🇰🇷 DRAM. DRAM5

SK hynix заявил о разработке самого быстрого в мире серверного модуля памяти

Новый продукт, модуль памяти DDR5 Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module обещает поддержку скоростей передачи данных не менее 8 Гбит/c, что почти на 80% выше, чем типовые для DDR5 4,8 Гбит/c.

По сути, это результат тесного международного сотрудничества лидеров рынка. Чип разработан в сотрудничестве с Intel и Renesas. Особенность продукта в том, что инженеры сосредоточились на повышении скорости работы модулей.

Новый продукт был разработан так, чтобы одновременно работать с двумя рангами за счет использования буфера данных, встроенного в MCR DIMM на основе технологии Intel MCR.

Это позволило модулям MCR DIMM одновременно передавать в ЦП 128 байт данных, а не 64, как делалось до сих пор во многих модулях.

Увеличение объема данных, отправляемых в ЦП, в свою очередь, увеличивает скорость передачи данных DRAM.

В ближайшем будущем в SK hynix постараются довести продукт DDR5 до стадии массового производства, чтобы начать переход к выводу стандарта этого поколения на рынке, где доминирует стандарт DDR4.

В SK hynix ожидают, что рынок MCR DIMM будет расширяться за счет роста востребованности высокопроизводительных вычислений, для которых требуется память с увеличенной пропускной способностью. По прогнозам, продукты памяти стандарта DDR5 займут 20% рынка DRAM уже в 2023 году и 40% к 2025 году.

"Возможности SK Hynix по проектированию модулей DRAM сочетаются с передовыми технологиями Intel в области процессоров Xeon и технологиями буферизации японской Renesas", - комментирует Рю Сунг Су, руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix.
"Для стабильной работы модуля MCR DIMM необходимо четкое взаимодействие буфера данных и процессора в модуле и вне его".

Димитриос Зиакас, вице-президент по технологиям памяти и ввода-вывода в Intel, заявил, что Intel и SK hynix лидируют в области инноваций памяти и разработки высокопроизводительной масштабируемой памяти DDR5 для серверов, наряду с другими ключевыми отраслевыми партнерами.
"Представленная технология - результат многолетних совместных исследований Intel и ключевых отраслевых партнеров, направленных на значительное увеличение пропускной способности процессоров Intel Xeon", - поясняет Зиакас. "Мы с нетерпением ждем возможности внедрить эту технологию в процессоры Intel Xeon будущих поколений и поддержать усилия по стандартизации и разработке всей отрасли".

источник: m.theinvestor.co.kr

#skhynix #DDR5 #DRAM

🇰🇷 Чипы памяти. DRAM. 12нм

Samsung Electronics разработал DDR5 на основе техпроцесса 12нм

Массовое производство чипов DDR5 на основе техпроцесса 14нм компания начала в октябре 2021 года. И вот новый технологический виток - 12нм. Проведены тесты совместимости 16-гигабитного чипа DDR5 12нм DRAM с микропроцессором AMD. Производство коммерчески доступных чипов DDR5 12нм начнется, как планируют в Samsung Electronics в 2023 году.

DDR5 - усовершенствованный стандарт DRAM, обеспечивающий более высокие скорости доступа к данным и лучшую энергоэффективность чем DDR4. Как правило такие чипы используют в приложениях, где интенсивно используются данные, например, в приложениях ML и BigData.

По данным Samsung Electronics, новейший чип памяти DDR5 DRAM может обеспечить скорость работы с данными до 7,2 Гбит/c.

За счет использования узлов 12нм и технологии экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), компания добилась по ее заявлению, роста производительности на 20%, кроме того, новый чип памяти потребляет на 23% меньше энергии чем модель на базе узлов 14нм.

koreajoongangdaily.joins.com - источник

#DDR5 #12нм #SamsungElectronics #Samsung #чипыпамяти #DRAM

🇹🇼 AOI

В Innodisk усовершенствовали AOI

Тайваньская Innodisk, известная своими продуктами в области встроенных запоминающих устройств, предложила решение некоторых проблем, характерных для систем автоматизированной оптической проверки (AOI), популярных у производителей полупроводников.

Такие проблемы зачастую связаны с блоками памяти - их недостаточной пропускной способностью, недостаточной точностью, а также перегревом.

Решение основано на использовании DRAM DDR5 - наиболее быстрой и современной оперативной памяти.

В частности разработанные в Innodisk модули DDR5 RDIMM 32ГБ и 64ГБ, по заявлению производителя, решают проблему высокой пропускной способности при достаточной емкости.

Двухканальная 40-битная субканальная архитектура и система коррекции ошибок памяти ECC должны гарантировать повышенную точность работы.

Для борьбы с перегревом компания предложила двуединую аппаратно-программную стратегию: на модулях располагаются тепловизионные датчики для оценки окружающей среды, также за температурой присматривают iCAP - платформа облачного администрирования Innodisk и iSMART - для контроля температуры и отправки предупреждающих сообщений.

business-post.ru - источник

#AOI #DDR5 #Innodisk

🇹🇼 Производство памяти. DDR5. Тайвань

Рентабельность DDR5 превзойдет DDR4 в 1q2025

Таким прогнозом поделился тайваньский производитель памяти Nanya Technology через Digitimes Asia. Компания не справилась с убытками в 2024 году, но отмечает сильный спрос на память в связи с ИИ и здоровый спрос на рынке DDR5.

Nanya начала выпускать чипы DDR5 2-го поколения по техпроцессу 10нм (1B) в 4q2024. В компании ожидают, что рентабельность их выпуска превзойдет рентабельность производства чипов DDR4 по техпроцессу 20нм в 1q2025. Поскольку выход годных по процессу 10нм растет и на этот процесс переводятся все новые производственные мощности, то ожидается, что чипы DDR5 постепенно займут 30-50% от общего объема производства битов.

Несмотря на то, что рынок серверов ИИ помог стимулировать спрос на DDR5, а высокопроизводительные устройства с поддержкой ИИ часто оснащены большим объемом DRAM, продажи смартфонов начального и среднего уровня остаются низкими, ПК с ИИ еще не набрали значительной популярности, так что рынок потребительской электроники вряд ли восстановится в краткосрочной перспективе.

Массовое производство чипов DDR4 объемом 8 ГБ и DDR5 объемом 16 ГБ, использующих процесс второго поколения 1B, начнется в соответствии с графиком, а к концу четвертого квартала планируется достичь более 15% емкости.

Поскольку три ведущих производителя памяти все более пытаются перевести производственные емкости под выпуск HBM, DDR5 и передовые процессы, будет продолжаться сокращение запасов таких продуктов как DDR4, LPDDR4 и DDR3 DRAM.

В 2025 году Nanya планирует выпустить продукты LPDDR4 и LPDDR5 на основе процесса 1B и продолжить разработку своего процесса третьего поколения 10 нм (1C). Ключевым фактором будет повышение выхода годных при использовании этих процессов по мере наращивания объемов производства.

Ожидается, что выход битов на основе процесса 1B достигнет 25% от полной производственной мощности, если выход годных вырастет до 70-80%, а тейпаут – 15% от полной мощности. Если тейпаут достигнет 30%, то выход битов достигнет 50% от общей производственной мощности.

@RUSmicro по материалам DigiTimes Asia

#DDR5