Ведущий китайский полупроводниковый производитель SMIC уже в первой половине текущего года приступит к массовому производству по ещё довольно современным 14-нм нормам FinFET. Более того, благодаря щедрой помощи правительства компания уже осваивает техпроцессы 10 нм и EUV 7 нм
#smic #китай #китайскиепроизводители #finfet
https://3dnews.ru/982522?utm_source=nova&utm_medium=tg
#smic #китай #китайскиепроизводители #finfet
https://3dnews.ru/982522?utm_source=nova&utm_medium=tg
3DNews - Daily Digital Digest
Китай приступит к 14-нм массовому производству до середины 2019 года
Ведущий китайский полупроводниковый производитель SMIC уже в первой половине текущего года приступит к массовому производству по ещё довольно современным 14-нм нормам FinFET. Более того, благодаря щедрой помощи правительства компания уже осваивает техпроцессы…
Samsung создала прототип 3-нм полупроводников GAAFET
Как сообщило корейское агентство Maeil Economy, Samsung удалось создать прототип первого 3-нм техпроцесса. При этом компания ставит цель к 2030 году стать производителем полупроводников номер один в мире. Сегодня Samsung является одним из лидеров 7-нм техпроцесса с литографией в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
#samsung #техпроцесс #finfet #gaafet
https://3dnews.ru/1000870?utm_source=nova&utm_medium=tg
Как сообщило корейское агентство Maeil Economy, Samsung удалось создать прототип первого 3-нм техпроцесса. При этом компания ставит цель к 2030 году стать производителем полупроводников номер один в мире. Сегодня Samsung является одним из лидеров 7-нм техпроцесса с литографией в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
#samsung #техпроцесс #finfet #gaafet
https://3dnews.ru/1000870?utm_source=nova&utm_medium=tg
3DNews - Daily Digital Digest
Samsung создала прототип 3-нм полупроводников GAAFET
Как сообщило корейское агентство Maeil Economy, Samsung удалось создать прототип первого 3-нм техпроцесса.