🇰🇷 Сенсоры изображений

Samsung на днях сообщил, что начинает массовое производство компактного датчика изображений с разрешением 50 Мп, который можно использовать как в качестве фронтально, так и в качестве основной камеры.

Разработчиком удалось сократить размеры чипа, одновременно улучшив его светочувствительность и способность определять последовательности фаз.

Датчик называется ISOCELL JN1, размер пикселя - 0.64 мкм. Датчик это не только физическое устройство, но и аппаратный софт. В частности, технология ISOCELL 2.0, по данным Samsung, повышает светочувствительность на 16%. Если освещения недостаточно для качественной съемки, то технология Tetrapixel объединяет 4 соседних пикселя размером 0.64 мкм каждый в "суперпиксель" 1,28 мкм, обладающий светочувствительностью примерно вчетверо большей. Снимки получаются, понятно, с меньшим разрешением - 12,5 Мп, что, впрочем, достаточно для многих ситуаций.

Размеры чипа 1/2.76" - этот размер позволяет ставить датчик не только как основную, но и как фронтальную камеру. Высота модуля камеры примерно на 10% меньше, что дает дизайнерам больше свободы.

Встроенное ПО не ограничивается уже упомянутым функционалом, поддерживается также Smart-ISO (коэффициент преобразования меняется от уровня освещенности), смешанный HDR для оптимального уровня экспозиции и т.п.

Плотность пикселей для определения фазы в Double Super PD вдвое больше (1/16), чем в Super PD (1/32), в результате автофокусировка действует так же эффективно даже при условиях сниженного на 60% уровня освещенности. Наконец, датчик поддерживает запись плавного и четкого видео в разрешении до 4K со скоростью 60 кадров в секунду или Full HD со скоростью 240 кадров в секунду.

Детальное видео о возможностях нового датчика изображения на английском языке доступно на Youtube.

🇰🇷 Технологии. Производство микроэлектроники

Samsung заявил о планах массового производства по техпроцессам 2нм и 1.4 нм

Samsung Electronics объявила об усилении бизнес-стратегии Foundry Business за счет внедрения передовых технологий. В компании говорят о значительном росте рынка высокопроизводительных вычислений (HPC), искусственного интеллекта (ИИ), подключений 5G/6G и автопрома. Это формирует спрос на инновации в полупроводниковых технологиях.

Samsung продолжит совершенствовать технологию на основе Gate-all-round (GAA) и планирует представить 2-нм техпроцесс в 2025 году и 1,4-нм процесс в 2027 году.

Кроме того, Samsung ускоряет разработку технологии гетерогенной интеграции 2.5D/3D. В частности, 3D-упаковка X-Cube с микровыпуклостями (micro-bump interconnection) будет готова в 2024 году, а X-Cube без выступов (bump-less) будет доступен в 2026 году.

Если взять отдельно автопром, то сейчас Samsung предлагает решения со встроенной энергонезависимой памятью (eNVM) на основе технологии 28нм. В 2024 году компания планирует перейти на решения 14нм, в дальнейшем - 8нм, также с eNVM.

Радиочастотное направление в Samsung представлено массовым производством чипов по техпроцессу 8нм, в разработке находятся чипы 5нм.

К 2027 году компания планирует нарастить производственные мощности для производства чипов по передовым технологиям в 3 раза относительно уровня 2022 года. Сейчас у Samsung такие производственные линии расположены в 5 местах: Гихын, Хвасон и Пхёнтхэк в Корее; и Остин и Тейлор в Соединенных Штатах. Еще строится новый завод в Тейлоре, Техас США.

Усилению позиций Samsung должна поспособствовать партнерская экосистема SAFE Samsung в которую входит 22 партнера в области дизайна чипов и EDA. С помощью этой системы, Samsung рассчитывает найти новых клиентов без производственных мощностей.

#микроэлектроника #Samsung #2нм

🇰🇷 Микроэлектроника. Микросхемы памяти

Samsung очертил перспективы развития чипов памяти

В частности, компания напомнила, что сейчас ведет разработку памяти 1b DRAM с планами массового производства в 2023 году. Чтобы решить проблемы масштабирования технологии DRAM за пределы 10 нм, компания разрабатывает высокотехнологичные решения в области паттернинга, материалов и архитектуры, в частности, планируя использование High-K.

В ближайших планах компании выпуск различных решений DRAM, таких, как 32-гигабитная DDR5 DRAM; 8,5-гигабитная LPDDR5X DRAM; 36-гигабитная GDDR7 DRAM, что, как ожидается, откроет новые возможности для ЦОД, рынков мобильной связи игр и автопрома.

В Samsung также подчеркивают важность специализированных решений DRAM, таких, как HBM-PIMl AXDIMM и CXL.

В отношении NAND флэш памяти, в Samsung прогнозируют появление изделий с 1000+ слоев V-NAND к 2030 году. С момента появления 10 лет назад технология Samsung V-NAND прошла через 8 поколений, число слоев выросло в 10 раз, прирост битов - в 15 раз. Самая "свежая" память V-NAND 8-го поколения объемом 512 Гбит отличается повышенной на 42% плотностью битов, достигая плотности продуктов 512 Гбит с трехуровневыми (TLC) ячейками. Самая большая в мире емкость 1Тб TLC V-NAND будет доступна покупателям еще до конца 2022 года.

Samsung также отметила, что ее память V-NAND 9-го поколения находится в стадии разработки и должна быть запущена в массовое производство в 2024 году. К 2030 году Samsung планирует объединить более 1000 слоев. Samsung также будет продолжать увеличивать плотность ячеек и постарается перейти на четырехуровневую ячейку (QLC), что должно повысить энергоэффективность чипов памяти.

#Samsung #микроэлектроника #память

🇰🇷 🇺🇸 Производство чипов. Техпроцессы

Американцы помогут Samsung Foundry поднять качество техпроцессов ниже 5нм

Samsung Electronics сделала большую ставку на то, чтобы первой вывести на рынок технологию 3нм и смогла заявить о ее готовности раньше, чем TSMC. Вместе с тем, на рынок просочилась информация о том, что еще на уровнях 5нм и 4нм компания столкнулась с проблемами. В частности, чипы Snapdragon 888 и Snapdragon 8 Gen 1, произведенные Samsung Foundry, демонстрировали проблему перегрева. Также компания столкнулась с недостаточно высоким процентом выхода годных чипов. В итоге вкусные заказы Apple, Qualcomm и NVIDIA ушли TSMC, а выпускаемую в небольших объемах продукцию 3нм Samsung пока что закупает только китайский производитель майнинговых ферм.

Корейцы, понятно, не сдаются и теперь стараются улучшить свои технологии. В этом им помогает американская Silicon Frontline Technology - с ее экспертизой во front-end процессах и задачей улучшения качества производства с целью повышения процента выхода годных чипов. В частности, американцы внедряют свою технологию предотвращения электростатических разрядов (ESD). Статика - одна из многих причин появления дефектов на пластинах.

Конечно же, опять звучат заявления о том, что благодаря этому Samsung превзойдет TSMC. Превзойдет или нет, сказать сложно, но если качество южнокорейского производства повысится, то есть все шансы чтобы получить часть заказов той же Qualcomm, исповедующей стратегию разделения заказов между производителями. А далее, Samsung Foundries вновь будут рассматривать в качестве альтернативы TSMC и другие гранды рынка.

Источник: sammobile.com

#производствомикроэлектроники #микроэлектроника #чипы #3нм #Samsung #SamsungFoundry #SiliconFrontlineTechnology

🇰🇷 Тренды. Микроэлектроника и ИИ

Samsung и NAVER будут вместе разрабатывать и производить чипы с ИИ

Samsung Electronics и NAVER Corp. объявили о начале широкомасштабного сотрудничества по разработке полупроводниковых решений, которые можно будет использовать в гипермасштабных моделях ИИ.

Используя технологии памяти Samsung нового поколения, такие как вычислительное хранилище, обработка в памяти (PIM), обработка в ближней памяти (PNM), а также Comute Express Link (CXL), компании намерены объединить программные и аппаратные ресурсы с тем, чтобы существенно ускорить ИИ.

Последние достижения в области гипермасштабного ИИ требуют экспоненциального роста обрабатываемого объема данных. Из-за этого растет потребность в новых полупроводниковых решениях, оптимизированных для ИИ.

Samsung много лет разрабатывает чипы памяти и выпускает накопители на их основе, поддерживающие высокоскоростную обработку данных в приложениях ИИ, начиная с вычислительных накопителей (SmartSSD) и памяти с высокой пропускной способностью (HBM-PIM) и заканчивая памятью нового поколения с поддержкой интерфейса Compute Express Link (CXL). Теперь Ssmsung совместно с NAVER будут оптимизировать эти технологии для развития крупномасштабных систем ИИ.

NAVER продолжит совершенствовать свою HyperCLOVA, гипермасштабную языковую модель с более чем 200 млрд параметров, одновременно улучшая алгоритмы сжатия для создания более упрощенной модели, которая значительно повышает эффективность вычислений.

--

Очередное подтверждение того, что одно из стратегических направлений развития микроэлектроники - чипы, оптимизированные под требования ИИ. Можно ли что-то в этом направлении сделать в России, учитывая отсутствие современного производства?

#микроэлектроника #Samsung #NAVER #тренды #ИИ

🇰🇷 Производство микроэлектроники

Samsung выпустит в Китае чипы на $14,3 млрд

Завод Samsung в городе Сиань, провинция Шэньси, в 2022 году покажет, как ожидается, хорошие результаты, выпустив чипы на сумму более 100 млрд юаней ($14,3 млрд). Даже "антиковидные" ограничения не оказались помехой.

В Samsung довольны и, несмотря на все усилия США по сколачиванию фронды типа Chip4 (о которой что-то совсем перестали упоминать), намереваются продолжать развитие в Китае. Инвестиции в первую очередь завода, запущенного в 2014 году, составляли $13,7 млрд, весьма вероятно, прибыль за эти годы их уже перекрыла. Но в октябре 2021 года компания вложила в расширение производства еще $13,3 млрд, так что вряд ли теперь корейцы готовы бросить это хозяйство, когда оно обещает дальнейший рост выручки в 2023 году и далее.

по материалам interfax.ru

#микроэлектроника #Samsung #Китай

🇰🇷 Чипы памяти. DRAM. 12нм

Samsung Electronics разработал DDR5 на основе техпроцесса 12нм

Массовое производство чипов DDR5 на основе техпроцесса 14нм компания начала в октябре 2021 года. И вот новый технологический виток - 12нм. Проведены тесты совместимости 16-гигабитного чипа DDR5 12нм DRAM с микропроцессором AMD. Производство коммерчески доступных чипов DDR5 12нм начнется, как планируют в Samsung Electronics в 2023 году.

DDR5 - усовершенствованный стандарт DRAM, обеспечивающий более высокие скорости доступа к данным и лучшую энергоэффективность чем DDR4. Как правило такие чипы используют в приложениях, где интенсивно используются данные, например, в приложениях ML и BigData.

По данным Samsung Electronics, новейший чип памяти DDR5 DRAM может обеспечить скорость работы с данными до 7,2 Гбит/c.

За счет использования узлов 12нм и технологии экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), компания добилась по ее заявлению, роста производительности на 20%, кроме того, новый чип памяти потребляет на 23% меньше энергии чем модель на базе узлов 14нм.

koreajoongangdaily.joins.com - источник

#DDR5 #12нм #SamsungElectronics #Samsung #чипыпамяти #DRAM

🇰🇷 🇺🇸 Новые производства

Строительство фабрики Samsung в США идет по плану

Об этом говорит гендиректор компании: "Сооружение фабрики завершится в 2023 году, а с 2024 года начнется массовое производство".

Завод строится в Тейлоре, Техас. В ноябре 2021 года Samsung заявлял о планах строительства производственного предприятия в Техасе с инвестициями в размере $17 млрд. Фабрика предположительно будет выпускать логические чипы по технологии 3нм. У Samsung уже есть производство в Техасе, в Остине, примерно в 25 км от Тейлора.

—

Как видим, США экстренно создает резервирование производства, сосредоточенного на Тайване и в Южной Корее. Причем далеко не только силами американских компаний, но также и путем создания "филиалов" производств TSMC, Samsung и других азиатских бизнесов. Можно ли предположить, что есть договоренность с Китаем, согласно которой с присоединением Т подождут, когда США не завершит эти процессы?

#микроэлектроника #фабрики #Samsung #производство

⚙️ Сенсоры изображений

Samsung представил 200 мп датчик изображения для флагманских смартфонов

Новый датчик ISOCell HP2 предназначен для создания детализированных фотографий в широких условиях освещения в смартфонов высшей ценовой категории.

Датчик основан на пикселях размером 0,6 мкм в оптическом формате 1/1,3", при этом размеры сенсора такие же, как у того, который ранее использовался камерах смартфонов с числом пикселей 108-мпикс. Можно ожидать, что когда новый сенсор появится в смартфонах премиального класса он не будет торчать из корпуса.

За счет использования технологии Tetra2pixel HP2 камера может имитировать пиксели разного размера, что позволяет камере адаптироваться к слабому освещению. Например, при нехватке света, сенсор работает, как если бы в нем стояли пиксели 1,2 мкм, тогда он работает в режиме 50 мп, или даже как если бы размер пикселей был 2,4 мкм - разрешение датчика снижается до 12,5 мп. Для этого, понятно, от 4 до 16 соседних пикселей объединяются в группы.

Для того чтобы делать видео 8К сенсор HP2 переключается в режим 1,2 мкм 50 мп и позволяет снимать поток с 30 fps с разрешением порядка 33 мп практически без обрезки рабочего поля.

Размытие картинки при ярком освещении призвана уменьшать технология Samsung Dual Vertical Transfer Gate (D-VTG). В фотодиоде, который стоит внутри каждого пикселя, в нижней его части есть затвор, отвечающий за перенос электронов от пикселя к логическому слою. D-VTG добавляет в пиксель второй вентиль, что увеличивает емкость пикселя более чем на 33%. В условиях яркого освещения это улучшает цветопередачу.

В условиях слабого освещения качество картинки улучшает технология Super QPD. Идея этой технологии в том, что для фокусировки используются все пиксели матрицы. В частности, группы из 4-х соседних пикселей служат для выявления горизонтальных и вертикальных изменений, что позволяет проводить автофокусировку быстро и точно, включая условия слабого освещения.

Samsung обеспечил работу функции DSG (впервые для режима 50 мп) для повышения производительности работы сенсора в режиме HDR. Поддержка Smart-ISO Pro позволяет камере делать HDR изображения с разрешением 12,5 мп и снимать HDR-видео 4К со скоростью 60 fps.

Сенсоры Samsung ISOCell HP2 запущены в серийное производство, так что сравнительно скоро их можно будет встретить в премиальных моделях смартфонов.

#Samsung #сенсоры