🇰🇷 DRAM. DRAM5
SK hynix заявил о разработке самого быстрого в мире серверного модуля памяти
Новый продукт, модуль памяти DDR5 Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module обещает поддержку скоростей передачи данных не менее 8 Гбит/c, что почти на 80% выше, чем типовые для DDR5 4,8 Гбит/c.
По сути, это результат тесного международного сотрудничества лидеров рынка. Чип разработан в сотрудничестве с Intel и Renesas. Особенность продукта в том, что инженеры сосредоточились на повышении скорости работы модулей.
Новый продукт был разработан так, чтобы одновременно работать с двумя рангами за счет использования буфера данных, встроенного в MCR DIMM на основе технологии Intel MCR.
Это позволило модулям MCR DIMM одновременно передавать в ЦП 128 байт данных, а не 64, как делалось до сих пор во многих модулях.
Увеличение объема данных, отправляемых в ЦП, в свою очередь, увеличивает скорость передачи данных DRAM.
В ближайшем будущем в SK hynix постараются довести продукт DDR5 до стадии массового производства, чтобы начать переход к выводу стандарта этого поколения на рынке, где доминирует стандарт DDR4.
В SK hynix ожидают, что рынок MCR DIMM будет расширяться за счет роста востребованности высокопроизводительных вычислений, для которых требуется память с увеличенной пропускной способностью. По прогнозам, продукты памяти стандарта DDR5 займут 20% рынка DRAM уже в 2023 году и 40% к 2025 году.
"Возможности SK Hynix по проектированию модулей DRAM сочетаются с передовыми технологиями Intel в области процессоров Xeon и технологиями буферизации японской Renesas", - комментирует Рю Сунг Су, руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix.
"Для стабильной работы модуля MCR DIMM необходимо четкое взаимодействие буфера данных и процессора в модуле и вне его".
Димитриос Зиакас, вице-президент по технологиям памяти и ввода-вывода в Intel, заявил, что Intel и SK hynix лидируют в области инноваций памяти и разработки высокопроизводительной масштабируемой памяти DDR5 для серверов, наряду с другими ключевыми отраслевыми партнерами.
"Представленная технология - результат многолетних совместных исследований Intel и ключевых отраслевых партнеров, направленных на значительное увеличение пропускной способности процессоров Intel Xeon", - поясняет Зиакас. "Мы с нетерпением ждем возможности внедрить эту технологию в процессоры Intel Xeon будущих поколений и поддержать усилия по стандартизации и разработке всей отрасли".
источник: m.theinvestor.co.kr
#skhynix #DDR5 #DRAM
_______
Источник | #RUSmicro
SK hynix заявил о разработке самого быстрого в мире серверного модуля памяти
Новый продукт, модуль памяти DDR5 Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module обещает поддержку скоростей передачи данных не менее 8 Гбит/c, что почти на 80% выше, чем типовые для DDR5 4,8 Гбит/c.
По сути, это результат тесного международного сотрудничества лидеров рынка. Чип разработан в сотрудничестве с Intel и Renesas. Особенность продукта в том, что инженеры сосредоточились на повышении скорости работы модулей.
Новый продукт был разработан так, чтобы одновременно работать с двумя рангами за счет использования буфера данных, встроенного в MCR DIMM на основе технологии Intel MCR.
Это позволило модулям MCR DIMM одновременно передавать в ЦП 128 байт данных, а не 64, как делалось до сих пор во многих модулях.
Увеличение объема данных, отправляемых в ЦП, в свою очередь, увеличивает скорость передачи данных DRAM.
В ближайшем будущем в SK hynix постараются довести продукт DDR5 до стадии массового производства, чтобы начать переход к выводу стандарта этого поколения на рынке, где доминирует стандарт DDR4.
В SK hynix ожидают, что рынок MCR DIMM будет расширяться за счет роста востребованности высокопроизводительных вычислений, для которых требуется память с увеличенной пропускной способностью. По прогнозам, продукты памяти стандарта DDR5 займут 20% рынка DRAM уже в 2023 году и 40% к 2025 году.
"Возможности SK Hynix по проектированию модулей DRAM сочетаются с передовыми технологиями Intel в области процессоров Xeon и технологиями буферизации японской Renesas", - комментирует Рю Сунг Су, руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix.
"Для стабильной работы модуля MCR DIMM необходимо четкое взаимодействие буфера данных и процессора в модуле и вне его".
Димитриос Зиакас, вице-президент по технологиям памяти и ввода-вывода в Intel, заявил, что Intel и SK hynix лидируют в области инноваций памяти и разработки высокопроизводительной масштабируемой памяти DDR5 для серверов, наряду с другими ключевыми отраслевыми партнерами.
"Представленная технология - результат многолетних совместных исследований Intel и ключевых отраслевых партнеров, направленных на значительное увеличение пропускной способности процессоров Intel Xeon", - поясняет Зиакас. "Мы с нетерпением ждем возможности внедрить эту технологию в процессоры Intel Xeon будущих поколений и поддержать усилия по стандартизации и разработке всей отрасли".
источник: m.theinvestor.co.kr
#skhynix #DDR5 #DRAM
_______
Источник | #RUSmicro
VK
Чипы и чиплеты
SK hynix заявил о разработке самого быстрого в мире серверного модуля памяти
Новый продукт, модуль памяти DDR5 Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module обещает поддержку скоростей передачи данных не менее 8 Гбит/c, что почти на 80% выше, чем…
Новый продукт, модуль памяти DDR5 Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module обещает поддержку скоростей передачи данных не менее 8 Гбит/c, что почти на 80% выше, чем…