Занятная технология изготовления дросселей для плотных преобразователей.

Описанный метод позволяет значительно снизить габариты вашего источника (или увеличить Вт/мм^3).
Есть и нюансы, подобные дроссели предназначены для преобразователей с частотой выше 1Мгц. Максимально раскрывают свой потенциал в паре с GaN транзисторами.

Однако, мне не удалось найти в продаже подобные индуктивности как отдельные компоненты. Возможно, технология нашла применение только в нише модульных источников питания.

Статья от AD, где рассказывают как изменять переходную характеристику вашего преобразователя. Встречаются микросхемы, в которых отсутствует доступ к резисторам обратной связи, как раз для таких случаев и применяется описанный метод