🇰🇷 Техпроцессы. 3нм GAA
Samsung запустил массовое производство чипов с узлами 3нм GAA
Тем самым Samsung опередил своего основного конкурента, компанию TSMC, которая также близка к готовности представить услуги контрактного производства по технологии с узлами элементов от 3нм. О начале производства по данной технологии сегодня заявила компании Samsung.
Для Samsung работа на опережение TSMC крайне важна, учитывая планы компании, готовой инвестировать многие десятки миллиардов долларов в разработку микросхем и развитие их передового производства.
Не так давно, Qualcomm, которая ранее активно использовала контрактные мощности, как TSMC, так и Samsung, задумалась о большем акценте на TSMC. Также и NVidia, столкнувшись со сравнительно более низкой энергоэффективностью своих графических процессоров Ampere, которые были спроектированы на базе 8нм узлов Samsung Electronics, теперь смотрит в сторону TSMC.
Постепенно все более реалистичным представляется в возвращение в разряд технологических лидеров и компании Intel.
Как заявляет производитель, процесс 3нм GAA позволяет снизить энергопотребление на 45% или на 23% повысить производительсность или на 16% сократить площадь чипа — в сравнении с узлами по техпроцессу 5нм.
Подробнее > > >
#микроэлектроника #техпроцессы #3нм
Samsung запустил массовое производство чипов с узлами 3нм GAA
Тем самым Samsung опередил своего основного конкурента, компанию TSMC, которая также близка к готовности представить услуги контрактного производства по технологии с узлами элементов от 3нм. О начале производства по данной технологии сегодня заявила компании Samsung.
Для Samsung работа на опережение TSMC крайне важна, учитывая планы компании, готовой инвестировать многие десятки миллиардов долларов в разработку микросхем и развитие их передового производства.
Не так давно, Qualcomm, которая ранее активно использовала контрактные мощности, как TSMC, так и Samsung, задумалась о большем акценте на TSMC. Также и NVidia, столкнувшись со сравнительно более низкой энергоэффективностью своих графических процессоров Ampere, которые были спроектированы на базе 8нм узлов Samsung Electronics, теперь смотрит в сторону TSMC.
Постепенно все более реалистичным представляется в возвращение в разряд технологических лидеров и компании Intel.
Как заявляет производитель, процесс 3нм GAA позволяет снизить энергопотребление на 45% или на 23% повысить производительсность или на 16% сократить площадь чипа — в сравнении с узлами по техпроцессу 5нм.
Подробнее > > >
#микроэлектроника #техпроцессы #3нм
VK
Samsung запустил массовое производство чипов с узлами 3нм
Тем самым Samsung опередил своего основного конкурента, компанию TSMC, которая также близка к готовности представить услуги контрактного..
🇺🇸 Техпроцессы. Чипы памяти
Micron сделал память DRAM по техпроцессу 10нм без EUV
Micron готов к массовому производству чипов DRAM по техпроцессу 1-бета, причем с использованием традиционной литографии, без EUV. Плата за это - большее число масок и специальная "техника погружения" (вероятно, это иммерсионная литография), которая позволяет достичь высокой точности формирования узлов на пластине.
Выпускать память LPDDR5X планируют на заводе в Хиросиме, Япония. Чипы поддерживают скорости до 8500 Мбит/с.
#Micron #DRAM #техпроцессы #чипыпамяти
Micron сделал память DRAM по техпроцессу 10нм без EUV
Micron готов к массовому производству чипов DRAM по техпроцессу 1-бета, причем с использованием традиционной литографии, без EUV. Плата за это - большее число масок и специальная "техника погружения" (вероятно, это иммерсионная литография), которая позволяет достичь высокой точности формирования узлов на пластине.
Выпускать память LPDDR5X планируют на заводе в Хиросиме, Япония. Чипы поддерживают скорости до 8500 Мбит/с.
#Micron #DRAM #техпроцессы #чипыпамяти
3DNews - Daily Digital Digest
Micron бросила вызов законам физики в техпроцессе 1β для DRAM — +35 % к плотности и +15 % к энергоэффективности без EUV
Micron объявила о готовности начать массовое производство чипов оперативной памяти DRAM по «самому передовому в мире» техпроцессу для данных изделий — 1β (1-бета).
🇹🇼 Техпроцессы. 2нм. Тайвань
TSMC заявляет, что техпроцесс 2нм будет основан на серьезных улучшениях узлов GAA, что позволит нарастить плотность узлов в чипах SRAM
Узлы SRAM при переходе от техпроцесса 5нм TSMC к техпроцессу 3нм TSMC в значительной степени оставались прежними по площади (см. картинку), что не обеспечивало особого выигрыша от перехода к новому техпроцессу из-за того, что тот же объем памяти в новых чипах занимал ту же площадь, что и в прежних. Но с появлением техпроцесса TSMC N2 (2нм), похоже, появилась надежда на то, что новые узлы позволят нарастить плотность размещения ячеек в HD SRAM за счет сокращения размера ячейки примерно на 10%.
Современные конструкции CPU, GPU и SoC полагаются на большие кэши для улучшения способности обрабатывать большие наборы данных. Поэтому более высокий объем SRAM – это потенциал оптимизации производительности цифровых микросхем.
Учитывая спрос на более высокий объем SRAM на чипе, эти разработки TSMC весьма востребованы. Пока что мы знаем совсем немного, в декабре 2024 года на конференции IEDM TSMC опубликует доклад, в котором обещает представить результаты разработок по технологическому узлу 2нм HD SRAM с размером битовой ячейки примерно 0,0175 кв. мкм.
TSMC выпустит своей первый чип для смартфона на базе техпроцесса 3нм в 4q2024. Этот чип основан на архитектуре GAA, обеспечивающей более высокую производительность и эффективность.
@RUSmicro по материалам PassionatGeekz
#2нм #техпроцессы #HDSRAM
TSMC заявляет, что техпроцесс 2нм будет основан на серьезных улучшениях узлов GAA, что позволит нарастить плотность узлов в чипах SRAM
Узлы SRAM при переходе от техпроцесса 5нм TSMC к техпроцессу 3нм TSMC в значительной степени оставались прежними по площади (см. картинку), что не обеспечивало особого выигрыша от перехода к новому техпроцессу из-за того, что тот же объем памяти в новых чипах занимал ту же площадь, что и в прежних. Но с появлением техпроцесса TSMC N2 (2нм), похоже, появилась надежда на то, что новые узлы позволят нарастить плотность размещения ячеек в HD SRAM за счет сокращения размера ячейки примерно на 10%.
Современные конструкции CPU, GPU и SoC полагаются на большие кэши для улучшения способности обрабатывать большие наборы данных. Поэтому более высокий объем SRAM – это потенциал оптимизации производительности цифровых микросхем.
Учитывая спрос на более высокий объем SRAM на чипе, эти разработки TSMC весьма востребованы. Пока что мы знаем совсем немного, в декабре 2024 года на конференции IEDM TSMC опубликует доклад, в котором обещает представить результаты разработок по технологическому узлу 2нм HD SRAM с размером битовой ячейки примерно 0,0175 кв. мкм.
TSMC выпустит своей первый чип для смартфона на базе техпроцесса 3нм в 4q2024. Этот чип основан на архитектуре GAA, обеспечивающей более высокую производительность и эффективность.
@RUSmicro по материалам PassionatGeekz
#2нм #техпроцессы #HDSRAM