벌써 2월의 마지막이네요. 3월에는 GTC/주총 예정되어 있어 또 바쁘게 뉴스 따라가야 할 것 같습니다. 한 주 고생많으셨습니다~!

1. GTC 2026 핵심 포인트: Feynman(A16) + HBM4 본격 양산 확인

- NVIDIA, GTC에서 “세계가 놀랄 칩” 공개 예고 → 차세대 Feynman 가능성
- Feynman은 TSMC 1nm급 기반, 2028년 출시 예정이며 silicon photonics 기반 optical interconnect 적용 전망
- Vera Rubin 플랫폼용 HBM4 공급사인 삼성전자와 SK hynix도 주요 발표자로 참여할 예정

Link: https://bit.ly/4tTTBZz

2. HBM4 경쟁 핵심은 이제 기술이 아니라 ‘클린룸 capacity’

- HBM4는 공정 복잡도 증가로 동일 생산량에도 더 큰 클린룸 필요
- 삼성, 평택 P5 fab 완공 6개월 이상 앞당김 → 2027년 말 양산 목표
- SK hynix, 청주 M15X 및 용인 fab 건설 가속
- Micron, 신규 건설 대신 대만 PSMC fab 인수 → 생산 시점 1년 이상 단축. 2027년 양산, 전체 capacity의 10%+ 규모

Link: https://bit.ly/46qUizs

3. 삼성, 마지막 2D NAND 종료 → 1C DRAM 전환

- 화성 L12 2D NAND 라인(월 80~100K wafers) 종료 → 1C DRAM 후공정으로 전환
- 삼성 NAND 생산은 중국 시안 공장이 대체 (V8 전환)
- SK hynix 역시 1C DRAM 생산능력 월 170~200K wafers로 확대 (M16 전환, 용인 투자)

Link: https://bit.ly/4sezhAn

4. Apple, 중국 메모리 검토… 삼성·SK hynix 협상력 견제 목적

- iPhone 18 및 MacBook용 중국 DRAM/NAND 도입 검토
- 현재 메모리 공급 구조는 DRAM 삼성 중심, SK hynix·Micron 일부. NAND 삼성, SK hynix, Kioxia
- 실제 채택보다 협상 카드 성격이 강하며 채택하더라도 중국 내 판매 iPhone에만 중국 메모리 적용 가능성
- 최근 메모리 협상 구조는 반기 계약에서 분기 계약으로 전환

Link: https://bit.ly/4l1TfvN

5. DDR5 가격: 미국 상승 지속, 유럽 완화 조짐, 중국은 프리미엄 진입

- 유럽 DDR5 32GB Peak에서 1% 정도 하락했으나 여전히 역사적 고점 수준 유지
- 미국 DDR5 가격은 여전히 상승 추세 유지
- 중국 CXMT DDR5 32GB $530으로 글로벌 브랜드와 동일 가격 수준 도달

Link: https://bit.ly/4ciDZsc

6. MediaTek CEO "XPU 병목의 핵심은 메모리, 전체 비용의 50% 차지"

- ISSCC에서 메모리가 XPU BOM의 약 50%를 차지하며, compute가 아니라 memory가 핵심 병목이라고 강조
- AI 학습은 여전히 HBM 중심 구조 유지, 다만 → 향후 성장 중심인 추론은 DDR 중심으로 확대
- 메모리 병목 해결을 위해 신규 아키텍처 개발 가속
- XPU 패키지 크기 증가로 패키징 중요성도 급증

Link: https://bit.ly/472nYTz

7. 중국, 7nm·5nm 생산 5배 확대 추진 — SMIC 중심 첨단 공정 내재화 가속

- 중국, 첨단 공정 생산량 현재 < 20K wafers → 1~2년 내 100K wafers 목표
- 2030년까지 추가로 500K wafers capacity 구축 계획
- SMIC EUV 없이 7nm 생산, 현재 5nm급 기술 개발
- Huawei 생태계 중심으로 AI 데이터센터용 칩 생산 확대

Link: https://bit.ly/3OG9bYs

DS투자증권 반도체 Analyst 이수림

[반도체] 피에스케이 - 장비 Top-pick 유지

1. 증설의 시계가 빨라지고, 길어지고 있다
- M15X, P4 Ph3,4향 신규 장비 발주 이외에도 NAND 전환투자가 작년 대비 증가
- 2027년까지 시선을 확장하더라도 장비 투자는 지속
- 최근 양 사의 1c DRAM CAPA 확보 경쟁 역시 치열, 삼성전자 연말 기준 1c DRAM 200K, SK하이닉스 170~200K 확보 목표

2. 전공정 범용 장비 업체가 가장 유리한 이유
- 올해 메모리 투자는 전공정 위주, 전공정 투자 내에서도 신규 투자 대비 전환 투자의 물량이 더 많음
- 2026년 양사 합산 DRAM 신규 장비 발주 규모는 180~190K 수준으로 추정
- DRAM 전환 장비 발주 규모는 최소 250K 이상으로 추정되며 NAND는 심지어 올해 300단 대 전환 투자만 발생
- 전환 투자 물량이 더 많이 나오는 구간에서는 범용 장비 업체의 수주가 가장 많이 나올 수 밖에 없음

3. 투자의견 매수, 목표주가 81,000원으로 상향
- 2026년 매출액 5,293억원(+22% YoY), 영업이익 1,071억원(+28% YoY, OPM 20%) 전망
- 동사는 국내 메모리 2사의 DRAM/ NAND, 신규/전환 투자 뿐 아니라 북미 메모리 고객사 향으로도 노출도 있음
- 고객사의 미국 비메모리 투자와 대만 신규 고객사 기대감 역시 상존하는 상황

이 자료는 조사분석자료 공표 승인이 이루어진 내용입니다

DS투자증권 리서치 텔레그램 링크 : https://t.iss.one/DSInvResearch
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금주 Trendforce 뉴스 공유드립니다. 변동성 큰 한 주 고생 많으셨습니다.

1. Nanya, DRAM 공급 부족 2028년까지 가능

- Nanya, "1분기 DRAM 가격이 매달 상승 중이며, 2분기에는 가격이 크게 점프할 것", "T-Shape(고점 장기체류) 전망"
- 공급 부족 해소 시점 28년 하반기로 전망
- 1분기 3사 DRAM 계약가 100% 이상 상승
- 2분기 3사 계약 가격 최대 40% 상승 가능성
- Nanya는 통상 3사보다 가격 반영이 늦어 가격 사이클 2분기 정점에 이를 가능성
- 중국과 중동의 영향은 매우 제한적

Link: https://bit.ly/4ldmxYt

2. DRAM·NAND 현물 상승, 시장은 관망

- 2Q26 계약 협상 전 관망 분위기
- 단기적으로 현물 가격 상승 속도는 비교적 완만할 것
- 현물-계약 가격 격차 축소 전망

Link: https://bit.ly/4rO45YR

3. 테슬라, AI6 칩 생산량 두 배 이상 확대 검토

- 삼성 파운드리 2nm 캐파 증설 논의
- 현재 계약은 16K, 추가 24K → 총 40K 가능성 제기
- 테일러 가동 일정은 6월에 구체화될 것 (26년 말~27년 초)
- 3월부터 EUV 장비 테스트 등 시험 운영 시작 예정
- 삼성 파운드리 2026년 4분기 흑자 전환 목표

Link: https://bit.ly/4l9NBrq

4. 2026년 아시아 반도체 Capex 크게 증가

- 파운드리 투자 증가가 핵심, TSMC 26년 Capex 52~56B으로 전년대비 최대 37% 증가한 사상 최대 수준 집행
- SMIC도 연간 매출과 비슷한 수준(8B 이상) 유지
- 삼성전자, SK하이닉스의 HBM 투자와 키옥시아-샌디스크의 NAND 투자 역시 가세
- Winbond는 Capex가 전년대비 8배 수준 증가, Nanya 역시 사상 최대 규모 투자

Link: https://bit.ly/3PloFBi

5. 미국 정부, AI 칩 수출 규제 새로운 구조 검토

- <1,000개: 수출 라이선스 필요 가능
- ~10만개: 정부 간 보증 필요
- ~20만개 이상: 추가 감독 + 미국 투자 요구 가능
- GPU 수입국은 미국 AI 데이터센터 투자 또는 안보 보장 제공해야 하며 NVIDIA/AMD는 수출 이후 칩 사용 모니터링 조건

Link: https://bit.ly/4aROtxw

6. NVIDIA H200 생산 중단 → Vera Rubin으로 캐파 전환

- 중국향 H200 수요 불확실, TSMC 생산 캐파를 H200 → Vera Rubin으로 이동
- 실제 중국 판매가 아직 없어 기존 재고로 충분
- Vera Rubin 출시/공급 가속 가능

Link: https://bit.ly/4aS2MCd

7. 미국, 중국 반도체 연방조달 금지 추진

- 미국 FAR 위원회, 2027년 12월 23일부터 중국 제품 조달 금지안 제안
- 서버 / PC / 스마트폰 / TV 대상 SMIC 생산 칩 + 중국 메모리
- 미국 기업 중국 반도체 사용 제한 강화

Link: https://bit.ly/46HTl5O

8. 브로드컴 AI 칩 매출 2027년 $100B 목표

- 구글, 메타, 오픈AI, 앤트로픽, 바이트댄스, 후지쯔 중심 빅테크 자체 AI ASIC 개발 확대
- ASIC 기반 AI 서버 비중 2026년 27.8%까지 상승 전망
- 북미 5대 클라우드 기업의 2026년 CAPEX는 YoY+40% 증가 전망
- 브로드컴의 1분기 AI 매출은 전년비 2배 이상 증가

Link: https://bit.ly/4rd7ejS

9. 한국 정부, 차세대 전력 반도체 육성 TF 출범

- 차세대 전력 반도체 기술 자립도 현재 10% 수준 → 20% (2030)
- 2026년 상반기 기술 개발 로드맵 확정
- 하반기 기술 개발 로드맵 확정

Link: https://bit.ly/4uiAU1U

삼성전자 사업보고서 상 기재된 26년 상반기 자기주식 소각 계획입니다.

다음주 중요한 한주를 앞두고 있는 금요일입니다. 테크 뉴스 공유드립니다. 즐거운 주말 되세요!

1. NVIDIA, GTC 2026에서 ‘Feynman’ 첫 공개 가능성

- 2028년 출시 / 1nm급 공정 (TSMC A16 기반)
- 일부 I/O die Intel 위탁 생산 가능성도 존재
- 수혜 밸류체인
파운드리: TSMC
OSAT: ASE, SPIL, KYEC
기판: Nan Ya PCB
쿨링: Auras, AVC
전원: Delta, Lite-On
서버 ODM: Quanta, Wistron, Inventec, Foxconn

Link: https://bit.ly/4runCfY

2. Broadcom·Marvell·MediaTek, AI 인터커넥트 주도권 경쟁

- 400G 이상 → 구리 인터커넥트 한계
- 기술 로드맵 112G → 224G(2026년) → 400G
- Broadcom: 스위치 중심 고집적 SerDes
- Marvell: PCIe·HBM 인터커넥트 강점
- MediaTek: 224G SerDes로 Google TPU 생태계 진입

Link: https://bit.ly/4s4R25l

3. NVIDIA, RTX 3060 생산 재개 검토 (삼성 8nm)

- 중국 GPU 수출 규제 및 AI GPU 공급 부족 원인
- RTX 3060 선택 이유 → TSMC 4N 캐파를 차세대 GPU에 집중
- 삼성 8nm 공정 캐파는 월 30~40K로 전체의 10% 수준

Link: https://bit.ly/4b8NqcL

4. 중국 파운드리 Nexchip 6월부터 가격 10% 인상

- 8인치 공정 타이트 + PMIC 등 아날로그 수요 증가가 배경
- VIS도 4~8% 가격 인상 가능성
- TSMC가 Fab2(6인치)와 Fab5(8인치)를 2027년 말까지 폐쇄함에 따라 가격 인상 압박 증가

Link: https://bit.ly/4upffVw

5. 아날로그·전력·MCU 중심으로 가격 인상 확산

- NXP, 4/1부터 일부 칩 가격 인상
- TI, 일부 제품 가격 인상 최대 85%
- Infineon, 파워 IC 5~15% 인상
- Nuvoton, 6인치 파운드리 가격 약 20% 인상

Link: https://bit.ly/4cKVCku

6. Nexperia 중국 법인, 12인치 칩 자체 생산 시작

- 네덜란드 정부가 중국 생산 이전 차단
- 이후 본사 vs 중국 법인 갈등 심화
- Nexperia는 글로벌 트랜지스터·다이오드 40% 점유, 생산의 50~75% 중국
- 갈등 장기화 시 자동차·전자 산업 공급망 영향 가능

Link: https://bit.ly/3NkB9Zm

7. Micron, PSMC Tongluo 팹 장비 반입 예정

- 3/26 장비 반입 행사 예정, 거래 2Q26 클로징 예상
- 이후 DRAM 장비 반입 → 2027년 양산 목표
- Tongluo 1단계 캐파 = Micron 글로벌 캐파의 10%+
- 동시에 HBM 후공정 캐파 선구매 → PSMC를 HBM 패키징 공급망에 편입

Link: https://bit.ly/4bhkkGQ

8. 차세대 HBM(20-stack) → 두께 기준 775μm → 825~900μm 완화 논의

- 20단 적층 구조 한계 및 TSMC SoIC 패키징 두께 증가 원인
- Hybrid Bonding 도입 속도 지연 가능

Link: https://bit.ly/3P6LIQv

9. 중동 에너지 불안 → 반도체 전력·소재 공급 리스크 부각

- 에너지·특수가스 공급 안정성이 반도체 산업의 새로운 리스크 요인으로 부각
- TSMC 전력 소비 = 대만 전체의 약 9%, 카타르 LNG 수출 중단 → 대만 에너지 공급 우려
- TSMC는 현재까지 공급망 문제로 인한 직접적인 생산 차질은 예상하지 않는다고 언급했으나 전력 가격 상승이 제조 비용 증가 요인이 될 수 있을 것

Link: https://bit.ly/4uxdbLw

DS투자증권 반도체 Analyst 이수림

[반도체] CPO는 패키징 혁명이다

1. AI 인프라 병목이 전력으로 이동하고 있다
- GPU 간 통신량과 네트워크 트래픽이 급증하면서 인터커넥트 전력 소모가 빠르게 증가
- 데이터 이동 구조 자체를 바꾸는 기술인 CPO가 차세대 인터커넥트 대안으로 부상

2. CPO는 초대형 AI 클러스터 확장을 가능하게 한다
- 51.2Tb/s급 64×800G 스위치 기준 CPO 적용 시 전체 시스템 전력이 약 2~30% 절감
- 전력 단가를 $0.1/kWh로 가정할 경우 연간 약 1,000만 달러 이상의 운영비 절감이 가능
- 절감된 전력은 추가 GPU나 네트워크 장비 확장으로 재투자되며 AI 인프라 확장의 선순환 구조를 만들어냄
- 스위치 칩부터 CPO 확산이 시작되지만 장기적으로는 GPU 패키지에서도 도입이 확대될 수 밖에 없을 것

3. CPO가 메모리 구조의 변화로도 이어진다
- GPU 간 통신 속도가 빨라지면 분산 학습과 분산 추론이 확대되며 메모리 접근 범위가 GPU 내부에서 시스템 전체로 확장
- HBF와 메모리 풀링 구조가 등장 가능한 배경이 마련
- SRAM 캐시의 중요성도 커지며 결과적으로 GPU 패키지 내부의 메모리 계층 구조는 더욱 복잡해짐

4. 패키징 아키텍처 변화에 주목
- CPO는 광 엔진(PIC+EIC)을 통합하는 3D 패키징과 모든 요소를 시스템 레벨에서 하나의 패키지 안에 2.5D로 패키징해야 하는 두 단계의 패키징 문제
- CoWoS 패키지의 면적 확대와 공정 복잡도 상승을 추가적으로 가속
- TSMC의 CoWoS CAPA 확장과 수율 안정화를 위한 투자 증가로 국내에서는 후공정 장비/패키지 테스트 밸류체인이 수혜를 입을 것

이 자료는 조사분석자료 공표 승인이 이루어진 내용입니다

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안녕하세요, 이번 GTC는 CPO를 적용한 NVIDIA의 첫번째 GPU Feynmann에 대한 관심으로 뜨거운 만큼 CPO 관련 변화에 주목하는 자료를 작성했습니다. CPO는 HBM 증가와 칩렛 확장으로 이미 커지고 있는 CoWoS 패키지의 면적 확대와 공정 복잡도 상승을 추가적으로 가속할 전망입니다. 관련 종목으로 삼성전자, ISC, 피에스케이홀딩스를 제시드립니다. 감사합니다.

DS투자증권 반도체 Analyst 이수림

[반도체] GTC 2026: AI 5단 케이크가 완성되었습니다

1. AI 산업의 모든 레이어를 엔비디아의 생태계로 통합하겠다는 의지
- AI는 1단(에너지), 2단(칩), 3단(인프라), 4단(모델), 5단(어플리케이션)이 층층이 쌓여있는 케이크
- 1단이 튼튼해야 5단이 존재할 수 있다는 논리

2. GPU 단일 구조를 탈피하고 추론의 경제성을 확보
- GTC 2026의 핵심 키워드는 ‘수익화 가능한 효율성’
- 이는 금번 공개한 제품 라인업과 함께 "에너지는 800V로 아끼고 추론은 Groq와 ICMS로 싸게 해줄 테니 이제 이걸로 돈(GaaS, 로봇)을 벌어보라"는 메시지로 이어짐
- 1단&3단 혁신에 해당하는 800V DC 아키텍처와 CPO는 엔비디아의 핵심 승부수
- 2단에 해당하는 Groq LPU 기술 내재화와 ICMS를 통한 낸드 활용은 추론 처리량은 높이고 처리 비용은 획기적으로 낮출 수 있는 솔루션

3. 5단 케이크의 완성형 칩, 파인만
- 파인만은 1~3단의 혁신을 집약하여 하나의 칩 안에 때려 넣은 결정체
- 1nm급 공정 & 3D 다이 스태킹 적용, 커스텀 HBM5와 Rosa CPU를 탑재. 초저지연 하이브리드 아키텍처가 칩 수준에서 통합
- 파인만이 등장함으로써 비로소 로봇과 자율주행 같은 물리적 지능이 5단 케이크의 최종 결과물로 탄생할 수 있게 됨

4. 메모리 레이어의 다변화(SRAM-HBM-NAND)
- HBM으로 모델의 지능을 유지하면서, SRAM으로 반응 속도를 높여 서비스 가치(GaaS)를 올리고, NAND(ICMS)로 운영 비용을 낮춰 마진을 확보하는 구조로 갈 것
- 메모리 수요의 질적·양적 동시 팽창 효과
- HBM으로만 국한되던 AI 메모리의 영역을 확장

이 자료는 조사분석자료 공표 승인이 이루어진 내용입니다.

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[DS 반도체 이수림] Micron FY2Q26 실적발표

1. 사상 최대 실적 발표
- 매출: $23.86B (컨센 $19.74B) / +196% YoY
- EPS: $12.20 (컨센 $8.9) / +682% YoY
- GPM: 74.9% (컨센 69.1%)
- OPM: 69.0% (컨센 62.2%)
- OCF: $11.9B
- FCF: $6.9B

*지난 분기 주요 고객 수요 충족률은 50~60%에 불과

2. 3Q26 가이던스 상향
- 매출: $33.5B ±0.75B (컨센 $22.5B)
- EPS: $19.15 ±0.40 (컨센 $11.7)
- GPM: ~81%

3. 사업부별 매출 (데이터센터 + 모바일 동시 성장)
- Cloud Memory: $7.75B (+47% QoQ)
- Core DC: $5.69B (+139% QoQ)
- Mobile/Client: $7.71B (+81% QoQ)
- Auto/Embedded: $2.71B (사상 최대

4. HBM 현황
- HBM4 12H 양산 시작 (NVIDIA Rubin)
- HBM4E: 2027 양산 목표
- 1γ DRAM: 2026 중반 bit 믹스 50% 이상

5. Capex & CAPA
- FY26 Capex: $25B+
- FY27: 추가 확대
- 신규 팹: 미국 (Idaho, NY), 대만 (Tongluo), 싱가포르 (NAND), 인도 (후공정)

6. SCA 관련 (5년 계약)
- 기존 LTA(1년) 대비 장기 계약
- 공급 + 가격 + 로드맵 연동 구조
- 업황 하락 시에도 안정성 제공 가능성

7. 주주환원
- 분기 배당: $0.15 → +30% 인상
- FCF: $6.9B (분기) / 연간 ~$40B 근접 가능성
- 현금: $16.7B → 빠르게 증가 중
- 자사주 매입 가능성 언급 (스톡옵션 희석 방지 목적 매입)

8. HBF / SRAM / LPU 관련
1) HBF
- NAND 기반 메모리 계층 (HBM 대체 아님)
- 초기 R&D 단계
- HBM 보완재 가능성은 있으나, 주력 메모리로는 한계 명확

2) SRAM / LPU (Groq 등)
- LPU는 HBM/DRAM 수요를 대체 X
- 오히려 AI 인프라 효율 개선 → 전체 수요 확대 요인

3) 핵심 구조
- HBM → 고속 연산
- DRAM → 대용량 메모리
- NAND → 저장 (HBF → 일부 보완 가능성)
- HBM 중심 구조는 유지 + 보조 계층만 다양화

삼성전자 2026년 Capex + R&D 110조원
2026년 정규배당 9.8조원
잔여재원 추가 환원 예정

GTC 2026 핵심: NVIDIA 생태계 확장 + 삼성/인텔 역할 변화

NVIDIA가 Rubin → Feynman 로드맵 공개하면서 CPU / GPU / LPU / 메모리까지 전체 스택 통합 가속

1. 삼성: HBM + 파운드리 동시 진입
- HBM4 + LPU(Groq 3) 파운드리 생산

2. LPU (Groq 3) 핵심 포인트
- Rubin에 추가되는 신규 블록
- 삼성 4nm 생산, HBM 대신 SRAM 500MB 탑재
- 2026년 하반기 출하
- inference(디코딩) 성능 특화

3. 인텔: CPU + 패키징 역할 확대
- Intel Xeon 6 → DGX Rubin 시스템 탑재
- Feynman 패키징(EMIB 등) 협력 가능성

=> 구조 변화
기존: GPU + HBM 중심
현재 (Rubin): GPU + CPU + NIC + DPU + Switch + LPU
미래 (Feynman): 3D 적층 GPU + Custom HBM + SoIC 패키징

Link: https://bit.ly/4bZ1Yef

OpenClaw로 컴퓨팅 구조 + 반도체 산업까지 변화 중

- OpenClaw는 직접 실행하는 AI
AI 역할 변화(질문 → 답변 에서 목표 → 실행 으로)
- 2026년 OpenClaw 등장 이후 AI Agent 시장 폭발적 성장
- Agent = 계속 실행되는 워크로드 → 상시 연산 수요 증가

- 이로 인한 반도체 구조 변화
1. Cloud + Edge 동시 성장
2. 저전력 칩 중요성 ↑
3. ISA/컴파일러 최적화 경쟁 ↑

- 빅테크 next 플랫폼 전쟁
NVIDIA: NemoClaw (오픈 에이전트 플랫폼 준비)
Microsoft: AI Agent Factory 전략
Zhipu: AutoClaw (로컬)
ByteDance: ArkClaw (클라우드 SaaS)
Huawei / Tencent / Alibaba / Xiaomi / Baidu
→ 전부 Agent 플랫폼 경쟁 진입

Link: https://bit.ly/476ByFK

금주 테크 뉴스 정리드립니다. 오늘은 읽어볼만한 두 기사를 따로 정리드렸습니다. 즐거운 주말 되세요🌸

1. AMD, 삼성 HBM4 확보… 파운드리 딜까지 묶였을 가능성

- 삼성, AMD에 HBM4 + DDR5 공급
- AMD 일부 AI 칩 생산을 삼성 파운드리로 이전 가능성
- AMD는 기존 7nm 이하는 TSMC 100% 의존
- 삼성의 메모리 + 파운드리 통합 전략 본격화

Link: https://bit.ly/4smTJPN

2. 메모리 스팟 가격 업데이트: DRAM 스팟 숨고르기 vs NAND 상승 준비

- 삼성, 3월 DDR4 소비자용 가격 인상 중단하면서 가격 상승 흐름 잠시 멈춤
- 가격 자체는 여전히 견조, DDR4 2Q26부터 다시 상승 재개 전망
- NAND는 계약가격 상승 선행 → 스팟 가격 후행 상승 가능성

Link: https://bit.ly/4byUFth

3. HBM4E 경쟁: 로직 다이에서 승부 난다

- SK하이닉스가 HBM4E 로직 다이에 TSMC 3nm 적용을 검토 중
- 삼성은 4nm(→ HBM5는 2nm)로 대응 예정
- HBM4E부터 고객 맞춤형 로직 다이 설계 시작

Link: https://bit.ly/3Nq3IVv

4. NVIDIA SoIC 본격 도입 → 장비사 수혜

- Rubin Ultra(2027) / Feynman(2028) 핵심은 TSMC SoIC(3D 적층) 사용 확대
- Feynman → 고밀도 chiplet + custom HBM, SoIC 적용 확대 핵심 세대
- SoIC는 CoWoS보다 CAPEX intensity ↑
- Hybrid bonding + FE 장비 비중 ↑(BESI, AMAT, TEL)

Link: https://bit.ly/3PkeM78

5. NVIDIA, 중국용 LPU 출시 + H200 생산 재개

- Groq 기반 LPU 5월 출시로 추론 시장 본격 공략 시작
- 별도 다운그레이드 칩이 아니라 구성/패키징으로 규제 회피
- H200 일부 고객 대상 공급 재개
- 현재는 수출 허용 + 미국이 수익 25% 가져가는 구조

Link: https://bit.ly/4uBerxb

2026.03.20 15:52:34
기업명: 피에스케이홀딩스(시가총액: 2조 4,020억) A031980
보고서명: 사업보고서 (2025.12)

잠정실적 : N

매출액 : 513억(예상치 : 501억, +2.3%)
영업익 : 143억(예상치 : 127억, +12.6%)
순이익 : 198억(예상치 : 184억, +7.5%)

**최근 실적 추이**
(기간/ 매출/ 영업익/ 순익)
2025.4Q 513억/ 143억/ 198억
2025.3Q 906억/ 412억/ 389억
2025.2Q 347억/ 84억/ 174억
2025.1Q 312억/ 95억/ 156억
2024.4Q 978억/ 432억/ 418억

공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20260320000819

위클리 공유드립니다. *D4 스팟은 그간 가격이 워낙 높았기 때문에 3월 소비자용 가격 freeze로 상승이 잠시 멈추었지만 계약가 협상 이후 2분기부터 상승 재개될 전망, 가격 자체는 여전히 견조합니다.

[DS 반도체 이수림] Spot Comment

테슬라 테라팹의 현실적 시나리오는 단기간에 TSMC를 대체하는 완전한 자체 선단 팹이 아니라, 설계-패키징-테스트-특정 공정 일부를 더 밀착 통합하면서 장기적으로 제한적 내재화를 늘리는 방향이라고 보는 것이 타당

설계부터 전공정 생산까지 모두 자체적으로 해내는 것은 현실적으로 어려울 것. 현재 공개된 내용만 봐도 막대한 투자비와 긴 시간, 높은 실행 난도가 반복해서 지적되고 있고, 초기 양산 시점도 빨라야 2028년 중반 이후로 거론되고 있음. 머스크 본인도 기존 공급망을 완전히 대체한다기보다 현재 공급이 부족하다는 문제의식을 강조

테슬라가 기대하는 것은 테라팹을 통해 설계·패키징·테스트·일부 공정을 한 사이클로 묶어 개발 반복 속도와 양산 전환 속도를 단축하는 것이라고 판단. 결과적으로 Dojo·FSD·로봇 등 핵심 사업에서 칩 공급 지연 리스크를 줄이고 제품 출시 타이밍을 앞당길 것. 현재 구조에서는 설계→TSMC→패키징→테스트→시스템 적용까지 단계가 분절되어 있고 특히 CoWoS와 테스트에서 병목이 발생하면서 공급 속도가 제한되고 있음

따라서 삼성전자 파운드리는 신규 고객 접근 기회 측면에서 중립~소폭 긍정, SK하이닉스와 마이크론은 영향 거의 없으며 기존 AI 메모리 수요 흐름 유지되는 구조임. 메모리는 테라팹과 직접적 연관이 없고 오히려 AI 칩 개발 속도 개선이 전체 인프라 확장을 자극해 HBM 수요를 간접적으로 지지하는 방향일 것

SK하이닉스, 다롄 2공장 투자 재개

낸드 CAPA 확대, 내년 상반기 중 장비 반입 시작

https://www.thebell.co.kr/front/newsview.asp?code=00&key=202603241522084600107768

샌디스크, 키옥시아, 솔리다임 Nanya Technology에 3자 배정 유상증자 진행

- 총 발행 주식: 약 3.5억주
- 기존 대비 약 11% 수준 희석
- 발행가: NT$223.9
- 기준일: 2026년 4월 8일

낸드 제조사들이 디램 업체에 지분투자를 하는 이유는, SSD 만들때 필요한 버퍼 디램 공급이 현재 너무 타이트하기 때문입니다. 난야는 이번 유상증자를 통해 SSD용 D4 증설을 할 것으로 전망합니다.

난야는 자금 부족으로 증설이 제한적이었고, 낸드 업체들은 SSD용 디램 확보가 필요했기 때문에 직접 지분투자를 통해 난야의 증설을 유도하고 동시에 공급을 내재화하려는 전략으로 보여지네요.

[DS 반도체 이수림] 메모리 효율화 기술 관련 Comment

메모리 사용량을 줄이는 기술은 수요를 줄이는 요인이 아니라 오히려 전체 메모리 수요를 더 키우는 방향으로 작용할 것

KV cache compression, TurboQuant 등은 AI 인프라에서 메모리 병목과 비용 부담이 이미 임계 수준에 도달했기 때문에 등장한 기술임. 현재 AI 시스템은 연산보다 메모리와 데이터 이동 비용이 더 큰 제약으로 작용하고 있으며, 특히 inference 단계에서 KV cache가 차지하는 메모리 비중이 빠르게 증가하고 있음. 이러한 구조에서는 메모리 효율 개선 없이는 서비스 확장이 불가능한 상황임

따라서 해당 기술들의 본질은 “메모리를 덜 쓰기 위함”이 아니라 “같은 자원으로 더 많은 연산과 트래픽을 처리하기 위함”임. 메모리 사용량을 줄이면 단위 workload당 비용이 낮아지고, 이는 곧 서비스 단가 인하 및 사용량 증가로 이어지는 구조임. 즉, 효율 개선 → 비용 절감 → 사용량 증가 → 재투자라는 선순환이 형성됨

실제로 토큰 사용량은 지속적으로 폭증하고 있으며, 이는 효율화가 수요 억제가 아닌 수요 확장을 유도하고 있음을 보여주는 가장 직접적인 지표임. AI는 fixed demand 산업이 아니라, 비용이 낮아질수록 사용량이 기하급수적으로 증가하는 구조를 가지고 있음

결국 메모리 효율화 기술은 총수요를 줄이는 기술이 아니라, AI 인프라의 확장을 가능하게 하는 기술임. 중장기적으로는 메모리 수요 증가 속도를 둔화시키기보다 오히려 더 가속시키는 방향으로 작용할 가능성이 높음

금주 테크 뉴스 정리드립니다. 이번주도 고생많으셨습니다!

1. 메모리 스팟 업데이트: DRAM 상승 둔화, DDR4 약세 / NAND 바닥 형성 중

- DRAM 3월 계약가격 동결 + 스팟 가격이 이미 계약가보다 높은 상태
- 4월 계약가격 상승 예상 → 이후 스팟 상승 여부가 핵심 변수
- NAND도 단기 정체이나 계약가 상승 → 스팟 후행 상승 전망
- DRAM은 단기 숨고르기, NAND는 수요 아직 약하지만 가격 사이클은 상승 초입

Link: https://bit.ly/4sBCZol

2. DDR5 마진이 HBM보다 높다? 메모리 업황의 역설

- HBM 마진 ~60%, 일반 DRAM ~80% 수준
- 공급업체들은 단기 마진 극대화보다 AI 서버 풀세트(HBM+DDR5) 공급 전략
- 최소 2027 전까지 메모리 초호황 지속
- 증설 이후 공급 정상화 시 지금 체결하는 장기계약이 수익 방어의 핵심

Link: https://bit.ly/4sD52DO

3. 삼성전자, 구글·MS와 메모리 장기계약 추진… ‘선결제 10조+’ 구조 등장

- 3~5년 물량 고정 + 가격은 시장 연동
- 고객이 수십억 달러 선지급 (MS는 100억달러+ 논의)
- 약정 물량 미소진 시 → 선결제에서 차감
- 메모리 산업이 사이클 산업 → 계약 기반 산업으로 구조 변화 시도중

Link: https://bit.ly/4lTY2zC

4. 브로드컴 “2026년 TSMC CAPA 병목이 핵심 리스크”

- 공급 병목이 전방위 확산 중 (TSMC + HBM + Substrate + Laser + PCB)
- 브로드컴은 2026~2028년 물량까지 선제 확보
- 2027년까지 증설 진행 중이지만 단기 수요를 따라가기엔 부족

Link: https://bit.ly/4sEDsGj

5. TSMC, 美 애리조나 3nm 양산 2027년 하반기 목표… 美 팹 4개 모두 ‘완판’

- 해외 팹 건설 속도 과거 3년에서 현재 1.5~2년 수준까지 대폭 단축
- P3, P4도 설비 설치 일정 앞당기는 중
- 대만도 동시에 증설, 2nm 이하 2026년 3분기 장비 반입 시작
- 다만 2026~2027년 구조적 공급 병목 지속 전망

Link: https://bit.ly/4s1ImM9

6. 마이크론, 日 JDI 공장 인수 검토… 패키징·테스트 확장 전략

- JDI 모바라 공장 (LCD 생산 거점, 2026년 3월 생산 종료 예정) 딜 2026년 6월 체결 전망
- 복수 기업과 협상 중이며 마이크론은 후보 중 하나
- 마이크론은 히로시마 전공정 투자(2028년 생산)와 함께 일본 내 후공정 거점 확보하려는 차원

Link: https://bit.ly/48brVWx

7. 테슬라 Terafab 구상… TSMC에 미칠 영향은 제한적, 진입 포인트는 ‘패키징’

- EV/옵티머스용 엣지·추론 칩, 저궤도 위성용 AI칩(D3) 생산 목표
- 진짜 난이도는 팹 건설이 아니라 수율
- 장비(euv 장비 리드타임) + 인력(미국 엔지니어 부족) + 공급망 모두 장벽
- 실제 웨이퍼 팹 운영 경험이 없는 테슬라는 외부 기술 의존 불가피
- 현실적인 전략은 Advanced Packaging부터 진입
- 기술·운영·수요 3박자가 모두 필요한 산업 특성상 단기간 내 TSMC를 위협하기는 쉽지 않은 구조

Link: https://bit.ly/4sIk8Ii