Минпромторг объявил конкурс на разработку опытного образца станка для нарезания заготовок из кремниевых пластин – первого этапа в технологическом процессе изготовления микропроцессоров и электронной компонентной базы, следует из информации на сайте госзакупок
Сегодня в России нет ни одного производителя такого оборудования
На работы министерство выделило 300 млн руб. Срок подачи заявок на участие в конкурсе – 17 сентября. Оборудование должно быть готово к 30 ноября 2026 г.
Согласно техническому заданию, функциональными аналогами разрабатываемого оборудования являются станки производства Meyer Burger (Швейцария), Linton Kayex (КНР) и Diamond Wire Technologies (USA)
Это оборудование позволяет отсекать конусы, тестовые шайбы и нарезать заготовки на части заданных параметров
Данных о том, сколько иностранных станков такого класса есть в России, в открытом доступе нет
Заказанное Минпромторгом оборудование может использоваться и для работы с кремнием для солнечных батарей
Сегодня в России нет ни одного производителя такого оборудования
На работы министерство выделило 300 млн руб. Срок подачи заявок на участие в конкурсе – 17 сентября. Оборудование должно быть готово к 30 ноября 2026 г.
Согласно техническому заданию, функциональными аналогами разрабатываемого оборудования являются станки производства Meyer Burger (Швейцария), Linton Kayex (КНР) и Diamond Wire Technologies (USA)
Это оборудование позволяет отсекать конусы, тестовые шайбы и нарезать заготовки на части заданных параметров
Данных о том, сколько иностранных станков такого класса есть в России, в открытом доступе нет
Заказанное Минпромторгом оборудование может использоваться и для работы с кремнием для солнечных батарей
Бельгийский исследовательский центр Imec сотрудничает с мировыми лидерами в сфере производства чипов, а потому его руководство может представлять путь развития всей полупроводниковой отрасли на несколько лет вперёд
По его мнению, к 2037 году производители чипов смогут освоить техпроцесс A2, а тремя годами позже удастся преодолеть барьер в 0,1 нм
Если исходить из принятых TSMC обозначений, техпроцесс A2 соответствует литографическим нормам 0,2 нм или 20 ангстремов. Таким образом, в 2040 году полупроводниковая отрасль может преодолеть барьер в 10 ангстремов, если предсказания главы Imec Люка ван ден Хова (Luc Van den hove) оправдаются
В следующем году полупроводниковая отрасль приступит к производству 2-нм чипов, причём в рамках этого техпроцесса произойдёт смена структуры транзисторов с FinFET на нанолисты (Nanosheet), а в 2027 году после перехода на техпроцесс A7 будет внедрена структура транзисторов CFET
По мнению представителя Imec, выпуск чипов по технологии A14 будет подразумевать обязательный переход на использование оборудования с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV)
По его мнению, к 2037 году производители чипов смогут освоить техпроцесс A2, а тремя годами позже удастся преодолеть барьер в 0,1 нм
Если исходить из принятых TSMC обозначений, техпроцесс A2 соответствует литографическим нормам 0,2 нм или 20 ангстремов. Таким образом, в 2040 году полупроводниковая отрасль может преодолеть барьер в 10 ангстремов, если предсказания главы Imec Люка ван ден Хова (Luc Van den hove) оправдаются
В следующем году полупроводниковая отрасль приступит к производству 2-нм чипов, причём в рамках этого техпроцесса произойдёт смена структуры транзисторов с FinFET на нанолисты (Nanosheet), а в 2027 году после перехода на техпроцесс A7 будет внедрена структура транзисторов CFET
По мнению представителя Imec, выпуск чипов по технологии A14 будет подразумевать обязательный переход на использование оборудования с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV)
Российские компании успешно приобрели запасные части для чиповых машин ASML 1990-х годов выпуска в 2022 и 2023 годах, несмотря на европейские санкции, запрещающие продавать любое высокотехнологичное оборудование российским компаниям
Эти запчасти были получены через китайских посредников
Информация всплыла через голландскую газету Trouw, которая проанализировала открытые документы российской таможни
После начала СВО, Европейский союз ввел санкции, запрещающие продажу электронного оборудования в Россию, включая запасные части для инструментов для производства микросхем
Однако российские импортеры нашли способы доставить не менее 170 партий запасных частей для литографического инструмента ASML PAS 5500, в основном от китайских поставщиков
ASML в ответ на Reuters подтвердила, что придерживается этих санкций, и заявила, что в последние годы не продавала продукцию и не взаимодействовала с российскими дистрибьюторами
В зависимости от конкретной модели станок PAS 5500 может быть оснащен лазером i-line с длиной волны 365 нм, способным достигать разрешения 400 нм (PAS 5500 / 100D), или ArF-лазером с длиной волны 193 нм, который может достигать разрешения 90 нм (PAS 5500 / 1150C)
В то время как первоначальные машины PAS 5500 начала 1990-х годов могли использоваться для производства памяти или логики по техпроцессу 350 нм (35 микрон), их преемники конца 1990-х и начала 2000-х годов могут производить усовершенствованные логические микросхемы по техпроцессу 130 нм и 90 нм, что как раз соответствует тому, что могут делать российские производители микросхем Ангстрем и Микрон
Формально инструменты для литографии PAS 5500 не классифицируются как технологии двойного назначения с потенциальным военным применением (вероятно, потому, что на данный момент новейшим около 20 лет), их можно использовать для изготовления довольно продвинутых микросхем
Например, двухъядерные процессоры AMD Athlon 64 X2 и Athlon 64 FX были изготовлены по техпроцессу класса 90 нм
Кроме того, даже системы ASML PAS 5500 litho 1990-х годов выпуска могут использоваться для производства аналоговых или радиочастотных микросхем, которые не требуют передовых технологических узлов
Эти запчасти были получены через китайских посредников
Информация всплыла через голландскую газету Trouw, которая проанализировала открытые документы российской таможни
После начала СВО, Европейский союз ввел санкции, запрещающие продажу электронного оборудования в Россию, включая запасные части для инструментов для производства микросхем
Однако российские импортеры нашли способы доставить не менее 170 партий запасных частей для литографического инструмента ASML PAS 5500, в основном от китайских поставщиков
ASML в ответ на Reuters подтвердила, что придерживается этих санкций, и заявила, что в последние годы не продавала продукцию и не взаимодействовала с российскими дистрибьюторами
В зависимости от конкретной модели станок PAS 5500 может быть оснащен лазером i-line с длиной волны 365 нм, способным достигать разрешения 400 нм (PAS 5500 / 100D), или ArF-лазером с длиной волны 193 нм, который может достигать разрешения 90 нм (PAS 5500 / 1150C)
В то время как первоначальные машины PAS 5500 начала 1990-х годов могли использоваться для производства памяти или логики по техпроцессу 350 нм (35 микрон), их преемники конца 1990-х и начала 2000-х годов могут производить усовершенствованные логические микросхемы по техпроцессу 130 нм и 90 нм, что как раз соответствует тому, что могут делать российские производители микросхем Ангстрем и Микрон
Формально инструменты для литографии PAS 5500 не классифицируются как технологии двойного назначения с потенциальным военным применением (вероятно, потому, что на данный момент новейшим около 20 лет), их можно использовать для изготовления довольно продвинутых микросхем
Например, двухъядерные процессоры AMD Athlon 64 X2 и Athlon 64 FX были изготовлены по техпроцессу класса 90 нм
Кроме того, даже системы ASML PAS 5500 litho 1990-х годов выпуска могут использоваться для производства аналоговых или радиочастотных микросхем, которые не требуют передовых технологических узлов
Литография в домашних условиях
Российские компании успешно приобрели запасные части для чиповых машин ASML 1990-х годов выпуска в 2022 и 2023 годах, несмотря на европейские санкции, запрещающие продавать любое высокотехнологичное оборудование российским компаниям Эти запчасти были получены…
Сразу же возникает вопрос: а у кого есть станки PAS 5500?
Путем недолгого гугления наткнулся на интересную статью на Хабре от 2022 года:
Путь к сердцу полупроводниковой фабрики: какие литографы доступны России?
https://habr.com/ru/articles/699340/
Путем недолгого гугления наткнулся на интересную статью на Хабре от 2022 года:
Путь к сердцу полупроводниковой фабрики: какие литографы доступны России?
https://habr.com/ru/articles/699340/
Компания Intel изначально планировала использовать техпроцесс 20A для адаптации к новшествам в компоновке транзисторов и подводу питания с оборотной стороны кремниевой пластины, не делая серьёзных ставок на него в серийном производстве
Теперь же она даёт понять, что решила «перепрыгнуть» через эту ступень литографии, и предлагать только изделия, выпускаемые по более совершенной технологии Intel 18A
Об этом вполне открыто говорится в новом пресс-релизе на сайте Intel, описывающем ценность Intel 20A с точки зрения получения опыта
В рамках данного техпроцесса компания смогла внедрить структуру транзисторов RibbonFET и подвод питания к кремниевой пластине с оборотной стороны, которые изначально будут применяться при выпуске продукции по технологии Intel 18A
Как пояснил на этой неделе финансовый директор Intel Дэвид Зинснер (Davis Zinsner), компания решила не выводить на рынок техпроцесс 20A для концентрации ресурсов на внедрении более совершенного 18A
По прогнозам Intel, отказ от технологии 20A позволит сэкономить полмиллиарда долларов
Подобная смена приоритетов будет способствовать более быстрому внедрению техпроцесса Intel 18A в массовом производстве и достижению цели по освоению пяти новых техпроцессов за четыре года
Тем более, что плотностью дефектов в рамках техпроцесса Intel 18A на данном этапе компания очень довольна
Для потребительского сегмента отказ от техпроцесса Intel 20A будет иметь вполне осязаемые последствия: выпуск процессоров Arrow Lake будет доверен сторонним подрядчикам в сочетании с использованием собственных возможностей Intel по упаковке чипов
Вероятно, производство поручат TSMC
Теперь же она даёт понять, что решила «перепрыгнуть» через эту ступень литографии, и предлагать только изделия, выпускаемые по более совершенной технологии Intel 18A
Об этом вполне открыто говорится в новом пресс-релизе на сайте Intel, описывающем ценность Intel 20A с точки зрения получения опыта
В рамках данного техпроцесса компания смогла внедрить структуру транзисторов RibbonFET и подвод питания к кремниевой пластине с оборотной стороны, которые изначально будут применяться при выпуске продукции по технологии Intel 18A
Как пояснил на этой неделе финансовый директор Intel Дэвид Зинснер (Davis Zinsner), компания решила не выводить на рынок техпроцесс 20A для концентрации ресурсов на внедрении более совершенного 18A
По прогнозам Intel, отказ от технологии 20A позволит сэкономить полмиллиарда долларов
Подобная смена приоритетов будет способствовать более быстрому внедрению техпроцесса Intel 18A в массовом производстве и достижению цели по освоению пяти новых техпроцессов за четыре года
Тем более, что плотностью дефектов в рамках техпроцесса Intel 18A на данном этапе компания очень довольна
Для потребительского сегмента отказ от техпроцесса Intel 20A будет иметь вполне осязаемые последствия: выпуск процессоров Arrow Lake будет доверен сторонним подрядчикам в сочетании с использованием собственных возможностей Intel по упаковке чипов
Вероятно, производство поручат TSMC
Входящее в «Росатом» СП «Квант» («Квантовые технологии») должно выплатить микроэлектронному предприятию «Крокус наноэлектроника» (КНЭ) 167,9 млн руб. за обслуживание оборудования для производства чипов
Такое решение в мае принял Арбитражный суд Москвы. Согласно картотеке арбитражных дел, КНЭ обратилась в суд еще в марте 2023 г.
Причиной обращения стало то, что компания «Росатома» не платила сотрудникам КНЭ за сервисное обслуживание оборудования больше года – с конца сентября 2021 г. по октябрь 2022 г.
Несмотря на то что в название входит термин «совместное предприятие», СП «Квант» полностью принадлежит АО «Атомэнергопром» (холдинг, объединяющий гражданские активы «Росатома»)
СП занимается разработкой решений на основе квантовых технологий, а также прототипированием и производством микроэлектроники на пластинах 300 мм
Такое решение в мае принял Арбитражный суд Москвы. Согласно картотеке арбитражных дел, КНЭ обратилась в суд еще в марте 2023 г.
Причиной обращения стало то, что компания «Росатома» не платила сотрудникам КНЭ за сервисное обслуживание оборудования больше года – с конца сентября 2021 г. по октябрь 2022 г.
Несмотря на то что в название входит термин «совместное предприятие», СП «Квант» полностью принадлежит АО «Атомэнергопром» (холдинг, объединяющий гражданские активы «Росатома»)
СП занимается разработкой решений на основе квантовых технологий, а также прототипированием и производством микроэлектроники на пластинах 300 мм
Forwarded from Новости IT | Вашу Цифру!
ИМ ПАТЕНТ ИЗМЕНИТ ВСЁ
китаец вынул чиповый туз
Патент Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE) пока только – на рассмотрении, но местная пресса уже трубит, что производство литографических EUV-машин (печати микросхем/чипов в глубоком ультрафиолете) вот-вот разрушит монополию голландской ASML.
Пишут: "Объявленный на неделе патент главного в НКР производителя литографов – SMEE свидетельствует, что отечественные компании вскоре добьются прогресса в технологии EUV, несмотря на санкции США".
SMEE внесли в "черный" список Миниторга США аж в декабре 2022-го вместе с еще 35 китайскими тех-компаниями. Патент на "генератор EUV-излучения для литографов" фирма подала уже в марте 2023-го. Документацию анализируют в Национальном управлении интеллектуальной собственности КНР. Так значится на официальном сайте реестра китайских компаний Qichacha.
Появившийся документ позволяет судить, что SMEE и правда быстро продвигается в EUV. Эту технологию называют "ахиллесовой пятой" китайской полупроводниковой (п/п) промышленности. Несмотря на многолетние усилия, SMEE отстает от ASML в надежном массовом выпуске новейшего EUV-оборудования для чипов топологии тоньше 28 нм.
Самая дорогая техфирма Европы – нидерландская ASML остается практически монополистом новейших EUV-станков (фото – аппарат High NA EUV на главном ее заводе в Велдховене). С 2019-го США с голландским правительством ограничили экспорт оборудования ASML в КНР и продолжают ужесточать его условия.
ВАШУ ЦИФРУ! Китаец умеет "постреливать в воздух", рассказывая всем о достижениях, которых на самом деле нет. И преувеличивать существующие – тоже горазд. Но и реальные прорывы, как Loohgson и SMIC с их 3-7 нм чипами и Huawei с его чипами и телефончегами, тоже совершать может. Буквально, втаптывая в грязь наглого пендоса.
С патентом SMEE, вероятнее всего, – пропагандистская ура-импортозамещательная шумиха, как в РФ. При этом нет совершенно никаких сомнений, что в горизонете 3-5 лет, Китай зримо и грубо "уделает" Америку и весь Запад в ключевом для п/п-индустрии "EUV-вопросе". Тока вряд ли нам от этого леХше
китаец вынул чиповый туз
Патент Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE) пока только – на рассмотрении, но местная пресса уже трубит, что производство литографических EUV-машин (печати микросхем/чипов в глубоком ультрафиолете) вот-вот разрушит монополию голландской ASML.
Пишут: "Объявленный на неделе патент главного в НКР производителя литографов – SMEE свидетельствует, что отечественные компании вскоре добьются прогресса в технологии EUV, несмотря на санкции США".
SMEE внесли в "черный" список Миниторга США аж в декабре 2022-го вместе с еще 35 китайскими тех-компаниями. Патент на "генератор EUV-излучения для литографов" фирма подала уже в марте 2023-го. Документацию анализируют в Национальном управлении интеллектуальной собственности КНР. Так значится на официальном сайте реестра китайских компаний Qichacha.
Появившийся документ позволяет судить, что SMEE и правда быстро продвигается в EUV. Эту технологию называют "ахиллесовой пятой" китайской полупроводниковой (п/п) промышленности. Несмотря на многолетние усилия, SMEE отстает от ASML в надежном массовом выпуске новейшего EUV-оборудования для чипов топологии тоньше 28 нм.
Самая дорогая техфирма Европы – нидерландская ASML остается практически монополистом новейших EUV-станков (фото – аппарат High NA EUV на главном ее заводе в Велдховене). С 2019-го США с голландским правительством ограничили экспорт оборудования ASML в КНР и продолжают ужесточать его условия.
ВАШУ ЦИФРУ! Китаец умеет "постреливать в воздух", рассказывая всем о достижениях, которых на самом деле нет. И преувеличивать существующие – тоже горазд. Но и реальные прорывы, как Loohgson и SMIC с их 3-7 нм чипами и Huawei с его чипами и телефончегами, тоже совершать может. Буквально, втаптывая в грязь наглого пендоса.
С патентом SMEE, вероятнее всего, – пропагандистская ура-импортозамещательная шумиха, как в РФ. При этом нет совершенно никаких сомнений, что в горизонете 3-5 лет, Китай зримо и грубо "уделает" Америку и весь Запад в ключевом для п/п-индустрии "EUV-вопросе". Тока вряд ли нам от этого леХше
Китайские машины для выпуска чипов в действительности оказались далеки от 8-нм техпроцесса
Более глубокий анализ китайских документов, как поясняет в новой публикации TrendForce, позволяет установить, что на местном рынке некие поставщики предлагают произведённое в Китае литографическое оборудование, позволяющее работать с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV)
Один из образцов оснащён криптоновым источником лазерного излучения, а другой аргоновым
Первый способен работать с кремниевыми пластинами типоразмера 300 мм при длине волны лазера 248 нм и разрешающей способностью не более 110 нм, обеспечивая точность межслойного совмещения не более 25 нм
Вторая литографическая система китайского производства способна обрабатывать кремниевые пластины типоразмера 300 мм при длине волны лазера 193 нм и разрешающей способности не более 65 нм, которая сочетается с пресловутой точностью межслойного совмещения не более 8 нм
Как поясняет источник, даже подобных параметров, передовых для китайского оборудования, будет недостаточно для изготовления чипов по 8-нм нормам
Точность межслойного совмещения при производстве 8-нм чипов должна укладываться в диапазон от 2 до 3 нм, а у описываемого китайского образца она в три или даже четыре раза хуже
В частности, для выпуска чипов по техпроцессам 10-нм класса требуется точность межслойного совмещения не более 3 нм, а для 7-нм чипов — не более 2 нм
Если же говорить о разрешающей способности, то для описываемых передовых техпроцессов она должна быть не выше 38 нм, а самый продвинутый китайский образец обладает разрешающей способностью на уровне 65-нм техпроцесса
На таком оборудовании, по словам представителей TrendForce, сложно наладить экономически обоснованное производство даже 40-нм чипов
Разумный предел на практике соответствует 55 нм, причём даже в этом случае придётся использовать сложную оснастку, которая не гарантирует приемлемого уровня брака
Компании SMIC удаётся выпускать 7-нм чипы для Huawei, но она для этого использует множественное экспонирование, которое обеспечивает довольно высокий уровень брака, а также оборудование нидерландской ASML класса DUV, завезённое ещё до введения актуальных санкций со стороны США и Нидерландов
Оборудование китайского производства подобных возможностей пока предоставить не может, и даже не приблизилось к ним на достаточную величину
Более глубокий анализ китайских документов, как поясняет в новой публикации TrendForce, позволяет установить, что на местном рынке некие поставщики предлагают произведённое в Китае литографическое оборудование, позволяющее работать с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV)
Один из образцов оснащён криптоновым источником лазерного излучения, а другой аргоновым
Первый способен работать с кремниевыми пластинами типоразмера 300 мм при длине волны лазера 248 нм и разрешающей способностью не более 110 нм, обеспечивая точность межслойного совмещения не более 25 нм
Вторая литографическая система китайского производства способна обрабатывать кремниевые пластины типоразмера 300 мм при длине волны лазера 193 нм и разрешающей способности не более 65 нм, которая сочетается с пресловутой точностью межслойного совмещения не более 8 нм
Как поясняет источник, даже подобных параметров, передовых для китайского оборудования, будет недостаточно для изготовления чипов по 8-нм нормам
Точность межслойного совмещения при производстве 8-нм чипов должна укладываться в диапазон от 2 до 3 нм, а у описываемого китайского образца она в три или даже четыре раза хуже
В частности, для выпуска чипов по техпроцессам 10-нм класса требуется точность межслойного совмещения не более 3 нм, а для 7-нм чипов — не более 2 нм
Если же говорить о разрешающей способности, то для описываемых передовых техпроцессов она должна быть не выше 38 нм, а самый продвинутый китайский образец обладает разрешающей способностью на уровне 65-нм техпроцесса
На таком оборудовании, по словам представителей TrendForce, сложно наладить экономически обоснованное производство даже 40-нм чипов
Разумный предел на практике соответствует 55 нм, причём даже в этом случае придётся использовать сложную оснастку, которая не гарантирует приемлемого уровня брака
Компании SMIC удаётся выпускать 7-нм чипы для Huawei, но она для этого использует множественное экспонирование, которое обеспечивает довольно высокий уровень брака, а также оборудование нидерландской ASML класса DUV, завезённое ещё до введения актуальных санкций со стороны США и Нидерландов
Оборудование китайского производства подобных возможностей пока предоставить не может, и даже не приблизилось к ним на достаточную величину
В рамках реализации дорожной карты по созданию фотолитографического оборудования уровня 350-90 нм Зеленоградский нанотехнологический центр уже несколько лет поэтапно проводит опытно-конструкторские работы совместно с партнером ОАО «Планар»
Несколько дней назад в рамках ВЭФ министр промышленности и торговли РФ Антон Алиханов рассказал, что в 2026 году будет создан литограф для работы на топологиях 130 нм
Действительно, летом в соответствии с планом подошел к концу 3 этап, в ходе которого на специализированной площадке инженерно-исследовательского центра АО «ЗНТЦ» завершилась отработка базового технологического процесса (БТП) на опытном образце установки с топологическими нормами 350 нм
Также были проведены технологические испытания тестовых структур, изготовленных на опытном образце, а затем выполнена его наладка
До конца года планируется завершить очередной этап, в том числе провести предварительные испытания и приемочные испытания опытного образца установки, а также разработать комплект рабочей технологической документации на БТП для серийного оборудования
Параллельно в сотрудничестве с ОАО «Планар» идут работы над установкой с разрешением 130 нм, в частности ООО «Лассард» разработан эксимерный лазерный источник для степпера, завершены приемочные испытания
Также макетируются основные узлы установки на 90 нм, и ведется разработка программы и методики ПрИ опытного образца установки и стенда для измерения (контроля) фотолитографических и аберрационных характеристик объективов на рабочих длинах волн
В 2026 году планируется завершить работу по созданию литографа с топологическими нормами 130 нм
Несколько дней назад в рамках ВЭФ министр промышленности и торговли РФ Антон Алиханов рассказал, что в 2026 году будет создан литограф для работы на топологиях 130 нм
Действительно, летом в соответствии с планом подошел к концу 3 этап, в ходе которого на специализированной площадке инженерно-исследовательского центра АО «ЗНТЦ» завершилась отработка базового технологического процесса (БТП) на опытном образце установки с топологическими нормами 350 нм
Также были проведены технологические испытания тестовых структур, изготовленных на опытном образце, а затем выполнена его наладка
До конца года планируется завершить очередной этап, в том числе провести предварительные испытания и приемочные испытания опытного образца установки, а также разработать комплект рабочей технологической документации на БТП для серийного оборудования
Параллельно в сотрудничестве с ОАО «Планар» идут работы над установкой с разрешением 130 нм, в частности ООО «Лассард» разработан эксимерный лазерный источник для степпера, завершены приемочные испытания
Также макетируются основные узлы установки на 90 нм, и ведется разработка программы и методики ПрИ опытного образца установки и стенда для измерения (контроля) фотолитографических и аберрационных характеристик объективов на рабочих длинах волн
В 2026 году планируется завершить работу по созданию литографа с топологическими нормами 130 нм
«Научно-исследовательский институт электронной техники» (НИИЭТ, входит в ГК «Элемент») запустил в Воронеже новую линию корпусирования микросхем мощностью до 10 млн единиц в год
Новое оборудование позволяет НИИЭТ начать производство микроконтроллеров собственной разработки и других электронных компонентов в металлополимерных корпусах
Инвестиции в создание новой производственной линии составили 790 млн рублей, из которых 616 млн рублей предоставил федеральный Фонд развития промышленности (ФРП) в виде льготного займа по программе «Комплектующие изделия»
На новой линии начали корпусирование одной из наиболее перспективных разработок НИИЭТ – ультранизкопотребляющего микроконтроллера К1921ВГ015 с широкой сферой применения в медицине, бытовых счетчиках газа и электроэнергии, а также при автоматизации производства
Новые мощности также предусматривают возможность сборки микроконтроллеров, микропроцессоров, преобразователей питания, интерфейсных интегральных микросхем, модулей усиления мощности, кремниевых и нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов в наиболее востребованных металлополимерных корпусах QFP, QFN, SOT, SOIC и TO
До конца 2025 года предприятие планирует корпусировать в пластик до 3,5 млн изделий в год, в то время как проектная мощность предполагает серийное производство до 10 млн штук в год
Это дает возможность обеспечить выпуск в металлополимерных корпусах продукции НИИЭТ для предприятий группы «Элемент» и внешних заказчиков
Так, до 70% выпускаемого объема продукции в металополимерных корпусах будет поставляться отечественным гражданским производителям электроники, среди которых «Электротехнические заводы «Энергомера», «Лартех», «ЖелДор-Техника» и другие
Запуск новой линии стал следующим большим этапом в программе модернизации НИИЭТ
В 2016 году на предприятии были введены мощности по производству электронно-компонентной базы, а в 2021 году завершилась модернизация кристального производства, необходимая для выпуска сверхбольших интегральных схем (СБИС) и мощных СВЧ транзисторов
Запуск новой линии по корпусированию в пластик на НИИЭТ позволил дополнительно создать 15 рабочих мест
Новое оборудование позволяет НИИЭТ начать производство микроконтроллеров собственной разработки и других электронных компонентов в металлополимерных корпусах
Инвестиции в создание новой производственной линии составили 790 млн рублей, из которых 616 млн рублей предоставил федеральный Фонд развития промышленности (ФРП) в виде льготного займа по программе «Комплектующие изделия»
На новой линии начали корпусирование одной из наиболее перспективных разработок НИИЭТ – ультранизкопотребляющего микроконтроллера К1921ВГ015 с широкой сферой применения в медицине, бытовых счетчиках газа и электроэнергии, а также при автоматизации производства
Новые мощности также предусматривают возможность сборки микроконтроллеров, микропроцессоров, преобразователей питания, интерфейсных интегральных микросхем, модулей усиления мощности, кремниевых и нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов в наиболее востребованных металлополимерных корпусах QFP, QFN, SOT, SOIC и TO
До конца 2025 года предприятие планирует корпусировать в пластик до 3,5 млн изделий в год, в то время как проектная мощность предполагает серийное производство до 10 млн штук в год
Это дает возможность обеспечить выпуск в металлополимерных корпусах продукции НИИЭТ для предприятий группы «Элемент» и внешних заказчиков
Так, до 70% выпускаемого объема продукции в металополимерных корпусах будет поставляться отечественным гражданским производителям электроники, среди которых «Электротехнические заводы «Энергомера», «Лартех», «ЖелДор-Техника» и другие
Запуск новой линии стал следующим большим этапом в программе модернизации НИИЭТ
В 2016 году на предприятии были введены мощности по производству электронно-компонентной базы, а в 2021 году завершилась модернизация кристального производства, необходимая для выпуска сверхбольших интегральных схем (СБИС) и мощных СВЧ транзисторов
Запуск новой линии по корпусированию в пластик на НИИЭТ позволил дополнительно создать 15 рабочих мест
Forwarded from Форум «Микроэлектроника»
Forwarded from Форум «Микроэлектроника»
#Интервью
Гульнара Хасьянова: Наш командный зачет − это технологический суверенитет
Интервью с генеральным директором АО «Микрон» Гульнарой Шамильевной Хасьяновой, генеральным директором Консорциума «Телекоммуникационные технологии», модератором круглого стола «Российское телекоммуникационное оборудование на отечественной ЭКБ − ключевой элемент технологической независимости» Российского форума «Микроэлектроника 2024».
Завод «Микрон» в Зеленограде, входящий в состав ГК «Элемент», − крупнейший в стране производитель изделий микроэлектроники. Предприятие постоянно участвует в форумах «Микроэлектроника», в этом году уже традиционно выступает спортивным партнером этого форума. Гульнара Шамильевна Хасьянова поделилась своим мнением о значении форума в целом и его спортивной составляющей в частности, рассказала о подробностях участия в этом событии Микрона.
Читайте полную версию интервью здесь
#форуммикроэлектроника #форум #форум2024 #деловойфорум #выставка #b2b #сириус #форумыроссии
Гульнара Хасьянова: Наш командный зачет − это технологический суверенитет
Интервью с генеральным директором АО «Микрон» Гульнарой Шамильевной Хасьяновой, генеральным директором Консорциума «Телекоммуникационные технологии», модератором круглого стола «Российское телекоммуникационное оборудование на отечественной ЭКБ − ключевой элемент технологической независимости» Российского форума «Микроэлектроника 2024».
Завод «Микрон» в Зеленограде, входящий в состав ГК «Элемент», − крупнейший в стране производитель изделий микроэлектроники. Предприятие постоянно участвует в форумах «Микроэлектроника», в этом году уже традиционно выступает спортивным партнером этого форума. Гульнара Шамильевна Хасьянова поделилась своим мнением о значении форума в целом и его спортивной составляющей в частности, рассказала о подробностях участия в этом событии Микрона.
Читайте полную версию интервью здесь
#форуммикроэлектроника #форум #форум2024 #деловойфорум #выставка #b2b #сириус #форумыроссии
К 2030 г. в России должны появиться собственные установки для производства микроэлектроники
Для этого планируется провести 119 конструкторских работ, следует из программы развития электронного машиностроени
Планируется создать установки для литографии, корпусирования, производства фотошаблонов и кремниевых пластин
Для этого планируется провести 119 конструкторских работ, следует из программы развития электронного машиностроени
Планируется создать установки для литографии, корпусирования, производства фотошаблонов и кремниевых пластин
This media is not supported in your browser
VIEW IN TELEGRAM
Минпромторг заказал создание установки для отмывки и сушки SMIF-контейнеров для кремниевых пластин
На эти работы выделено 476,8 млн руб., следует из портала госзакупок
Контейнеры SMIF позволяют хранить и перемещать наборы полупроводниковых пластин между установками, сохраняя повышенную чистоту
Установка предназначена для групповой обработки SMIF-контейнеров и кассет для пластин диаметром 150 мм и 200 мм
Созданием ее займется Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
На работы отведено два с половиной года
На эти работы выделено 476,8 млн руб., следует из портала госзакупок
Контейнеры SMIF позволяют хранить и перемещать наборы полупроводниковых пластин между установками, сохраняя повышенную чистоту
Установка предназначена для групповой обработки SMIF-контейнеров и кассет для пластин диаметром 150 мм и 200 мм
Созданием ее займется Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
На работы отведено два с половиной года