Доклад Intel на конференции ISSCC 2019 позволил узнать о высокой степени готовности компании к массовому производству чипов со встроенной магниторезистивной памятью. Точнее, с такой её версией, как STT-MRAM, которая использует для записи перенос спинового момента электрона. Это очень мало потребляющие ячейки памяти с высочайшей устойчивостью к износу и низкой латентностью. Ожидается, что STT-MRAM заменит встраиваемую память NAND и даже SRAM, что приведёт к появлению мгновенно включающихся компьютеров.
#intel #mram #встраиваемые #интернетвещей
https://3dnews.ru/983125?utm_source=nova&utm_medium=tg