Микроэлектроника - это область, которая занимается созданием и производством электронных компонентов и устройств на микроуровне. Специалисты в этой области занимаются разработкой и производством интегральных схем, микропроцессоров, памяти и других компонентов, которые используются в различных электронных устройствах.
Если вы заинтересованы в получении специальности в области микроэлектроники, вам может быть полезно узнать о доступных образовательных программах и курсах. В России есть множество университетов и технических институтов, которые предлагают обучение по этой специальности.
Также стоит отметить, что микроэлектроника - это быстро развивающаяся область, которая требует постоянного обновления знаний и навыков. Поэтому, даже после получения специальности, важно продолжать обучение и следить за последними тенденциями в отрасли.
#Микроэлектроника #технологии #образование #техническиеинституты #интегральныесхемы #микропроцессоры #память #разработка #производство #электронныеустройства #навыки #тенденции
Если вы заинтересованы в получении специальности в области микроэлектроники, вам может быть полезно узнать о доступных образовательных программах и курсах. В России есть множество университетов и технических институтов, которые предлагают обучение по этой специальности.
Также стоит отметить, что микроэлектроника - это быстро развивающаяся область, которая требует постоянного обновления знаний и навыков. Поэтому, даже после получения специальности, важно продолжать обучение и следить за последними тенденциями в отрасли.
#Микроэлектроника #технологии #образование #техническиеинституты #интегральныесхемы #микропроцессоры #память #разработка #производство #электронныеустройства #навыки #тенденции
Forwarded from Новости электроники
Micron уже распродала еще не произведенную в 2024 и 2025 годах память HBM3E
«Наша память HBM распродана на 2024 календарный год, и подавляющая часть наших поставок на 2025 год уже распределена», — сказал Санджай Мехротра, исполнительный директор Micron, в подготовленных комментариях к отчету о прибылях и убытках компании на этой неделе. «Мы по-прежнему ожидаем, что доля HBM будет эквивалентна нашей общей доле DRAM где-то в 2025 году».
Первоначальные стеки HBM3E от Micron представляют собой модули 8Hi емкостью 24 ГБ со скоростью передачи данных 9,2 ГТ/с и пиковой пропускной способностью памяти более 1,2 ТБ/с на устройство. Шесть из этих стеков будут использоваться для графического процессора Nvidia H200 для искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, что в общей сложности обеспечит 141 ГБ памяти с высокой пропускной способностью. Поскольку Micron является первой компанией, начавшей коммерческие поставки HBM3E, она собирается продать большое количество своих пакетов HBM3E.
Мы находимся на пути к получению нескольких сотен миллионов долларов дохода от HBM в 2024 финансовом году и ожидаем, что доходы HBM будут увеличивать нашу DRAM и общую валовую прибыль, начиная с третьего финансового квартала», — сказал Мехротра.
Глава Micron сообщил, что компания начала выборку своих модулей 12-Hi HBM3E, которые увеличивают объем памяти на 50% и, следовательно, позволяют ИИ обучать более крупные языковые модели. Эти модули HBM3E емкостью 36 ГБ будут использоваться для процессоров искусственного интеллекта следующего поколения, а их производство будет увеличено в 2025 году.
Как сообщает Tom's Hardware, поскольку производство HBM предполагает производство специализированных DRAM, наращивание производства HBM сильно повлияет на способность Micron производить микросхемы DRAM для массовых приложений.
«Рост производства HBM будет сдерживать рост поставок продукции, не содержащей HBM», - сказал Мехротра. «В масштабах отрасли HBM3E потребляет примерно в три раза больше пластин, чем DDR5, для производства заданного количества битов в одном технологическом узле».
#Micron #память #новостиэлектроники
«Наша память HBM распродана на 2024 календарный год, и подавляющая часть наших поставок на 2025 год уже распределена», — сказал Санджай Мехротра, исполнительный директор Micron, в подготовленных комментариях к отчету о прибылях и убытках компании на этой неделе. «Мы по-прежнему ожидаем, что доля HBM будет эквивалентна нашей общей доле DRAM где-то в 2025 году».
Первоначальные стеки HBM3E от Micron представляют собой модули 8Hi емкостью 24 ГБ со скоростью передачи данных 9,2 ГТ/с и пиковой пропускной способностью памяти более 1,2 ТБ/с на устройство. Шесть из этих стеков будут использоваться для графического процессора Nvidia H200 для искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, что в общей сложности обеспечит 141 ГБ памяти с высокой пропускной способностью. Поскольку Micron является первой компанией, начавшей коммерческие поставки HBM3E, она собирается продать большое количество своих пакетов HBM3E.
Мы находимся на пути к получению нескольких сотен миллионов долларов дохода от HBM в 2024 финансовом году и ожидаем, что доходы HBM будут увеличивать нашу DRAM и общую валовую прибыль, начиная с третьего финансового квартала», — сказал Мехротра.
Глава Micron сообщил, что компания начала выборку своих модулей 12-Hi HBM3E, которые увеличивают объем памяти на 50% и, следовательно, позволяют ИИ обучать более крупные языковые модели. Эти модули HBM3E емкостью 36 ГБ будут использоваться для процессоров искусственного интеллекта следующего поколения, а их производство будет увеличено в 2025 году.
Как сообщает Tom's Hardware, поскольку производство HBM предполагает производство специализированных DRAM, наращивание производства HBM сильно повлияет на способность Micron производить микросхемы DRAM для массовых приложений.
«Рост производства HBM будет сдерживать рост поставок продукции, не содержащей HBM», - сказал Мехротра. «В масштабах отрасли HBM3E потребляет примерно в три раза больше пластин, чем DDR5, для производства заданного количества битов в одном технологическом узле».
#Micron #память #новостиэлектроники
Forwarded from Новости электроники
Samsung изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM для ИИ-ускорителей будущего
О создании стека HBM из 16 кристаллов с гибридным соединением сообщил вице-президент Samsung Ким Дэ У (Kim Dae-woo), передаёт TheElec. Этот чип был изготовлен в соответствии со стандартом HBM3, но аналогичное решение будет использоваться и в более производительной продукции HBM4. Ожидалось, что Samsung использует гибридное соединение лишь для одного или двух кристаллов, но в итоге компания применила этот метод ко всем шестнадцати.
#память #разработкаэлектроники
https://3dnews.ru/1102979/samsung-dologila-ob-izgotovlenii-obraztsa-16sloynogo-chipa-pamyati-hbm-dlya-iiuskoriteley
О создании стека HBM из 16 кристаллов с гибридным соединением сообщил вице-президент Samsung Ким Дэ У (Kim Dae-woo), передаёт TheElec. Этот чип был изготовлен в соответствии со стандартом HBM3, но аналогичное решение будет использоваться и в более производительной продукции HBM4. Ожидалось, что Samsung использует гибридное соединение лишь для одного или двух кристаллов, но в итоге компания применила этот метод ко всем шестнадцати.
#память #разработкаэлектроники
https://3dnews.ru/1102979/samsung-dologila-ob-izgotovlenii-obraztsa-16sloynogo-chipa-pamyati-hbm-dlya-iiuskoriteley
3DNews - Daily Digital Digest
Samsung изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM для ИИ-ускорителей будущего
Компания Samsung объявила, что изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM — такие будут применяться с переходом на память HBM4.