Входящее в «Росатом» СП «Квант» («Квантовые технологии») должно выплатить микроэлектронному предприятию «Крокус наноэлектроника» (КНЭ) 167,9 млн руб. за обслуживание оборудования для производства чипов
Такое решение в мае принял Арбитражный суд Москвы. Согласно картотеке арбитражных дел, КНЭ обратилась в суд еще в марте 2023 г.
Причиной обращения стало то, что компания «Росатома» не платила сотрудникам КНЭ за сервисное обслуживание оборудования больше года – с конца сентября 2021 г. по октябрь 2022 г.
Несмотря на то что в название входит термин «совместное предприятие», СП «Квант» полностью принадлежит АО «Атомэнергопром» (холдинг, объединяющий гражданские активы «Росатома»)
СП занимается разработкой решений на основе квантовых технологий, а также прототипированием и производством микроэлектроники на пластинах 300 мм
Такое решение в мае принял Арбитражный суд Москвы. Согласно картотеке арбитражных дел, КНЭ обратилась в суд еще в марте 2023 г.
Причиной обращения стало то, что компания «Росатома» не платила сотрудникам КНЭ за сервисное обслуживание оборудования больше года – с конца сентября 2021 г. по октябрь 2022 г.
Несмотря на то что в название входит термин «совместное предприятие», СП «Квант» полностью принадлежит АО «Атомэнергопром» (холдинг, объединяющий гражданские активы «Росатома»)
СП занимается разработкой решений на основе квантовых технологий, а также прототипированием и производством микроэлектроники на пластинах 300 мм
Forwarded from Новости IT | Вашу Цифру!
ИМ ПАТЕНТ ИЗМЕНИТ ВСЁ
китаец вынул чиповый туз
Патент Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE) пока только – на рассмотрении, но местная пресса уже трубит, что производство литографических EUV-машин (печати микросхем/чипов в глубоком ультрафиолете) вот-вот разрушит монополию голландской ASML.
Пишут: "Объявленный на неделе патент главного в НКР производителя литографов – SMEE свидетельствует, что отечественные компании вскоре добьются прогресса в технологии EUV, несмотря на санкции США".
SMEE внесли в "черный" список Миниторга США аж в декабре 2022-го вместе с еще 35 китайскими тех-компаниями. Патент на "генератор EUV-излучения для литографов" фирма подала уже в марте 2023-го. Документацию анализируют в Национальном управлении интеллектуальной собственности КНР. Так значится на официальном сайте реестра китайских компаний Qichacha.
Появившийся документ позволяет судить, что SMEE и правда быстро продвигается в EUV. Эту технологию называют "ахиллесовой пятой" китайской полупроводниковой (п/п) промышленности. Несмотря на многолетние усилия, SMEE отстает от ASML в надежном массовом выпуске новейшего EUV-оборудования для чипов топологии тоньше 28 нм.
Самая дорогая техфирма Европы – нидерландская ASML остается практически монополистом новейших EUV-станков (фото – аппарат High NA EUV на главном ее заводе в Велдховене). С 2019-го США с голландским правительством ограничили экспорт оборудования ASML в КНР и продолжают ужесточать его условия.
ВАШУ ЦИФРУ! Китаец умеет "постреливать в воздух", рассказывая всем о достижениях, которых на самом деле нет. И преувеличивать существующие – тоже горазд. Но и реальные прорывы, как Loohgson и SMIC с их 3-7 нм чипами и Huawei с его чипами и телефончегами, тоже совершать может. Буквально, втаптывая в грязь наглого пендоса.
С патентом SMEE, вероятнее всего, – пропагандистская ура-импортозамещательная шумиха, как в РФ. При этом нет совершенно никаких сомнений, что в горизонете 3-5 лет, Китай зримо и грубо "уделает" Америку и весь Запад в ключевом для п/п-индустрии "EUV-вопросе". Тока вряд ли нам от этого леХше
китаец вынул чиповый туз
Патент Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE) пока только – на рассмотрении, но местная пресса уже трубит, что производство литографических EUV-машин (печати микросхем/чипов в глубоком ультрафиолете) вот-вот разрушит монополию голландской ASML.
Пишут: "Объявленный на неделе патент главного в НКР производителя литографов – SMEE свидетельствует, что отечественные компании вскоре добьются прогресса в технологии EUV, несмотря на санкции США".
SMEE внесли в "черный" список Миниторга США аж в декабре 2022-го вместе с еще 35 китайскими тех-компаниями. Патент на "генератор EUV-излучения для литографов" фирма подала уже в марте 2023-го. Документацию анализируют в Национальном управлении интеллектуальной собственности КНР. Так значится на официальном сайте реестра китайских компаний Qichacha.
Появившийся документ позволяет судить, что SMEE и правда быстро продвигается в EUV. Эту технологию называют "ахиллесовой пятой" китайской полупроводниковой (п/п) промышленности. Несмотря на многолетние усилия, SMEE отстает от ASML в надежном массовом выпуске новейшего EUV-оборудования для чипов топологии тоньше 28 нм.
Самая дорогая техфирма Европы – нидерландская ASML остается практически монополистом новейших EUV-станков (фото – аппарат High NA EUV на главном ее заводе в Велдховене). С 2019-го США с голландским правительством ограничили экспорт оборудования ASML в КНР и продолжают ужесточать его условия.
ВАШУ ЦИФРУ! Китаец умеет "постреливать в воздух", рассказывая всем о достижениях, которых на самом деле нет. И преувеличивать существующие – тоже горазд. Но и реальные прорывы, как Loohgson и SMIC с их 3-7 нм чипами и Huawei с его чипами и телефончегами, тоже совершать может. Буквально, втаптывая в грязь наглого пендоса.
С патентом SMEE, вероятнее всего, – пропагандистская ура-импортозамещательная шумиха, как в РФ. При этом нет совершенно никаких сомнений, что в горизонете 3-5 лет, Китай зримо и грубо "уделает" Америку и весь Запад в ключевом для п/п-индустрии "EUV-вопросе". Тока вряд ли нам от этого леХше
Китайские машины для выпуска чипов в действительности оказались далеки от 8-нм техпроцесса
Более глубокий анализ китайских документов, как поясняет в новой публикации TrendForce, позволяет установить, что на местном рынке некие поставщики предлагают произведённое в Китае литографическое оборудование, позволяющее работать с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV)
Один из образцов оснащён криптоновым источником лазерного излучения, а другой аргоновым
Первый способен работать с кремниевыми пластинами типоразмера 300 мм при длине волны лазера 248 нм и разрешающей способностью не более 110 нм, обеспечивая точность межслойного совмещения не более 25 нм
Вторая литографическая система китайского производства способна обрабатывать кремниевые пластины типоразмера 300 мм при длине волны лазера 193 нм и разрешающей способности не более 65 нм, которая сочетается с пресловутой точностью межслойного совмещения не более 8 нм
Как поясняет источник, даже подобных параметров, передовых для китайского оборудования, будет недостаточно для изготовления чипов по 8-нм нормам
Точность межслойного совмещения при производстве 8-нм чипов должна укладываться в диапазон от 2 до 3 нм, а у описываемого китайского образца она в три или даже четыре раза хуже
В частности, для выпуска чипов по техпроцессам 10-нм класса требуется точность межслойного совмещения не более 3 нм, а для 7-нм чипов — не более 2 нм
Если же говорить о разрешающей способности, то для описываемых передовых техпроцессов она должна быть не выше 38 нм, а самый продвинутый китайский образец обладает разрешающей способностью на уровне 65-нм техпроцесса
На таком оборудовании, по словам представителей TrendForce, сложно наладить экономически обоснованное производство даже 40-нм чипов
Разумный предел на практике соответствует 55 нм, причём даже в этом случае придётся использовать сложную оснастку, которая не гарантирует приемлемого уровня брака
Компании SMIC удаётся выпускать 7-нм чипы для Huawei, но она для этого использует множественное экспонирование, которое обеспечивает довольно высокий уровень брака, а также оборудование нидерландской ASML класса DUV, завезённое ещё до введения актуальных санкций со стороны США и Нидерландов
Оборудование китайского производства подобных возможностей пока предоставить не может, и даже не приблизилось к ним на достаточную величину
Более глубокий анализ китайских документов, как поясняет в новой публикации TrendForce, позволяет установить, что на местном рынке некие поставщики предлагают произведённое в Китае литографическое оборудование, позволяющее работать с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV)
Один из образцов оснащён криптоновым источником лазерного излучения, а другой аргоновым
Первый способен работать с кремниевыми пластинами типоразмера 300 мм при длине волны лазера 248 нм и разрешающей способностью не более 110 нм, обеспечивая точность межслойного совмещения не более 25 нм
Вторая литографическая система китайского производства способна обрабатывать кремниевые пластины типоразмера 300 мм при длине волны лазера 193 нм и разрешающей способности не более 65 нм, которая сочетается с пресловутой точностью межслойного совмещения не более 8 нм
Как поясняет источник, даже подобных параметров, передовых для китайского оборудования, будет недостаточно для изготовления чипов по 8-нм нормам
Точность межслойного совмещения при производстве 8-нм чипов должна укладываться в диапазон от 2 до 3 нм, а у описываемого китайского образца она в три или даже четыре раза хуже
В частности, для выпуска чипов по техпроцессам 10-нм класса требуется точность межслойного совмещения не более 3 нм, а для 7-нм чипов — не более 2 нм
Если же говорить о разрешающей способности, то для описываемых передовых техпроцессов она должна быть не выше 38 нм, а самый продвинутый китайский образец обладает разрешающей способностью на уровне 65-нм техпроцесса
На таком оборудовании, по словам представителей TrendForce, сложно наладить экономически обоснованное производство даже 40-нм чипов
Разумный предел на практике соответствует 55 нм, причём даже в этом случае придётся использовать сложную оснастку, которая не гарантирует приемлемого уровня брака
Компании SMIC удаётся выпускать 7-нм чипы для Huawei, но она для этого использует множественное экспонирование, которое обеспечивает довольно высокий уровень брака, а также оборудование нидерландской ASML класса DUV, завезённое ещё до введения актуальных санкций со стороны США и Нидерландов
Оборудование китайского производства подобных возможностей пока предоставить не может, и даже не приблизилось к ним на достаточную величину
В рамках реализации дорожной карты по созданию фотолитографического оборудования уровня 350-90 нм Зеленоградский нанотехнологический центр уже несколько лет поэтапно проводит опытно-конструкторские работы совместно с партнером ОАО «Планар»
Несколько дней назад в рамках ВЭФ министр промышленности и торговли РФ Антон Алиханов рассказал, что в 2026 году будет создан литограф для работы на топологиях 130 нм
Действительно, летом в соответствии с планом подошел к концу 3 этап, в ходе которого на специализированной площадке инженерно-исследовательского центра АО «ЗНТЦ» завершилась отработка базового технологического процесса (БТП) на опытном образце установки с топологическими нормами 350 нм
Также были проведены технологические испытания тестовых структур, изготовленных на опытном образце, а затем выполнена его наладка
До конца года планируется завершить очередной этап, в том числе провести предварительные испытания и приемочные испытания опытного образца установки, а также разработать комплект рабочей технологической документации на БТП для серийного оборудования
Параллельно в сотрудничестве с ОАО «Планар» идут работы над установкой с разрешением 130 нм, в частности ООО «Лассард» разработан эксимерный лазерный источник для степпера, завершены приемочные испытания
Также макетируются основные узлы установки на 90 нм, и ведется разработка программы и методики ПрИ опытного образца установки и стенда для измерения (контроля) фотолитографических и аберрационных характеристик объективов на рабочих длинах волн
В 2026 году планируется завершить работу по созданию литографа с топологическими нормами 130 нм
Несколько дней назад в рамках ВЭФ министр промышленности и торговли РФ Антон Алиханов рассказал, что в 2026 году будет создан литограф для работы на топологиях 130 нм
Действительно, летом в соответствии с планом подошел к концу 3 этап, в ходе которого на специализированной площадке инженерно-исследовательского центра АО «ЗНТЦ» завершилась отработка базового технологического процесса (БТП) на опытном образце установки с топологическими нормами 350 нм
Также были проведены технологические испытания тестовых структур, изготовленных на опытном образце, а затем выполнена его наладка
До конца года планируется завершить очередной этап, в том числе провести предварительные испытания и приемочные испытания опытного образца установки, а также разработать комплект рабочей технологической документации на БТП для серийного оборудования
Параллельно в сотрудничестве с ОАО «Планар» идут работы над установкой с разрешением 130 нм, в частности ООО «Лассард» разработан эксимерный лазерный источник для степпера, завершены приемочные испытания
Также макетируются основные узлы установки на 90 нм, и ведется разработка программы и методики ПрИ опытного образца установки и стенда для измерения (контроля) фотолитографических и аберрационных характеристик объективов на рабочих длинах волн
В 2026 году планируется завершить работу по созданию литографа с топологическими нормами 130 нм
«Научно-исследовательский институт электронной техники» (НИИЭТ, входит в ГК «Элемент») запустил в Воронеже новую линию корпусирования микросхем мощностью до 10 млн единиц в год
Новое оборудование позволяет НИИЭТ начать производство микроконтроллеров собственной разработки и других электронных компонентов в металлополимерных корпусах
Инвестиции в создание новой производственной линии составили 790 млн рублей, из которых 616 млн рублей предоставил федеральный Фонд развития промышленности (ФРП) в виде льготного займа по программе «Комплектующие изделия»
На новой линии начали корпусирование одной из наиболее перспективных разработок НИИЭТ – ультранизкопотребляющего микроконтроллера К1921ВГ015 с широкой сферой применения в медицине, бытовых счетчиках газа и электроэнергии, а также при автоматизации производства
Новые мощности также предусматривают возможность сборки микроконтроллеров, микропроцессоров, преобразователей питания, интерфейсных интегральных микросхем, модулей усиления мощности, кремниевых и нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов в наиболее востребованных металлополимерных корпусах QFP, QFN, SOT, SOIC и TO
До конца 2025 года предприятие планирует корпусировать в пластик до 3,5 млн изделий в год, в то время как проектная мощность предполагает серийное производство до 10 млн штук в год
Это дает возможность обеспечить выпуск в металлополимерных корпусах продукции НИИЭТ для предприятий группы «Элемент» и внешних заказчиков
Так, до 70% выпускаемого объема продукции в металополимерных корпусах будет поставляться отечественным гражданским производителям электроники, среди которых «Электротехнические заводы «Энергомера», «Лартех», «ЖелДор-Техника» и другие
Запуск новой линии стал следующим большим этапом в программе модернизации НИИЭТ
В 2016 году на предприятии были введены мощности по производству электронно-компонентной базы, а в 2021 году завершилась модернизация кристального производства, необходимая для выпуска сверхбольших интегральных схем (СБИС) и мощных СВЧ транзисторов
Запуск новой линии по корпусированию в пластик на НИИЭТ позволил дополнительно создать 15 рабочих мест
Новое оборудование позволяет НИИЭТ начать производство микроконтроллеров собственной разработки и других электронных компонентов в металлополимерных корпусах
Инвестиции в создание новой производственной линии составили 790 млн рублей, из которых 616 млн рублей предоставил федеральный Фонд развития промышленности (ФРП) в виде льготного займа по программе «Комплектующие изделия»
На новой линии начали корпусирование одной из наиболее перспективных разработок НИИЭТ – ультранизкопотребляющего микроконтроллера К1921ВГ015 с широкой сферой применения в медицине, бытовых счетчиках газа и электроэнергии, а также при автоматизации производства
Новые мощности также предусматривают возможность сборки микроконтроллеров, микропроцессоров, преобразователей питания, интерфейсных интегральных микросхем, модулей усиления мощности, кремниевых и нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов в наиболее востребованных металлополимерных корпусах QFP, QFN, SOT, SOIC и TO
До конца 2025 года предприятие планирует корпусировать в пластик до 3,5 млн изделий в год, в то время как проектная мощность предполагает серийное производство до 10 млн штук в год
Это дает возможность обеспечить выпуск в металлополимерных корпусах продукции НИИЭТ для предприятий группы «Элемент» и внешних заказчиков
Так, до 70% выпускаемого объема продукции в металополимерных корпусах будет поставляться отечественным гражданским производителям электроники, среди которых «Электротехнические заводы «Энергомера», «Лартех», «ЖелДор-Техника» и другие
Запуск новой линии стал следующим большим этапом в программе модернизации НИИЭТ
В 2016 году на предприятии были введены мощности по производству электронно-компонентной базы, а в 2021 году завершилась модернизация кристального производства, необходимая для выпуска сверхбольших интегральных схем (СБИС) и мощных СВЧ транзисторов
Запуск новой линии по корпусированию в пластик на НИИЭТ позволил дополнительно создать 15 рабочих мест
Forwarded from Форум «Микроэлектроника»
Forwarded from Форум «Микроэлектроника»
#Интервью
Гульнара Хасьянова: Наш командный зачет − это технологический суверенитет
Интервью с генеральным директором АО «Микрон» Гульнарой Шамильевной Хасьяновой, генеральным директором Консорциума «Телекоммуникационные технологии», модератором круглого стола «Российское телекоммуникационное оборудование на отечественной ЭКБ − ключевой элемент технологической независимости» Российского форума «Микроэлектроника 2024».
Завод «Микрон» в Зеленограде, входящий в состав ГК «Элемент», − крупнейший в стране производитель изделий микроэлектроники. Предприятие постоянно участвует в форумах «Микроэлектроника», в этом году уже традиционно выступает спортивным партнером этого форума. Гульнара Шамильевна Хасьянова поделилась своим мнением о значении форума в целом и его спортивной составляющей в частности, рассказала о подробностях участия в этом событии Микрона.
Читайте полную версию интервью здесь
#форуммикроэлектроника #форум #форум2024 #деловойфорум #выставка #b2b #сириус #форумыроссии
Гульнара Хасьянова: Наш командный зачет − это технологический суверенитет
Интервью с генеральным директором АО «Микрон» Гульнарой Шамильевной Хасьяновой, генеральным директором Консорциума «Телекоммуникационные технологии», модератором круглого стола «Российское телекоммуникационное оборудование на отечественной ЭКБ − ключевой элемент технологической независимости» Российского форума «Микроэлектроника 2024».
Завод «Микрон» в Зеленограде, входящий в состав ГК «Элемент», − крупнейший в стране производитель изделий микроэлектроники. Предприятие постоянно участвует в форумах «Микроэлектроника», в этом году уже традиционно выступает спортивным партнером этого форума. Гульнара Шамильевна Хасьянова поделилась своим мнением о значении форума в целом и его спортивной составляющей в частности, рассказала о подробностях участия в этом событии Микрона.
Читайте полную версию интервью здесь
#форуммикроэлектроника #форум #форум2024 #деловойфорум #выставка #b2b #сириус #форумыроссии
К 2030 г. в России должны появиться собственные установки для производства микроэлектроники
Для этого планируется провести 119 конструкторских работ, следует из программы развития электронного машиностроени
Планируется создать установки для литографии, корпусирования, производства фотошаблонов и кремниевых пластин
Для этого планируется провести 119 конструкторских работ, следует из программы развития электронного машиностроени
Планируется создать установки для литографии, корпусирования, производства фотошаблонов и кремниевых пластин
This media is not supported in your browser
VIEW IN TELEGRAM
Минпромторг заказал создание установки для отмывки и сушки SMIF-контейнеров для кремниевых пластин
На эти работы выделено 476,8 млн руб., следует из портала госзакупок
Контейнеры SMIF позволяют хранить и перемещать наборы полупроводниковых пластин между установками, сохраняя повышенную чистоту
Установка предназначена для групповой обработки SMIF-контейнеров и кассет для пластин диаметром 150 мм и 200 мм
Созданием ее займется Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
На работы отведено два с половиной года
На эти работы выделено 476,8 млн руб., следует из портала госзакупок
Контейнеры SMIF позволяют хранить и перемещать наборы полупроводниковых пластин между установками, сохраняя повышенную чистоту
Установка предназначена для групповой обработки SMIF-контейнеров и кассет для пластин диаметром 150 мм и 200 мм
Созданием ее займется Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
На работы отведено два с половиной года