🇰🇷 Полупроводники для высоковольтных устройств
В Южной Корее локализовали высоковольтный полупроводниковый переключатель для импульсных генераторов
Объединенной группе исследователей удалось локализовать создание высоковольтных полупроводниковых тиристоров для импульсных генераторов. Соответствующую микросхему можно использовать в различных военных целях или в целом в случаях, когда требуется большая мощность, например, в рельсовых пушках, на военных кораблях, в ускорителях частиц и генераторах плазмы.
Импульсные генераторы обычно строят с использованием низковольтных источников питания для зарядки конденсаторов, которые последовательно разряжаются для того, чтобы добиться умножения напряжения и создания высоковольтного импульса. Такой метод генерации хорошо подходит для использования в рельсовых пушках и ускорителях частиц, где необходима возможность получать экстремальное выходное напряжение за короткий период времени.
Высоковольтный полупроводниковый переключатель - этот тип твердотельного электрического переключателя, не требующий механических частей. Как правило, его практическая реализация - это тиристор с МОП-управлением (МСТ от MOS controlled thyristor). Такое устройство отличают низкие потери проводимости и, следовательно, более значительные возможности получения высокого напряжения по сравнению с другими приборами. MCT может выдерживать высокие напряжения и большие токи и при этом сравнительно долговечен.
В НИИ электроники и телекоммуникаций (ETRI) заявляют, что исследователи смогли локализовать кремниевые чипы MCT класса 1400В и 2500В для применения в устройствах импульсной генерации. Чип-переключатели выдерживают, соответственно, более 1600В и 3000В.
В ETRI заявили, что новые чипы имеют характеристики, сравнимые с теми, что показывают приборы иностранного производства. До сих пор в Южной Корее полагались в основном на импортные полупроводники этого типа для создания импульсных генераторов энергии.
Наряду с чипами MCT, исследователи разработали коммерческое реле свободного заряда (free-charge relay) и прототип генератора статического электричества. В состав реле входят батареи значительной емкости, что позволяет ему стабилизировать выходную мощность. Это реле можно подключить к микросхеме МСТ, чтобы еще более повысить срок службы систем питания высоковольтного генератора и эффективно снизить электрические шумы и помехи в системе.
Источник: ajudaily.com
#микроэлектроника #полупроводники #ЮжнаяКорея #ETRI #MCT
В Южной Корее локализовали высоковольтный полупроводниковый переключатель для импульсных генераторов
Объединенной группе исследователей удалось локализовать создание высоковольтных полупроводниковых тиристоров для импульсных генераторов. Соответствующую микросхему можно использовать в различных военных целях или в целом в случаях, когда требуется большая мощность, например, в рельсовых пушках, на военных кораблях, в ускорителях частиц и генераторах плазмы.
Импульсные генераторы обычно строят с использованием низковольтных источников питания для зарядки конденсаторов, которые последовательно разряжаются для того, чтобы добиться умножения напряжения и создания высоковольтного импульса. Такой метод генерации хорошо подходит для использования в рельсовых пушках и ускорителях частиц, где необходима возможность получать экстремальное выходное напряжение за короткий период времени.
Высоковольтный полупроводниковый переключатель - этот тип твердотельного электрического переключателя, не требующий механических частей. Как правило, его практическая реализация - это тиристор с МОП-управлением (МСТ от MOS controlled thyristor). Такое устройство отличают низкие потери проводимости и, следовательно, более значительные возможности получения высокого напряжения по сравнению с другими приборами. MCT может выдерживать высокие напряжения и большие токи и при этом сравнительно долговечен.
В НИИ электроники и телекоммуникаций (ETRI) заявляют, что исследователи смогли локализовать кремниевые чипы MCT класса 1400В и 2500В для применения в устройствах импульсной генерации. Чип-переключатели выдерживают, соответственно, более 1600В и 3000В.
В ETRI заявили, что новые чипы имеют характеристики, сравнимые с теми, что показывают приборы иностранного производства. До сих пор в Южной Корее полагались в основном на импортные полупроводники этого типа для создания импульсных генераторов энергии.
Наряду с чипами MCT, исследователи разработали коммерческое реле свободного заряда (free-charge relay) и прототип генератора статического электричества. В состав реле входят батареи значительной емкости, что позволяет ему стабилизировать выходную мощность. Это реле можно подключить к микросхеме МСТ, чтобы еще более повысить срок службы систем питания высоковольтного генератора и эффективно снизить электрические шумы и помехи в системе.
Источник: ajudaily.com
#микроэлектроника #полупроводники #ЮжнаяКорея #ETRI #MCT
Ajudaily
Researchers localize high voltage semiconductor for pulse power generation
[Courtesy of ETRI]SEOUL -- A joint team of researchers has succeeded in the localization of high-voltage semiconductor thyristors for pulse power generators. The electrical switch chip can be used for various military and heavy-duty purposes such as rail…
🇰🇷 Фотоника. Кремниевая фотоника
В Корее разрабатывают недорогие решения кремниевой фотоники для сверхбыстрой передачи данных
Южнокорейские исследователи разработали кремниевый фотонный чип и модули для применения в интерфейсах связи. Чип, использующий сигналы в инфракрасном диапазоне частот, может применяться для обмена данными со скоростями выше 100 Мбит/с. Это открывает возможности применения таких чипов в оптических маршрутизаторах и процессорах, а также в телеком-системах дальнего действия.
Скорость передачи данных на основе электрических сигналов по кабелям с металлическими жилами, ограничена на сегодня примерно на уровне 50 гигабит/c причем с дальностью в единицы сантиметров на канал из-за ограничений, связанных с пропускной способностью и энергопотреблением.
Когда требуется сочетание быстрой связи и малой задержки распространения сигналов, используется оптическая связь по оптоволокну. Оборотная сторона медали - из-за оптических компонентов, оптико-полупроводниковые системы имеют громоздкие размеры.
Исследовательский институт электроники и телекоммуникаций (ETRI) заявил, что его исследовательская группа разработала кремниевый фотонный чип и модули, обеспечивающие передачу данных со скоростью 100 гигабит/c на расстояние до 2 км. Размер фотонной микросхемы - 2,3 мм х 7,3 мм, а микросхемы передатчика - 2,9 мм х 3,4 мм, что составляет около 20% от габаритов обычных систем на базе кремниевых фотонных микросхем.
Используя новые разработки, ETRI в сотрудничестве с OE Solutions, южнокорейским производителем устройств оптической передачи данных, разработала модуль оптического приемопередатчика. Пока что он обеспечивает скорости передачи до 100 Гбит/c на дальность до 2 км. В ETRI говорят о том, что модуль будет стоить вдвое меньше, чем существующие, а скорости передачи вырастут до 200 Гбит/c.
Это обещает очень приятные перспективы для южнокорейских разработчиков. Технология, которая позволяет сократить размеры трансиверов на фоне снижения их стоимости и роста скоростей передачи данных, вне всяких сомнений окажется востребованной.
подробнее - ajudaily.com
#фотоника #кремниеваяфотоника #ETRI
В Корее разрабатывают недорогие решения кремниевой фотоники для сверхбыстрой передачи данных
Южнокорейские исследователи разработали кремниевый фотонный чип и модули для применения в интерфейсах связи. Чип, использующий сигналы в инфракрасном диапазоне частот, может применяться для обмена данными со скоростями выше 100 Мбит/с. Это открывает возможности применения таких чипов в оптических маршрутизаторах и процессорах, а также в телеком-системах дальнего действия.
Скорость передачи данных на основе электрических сигналов по кабелям с металлическими жилами, ограничена на сегодня примерно на уровне 50 гигабит/c причем с дальностью в единицы сантиметров на канал из-за ограничений, связанных с пропускной способностью и энергопотреблением.
Когда требуется сочетание быстрой связи и малой задержки распространения сигналов, используется оптическая связь по оптоволокну. Оборотная сторона медали - из-за оптических компонентов, оптико-полупроводниковые системы имеют громоздкие размеры.
Исследовательский институт электроники и телекоммуникаций (ETRI) заявил, что его исследовательская группа разработала кремниевый фотонный чип и модули, обеспечивающие передачу данных со скоростью 100 гигабит/c на расстояние до 2 км. Размер фотонной микросхемы - 2,3 мм х 7,3 мм, а микросхемы передатчика - 2,9 мм х 3,4 мм, что составляет около 20% от габаритов обычных систем на базе кремниевых фотонных микросхем.
Используя новые разработки, ETRI в сотрудничестве с OE Solutions, южнокорейским производителем устройств оптической передачи данных, разработала модуль оптического приемопередатчика. Пока что он обеспечивает скорости передачи до 100 Гбит/c на дальность до 2 км. В ETRI говорят о том, что модуль будет стоить вдвое меньше, чем существующие, а скорости передачи вырастут до 200 Гбит/c.
Это обещает очень приятные перспективы для южнокорейских разработчиков. Технология, которая позволяет сократить размеры трансиверов на фоне снижения их стоимости и роста скоростей передачи данных, вне всяких сомнений окажется востребованной.
подробнее - ajudaily.com
#фотоника #кремниеваяфотоника #ETRI
VK
Чипы и чиплеты
В Корее разрабатывают недорогие решения кремниевой фотоники для сверхбыстрой передачи данных
Южнокорейские исследователи разработали кремниевый фотонный чип и модули для применения в интерфейсах связи. Чип, использующий сигналы в инфракрасном диапазоне частот…
Южнокорейские исследователи разработали кремниевый фотонный чип и модули для применения в интерфейсах связи. Чип, использующий сигналы в инфракрасном диапазоне частот…