Контрактные разработчики электроники

Компании, осуществляющие разработку электроники на заказ, представлены в базе с расширенной информацией по специализации разработок: (разработка микроэлектроники, источников питания и силовых модули, СВЧ, телекома, промавтоматики и транспорта, автоматизации зданий и ЖКХ, ОПК и авиакосмических применений); услугам (тестирование, ремонт и пр.); итоговым результатом окончания проекта разработки, количеством разработчиков и датой регистрации компании

База по ссылке: https://russianelectronics.ru/electronics-development/

#разработкаэлектроники

Вышел журнал "Электронные компоненты" №3/24

В номере:
РАЗРАБОТКА И КОНСТРУИРОВАНИЕ
Владимир Бугров, Юлия Гусева
Проектирование БИХ-фильтров нижних частот с гауссовой характеристикой

Боб Бакстон, Уолт Стриклер
Оценка амплитуды вектора ошибок по отношению пиковой мощности к ее среднему значению

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Евгений Савченко, Алексей Будяков, Александр Аредов
Преимущества использования элементного базиса SiGe БиКМОП при разработке СФ-блоков
быстродействующих микросхем

ТОПОЛОГИЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ
Сергей Курапов
Топологический рисунок графа схемы как основа проектирования плоского конструктива

ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ СОВМЕСТИМОСТЬ
Кит Армстронг
Обеспечение максимальной ЭМС в диапазоне до 2,8 ГГц с помощью экранированных кабелей.
Часть 1

Владимир Калинов
Аналоговые фильтры электромагнитных помех

ЕСПРОВОДНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Вэй Лу
Широкополосные матрицы Батлера и их применение

ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ СРЕДСТВА И ПРИБОРЫ
Виктор Козаренко
Многофункциональные генераторы радиочастотных и микроволновых сигналов

ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Сергей Вишняков
Встраиваемые конденсаторы

Александр Пескин
Конденсаторы постоянной емкости от компании Suntan

Алексей Чистяков
Проще простого? Часть 3

ДАТЧИКИ
Владислав Полторацкий
Некоторые особенности измерения вибраций с помощью акселерометров

СПРАВОЧНЫЕ СТРАНИЦЫ
Микросхема цифро-аналогового преобразователя 5115НВ015 от ОАО «Интеграл»

Новинки месяца. Редакционный обзор

Производители и поставщики источников питания для установки на плату. Таблица

Для подписки на журнал отправьте запрос на [email protected] или оформите подписку на сервисе TimePad:
https://mediagruppa-elektronika.timepad.ru/event/2537277/

#ЭКБ #электронныекомпоненты #разработкаэлектроники #производствоэлектроники

Samsung изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM для ИИ-ускорителей будущего

О создании стека HBM из 16 кристаллов с гибридным соединением сообщил вице-президент Samsung Ким Дэ У (Kim Dae-woo), передаёт TheElec. Этот чип был изготовлен в соответствии со стандартом HBM3, но аналогичное решение будет использоваться и в более производительной продукции HBM4. Ожидалось, что Samsung использует гибридное соединение лишь для одного или двух кристаллов, но в итоге компания применила этот метод ко всем шестнадцати.

#память #разработкаэлектроники

https://3dnews.ru/1102979/samsung-dologila-ob-izgotovlenii-obraztsa-16sloynogo-chipa-pamyati-hbm-dlya-iiuskoriteley

2D-транзисторы могут имитировать мозг саранчи, чтобы избежать столкновений — сверхэффективная технология может снизить затраты энергии на искусственный интеллект завтрашнего дня

Исследователи создали 2D-транзистор со сверхмалым энергопотреблением, чтобы имитировать нейроны предотвращения столкновений саранчи в своих автономных роботах. Ученые из Индийского технологического института Бомбея и Королевского колледжа Лондона совместно работали над исследованием, направленным на изучение маломощных решений для автономных роботов и транспортных средств, популярность которых растет.

Автономное вождение и движение уже давно являются Святым Граалем для разработчиков и исследователей машинного обучения, искусственного интеллекта, а предотвращение столкновений является ключом к тому, чтобы сделать эту технологию осуществимой в реальном мире. С этой целью студенты IITB и Королевского колледжа поставили перед собой задачу создать решение для предотвращения столкновений при чрезвычайно малой мощности.

Изучая предотвращение столкновений, ученые обнаружили у саранчи нейрон, обнаруживающий столкновения. Этот нейрон, получивший название LGMD (детектор движения гигантской дольки), активируется, когда крупные объекты приближаются к саранче, помогая насекомому избежать опасности. Этот нейрон удалось продублировать учёным с помощью невероятно тонких двумерных транзисторов, которые также производят спайки, аналогичные нейрону саранчи, и при тех же затратах энергии: менее 100 пикоджоулей (для примера: работа лампы накаливания мощностью 100 Вт в течение одной секунды - 100 джоулей энергии). Тонкий и дешевый транзистор также был полностью функциональным, его можно было перепрограммировать для поиска различных типов движения и успешного обхода препятствий с высокой степенью точности.

2D-транзистор — несбыточная мечта для крупных производителей микросхем, поскольку, когда транзисторы становятся меньше, они также становятся более энергоэффективными. Конечно, транзистор, использованный в исследовании IITB, очень простой: он включается при обнаружении движения в пределах диапазона и не более того. Но у авторов есть видение того, куда может пойти эта двумерная технология после этого исследования.

Эти сверхэффективные транзисторы могли бы значительно помочь снизить затраты на энергию для часто неэффективных технологий искусственного интеллекта, которые мы доступны сегодня. Профессор Бипин Раджендран из Королевского колледжа Лондона и соавтор исследования пишет: «Мы продемонстрировали, что эту импульсную нейронную цепь можно использовать для обнаружения препятствий. Однако схема может быть использована и в других нейроморфных приложениях (системах, имитирующих человеческий мозг), основанных на технологии аналоговых или смешанных сигналов, для которых требуется импульсный нейрон с низкой энергией».

#разработкаэлектроники #искусственныйинтеллект

https://www.tomshardware.com/tech-industry/artificial-intelligence/2d-transistors-can-mimic-a-locusts-brain-to-avoid-collision-super-efficient-tech-could-lower-the-energy-costs-of-tomorrows-ai