🇷🇺 Научные исследования. Перспективные материалы

В России экспериментируют с полупроводником третьего поколения

Так нередко называют оксид галлия (Ga2O3). В МИСИС совместно с коллегами из компании "Совершенные кристаллы" вырастили пленку оксида галлия (k-Ga2O3) на подложке нитрида алюминия (AlN), изучили структуру и электрические свойства этой пленки.

Эксперименты подтвердили возможность получения так называемого "двумерного газа" (2DHG), который образуется на гетерогранице пленки k-Ga2O3 с другими широкозонными полупроводниками, например k-Ga2O3/AlN. В итоге такая структура демонстрировала дырочный тип проводимости, когда основным источником заряда являются дырки, а не электроны.

Этому эффекту, как выяснили ученые, материал обязан спонтанной поляризации, когда заряд поляризации материала компенсируется положительным зарядом дырок на гетерогранице, что и называют "двумерным газом". На основе этого эффекта можно создавать транзисторы с высокой подвижностью носителей заряда.

Ученые планируют продолжить эксперименты. На этот раз за основу возьмут β-оксид галлия, преобразуют его k-Ga2O3 и будут экспериментировать с добавлением большой дозы галлия, никеля, кислорода и золота.

Подробнее об эксперименте можно почитать в источнике - tadviser.ru

Также об оксиде галлия можно почитать на MForum.

#Ga2O3 #оксидгаллия #полупроводники #микроэлектроника #наука