📈 Чипы ИИ. Стартапы vs Nvidia. Европа. США
ИИ-чипы нужны всем. Еще два игрока подняли денег, чтобы создать альтернативу чипам Nvidia
Рынок ИИ-чипов продолжает кипение: еще два игрока привлекли крупные инвестиции.
🇳🇱 Нидерланды: Axelera AI
Европейский стартап закрыл раунд на $250 млн при лидерстве Innovation Industries и поддержке BlackRock. Это крупнейшая инвестиция в ИИ-полупроводники в истории ЕС! Компания делает ставку на edge-сегмент (роботы, компьютерное зрение, безопасность) и энергоэффективность: чип компании Europa потребляет всего 45 Вт, выдавая производительность уровня NVIDIA A100. Ключевая идея - обработка данных локально, без необходимости запроса к облачному дата-центру.
🇺🇸 США: SambaNova Systems
Американский стартап привлек $350 млн при участии Vista Equity и Intel Capital и анонсировал стратегический альянс с Intel. Новый чип SN50 компания позиционирует как самое быстрое решение для агентного AI. Заявлена скорость в 5 раз выше конкурентов и снижение совокупной стоимости владения в 3 раза по сравнению с GPU. SoftBank уже принял решение о закупке SN50 для своих ЦОД в Японии.
Тренд: всего за 2 дня три ИИ-чипмейкера (включая MatX с $500 млн) привлекли более $1.1 млрд!
Инвесторы деньгами голосуют за диверсификацию, кому-то нужны чипы для создания мощных облачных кластеров, кто-то ориентируется на "умные" камеры, обрабатывающие информацию на месте.
Шутки насчет "убийцы" Nvidia перестают быть шутками. Пусть пока что речь идет о сравнительно небольших компаниях, но уровень конкуренции таков, что в этом бульоне что-то обязательно родится. Да и Nvidia когда-то была всего лишь стартапом.
@RUSmicro
ИИ-чипы нужны всем. Еще два игрока подняли денег, чтобы создать альтернативу чипам Nvidia
Рынок ИИ-чипов продолжает кипение: еще два игрока привлекли крупные инвестиции.
🇳🇱 Нидерланды: Axelera AI
Европейский стартап закрыл раунд на $250 млн при лидерстве Innovation Industries и поддержке BlackRock. Это крупнейшая инвестиция в ИИ-полупроводники в истории ЕС! Компания делает ставку на edge-сегмент (роботы, компьютерное зрение, безопасность) и энергоэффективность: чип компании Europa потребляет всего 45 Вт, выдавая производительность уровня NVIDIA A100. Ключевая идея - обработка данных локально, без необходимости запроса к облачному дата-центру.
🇺🇸 США: SambaNova Systems
Американский стартап привлек $350 млн при участии Vista Equity и Intel Capital и анонсировал стратегический альянс с Intel. Новый чип SN50 компания позиционирует как самое быстрое решение для агентного AI. Заявлена скорость в 5 раз выше конкурентов и снижение совокупной стоимости владения в 3 раза по сравнению с GPU. SoftBank уже принял решение о закупке SN50 для своих ЦОД в Японии.
Тренд: всего за 2 дня три ИИ-чипмейкера (включая MatX с $500 млн) привлекли более $1.1 млрд!
Инвесторы деньгами голосуют за диверсификацию, кому-то нужны чипы для создания мощных облачных кластеров, кто-то ориентируется на "умные" камеры, обрабатывающие информацию на месте.
Шутки насчет "убийцы" Nvidia перестают быть шутками. Пусть пока что речь идет о сравнительно небольших компаниях, но уровень конкуренции таков, что в этом бульоне что-то обязательно родится. Да и Nvidia когда-то была всего лишь стартапом.
@RUSmicro
👍3🤔2❤1
🇨🇳 Производственные мощности. 7нм. 5нм. Китай
Китай нарастит производство передовых чипов в 5 раз за 2 года?
Шокирующий прогноз представило издание Nikkei Asia со ссылкой на «осведомленные источники». Речь идет не о всем объеме производства, а о микросхемах, выпускаемых с использованием техпроцессов 7нм и 5нм.
Сейчас китайские возможности оцениваются в 20 тысяч пластин. За 1-2 года в Китае его собираются нарастить до 100 тысяч пластин в месяц. А к 2030 году и вовсе – 500 тысяч пластин в месяц!
Как этого собираются достигнуть?
🔹 SMIC (Semiconductor Manufacturing International Co), крупнейший китайский контрактный производитель чипов, расширяет или строит новые производственные мощности. У компании есть оборудование ASML, которое позволяет создавать такие чипы путем многошагового процесса. Кроме того, компания ведет разработку собственного техпроцесса N+3, который также должен обеспечивать создание чипов 5нм.
🔹 Hua Hong Semiconductor, контрактный производитель, ранее фокусировался на зрелых технологиях, но под давлением правительства и при техподдержке Huawei (по слухам), также освоил передовые техпроцессы.
🔹 Huawei и по слухам связанные с ним компании (PengXinWei, Dongguan Guangmao и др.) активно развивают производство ИИ-кристаллов. В 2026 году мы ждем выхода Ascend 950 (PR и DT) с собственной HBM-памятью Huawei.
Производственные мощности между заказчиками, вероятно, будет распределять государство. Крупнейшим заказчиком чипов станет Huawei, также в очереди на ресурсы многочисленные китайские разработчики ИИ-чпиов: Cambricorn, T-Head, Moore Threads и другие, их количество уже около 2 десятков и растет.
За счет внутреннего спроса SMIC вышла на 3-е место в мире среди контрактных производителей чипов (после TSMC и Samsung) по итогам 3q2025.
В Китае все еще сталкиваются с проблемами ограниченного доступа к современному литографическому оборудованию. Затруднено легальное приобретение передовых литографов ASML и многого другого оборудования западных производителей. Китайское оборудование все еще заметно уступает импортному (говорят, что его активно испытывает компания JHICC. Связанная проблема- низкий выход годных, по слухам для 7нм техпроцесса SMIC это всего 30%, что бьет по себестоимости.
@RUSmicro
Китай нарастит производство передовых чипов в 5 раз за 2 года?
Шокирующий прогноз представило издание Nikkei Asia со ссылкой на «осведомленные источники». Речь идет не о всем объеме производства, а о микросхемах, выпускаемых с использованием техпроцессов 7нм и 5нм.
Сейчас китайские возможности оцениваются в 20 тысяч пластин. За 1-2 года в Китае его собираются нарастить до 100 тысяч пластин в месяц. А к 2030 году и вовсе – 500 тысяч пластин в месяц!
Как этого собираются достигнуть?
🔹 SMIC (Semiconductor Manufacturing International Co), крупнейший китайский контрактный производитель чипов, расширяет или строит новые производственные мощности. У компании есть оборудование ASML, которое позволяет создавать такие чипы путем многошагового процесса. Кроме того, компания ведет разработку собственного техпроцесса N+3, который также должен обеспечивать создание чипов 5нм.
🔹 Hua Hong Semiconductor, контрактный производитель, ранее фокусировался на зрелых технологиях, но под давлением правительства и при техподдержке Huawei (по слухам), также освоил передовые техпроцессы.
🔹 Huawei и по слухам связанные с ним компании (PengXinWei, Dongguan Guangmao и др.) активно развивают производство ИИ-кристаллов. В 2026 году мы ждем выхода Ascend 950 (PR и DT) с собственной HBM-памятью Huawei.
Производственные мощности между заказчиками, вероятно, будет распределять государство. Крупнейшим заказчиком чипов станет Huawei, также в очереди на ресурсы многочисленные китайские разработчики ИИ-чпиов: Cambricorn, T-Head, Moore Threads и другие, их количество уже около 2 десятков и растет.
За счет внутреннего спроса SMIC вышла на 3-е место в мире среди контрактных производителей чипов (после TSMC и Samsung) по итогам 3q2025.
В Китае все еще сталкиваются с проблемами ограниченного доступа к современному литографическому оборудованию. Затруднено легальное приобретение передовых литографов ASML и многого другого оборудования западных производителей. Китайское оборудование все еще заметно уступает импортному (говорят, что его активно испытывает компания JHICC. Связанная проблема- низкий выход годных, по слухам для 7нм техпроцесса SMIC это всего 30%, что бьет по себестоимости.
@RUSmicro
👍7✍3❤2
🇷🇺 Производство оптоволокна. Проблемы. Россия
Китайские поставщики подняли цены для российских покупателей в 2.5-4 раза
Такими сведениями делятся Ведомости. Причин для этого несколько. Одна из них – растущий дефицит оптоволокна в мире, связанный как с использованием дронов FPV с управлением по оптоволокну, так и массовое строительство ЦОД ИИ, в которых соединение серверов обеспечивается оптоволоконными кабелями.
Китай обеспечивает свыше 60% объемов мирового производства оптоволокна. Поскольку в России на текущий момент практически не выпускаются массово ни преформы, ни оптоволокно, его приходится закупать в Китае. Только за 2025 год и начало 2026 года цены выросли с 16 юаней за 1 км до 40 юаней за км, приводит газета данные Леонида Коника, ComNews.
Сейчас предпринимаются меры по созданию в России производства преформ. А когда будет восстановлено крупносерийное производство оптоволокна – не ясно. Так что наблюдается близкая к 100% зависимость от Китая в этом вопросе.
Потребление оптоволокна Россией в 2025 году выросло более, чем в 10 раз, ранее оно не превышало 1% от объемов мирового рынка, а по итогам 2025 года превысило 10%.
В сложившихся условиях, у российских кабельных заводов нет способа удерживать цены, они будут вынуждены отразить рост цен на сырье (оптоволокно) в росте цен на кабели. Но и по новым ценам закупить оптоволокно в объемах 2025 года будет сложно. Какое-то время ситуацию позволят сглаживать складские запасы, затем Россия может столкнуться с дефицитом оптоволоконного кабеля.
Далее по цепочке следствий можно ожидать повышения стоимости аренды темного волокна, удорожания и замедления строительства в России магистральных сетей и ЦОД ИИ. Как на грех, с каждым годом растет степень устаревания проложенных в 90-е годы в нашей стране оптоволоконных кабелей, уже подошло время их массовой замены. Проблемы с оптоволокном могут сказаться на качестве работы и темпах развития телекома, ЦОД и ИИ.
Выходом могло бы стать налаживание собственного крупномасштабного производства оптоволокна (и преформ). Но быстро это сделать вряд ли получится. Особенно это касается сложных видов оптоволокна – устойчивого к изгибам и высокопрозрачного.
@RUSmicro
Китайские поставщики подняли цены для российских покупателей в 2.5-4 раза
Такими сведениями делятся Ведомости. Причин для этого несколько. Одна из них – растущий дефицит оптоволокна в мире, связанный как с использованием дронов FPV с управлением по оптоволокну, так и массовое строительство ЦОД ИИ, в которых соединение серверов обеспечивается оптоволоконными кабелями.
Китай обеспечивает свыше 60% объемов мирового производства оптоволокна. Поскольку в России на текущий момент практически не выпускаются массово ни преформы, ни оптоволокно, его приходится закупать в Китае. Только за 2025 год и начало 2026 года цены выросли с 16 юаней за 1 км до 40 юаней за км, приводит газета данные Леонида Коника, ComNews.
Сейчас предпринимаются меры по созданию в России производства преформ. А когда будет восстановлено крупносерийное производство оптоволокна – не ясно. Так что наблюдается близкая к 100% зависимость от Китая в этом вопросе.
Потребление оптоволокна Россией в 2025 году выросло более, чем в 10 раз, ранее оно не превышало 1% от объемов мирового рынка, а по итогам 2025 года превысило 10%.
В сложившихся условиях, у российских кабельных заводов нет способа удерживать цены, они будут вынуждены отразить рост цен на сырье (оптоволокно) в росте цен на кабели. Но и по новым ценам закупить оптоволокно в объемах 2025 года будет сложно. Какое-то время ситуацию позволят сглаживать складские запасы, затем Россия может столкнуться с дефицитом оптоволоконного кабеля.
Далее по цепочке следствий можно ожидать повышения стоимости аренды темного волокна, удорожания и замедления строительства в России магистральных сетей и ЦОД ИИ. Как на грех, с каждым годом растет степень устаревания проложенных в 90-е годы в нашей стране оптоволоконных кабелей, уже подошло время их массовой замены. Проблемы с оптоволокном могут сказаться на качестве работы и темпах развития телекома, ЦОД и ИИ.
Выходом могло бы стать налаживание собственного крупномасштабного производства оптоволокна (и преформ). Но быстро это сделать вряд ли получится. Особенно это касается сложных видов оптоволокна – устойчивого к изгибам и высокопрозрачного.
@RUSmicro
👌8❤1👀1
🇰🇷 Производство памяти. Производственные мощности. Участники рынка. Корея
SK Hynix инвестирует $15 млрд в новый кластер по производству чипов для ИИ
Южнокорейский гигант полупроводниковой промышленности SK Hynix объявил о масштабных инвестициях, направленных на укрепление своих позиций на рынке памяти для искусственного интеллекта. Согласно заявлению компании, совет директоров одобрил выделение 21.6 трлн корейских вон (около $15 млрд) на строительство новых производственных мощностей.
Средства планируется осваивать в период с 1 марта 2026 года по 31 декабря 2030 года. На них будет развиваться производственный кластер в городе Йонгин (к югу от Сеула).
Проект включает в себя завершение строительства первой фабрики к маю 2027 года и возведение 5 чистых комнат для второй-шестой очередей проекта. Объем 21.6 трлн вон включает ранее заявленные 9.4 трлн вон (о них компания заявляла в 2024 году).
Цель проекта – расширить производство памяти (HBM), которая требуется для ускорителей ИИ. Спрос на них сейчас буквально неутолимый.
Можно ожидать, что это усилит и без того передовые позиции Кореи на мировом рынке производства современной памяти. У SK Hynix, насколько мне известно, действуют заводы в Китае – в Даляне и в Уси, а также в Чунцине. В Корее производственные мощности компании сосредоточены в Чхонджу, в США – в Вест-Лафайете, Индиана. К ним должен добавиться кластер в Йонгине.
@RUSmicro
SK Hynix инвестирует $15 млрд в новый кластер по производству чипов для ИИ
Южнокорейский гигант полупроводниковой промышленности SK Hynix объявил о масштабных инвестициях, направленных на укрепление своих позиций на рынке памяти для искусственного интеллекта. Согласно заявлению компании, совет директоров одобрил выделение 21.6 трлн корейских вон (около $15 млрд) на строительство новых производственных мощностей.
Средства планируется осваивать в период с 1 марта 2026 года по 31 декабря 2030 года. На них будет развиваться производственный кластер в городе Йонгин (к югу от Сеула).
Проект включает в себя завершение строительства первой фабрики к маю 2027 года и возведение 5 чистых комнат для второй-шестой очередей проекта. Объем 21.6 трлн вон включает ранее заявленные 9.4 трлн вон (о них компания заявляла в 2024 году).
Цель проекта – расширить производство памяти (HBM), которая требуется для ускорителей ИИ. Спрос на них сейчас буквально неутолимый.
Можно ожидать, что это усилит и без того передовые позиции Кореи на мировом рынке производства современной памяти. У SK Hynix, насколько мне известно, действуют заводы в Китае – в Даляне и в Уси, а также в Чунцине. В Корее производственные мощности компании сосредоточены в Чхонджу, в США – в Вест-Лафайете, Индиана. К ним должен добавиться кластер в Йонгине.
@RUSmicro
🤔3
🇺🇸 Современная упаковка. Новые техпроцессы. США
Broadcom рассчитывает продать 1 млн чипов, упакованных по технологии 3.5D в 2026 году
Компания Broadcom, разработчик чипов для искусственного интеллекта, заявила, что рассчитывает продать к 2027 году не менее 1 миллиона чипов, собранных по технологии «многослойной структуры». Речь идет о техпроцессе 3.5D eXtreme Dimension System in Package (3.5D XDSiP), предназначенном для создания высокопроизводительных процессоров под задачи ИИ и HPC.
Особенность технологии в том, что она позволяет собрать на одной подложке кристаллы общей площадью более 6000 кв.мм, а также 12 стеков памяти HBM. В ее основе CoWoS-L, предусматривающий максимальный размер интерпозера примерно в 5.5 раз больше, чем размер сетки.
Чиплеты размещаются в стеке лицом к лицу (Face-to-Face, F2F). Это позволяет напрямую соединять верхние металлические слои верхней и нижней матрицы, достигая высокой механической прочности, высокой плотности и надежности соединения.
В отличие от «традиционного» метода «лицом к спине» (Face-to-Back, F2B), F2F обещает выигрыш в разы в количестве возможных сигнальных соединений. Это также позволяет говорить как о снижении энергопотребления в интерфейсах кристалл-кристалл на 90%, так и о минимизации задержек распространения сигналов.
Интерес к этой разработке проявляют Google, OpenAI и другие компании. Ожидается, что в Fujitsu уже изготавливают опытные образцы микросхем по этому техпроцессу с планами серийного выпуска микросхем ближе к концу 2026 года.
@RUSmicro
Broadcom рассчитывает продать 1 млн чипов, упакованных по технологии 3.5D в 2026 году
Компания Broadcom, разработчик чипов для искусственного интеллекта, заявила, что рассчитывает продать к 2027 году не менее 1 миллиона чипов, собранных по технологии «многослойной структуры». Речь идет о техпроцессе 3.5D eXtreme Dimension System in Package (3.5D XDSiP), предназначенном для создания высокопроизводительных процессоров под задачи ИИ и HPC.
Особенность технологии в том, что она позволяет собрать на одной подложке кристаллы общей площадью более 6000 кв.мм, а также 12 стеков памяти HBM. В ее основе CoWoS-L, предусматривающий максимальный размер интерпозера примерно в 5.5 раз больше, чем размер сетки.
Чиплеты размещаются в стеке лицом к лицу (Face-to-Face, F2F). Это позволяет напрямую соединять верхние металлические слои верхней и нижней матрицы, достигая высокой механической прочности, высокой плотности и надежности соединения.
В отличие от «традиционного» метода «лицом к спине» (Face-to-Back, F2B), F2F обещает выигрыш в разы в количестве возможных сигнальных соединений. Это также позволяет говорить как о снижении энергопотребления в интерфейсах кристалл-кристалл на 90%, так и о минимизации задержек распространения сигналов.
Интерес к этой разработке проявляют Google, OpenAI и другие компании. Ожидается, что в Fujitsu уже изготавливают опытные образцы микросхем по этому техпроцессу с планами серийного выпуска микросхем ближе к концу 2026 года.
@RUSmicro
👍4
🇷🇺 Штрафы. Разработка микросхем. Участники рынка. Россия
Минпромторг оштрафовал дизайн-центр НИИМА Прогресс почти на 0.5 млрд
Об этом сообщает CNews. Штраф в размере суммы контракта, заключенного в октябре 2017 года, начислен за просрочку освоения серийного производства микросхем.
Это не первый штраф, который начисляют чиновники в адрес НИИМА Прогресс. В том числе, по данному контракту уже был начислен штраф в размере 144,3 млн рублей, утверждает CNews. В 2025 году была информация о начислении штрафа и пеней и за просрочку разработки других изделий.
Удастся ли НИИМА Прогресс продолжать работу в условиях таких начислений? Надеюсь, что да, НИИМА «Прогресс» участвует в государственных программах, это может обеспечить дальнейшую поддержку. Но для того, чтобы можно было бы сделать какие-то обоснованные прогнозы данных явно не хватает – ни о текущем финансовом состоянии компании, ни о планах реструктуризации обязательств. Разве что соображения общего здравого смысла, что вряд ли кому-то нужно обанкротить известного участника рынка с высокими компетенциями в области разработки.
@RUSmicro
Минпромторг оштрафовал дизайн-центр НИИМА Прогресс почти на 0.5 млрд
Об этом сообщает CNews. Штраф в размере суммы контракта, заключенного в октябре 2017 года, начислен за просрочку освоения серийного производства микросхем.
Это не первый штраф, который начисляют чиновники в адрес НИИМА Прогресс. В том числе, по данному контракту уже был начислен штраф в размере 144,3 млн рублей, утверждает CNews. В 2025 году была информация о начислении штрафа и пеней и за просрочку разработки других изделий.
Удастся ли НИИМА Прогресс продолжать работу в условиях таких начислений? Надеюсь, что да, НИИМА «Прогресс» участвует в государственных программах, это может обеспечить дальнейшую поддержку. Но для того, чтобы можно было бы сделать какие-то обоснованные прогнозы данных явно не хватает – ни о текущем финансовом состоянии компании, ни о планах реструктуризации обязательств. Разве что соображения общего здравого смысла, что вряд ли кому-то нужно обанкротить известного участника рынка с высокими компетенциями в области разработки.
@RUSmicro
🙈11👌3❤1🤔1
🇨🇳 Горизонты технологий. FeFET. Китай
В Пекинском университете создали лабораторный прототип транзистора FeFET с графеновым затвором длиной 1нм
Исследователи из Пекинского университета под руководством Цю Чэньгуана и академика Пэн Ляньмао опубликовали в Science Advances работу, в которой продемонстрировали сегнетоэлектрический полевой транзистор (FeFET) с рекордными характеристиками. Главная особенность - использование углеродной нанотрубки в качестве затвора длиной всего 1 нанометр.
В основе – вертикальная структура MFMIS (металл-сегнетоэлектрик-металл-диэлектрик-полупроводник). В качестве канала - дисульфид молибдена (MoS₂), сегнетоэлектрик - CIPS (CuInP₂S₆), плавающий затвор - графен.
Наноразмерный затвор концентрирует электрическое поле подобно игле (используется эффект «наноострийного усиления электрического поля»). Это позволяет достичь локальной напряжённости поля 2,7×10⁶ В/см при напряжении всего 0,6 В, что ниже коэрцитивного напряжения самого сегнетоэлектрика. Эффективность по напряжению: 125% (работа ниже коэрцитивного поля за счёт геометрии).
В отличие от обычных транзисторов, где уменьшение длины канала ведёт к короткоканальным эффектам, в предложенной конструкции миниатюризация улучшает характеристики. Авторы называют это принципом масштабирования: чем меньше затвор, тем выше локальное поле и энергоэффективность.
💎 Напряжение питания в 0.6В - ниже «типового» напряжения в 0,7 В, которое используется для питания логических ядер. А если сравнивать с предыдущими разработками сегнетоэлектрических транзисторов, которые требовали напряжения 1.5В, то новый транзистор потребляет примерно в 10 раз меньше энергии - 0.45 фДж/мкм.
▫️Скорость переключения – 1.6 нс (при 3В, 20 нс при 0.6В).
▫️Соотношение токов включения/выключения - 2×10⁶.
💎 Заявляется, что FeFET транзисторы позволяют объединять в одной структуре функции хранения и обработки данных за счет выравнивания напряжения, необходимого для работы цифровой логики и кристаллов памяти, см. картинки.
▫️Потенциальная сфера применения – чипы ИИ следующего поколения
▫️Периферийные вычисления, где важна энергоэффективность
▫️Энергоэффективные ЦОД
▫️Нейроморфные вычисления
Авторы утверждают, что эффект концентрации поля может быть реализован в твердотельных нанозатворах, совместимых с CMOS-технологией (например, через атомно-слоевое осаждение).
Заявления амбициозные, но стоит еще дождаться результатов независимой проверки, масштабирования, исследований надежности.
@RUSmicro, иллюстрации - авторов исследования
В Пекинском университете создали лабораторный прототип транзистора FeFET с графеновым затвором длиной 1нм
Исследователи из Пекинского университета под руководством Цю Чэньгуана и академика Пэн Ляньмао опубликовали в Science Advances работу, в которой продемонстрировали сегнетоэлектрический полевой транзистор (FeFET) с рекордными характеристиками. Главная особенность - использование углеродной нанотрубки в качестве затвора длиной всего 1 нанометр.
В основе – вертикальная структура MFMIS (металл-сегнетоэлектрик-металл-диэлектрик-полупроводник). В качестве канала - дисульфид молибдена (MoS₂), сегнетоэлектрик - CIPS (CuInP₂S₆), плавающий затвор - графен.
Наноразмерный затвор концентрирует электрическое поле подобно игле (используется эффект «наноострийного усиления электрического поля»). Это позволяет достичь локальной напряжённости поля 2,7×10⁶ В/см при напряжении всего 0,6 В, что ниже коэрцитивного напряжения самого сегнетоэлектрика. Эффективность по напряжению: 125% (работа ниже коэрцитивного поля за счёт геометрии).
В отличие от обычных транзисторов, где уменьшение длины канала ведёт к короткоканальным эффектам, в предложенной конструкции миниатюризация улучшает характеристики. Авторы называют это принципом масштабирования: чем меньше затвор, тем выше локальное поле и энергоэффективность.
▫️Скорость переключения – 1.6 нс (при 3В, 20 нс при 0.6В).
▫️Соотношение токов включения/выключения - 2×10⁶.
▫️Потенциальная сфера применения – чипы ИИ следующего поколения
▫️Периферийные вычисления, где важна энергоэффективность
▫️Энергоэффективные ЦОД
▫️Нейроморфные вычисления
Авторы утверждают, что эффект концентрации поля может быть реализован в твердотельных нанозатворах, совместимых с CMOS-технологией (например, через атомно-слоевое осаждение).
Заявления амбициозные, но стоит еще дождаться результатов независимой проверки, масштабирования, исследований надежности.
@RUSmicro, иллюстрации - авторов исследования
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤4👍2🤨2🙈1
🔬 Горизонты технологий. Открытия
Физики обнаружили «обходные способы» туннелирования электронов
Учёные из МФТИ, Института проблем технологии микроэлектроники РАН и их зарубежные коллеги (из Японии (NIMS), Китая (Сямэньский университет), Сингапура и Армении (ЕГУ)) совершили открытие, которое меняет фундаментальные представления о работе нанотранзисторов. Исследование опубликовано в журнале npj 2D Materials and Applications.
Команда под руководством Дмитрия Свинцова (завлабораторией оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ) обнаружила новый механизм прохождения электронов через ультратонкие изолирующие барьеры (например, из нитрида бора).
Туннелирование - квантовомеханический процесс, при котором электрон преодолевает потенциальный барьер, даже если его энергия ниже высоты этого барьера. В нанотранзисторах часто используются ван-дер-ваальсовы гетероструктуры - слои из атомарно тонких материалов, например проводящего графена и изолирующего гексагонального нитрида бора (hBN). Ранее считалось, что электроны преодолевают такой барьер преимущественно упруго - без потери энергии, иногда используя отдельные дефекты в изоляторе как «ступени». Эксперимент показал: если в барьере есть два близко расположенных дефекта, электрону энергетически выгоднее пройти через оба, теряя энергию (испуская фонон или плазмон), чем туннелировать напрямую.
Это не просто еще одна находка, которая так и останется в стенах лаборатории.
Эффект уже лёг в основу метода туннельной спектроскопии с беспрецедентной точностью. Учёным удалось измерить ширину запрещённой зоны в двухслойном графене (42 мэВ) и угол поворота кристаллических решёток (~1°).
В перспективе понимание механизма неупругого туннелирования позволяет создавать транзисторы, переключение которых требует ещё более низких управляющих напряжений, чем в классических туннельных переключателях.
@RUSmicro, иллюстрации - авторов исследования
Физики обнаружили «обходные способы» туннелирования электронов
Учёные из МФТИ, Института проблем технологии микроэлектроники РАН и их зарубежные коллеги (из Японии (NIMS), Китая (Сямэньский университет), Сингапура и Армении (ЕГУ)) совершили открытие, которое меняет фундаментальные представления о работе нанотранзисторов. Исследование опубликовано в журнале npj 2D Materials and Applications.
Команда под руководством Дмитрия Свинцова (завлабораторией оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ) обнаружила новый механизм прохождения электронов через ультратонкие изолирующие барьеры (например, из нитрида бора).
Туннелирование - квантовомеханический процесс, при котором электрон преодолевает потенциальный барьер, даже если его энергия ниже высоты этого барьера. В нанотранзисторах часто используются ван-дер-ваальсовы гетероструктуры - слои из атомарно тонких материалов, например проводящего графена и изолирующего гексагонального нитрида бора (hBN). Ранее считалось, что электроны преодолевают такой барьер преимущественно упруго - без потери энергии, иногда используя отдельные дефекты в изоляторе как «ступени». Эксперимент показал: если в барьере есть два близко расположенных дефекта, электрону энергетически выгоднее пройти через оба, теряя энергию (испуская фонон или плазмон), чем туннелировать напрямую.
Д. ф.-м. наук Дмитрий Свинцов из МФТИ поясняет: «Представьте, что вы пытаетесь перепрыгнуть широкую реку. Прямой прыжок требует колоссальных усилий. Но если посередине есть два близко расположенных камня, вы предпочтёте сделать два коротких прыжка, даже если при переходе с камня на камень придётся немного оступиться. В наномасштабе такой «обходной путь» через соседние дефекты становится решающим преимуществом».
Это не просто еще одна находка, которая так и останется в стенах лаборатории.
Эффект уже лёг в основу метода туннельной спектроскопии с беспрецедентной точностью. Учёным удалось измерить ширину запрещённой зоны в двухслойном графене (42 мэВ) и угол поворота кристаллических решёток (~1°).
В перспективе понимание механизма неупругого туннелирования позволяет создавать транзисторы, переключение которых требует ещё более низких управляющих напряжений, чем в классических туннельных переключателях.
@RUSmicro, иллюстрации - авторов исследования
👍12❤4🤨2
🇳🇱 Фотолитография. Производственное оборудование. Нидерланды
ASML объявляет о готовности High-NA EUV к массовому производству AI-чипов
Голландская компания ASML, мировой монополист в производстве литографических систем, объявила о ключевом этапе готовности своих инструментов следующего поколения.
По словам технического директора Марко Питерса, новые High-NA EUV (высокоапертурные) сканеры достигли технической зрелости, необходимой для начала массового производства сложнейших чипов, включая процессоры для ИИ.
🔹 Оборудование уже обработало 500 000 кремниевых пластин и демонстрирует достаточную точность для печати современных наносхем.
🔹 В настоящий момент достигнута бесперебойная работа на уровне 80% (uptime). ASML планирует повысить этот показатель до 90% к концу 2026 года.
🔹 Новый инструмент позволяет заменить несколько циклов обработки на старом оборудовании одним проходом High-NA, что снижает сложность и себестоимость производства.
Стоимость одной системы High-NA примерно $400 млн - вдвое дороже предыдущего поколения EUV. Несмотря на это, крупнейшие производители (Intel, TSMC, Samsung) уже активно тестируют новые машины.
Питерс отметил, что хотя технологически машины готовы, производителям потребуется ещё 2–3 года на интеграцию новых сканеров в действующие производственные линии (фабрики). Тем не менее, накопленный опыт уже позволяет говорить о том, что отрасль получила инструмент для выполнения амбициозных "дорожных карт" в сфере искусственного интеллекта.
@RUSmicro
ASML объявляет о готовности High-NA EUV к массовому производству AI-чипов
Голландская компания ASML, мировой монополист в производстве литографических систем, объявила о ключевом этапе готовности своих инструментов следующего поколения.
По словам технического директора Марко Питерса, новые High-NA EUV (высокоапертурные) сканеры достигли технической зрелости, необходимой для начала массового производства сложнейших чипов, включая процессоры для ИИ.
🔹 Оборудование уже обработало 500 000 кремниевых пластин и демонстрирует достаточную точность для печати современных наносхем.
🔹 В настоящий момент достигнута бесперебойная работа на уровне 80% (uptime). ASML планирует повысить этот показатель до 90% к концу 2026 года.
🔹 Новый инструмент позволяет заменить несколько циклов обработки на старом оборудовании одним проходом High-NA, что снижает сложность и себестоимость производства.
Стоимость одной системы High-NA примерно $400 млн - вдвое дороже предыдущего поколения EUV. Несмотря на это, крупнейшие производители (Intel, TSMC, Samsung) уже активно тестируют новые машины.
Питерс отметил, что хотя технологически машины готовы, производителям потребуется ещё 2–3 года на интеграцию новых сканеров в действующие производственные линии (фабрики). Тем не менее, накопленный опыт уже позволяет говорить о том, что отрасль получила инструмент для выполнения амбициозных "дорожных карт" в сфере искусственного интеллекта.
@RUSmicro
❤3🤔3👍2
🇺🇸 Горизонты технологий. Квантовые вычисления. Микроэлектроника. США
В Калифорнийском университете обнаружили дефект в кремнии, который может стать основой для создания практических квантовых устройств
Речь идет о так называемых CN-центрах. Это кубит, состоящий из атомов углерода и азота, не содержащий водорода.
Чем он лучше других?
🎓 Кубиты на основе дефектов кристаллической решётки (как знаменитый NV-центр в алмазе) считаются одними из самых перспективных благодаря способности излучать одиночные фотоны и взаимодействовать с электронами. Ключевая проблема - интеграция таких центров в традиционные кремниевые технологии.
До недавнего времени основным кандидатом в кремнии был так называемый T-центр (содержит углерод и водород). Его главные достоинства - это долгое хранение квантовой информации (сопоставимо с NV-центрами) и излучение в "телеком-диапазоне", что критически важно для передачи данных по оптоволокну без потерь.
Но водород делает структуру избыточно хрупкой и чувствительной к условиям производства, что затрудняет создание надёжных и воспроизводимых устройств в промышленных масштабах.
CN-центр сохраняет ключевые свойства T-центра: излучает в телеком-диапазоне и обладает структурной стабильностью, при этом, согласно моделированию, более устойчив и потому более подходит к практическому применению.
Группа профессора Криса Ван де Валле использовала компьютерные симуляции для моделирования дефекта на атомном уровне. Такой подход позволяет предсказывать свойства материалов, ещё не созданных экспериментально.
Американские ученые утверждают, что это открытие открывает путь к созданию квантовых сетей и устройств связи, совместимых с существующей телекоммуникационной инфраструктурой — и всё это на базе проверенного и массового материала.
@RUSmicro, UC Santa Barbara, Physical Review B (DOI: 10.1103/PhysRevB.111.085305, картинка - Phys.org
В Калифорнийском университете обнаружили дефект в кремнии, который может стать основой для создания практических квантовых устройств
Речь идет о так называемых CN-центрах. Это кубит, состоящий из атомов углерода и азота, не содержащий водорода.
Чем он лучше других?
🎓 Кубиты на основе дефектов кристаллической решётки (как знаменитый NV-центр в алмазе) считаются одними из самых перспективных благодаря способности излучать одиночные фотоны и взаимодействовать с электронами. Ключевая проблема - интеграция таких центров в традиционные кремниевые технологии.
До недавнего времени основным кандидатом в кремнии был так называемый T-центр (содержит углерод и водород). Его главные достоинства - это долгое хранение квантовой информации (сопоставимо с NV-центрами) и излучение в "телеком-диапазоне", что критически важно для передачи данных по оптоволокну без потерь.
Но водород делает структуру избыточно хрупкой и чувствительной к условиям производства, что затрудняет создание надёжных и воспроизводимых устройств в промышленных масштабах.
CN-центр сохраняет ключевые свойства T-центра: излучает в телеком-диапазоне и обладает структурной стабильностью, при этом, согласно моделированию, более устойчив и потому более подходит к практическому применению.
Группа профессора Криса Ван де Валле использовала компьютерные симуляции для моделирования дефекта на атомном уровне. Такой подход позволяет предсказывать свойства материалов, ещё не созданных экспериментально.
Американские ученые утверждают, что это открытие открывает путь к созданию квантовых сетей и устройств связи, совместимых с существующей телекоммуникационной инфраструктурой — и всё это на базе проверенного и массового материала.
@RUSmicro, UC Santa Barbara, Physical Review B (DOI: 10.1103/PhysRevB.111.085305, картинка - Phys.org
Forwarded from Телекоммуналка
Ознакомились с интервью гендиректора НИИМЭ Александра Кравцова. По его словам, Россия уже не просто формулирует амбиции. Она методично, шаг за шагом, выстраивает собственную технологическую цепочку производства чипов, от материалов до оборудования, понимая, что без суверенной элементной базы невозможно ни развитие телекоммуникационной инфраструктуры, ни создание систем ИИ, ни независимость критически важных отраслей экономики.
• В мире начался необратимый процесс децентрализации микроэлектроники. США, Европа, Китай, Южная Корея инвестируют в собственные фабрики, понимая: зависеть от единственного источника производства стратегически опасно.
• Россия фактически 40 лет не готовила специалистов в области электронного машиностроения. Сейчас создание оборудования идет параллельно с восстановлением научной и производственной школ.
• Для разных задач – разные нормы, и это экономически обосновано. Транспортные карты работают на 180-90 нм. Выбор нормы определяется балансом функциональности и стоимости для конкретного изделия.
• Задача до 2030 года – стопроцентная замена иностранных материалов отечественными для техпроцессов вплоть до 90 нм. Исследования материалов для 65 нм и ниже уже начаты.
• Снижение топологических норм – это вопрос энергетической и вычислительной эффективности. Чем меньше норма, тем больше транзисторов на единицу площади, выше быстродействие и ниже энергопотребление.
• Отечественный фоторезист для технологии 90 нм уже внедрен на «Микроне» и не уступает зарубежному аналогу.
• НИИМЭ и НИИТМ представили две работающие установки: плазмохимического осаждения и плазмохимического травления для норм 65 нм с перспективой расширения до 28 нм, стоимостью около 2,5 млрд руб.
• 28 нм – технологическая граница планарного производства. Дальнейшее масштабирование требует перехода на FinFET (Gate-All-Around) объемные трехмерные транзисторы. В России ведутся фундаментальные исследования по нормам 10 нм и менее.
• Создание линейки оборудования для пластин 200 и 300 мм под технологию 28 нм – ключевая производственная задача программы
• Каждый переход по технологии требует новых материалов, нового комплекса оборудования и новых технологических операций. У мировых лидеров освоение 28-нм техпроцесса заняло около четырех лет.
• Реверс-инжиниринг применим лишь частично. Ключевые компоненты, например, реактор в установке плазмохимического травления, создаются с нуля: для корректной работы физических процессов их нельзя просто скопировать.
• Окупаемость инвестиций в микроэлектронику – стратегическая, а не коммерческая. Созданные установки должны в течение десяти лет заменить зарубежное оборудование и обеспечить производство продукции, которую при любых условиях не продадут.
• Российский рынок мал, но критическая инфраструктура платит премию за безопасность. Национальная микроэлектроника ориентирована прежде всего на обеспечение элементной базой объектов, где цена ошибки несравнимо выше стоимости отечественного чипа.
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
stimul.online
Микроэлектронные макрориски
Российское электронное машиностроение, преодолевая страх неудачи, ведет конкурентную борьбу на рынке оборудования для производства полупроводниковых изделий
👍16🙈5🔥4😭3😁2👏1
🇮🇳 Сборка микросхем. ATMP. Индия
Премьер Индии официально открыл сборочный завод Micron Technology в Сананде
Мы об этом проекте в Гуджарате знаем с июня 2023 года. Сравнительно большой и значимый для Индии проект. Инвестиции в него составили 22 516 крор рупий (примерно $2.6 млрд).
Завод будет обеспечивать упаковку и тестирование микросхем (ATMP - Assembly, Testing, Marking and Packaging), выпуская DRAM, NAND и SSD. О масштабах производства можно косвенно судить по тому, что персонал предприятия насчитывает 2 тысяч человек с планами расширения до 5 тысяч.
Рассуждая об этом проекте, стоит отметить, что он построен сравнительно быстро, несмотря на то что это Индия, со всей индийской спецификой. Завод уже выпустил первый продукт – серверный модуль Dell, который направлен заказчику.
Сборочный завод – это еще не производство полупроводников на пластинах, но серьезная часть усилий Индии в рамках программы «Полупроводники 2.0» по вступлению в клуб стран, занимающихся разработкой и производством микроэлектроники. Солидный строительный блок в основу экосистемы производства микроэлектроники в Индии.
А для американской Micron – это возможность организовать сборку не с такими высокими издержками, которые бы непременно возникли бы при попытке наладить такое производство в современных США. Впрочем, еще нужно будет посмотреть, насколько довольны будут в США этим сотрудничеством.
@RUSmicro
Премьер Индии официально открыл сборочный завод Micron Technology в Сананде
Мы об этом проекте в Гуджарате знаем с июня 2023 года. Сравнительно большой и значимый для Индии проект. Инвестиции в него составили 22 516 крор рупий (примерно $2.6 млрд).
Завод будет обеспечивать упаковку и тестирование микросхем (ATMP - Assembly, Testing, Marking and Packaging), выпуская DRAM, NAND и SSD. О масштабах производства можно косвенно судить по тому, что персонал предприятия насчитывает 2 тысяч человек с планами расширения до 5 тысяч.
Рассуждая об этом проекте, стоит отметить, что он построен сравнительно быстро, несмотря на то что это Индия, со всей индийской спецификой. Завод уже выпустил первый продукт – серверный модуль Dell, который направлен заказчику.
Сборочный завод – это еще не производство полупроводников на пластинах, но серьезная часть усилий Индии в рамках программы «Полупроводники 2.0» по вступлению в клуб стран, занимающихся разработкой и производством микроэлектроники. Солидный строительный блок в основу экосистемы производства микроэлектроники в Индии.
А для американской Micron – это возможность организовать сборку не с такими высокими издержками, которые бы непременно возникли бы при попытке наладить такое производство в современных США. Впрочем, еще нужно будет посмотреть, насколько довольны будут в США этим сотрудничеством.
@RUSmicro
👍4❤1
🇯🇵 Производство кристаллов. 2нм. Инвестиции. Япония
В Японии привлекли очередные миллиарды в проект Rapidus
После нескольких лет торможения в освоении современных техпроцессов, в Японии предпринимают попытку догнать топовый уровень технологий, пропустив ряд этапов. Это делается в рамках стартапа Rapidus, который получает воистину "общенародную" поддержку.
В этот проект поступают все новые и новые инвестиции, как государственные, так и частные. Очередная сумма составила 267.6 млрд иен ($1.8 млрд), к прежним инвесторам (Toyota, Sony, Softbank, NEC) присоединились еще 24 компании, включая Canon, Kyocera и Seiko Epson. Государственная доля в инвестициях - 100 млрд иен ($641 млн). Эти средства используются на строительство и оснащение фабрики IIM-1 в Титосе на Хоккайдо, где планируется начать массовый выпуск кристаллов по техпроцессу 2нм к 2027 году.
Не откладывая дела в "долгий ящик" под тем смешным предлогом, что производство еще не стартовало и техпроцесс 2HP GAA FET еще не отлажен, компания Rapidus ведет переговоры с 60 компаниями (в основном, с зарубежными, в Японии, как ни странно, нет спроса на топовые чипы). В планах компании - не только освоение 2нм, но также строительство второй фабрики, где будет поддерживаться процесс 1.4нм к 2029 году. В долгосрочной перспективе здесь целятся и в 1нм.
Для реализации этих планов японцы закупили установки High-NA UEV у их единственного в мире производителя - ASML из Нидерландов.
@RUSmicro
В Японии привлекли очередные миллиарды в проект Rapidus
После нескольких лет торможения в освоении современных техпроцессов, в Японии предпринимают попытку догнать топовый уровень технологий, пропустив ряд этапов. Это делается в рамках стартапа Rapidus, который получает воистину "общенародную" поддержку.
В этот проект поступают все новые и новые инвестиции, как государственные, так и частные. Очередная сумма составила 267.6 млрд иен ($1.8 млрд), к прежним инвесторам (Toyota, Sony, Softbank, NEC) присоединились еще 24 компании, включая Canon, Kyocera и Seiko Epson. Государственная доля в инвестициях - 100 млрд иен ($641 млн). Эти средства используются на строительство и оснащение фабрики IIM-1 в Титосе на Хоккайдо, где планируется начать массовый выпуск кристаллов по техпроцессу 2нм к 2027 году.
Не откладывая дела в "долгий ящик" под тем смешным предлогом, что производство еще не стартовало и техпроцесс 2HP GAA FET еще не отлажен, компания Rapidus ведет переговоры с 60 компаниями (в основном, с зарубежными, в Японии, как ни странно, нет спроса на топовые чипы). В планах компании - не только освоение 2нм, но также строительство второй фабрики, где будет поддерживаться процесс 1.4нм к 2029 году. В долгосрочной перспективе здесь целятся и в 1нм.
Для реализации этих планов японцы закупили установки High-NA UEV у их единственного в мире производителя - ASML из Нидерландов.
@RUSmicro
👍2
🇹🇼 Производственные мощности. Производство кристаллов. Тайвань
TSMC не снижает темпов масштабирования производства
Несмотря на затратную для компании экспансию на международных рынках, компания массировано инвестирует и в развертывание новых производств непосредственно на Тайване.
TSMC строит сразу 10 предприятий на острове. Это фабрики для производства полупроводниковых структур на пластинах по техпроцессам 2-нм (в Синьчжу и Гаосюне) и 1.4-нм (в Тайчжуне, 4 завода), а также предприятия по критически важной упаковке CoWoS.
А еще города Тайчжун и Дрезден договорились об углублении сотрудничества в полупроводниковой (и машиностроительных областях). Дрезден - это центр крупнейшего в Европе кластера микроэлектроники, здесь производят треть европейских микросхем (не самых современных, но вполне востребованных на рынке).
Как я понял, стороны договорились о сотрудничестве в области систем очистки воды. И о сотрудничестве в области кадровых вопросов, что бы это не значило.
Скорее всего, если это сотрудничество действительно будет организовано, оно будет на пользу обеим сторонам.
@RUSmicro
TSMC не снижает темпов масштабирования производства
Несмотря на затратную для компании экспансию на международных рынках, компания массировано инвестирует и в развертывание новых производств непосредственно на Тайване.
TSMC строит сразу 10 предприятий на острове. Это фабрики для производства полупроводниковых структур на пластинах по техпроцессам 2-нм (в Синьчжу и Гаосюне) и 1.4-нм (в Тайчжуне, 4 завода), а также предприятия по критически важной упаковке CoWoS.
А еще города Тайчжун и Дрезден договорились об углублении сотрудничества в полупроводниковой (и машиностроительных областях). Дрезден - это центр крупнейшего в Европе кластера микроэлектроники, здесь производят треть европейских микросхем (не самых современных, но вполне востребованных на рынке).
Как я понял, стороны договорились о сотрудничестве в области систем очистки воды. И о сотрудничестве в области кадровых вопросов, что бы это не значило.
Скорее всего, если это сотрудничество действительно будет организовано, оно будет на пользу обеим сторонам.
@RUSmicro
👍2
📈 Тренды. Дефицит "зрелых" чипов. Аналитика
Бум ИИ вызвал также дефицит микросхем, выпускаемых по "зрелым" технологиям
Звучит как парадокс? На самом деле, происходящее вполне логично.
В основе этого тренда - архитектуры современных ИИ-серверов. Понятно, что для их создания требуются топовые изделия, как по части "мозгов" (GPU, TPU, ASIC), так и по части "памяти" (HBM), но ведь сервер состоит не только из этих компонентов.
В составе любого сервера есть мощные контроллеры питания (PMIC), регулирующие энергопотребление; есть дискретные компоненты (транзисторы, диоды, стабилизаторы); интерфейсные чипы и контроллеры ввода-вывода; есть микросхемы памяти (DRAM и NAND) и т.п.
Многие из этих вспомогательных микросхем можно выпускать по зрелым техпроцессам - 28нм, даже 40нм и 65нм.
И их активно используют. Поскольку там, где не нужна экстремальная плотность транзисторов, зачастую выше надежность. А еще соответствующие производственные линии зачастую давно окупились и теперь их амортизация практически не добавляет себестоимости производимым на них микросхемам. Соответствующие технологии за годы отлажены до минимума брака, характеристики изделий стабильны. Большинство таких микросхем выпускается на 200мм кремниевых пластинах.
Спрос на вспомогательные компоненты для ИИ‑инфраструктуры растет лавинообразно, во многом повторяя кривую роста спроса на передовые чипы. Не удивительно, что мощности по работе с пластинами 200мм также оказались перегружено.
Масштабировать "зрелое" производство весьма непросто - оборудование для пластин 200мм производится уже не столь массово, как ранее.
И ведь бум спроса характерен не только в области ИИ. Изделия, выпущенные по зрелым технологиям, востребованы в автопроме, в IoT, в промышленной автоматике.
И вот уже TSMC и ряд других участников рынка объявили о повышении цен на услуги по "зрелым" техпроцессам на 10-15%. Выросли сроки выполнения заказов (книги заказов у многих забиты чуть не на год вперед). Некоторые фабрики, которые едва крутились на пределе рентабельности из-за недозагруженности, теперь загружены на 100%, что сделало их высокорентабельными.
Какие последствия это нам сулит.
Рост себестоимости конечных изделий, который скорее всего, будет оттранслирован ростом стоимости конечных изделий, нам придется покупать необходимую на замену технику дороже, чем раньше. Это коснется самой обычной бытовой электроники, не говоря уже о ПК и ноутбуках.
Задержки поставок станут все более частым явлением.
Крупный бизнес постарается заключать долгосрочные контракты, резервирующие производственные мощности под их заказы, мелким заказчикам станет выживать еще сложнее.
Неизбежно мы будем наблюдать консолидацию на рынке, кто-то кого-то скушает.
Из плюсов - сейчас есть шанс выйти на рынок новым игрокам, включая небольших, я имею в виду - со своим производством.
Также можно ожидать, что тотальный дефицит будет стимулировать разработки. Например, интегрирующие функционал старых вспомогательных чипов в современные микросхемы.
О каком горизонте времени я говорю? Примерно 2-3 года.
@RUSmicro
Бум ИИ вызвал также дефицит микросхем, выпускаемых по "зрелым" технологиям
Звучит как парадокс? На самом деле, происходящее вполне логично.
В основе этого тренда - архитектуры современных ИИ-серверов. Понятно, что для их создания требуются топовые изделия, как по части "мозгов" (GPU, TPU, ASIC), так и по части "памяти" (HBM), но ведь сервер состоит не только из этих компонентов.
В составе любого сервера есть мощные контроллеры питания (PMIC), регулирующие энергопотребление; есть дискретные компоненты (транзисторы, диоды, стабилизаторы); интерфейсные чипы и контроллеры ввода-вывода; есть микросхемы памяти (DRAM и NAND) и т.п.
Многие из этих вспомогательных микросхем можно выпускать по зрелым техпроцессам - 28нм, даже 40нм и 65нм.
И их активно используют. Поскольку там, где не нужна экстремальная плотность транзисторов, зачастую выше надежность. А еще соответствующие производственные линии зачастую давно окупились и теперь их амортизация практически не добавляет себестоимости производимым на них микросхемам. Соответствующие технологии за годы отлажены до минимума брака, характеристики изделий стабильны. Большинство таких микросхем выпускается на 200мм кремниевых пластинах.
Спрос на вспомогательные компоненты для ИИ‑инфраструктуры растет лавинообразно, во многом повторяя кривую роста спроса на передовые чипы. Не удивительно, что мощности по работе с пластинами 200мм также оказались перегружено.
Масштабировать "зрелое" производство весьма непросто - оборудование для пластин 200мм производится уже не столь массово, как ранее.
И ведь бум спроса характерен не только в области ИИ. Изделия, выпущенные по зрелым технологиям, востребованы в автопроме, в IoT, в промышленной автоматике.
И вот уже TSMC и ряд других участников рынка объявили о повышении цен на услуги по "зрелым" техпроцессам на 10-15%. Выросли сроки выполнения заказов (книги заказов у многих забиты чуть не на год вперед). Некоторые фабрики, которые едва крутились на пределе рентабельности из-за недозагруженности, теперь загружены на 100%, что сделало их высокорентабельными.
Какие последствия это нам сулит.
Рост себестоимости конечных изделий, который скорее всего, будет оттранслирован ростом стоимости конечных изделий, нам придется покупать необходимую на замену технику дороже, чем раньше. Это коснется самой обычной бытовой электроники, не говоря уже о ПК и ноутбуках.
Задержки поставок станут все более частым явлением.
Крупный бизнес постарается заключать долгосрочные контракты, резервирующие производственные мощности под их заказы, мелким заказчикам станет выживать еще сложнее.
Неизбежно мы будем наблюдать консолидацию на рынке, кто-то кого-то скушает.
Из плюсов - сейчас есть шанс выйти на рынок новым игрокам, включая небольших, я имею в виду - со своим производством.
Также можно ожидать, что тотальный дефицит будет стимулировать разработки. Например, интегрирующие функционал старых вспомогательных чипов в современные микросхемы.
О каком горизонте времени я говорю? Примерно 2-3 года.
@RUSmicro
👍7❤3🔥1
🇷🇺 Производство печатных плат. HDI 4-N-2. Россия
Резонит сообщает об изготовлении 12-слойной HDI платы
HDI (от англ. High Density Interconnect) - это печатная плата с высокой плотностью межсоединений. По сравнению с обычными многослойными платами она позволяет разместить больше компонентов на меньшей площади за счёт более плотной трассировки. Требования к таким платам регламентирует стандарт IPC-2226.
При производстве платы были применены 4 цикла прессования (4-N-2), каждый из которых сопровождался сверлением межслойных переходов и их металлизацией по новой для предприятия технологии заращивания отверстий медью.
Также были произведены 2 цикла сверления и металлизации сквозных отверстий, один из которых реализован с применением технологии заполнения переходных отверстий компаундом.
В обозначении 4-N-2, четверка слева означает 4 последовательно наращиваемых слоя с микроотверстиями на верхней стороне плат; N - центральное многослойное ядро (может содержать от 2 до 20+ слоёв с традиционными сквозными отверстиями); 2 (справа) - два последовательно наращиваемых слоя с микроотверстиями на нижней стороне платы. В нашем случае, если я правильно понял, N=6.
В отличие от симметричных структур (например, 2+N+2 или 4+N+4), в 4+N+2 верхняя сторона имеет вдвое больше микрослойных переходов, чем нижняя. Это позволяет:
▫️сконцентрировать сложную маршрутизацию на одной стороне платы;
▫️разместить компоненты с высокой плотностью выводов (BGA, CSP) преимущественно сверху;
▫️упростить разводку менее критичных цепей снизу.
Структура 4+N+2 плотнее, чем 2+N+2, но дешевле, чем 4+N+4. Такой подход позволяет оптимизировать топологию под конкретные требования: например, выделить 4 верхних слоя для высокоскоростных сигналов, а 2 нижних — для питания и заземления.
Основное, что позволяет такая плата - поддерживать компоненты с мелким шагом выводов. Например, на такую плату можно монтировать BGA‑корпуса с шагом 0,3–0,4 мм и другие компактные компоненты. В целом, можно сократить габариты платы на 20–30% по сравнению с традиционными многослойными платами. А еще короткие межслойные соединения уменьшают задержки и перекрёстные помехи.
Из-за ассиметрии платы, важно вести проектирование с оглядкой на нее, то есть продумывать меры по минимизации коробления (симметричное расположение слоев питания/земли, баланс меди и т.п.)
В целом, структура 4+N+2 — это «золотая середина» для HDI‑плат. Она даёт повышенную плотность и производительность там, где 2+N+2 уже недостаточно, но 4+N+4 экономически нецелесообразно.
Спецификация платы, которые освоил подмосковный Резонит:
▫️12 слоев, FR4 HiTg170, 1.6 мм
▫️предельный уровень технологии
▫️иммерсионное золото
▫️фольга: 18/18 мкм
▫️проводник: 75/75 мкм
▫️мин. диаметр переходного отверстия: 0.1 мм
▫️мин. площадка: 0.25 мм
▫️HDI - 4+N+2
▫️контроль волнового сопротивления
▫️сверление на глубину
▫️заполнение переходных отверстий эпоксидным компаундом с последующей металлизацией (по IPC-4761 Type VII)
▫️заполнение переходных отверстий медью
@RUSmicro
Резонит сообщает об изготовлении 12-слойной HDI платы
HDI (от англ. High Density Interconnect) - это печатная плата с высокой плотностью межсоединений. По сравнению с обычными многослойными платами она позволяет разместить больше компонентов на меньшей площади за счёт более плотной трассировки. Требования к таким платам регламентирует стандарт IPC-2226.
При производстве платы были применены 4 цикла прессования (4-N-2), каждый из которых сопровождался сверлением межслойных переходов и их металлизацией по новой для предприятия технологии заращивания отверстий медью.
Также были произведены 2 цикла сверления и металлизации сквозных отверстий, один из которых реализован с применением технологии заполнения переходных отверстий компаундом.
В обозначении 4-N-2, четверка слева означает 4 последовательно наращиваемых слоя с микроотверстиями на верхней стороне плат; N - центральное многослойное ядро (может содержать от 2 до 20+ слоёв с традиционными сквозными отверстиями); 2 (справа) - два последовательно наращиваемых слоя с микроотверстиями на нижней стороне платы. В нашем случае, если я правильно понял, N=6.
В отличие от симметричных структур (например, 2+N+2 или 4+N+4), в 4+N+2 верхняя сторона имеет вдвое больше микрослойных переходов, чем нижняя. Это позволяет:
▫️сконцентрировать сложную маршрутизацию на одной стороне платы;
▫️разместить компоненты с высокой плотностью выводов (BGA, CSP) преимущественно сверху;
▫️упростить разводку менее критичных цепей снизу.
Структура 4+N+2 плотнее, чем 2+N+2, но дешевле, чем 4+N+4. Такой подход позволяет оптимизировать топологию под конкретные требования: например, выделить 4 верхних слоя для высокоскоростных сигналов, а 2 нижних — для питания и заземления.
Основное, что позволяет такая плата - поддерживать компоненты с мелким шагом выводов. Например, на такую плату можно монтировать BGA‑корпуса с шагом 0,3–0,4 мм и другие компактные компоненты. В целом, можно сократить габариты платы на 20–30% по сравнению с традиционными многослойными платами. А еще короткие межслойные соединения уменьшают задержки и перекрёстные помехи.
Из-за ассиметрии платы, важно вести проектирование с оглядкой на нее, то есть продумывать меры по минимизации коробления (симметричное расположение слоев питания/земли, баланс меди и т.п.)
В целом, структура 4+N+2 — это «золотая середина» для HDI‑плат. Она даёт повышенную плотность и производительность там, где 2+N+2 уже недостаточно, но 4+N+4 экономически нецелесообразно.
Спецификация платы, которые освоил подмосковный Резонит:
▫️12 слоев, FR4 HiTg170, 1.6 мм
▫️предельный уровень технологии
▫️иммерсионное золото
▫️фольга: 18/18 мкм
▫️проводник: 75/75 мкм
▫️мин. диаметр переходного отверстия: 0.1 мм
▫️мин. площадка: 0.25 мм
▫️HDI - 4+N+2
▫️контроль волнового сопротивления
▫️сверление на глубину
▫️заполнение переходных отверстий эпоксидным компаундом с последующей металлизацией (по IPC-4761 Type VII)
▫️заполнение переходных отверстий медью
@RUSmicro
👍15🔥3❤1
Forwarded from Новости Китая | ЭКД
Инженеры микросхем и облачные архитекторы стали самыми высокооплачиваемыми в Китае
Облачные архитекторы и проектировщики микрочипов возглавили топ самых высокооплачиваемых профессий в Китае. Об этом говорится в исследовании кадрового сервиса 51job.
Их средние годовые доходы в городах первого уровня превышают 490 тыс. ($72 тыс.) и 400 тыс. юаней ($58 тыс.) соответственно.
В документе также отмечается рост зарплат в цифровых профессиях автопрома и промышленности. Автоинженеры по алгоритмам в городах первого уровня получают в среднем 385 тыс. юаней ($56 тыс.) в год, инженеры по автоматизации производств — 235 тыс. юаней ($34 тыс.).
Хайтек стал лидером по росту зарплат в 2025 году, которые увеличились на 4,9%. Среди городов по уровню оплаты труда лидировали Шанхай, Пекин, Гуанчжоу, Ханчжоу, Нанкин.
❤ Новости Китая | ЭКД
Облачные архитекторы и проектировщики микрочипов возглавили топ самых высокооплачиваемых профессий в Китае. Об этом говорится в исследовании кадрового сервиса 51job.
Их средние годовые доходы в городах первого уровня превышают 490 тыс. ($72 тыс.) и 400 тыс. юаней ($58 тыс.) соответственно.
В документе также отмечается рост зарплат в цифровых профессиях автопрома и промышленности. Автоинженеры по алгоритмам в городах первого уровня получают в среднем 385 тыс. юаней ($56 тыс.) в год, инженеры по автоматизации производств — 235 тыс. юаней ($34 тыс.).
Хайтек стал лидером по росту зарплат в 2025 году, которые увеличились на 4,9%. Среди городов по уровню оплаты труда лидировали Шанхай, Пекин, Гуанчжоу, Ханчжоу, Нанкин.
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍5🔥2
🇷🇺 Горизонты технологий. Память. Россия
В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках
Исследование было проведено в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Результаты опубликованы в The Journal of Physics and Chemistry of Solids.
Квантовые точки в лаборатории института формируют с помощью процессов МЛЭ (молекулярно-лучевой эпитаксии). В вакуумированной камере, где размещается подложка и нагреватель, испаряются алюминий и галлий. Также на подложку должны попасть азот, фосфор и сурьма. При определенных условиях, образующиеся полупроводниковые соединения собираются в нанокристаллы.
Тематике квантовых точек в последнее время посвящается множество публикаций, буквально ежедневно выходят новые. ||
doi.org/10.1016/j.jpcs.2025.112945
@RUSmicro / MForum.ru
В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках
Исследование было проведено в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Результаты опубликованы в The Journal of Physics and Chemistry of Solids.
"Новая технология в будущем позволит улучшить характеристики памяти: повысить время хранения информации в энергонезависимом режиме, увеличить количество циклов перезаписи, поднять скорость работы. Это в конечном итоге приблизит ученых к созданию универсальной памяти", - говорится в сообщении.
Квантовые точки в лаборатории института формируют с помощью процессов МЛЭ (молекулярно-лучевой эпитаксии). В вакуумированной камере, где размещается подложка и нагреватель, испаряются алюминий и галлий. Также на подложку должны попасть азот, фосфор и сурьма. При определенных условиях, образующиеся полупроводниковые соединения собираются в нанокристаллы.
"Внимание группы новосибирских ученых под руководством Демида Суада Абрамкина в данный момент сосредоточено на системе самоорганизованных GaN квантовых точек в матрице AlN. Расчеты, опубликованные в статье 2025 года, показали, что эти объекты характеризуются весьма высокой энергией локализации электронов (1,5 эВ и выше). Этого вполне достаточно для энергонезависимого хранения заряда в течение десяти лет"
Тематике квантовых точек в последнее время посвящается множество публикаций, буквально ежедневно выходят новые. ||
doi.org/10.1016/j.jpcs.2025.112945
@RUSmicro / MForum.ru
👍6😁3
🇷🇺 Российские микроконтроллеры. Контракты. Применение. Россия
Компания Реглаб заключила долгосрочный контракт на закупку микроконтроллеров Baikal-U
Компания Реглаб стала первым крупным заказчиком микроконтроллеров Baikal-U (BE-U1000). Они будут встраиваться в решения компании в области АСУ ТП (ПЛК). В течение 5 лет «Байкал Электроникс» должна будет поставить 1,5 млн микроконтроллеров.
Первая отгрузка объемом 150 тысяч штук должна завершиться в 1H2026, сообщила пресс-служба «Байкал Электроникс». Стоимость этой партии - более 100 млн рублей. Эта сделка на сегодня стала крупнейшим из известных коммерческим контрактом на поставку российских микропроцессоров на архитектуре RISC-V.
В «Байкал Электроникс» планируют поставить на российский рынок 1 млн микроконтроллеров Baikal-U в 2026 году.
@RUSmicro / MForum.ru
Компания Реглаб заключила долгосрочный контракт на закупку микроконтроллеров Baikal-U
Компания Реглаб стала первым крупным заказчиком микроконтроллеров Baikal-U (BE-U1000). Они будут встраиваться в решения компании в области АСУ ТП (ПЛК). В течение 5 лет «Байкал Электроникс» должна будет поставить 1,5 млн микроконтроллеров.
Первая отгрузка объемом 150 тысяч штук должна завершиться в 1H2026, сообщила пресс-служба «Байкал Электроникс». Стоимость этой партии - более 100 млн рублей. Эта сделка на сегодня стала крупнейшим из известных коммерческим контрактом на поставку российских микропроцессоров на архитектуре RISC-V.
В «Байкал Электроникс» планируют поставить на российский рынок 1 млн микроконтроллеров Baikal-U в 2026 году.
@RUSmicro / MForum.ru
👍16❤6
🇳🇱 Производственное оборудование. Нидерланды
ASML планирует расширение линейки производственного оборудования
Компания ASML рассказала о планах расширения линейки своего производственного оборудования рядом перспективных продуктов, которые придут на рынок в ближайшие годы.
В частности, в компании намерены расширить присутствие на рынке оборудования для «продвинутой упаковки» (Advanced Packaging), которое позволяет соединять несколько чиплетов. Это оборудование критически важно для производства современных ИИ-чипов и высокоскоростной памяти.
Кроме того, компания будет внедрять ИИ в существующее и в перспективное оборудование. Горизонты планирования в компании – не только ближайшие 5 лет, но 10-15 лет. Это необходимо для оптимизации ПО управления установками, в частности, для ускорения процессов инспекции пластин в условиях растущей сложности производства и производительности литографов.
Еще одно направление – попытка увеличения максимального размера рабочего поля фотолитографа, что ускорило бы обработку пластин, повысило бы их производительность.
Сложность и точность, необходимая для современных видов упаковки, сделали когда-то низкорентабельный бизнес по объему производства, более прибыльным, а потому интересным для таких компаний как ASML.
В 2025 году ASML представила сканер нового поколения XT:260, созданный специально для производства передовых чипов памяти, используемых для ИИ, а также процессоров ИИ. Особенность этой установки – не сверхвысокое разрешение, а очень высокая скорость обработки пластин. Эта установка обрабатывает до 270 пластин в час, что примерно в 4 раза быстрее существующих аналогов. К тому же, эта установка способна работать со слегка деформированными и толстыми (до 1.7 мм) пластинами.
В ASML думают над созданием и другого дополнительного оборудования, компания хочет существенно расширить сегменты рынка, в которых она активно представлена.
@RUSmicro / MForum.ru
ASML планирует расширение линейки производственного оборудования
Компания ASML рассказала о планах расширения линейки своего производственного оборудования рядом перспективных продуктов, которые придут на рынок в ближайшие годы.
В частности, в компании намерены расширить присутствие на рынке оборудования для «продвинутой упаковки» (Advanced Packaging), которое позволяет соединять несколько чиплетов. Это оборудование критически важно для производства современных ИИ-чипов и высокоскоростной памяти.
Кроме того, компания будет внедрять ИИ в существующее и в перспективное оборудование. Горизонты планирования в компании – не только ближайшие 5 лет, но 10-15 лет. Это необходимо для оптимизации ПО управления установками, в частности, для ускорения процессов инспекции пластин в условиях растущей сложности производства и производительности литографов.
Еще одно направление – попытка увеличения максимального размера рабочего поля фотолитографа, что ускорило бы обработку пластин, повысило бы их производительность.
Сложность и точность, необходимая для современных видов упаковки, сделали когда-то низкорентабельный бизнес по объему производства, более прибыльным, а потому интересным для таких компаний как ASML.
В 2025 году ASML представила сканер нового поколения XT:260, созданный специально для производства передовых чипов памяти, используемых для ИИ, а также процессоров ИИ. Особенность этой установки – не сверхвысокое разрешение, а очень высокая скорость обработки пластин. Эта установка обрабатывает до 270 пластин в час, что примерно в 4 раза быстрее существующих аналогов. К тому же, эта установка способна работать со слегка деформированными и толстыми (до 1.7 мм) пластинами.
В ASML думают над созданием и другого дополнительного оборудования, компания хочет существенно расширить сегменты рынка, в которых она активно представлена.
@RUSmicro / MForum.ru
👍6🤔2