В понедельник на стартовавшей годовой конференции International Electronic Devices Meeting (IEDM 2018) глава контрактного подразделения компании Samsung Electronics д-р Юнг (Dr. ES Jung) сделал интересное заявление. Согласно приведённой на сайте Pulsenews цитате (которой нет в официальном пресс-релизе), Samsung намерена запустить массовое производство чипов с использованием 3-нм техпроцесса в 2020 году. Ранее компания Samsung официально сообщала, что техпроцесс с нормами 3 нм с использованием кольцевых затворов (Gate-All-Around Early/Plus, 3GAAE/GAAP) будет внедрён в массовое производство в 2021 году. Если компания действительно собирается форсировать внедрение 3-нм техпроцесса, то это означает, что она нацелена на значительный рывок на рынке контрактных полупроводников.
#samsungelectronics #3нм #производствомикросхем #контрактноепроизводство
https://3dnews.ru/979171?utm_source=nova&utm_medium=tg

Полупроводниковая промышленность приближается к пределу своих наработок. Этот предел можно отодвинуть благодаря переходу на новые структуры транзисторов. Примерно шесть лет назад компания Intel первой успешно внедрила в производство транзисторы FinFET, отправив на свалку истории планарные структуры. Но и FinFET ожидает тот же конец, причём совсем скоро. Ещё год или два и в производство придётся внедрять совсем другие транзисторы
#samsungelectronics #производствомикросхем #3нм #транзисторы
https://3dnews.ru/984252?utm_source=nova&utm_medium=tg

Samsung Electronics раскрыла планы по развитию техпроцессов для выпуска полупроводников. Главным текущим достижением компания считает создание цифровых проектов опытных 3-нм чипов на основе патентованных транзисторов MBCFET. Инструменты для проектирования также доступны. Можно начинать
#samsungelectronics #3нм #производствомикросхем
https://3dnews.ru/987464?utm_source=nova&utm_medium=tg

Китайские учёные разработали 3-нм транзистор

По сообщению китайского издания South China Morning Post, группа китайских исследователей из Института микроэлектроники китайской академии наук разработала транзистор, который можно будет выпускать в рамках 3-нм техпроцесса. В отличие от 3-нм структуры транзистора компании Samsung, предполагающей переход на полностью окружённые затворами каналы в виде наностраниц, «китайский» 3-нм транзистор выполнен в виде каналов из вертикальных FinFET-рёбер, окружённых затворами только с трёх сторон. Другое отличие китайской разработки заключается в материале, из которого изготавливается транзистор. Это ферроэлектрник, и в этом суть изобретения. Кстати, на него уже выдан патент.
#китайскиеученые #3нм #транзисторы
https://3dnews.ru/988458?utm_source=nova&utm_medium=tg

Imec показала, как можно выйти за рамки 3-нм техпроцесса и пойти дальше

На форуме ITF USA 2019 бельгийский исследовательский центр Imec показал образец важной структуры чипа, выпущенного с использованием 3-нм норм производства. Тем самым разработанная для этого технология и техпроцессы обещают открыть путь к массовому производству как 3-нм чипов, так и решений с меньшими технологическими нормами. Техпроцесс выдерживает масштабирование и может отодвинуть финал действия закона Мура.
#imec #3нм #техпроцессы
https://3dnews.ru/990638?utm_source=nova&utm_medium=tg

У TSMC всё идёт по плану: 3-нм техпроцесс будет освоен в 2022 году

Тайваньская полупроводниковая кузница TSMC набрала такие темпы освоения передовых производственных норм, что выглядит неудержимой. Особенно на фоне отказа GlobalFoundries от внедрения массового 7-нм производства и огромных проблем Intel с освоением 10-нм норм. 7-нм процесс получает массу заказов, и недавно TSMC стала крупнейшей азиатской компанией среди присутствующих на бирже, оставив позади даже Samsung.
#tsmc #3нм #техпроцесс #производствомикросхем

https://3dnews.ru/999223?utm_source=nova&utm_medium=tg

ARM предлагает «костыль» для закона Мура: питание с обратной стороны кристалла

Принято считать, что соблюдение закона Мура неразрывно связано с уменьшением размеров транзисторов. До поры до времени всё шло хорошо, что позволило привычной практике обрести статус того самого закона. Но к сегодняшнему дню оказалось, что по мере уменьшения размеров транзисторов всё больше и больше проблем доставляют элементарные схемы подвода питания к этим самым транзисторам. Иными словами, на пути у закона Мура грудью встали потери в линиях питания, и технологический барьер в виде измельчавшего техпроцесса стал лишь частным препятствием на пути дальнейшего развития электроники.
#учёные #производствомикросхем #3нм #arm

https://3dnews.ru/1000190?utm_source=nova&utm_medium=tg

IMEC прокладывает путь к производству 3-нм полупроводников

На повестке дня стоит начало массового производства 5-нм чипов. Следующий шаг ― освоить выпуск 3-нм решений. Несмотря на небольшое различие в технологических нормах, этот маленький шаг потребует значительных исследований. И на первую линию борьбы за 3-нм производство вышли исследователи из Бельгии и Нидерландов.
#техпроцессы #3нм #imec #asml

https://3dnews.ru/1004604?utm_source=nova&utm_medium=tg