые перемещают участки земли во время землетрясения. Это приводит к еще большой деформации полупроводника, созданию новых аморфных областей, процесс носил лавинообразный характер.
Ученые уверены, что эти открытия обладают значительным потенциалом для проектирования маломощных запоминающих устройств.
Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature.
@RIUSmicro по материалам Interesting Engineering
#PCM #наука
Учёные из Университета Пенсильвании, Массачусетского технологического института (MIT) и Индийского института науки (IISc) в лабораторных исследованиях добились более высокой энергоэффективности технологии PCM.
PCM – это перспективная технология хранения данных, которая для хранения информации использует изменения фазы материала, из аморфного в кристаллическое состояние, и обратно.
Препятствием для практического использования этого вида памяти остается ее энергоемкость. Но в экспериментах, о которых идет речь, ученые добились фазового перехода, используя одну миллиардную долю энергии, которая ранее требовалась для работы с селенидом индия (In2Se3).
Это может обеспечить технологии «путевку в жизнь».
В аморфной фазе атомы материала расположены в случайном порядке. Процесс перевода материала из кристаллической фазы в аморфную называют аморфизацией. Традиционный способ – расплавление материала до жидкого состояния, а затем быстрое охлаждение, чтобы не могли образоваться кристаллы. Этот способ весьма энергоемкий.
Исследовательская группа начала с экспериментов с электрическими импульсами, работая со сплавами германия, сурьмы и теллура еще 10 лет назад. Позднее эксперименты расширили также на селенид индия (In2Se3). Сегнетоэлектрические свойства этого материала позволяют ему спонтанно поляризоваться, на механическое напряжение этот материал реагирует генерацией тока, процесс приводит к деформации.
Ученые исследовали процесс аморфизации In2Se3, обнаружив схожие черты с механизмами землетрясения и лавины.
Когда электрический ток проходит через материал, крошечные участки размером с миллиардную часть квадратного метра начинают аморфизироваться. Слоистая структура и пьезоэлектрические свойства материала придают этим участкам нестабильное состояние, как будто это снег на вершине горы.
После достижения критической точки, начинается распространение деформаций, генерируются звуковые волны. Их можно сравнить с сейсмическими волнами, которые перемещают участки земли во время землетрясения. Это приводит к еще большой деформации полупроводника, созданию новых аморфных областей, процесс носил лавинообразный характер.
Ученые уверены, что эти открытия обладают значительным потенциалом для проектирования маломощных запоминающих устройств.
Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature.
@RIUSmicro по материалам Interesting Engineering
#PCM #наука
Nature
Electrically driven long-range solid-state amorphization in ferroic In2Se3
Nature - Energy-efficient, solid-state amorphization of indium selenide nanowires is achieved using direct current, avoiding the melt–quench process.