🇷🇺 Фотоника. Научные исследования. Россия
В России разработали сверхминиатюрный интегральный электрооптический модулятор
Рекордно малые размеры и низкие потери сигнала в разработанном учеными МГТУ им. Н.Э.Баумана и ВНИИА им. Н.Л.Духова интегральном электрооптическом модуляторе достигаются за счёт использования технологического подхода, основанного на использовании нитрида кремния (SiN) и прозрачных проводящих оксидов (transparent conductive oxide, TCO), а также применения сверхтонких плёнок активного материала с прецизионным контролем их свойств.
До сих пор модуляторы, как правило, формировали на основе ниобата лития, типовые размеры таких устройств измеряются в миллиметрах. Новая российская разработка позволяет сократить размеры примерно на 2 порядка.
Нитрид кремния пробовали применить и раньше, поскольку этот материал обещает низкие потери сигнала, но не получалось добиться быстрого управления сигналом.
В основе новой разработки:
🔹 Структура из 5 тонких слоев, что позволило создать модулятор с размерами менее 10 мкм, способный управлять сигналом с частотой выше 1 ГГц;
🔹 Использование активного слоя из прозрачного проводящего оксида (например, это может быть оксид индия-олова, ITO) толщиной 10-20нм. Этот материал демонстрирует выраженный электрооптический эффект: при подаче электрического потенциала изменяется концентрация свободных носителей заряда, что вызывает изменение оптических свойств материала, позволяя регулировать прохождение светового сигнала;
🔹 Была разработана технология формирования ультратонких пленок (ITO), позволяющая получать воспроизводимые, стабильные характеристики;
🔹 За счет прецизионного контроля оптических и электрических параметров активного слоя на всех этапах технологического процесса, ученые смогли добиться низкого уровня вносимых потерь в 5.7 дБ.
🔹 Нитрид кремния хорош тем, что это технология хорошо сочетается с существующими кремниевыми техпроцессами, что обещает возможность создания компактных ФИС.
Работы над проектом шли с 2018 года. Результаты были опубликованы в научных журналах, таких как Scientific Reports и Applied Physics Letters.
@RUSmicro, по материалам Функциональные микро / наносистемы, фото - источника
В России разработали сверхминиатюрный интегральный электрооптический модулятор
Рекордно малые размеры и низкие потери сигнала в разработанном учеными МГТУ им. Н.Э.Баумана и ВНИИА им. Н.Л.Духова интегральном электрооптическом модуляторе достигаются за счёт использования технологического подхода, основанного на использовании нитрида кремния (SiN) и прозрачных проводящих оксидов (transparent conductive oxide, TCO), а также применения сверхтонких плёнок активного материала с прецизионным контролем их свойств.
До сих пор модуляторы, как правило, формировали на основе ниобата лития, типовые размеры таких устройств измеряются в миллиметрах. Новая российская разработка позволяет сократить размеры примерно на 2 порядка.
Нитрид кремния пробовали применить и раньше, поскольку этот материал обещает низкие потери сигнала, но не получалось добиться быстрого управления сигналом.
В основе новой разработки:
🔹 Структура из 5 тонких слоев, что позволило создать модулятор с размерами менее 10 мкм, способный управлять сигналом с частотой выше 1 ГГц;
🔹 Использование активного слоя из прозрачного проводящего оксида (например, это может быть оксид индия-олова, ITO) толщиной 10-20нм. Этот материал демонстрирует выраженный электрооптический эффект: при подаче электрического потенциала изменяется концентрация свободных носителей заряда, что вызывает изменение оптических свойств материала, позволяя регулировать прохождение светового сигнала;
🔹 Была разработана технология формирования ультратонких пленок (ITO), позволяющая получать воспроизводимые, стабильные характеристики;
🔹 За счет прецизионного контроля оптических и электрических параметров активного слоя на всех этапах технологического процесса, ученые смогли добиться низкого уровня вносимых потерь в 5.7 дБ.
🔹 Нитрид кремния хорош тем, что это технология хорошо сочетается с существующими кремниевыми техпроцессами, что обещает возможность создания компактных ФИС.
Работы над проектом шли с 2018 года. Результаты были опубликованы в научных журналах, таких как Scientific Reports и Applied Physics Letters.
@RUSmicro, по материалам Функциональные микро / наносистемы, фото - источника
🔥17👍8❤3
🇫🇷 🇮🇱 Фотоника. DWDM. ИИ. Технологии. Франция. Италия
Французы и израильтяне научились интегрировать DWDM-лазеры в инфраструктуру ИИ
Компании Tower Semiconductor (Израиль) и Scintil Photonics (Франция) объявили о доступности первых в мире гетерогенно интегрированных DWDM-лазеров, предназначенных для инфраструктуры искусственного интеллекта следующего поколения.
Что разработано?
Продукт получил название LEAF Light. Это первый в отрасли однокристальный DWDM-модуль, созданный на базе платформы SHIP (Scintil Heterogeneous Integrated Photonics), которая объединяет монолитные лазерные источники с проверенной платформой кремниевой фотоники Tower, предназначенной для массового производства.
Зачем это нужно?
DWDM-лазеры — ключевой компонент архитектуры Co-Packaged Optics (CPO), которая считается будущим для соединений в кластерах ИИ. Такие решения позволяют:
🔹 Обеспечить более высокую плотность полосы пропускания;
🔹 Добиться сверхнизкой задержки (латентности);
🔹 Снизить энергопотребление на бит передаваемых данных;
🔹 Повысить эффективность использования GPU и рентабельность инвестиций гиперскейлеров
Рынок CPO к 2030 году может занять существенную часть от $200-миллиардного рынка ИИ-сетей.
Что говорят в компаниях?
Мэтт Кроули, генеральный директор Scintil Photonics: «Инфраструктура ИИ следующего поколения требует оптических межсоединений с большей пропускной способностью на волокно при меньшей мощности на бит. DWDM CPO соответствует этой планке. LEAF Light дает технологию, а платформа Tower - масштабирование производства».
Доктор Эд Прайслер, вице-президент Tower Semiconductor: технология Scintil дополняет платформу PH18M, которая уже в массовом производстве для оптических трансиверов по всему миру.
Scintil Photonics базируется в Гренобле и ранее получила финансирование от французского правительства в рамках программы France 2030 на проект CanopAI по развитию фотонных интегральных схем. Tower Semiconductor, в свою очередь, активно сотрудничает с NVIDIA над созданием 1,6-Тбит/с трансиверов.
@RUSmicro, фото - Scintil Photonics LEAF Light
Французы и израильтяне научились интегрировать DWDM-лазеры в инфраструктуру ИИ
Компании Tower Semiconductor (Израиль) и Scintil Photonics (Франция) объявили о доступности первых в мире гетерогенно интегрированных DWDM-лазеров, предназначенных для инфраструктуры искусственного интеллекта следующего поколения.
Что разработано?
Продукт получил название LEAF Light. Это первый в отрасли однокристальный DWDM-модуль, созданный на базе платформы SHIP (Scintil Heterogeneous Integrated Photonics), которая объединяет монолитные лазерные источники с проверенной платформой кремниевой фотоники Tower, предназначенной для массового производства.
Зачем это нужно?
DWDM-лазеры — ключевой компонент архитектуры Co-Packaged Optics (CPO), которая считается будущим для соединений в кластерах ИИ. Такие решения позволяют:
🔹 Обеспечить более высокую плотность полосы пропускания;
🔹 Добиться сверхнизкой задержки (латентности);
🔹 Снизить энергопотребление на бит передаваемых данных;
🔹 Повысить эффективность использования GPU и рентабельность инвестиций гиперскейлеров
Рынок CPO к 2030 году может занять существенную часть от $200-миллиардного рынка ИИ-сетей.
Что говорят в компаниях?
Мэтт Кроули, генеральный директор Scintil Photonics: «Инфраструктура ИИ следующего поколения требует оптических межсоединений с большей пропускной способностью на волокно при меньшей мощности на бит. DWDM CPO соответствует этой планке. LEAF Light дает технологию, а платформа Tower - масштабирование производства».
Доктор Эд Прайслер, вице-президент Tower Semiconductor: технология Scintil дополняет платформу PH18M, которая уже в массовом производстве для оптических трансиверов по всему миру.
Scintil Photonics базируется в Гренобле и ранее получила финансирование от французского правительства в рамках программы France 2030 на проект CanopAI по развитию фотонных интегральных схем. Tower Semiconductor, в свою очередь, активно сотрудничает с NVIDIA над созданием 1,6-Тбит/с трансиверов.
@RUSmicro, фото - Scintil Photonics LEAF Light
❤3
🇷🇺 Безфабричные производители. Участники рынка. Россия
Байкал Электроникс по итогам 2026 года надеется выйти на результаты 2021 года
И в целом в ближайшие годы «существенно улучшить» финансовое положение компании. Об этом рассказал РБК глава компании Андрей Евдокимов.
В 2021-м году компания показывала 163 млн выручки, в 2022-м – 400 млн рублей.
Компания по-прежнему является безфабричной, занимается разработкой чипов, заказывает их изготовление на контрактных производствах, названия которых не разглашаются.
Компания не раскрывает финансовые показатели, но признает, что «формально» чистый убыток сохраняется, отмечая, что одновременно растет капитализация компании в виде нематериальных активов.
Кроме микропроцессоров, компания также начала производить (разрабатывать и заказывать производство) микроконтроллеров. В 2026 году компания планирует произвести и поставить покупателям более 1 млн штук.
@RUSmicro
Байкал Электроникс по итогам 2026 года надеется выйти на результаты 2021 года
И в целом в ближайшие годы «существенно улучшить» финансовое положение компании. Об этом рассказал РБК глава компании Андрей Евдокимов.
В 2021-м году компания показывала 163 млн выручки, в 2022-м – 400 млн рублей.
Компания по-прежнему является безфабричной, занимается разработкой чипов, заказывает их изготовление на контрактных производствах, названия которых не разглашаются.
Компания не раскрывает финансовые показатели, но признает, что «формально» чистый убыток сохраняется, отмечая, что одновременно растет капитализация компании в виде нематериальных активов.
Кроме микропроцессоров, компания также начала производить (разрабатывать и заказывать производство) микроконтроллеров. В 2026 году компания планирует произвести и поставить покупателям более 1 млн штук.
@RUSmicro
👍13🤣6❤2
🇷🇺 Фотолитографы. Рентгеновские. Россия
В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?
Источником рентгеновского излучения для нового литографа, как ожидается, станет сооружаемый в Кольцово под Новосибирском синхротрон СКИФ (Сибирский кольцевой источник фотонов), который может стать первым в мире источником синхротронного излучения с энергией 3 ГэВ и малым эмиттансом (менее 100 пм.рад).
Фотолитограф Орёл-7 - опытный литограф, который планируется создать на базе СКИФ. От него ожидают возможности поддержать техпроцессы ниже 28нм. Об этом сообщает Интерфакс.
Разработкой занимаются ученые Центра искусственного интеллекта НГУ, Института физики полупроводников СО РАН и Института вычислительной математики и математической геофизики СО РАН.
Промышленный рентгеновский литограф можно будет развернуть на базе синхротрона в Зеленограде.
Не будем забывать, что даже если с литографом все "срастется", для промышленного производства микросхем по техпроцессам ниже 28 нм требуется около 100 различных установок. Которых на сегодня в России нет, как импортных, так и отечественных. Разработать их за 1-2 года вряд ли возможно.
Так что хорошо, что какое-то движение вперед осуществляется, но на быстрый практический "выхлоп" я бы не рассчитывал.
@RUSmicro
В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?
Источником рентгеновского излучения для нового литографа, как ожидается, станет сооружаемый в Кольцово под Новосибирском синхротрон СКИФ (Сибирский кольцевой источник фотонов), который может стать первым в мире источником синхротронного излучения с энергией 3 ГэВ и малым эмиттансом (менее 100 пм.рад).
Фотолитограф Орёл-7 - опытный литограф, который планируется создать на базе СКИФ. От него ожидают возможности поддержать техпроцессы ниже 28нм. Об этом сообщает Интерфакс.
Разработкой занимаются ученые Центра искусственного интеллекта НГУ, Института физики полупроводников СО РАН и Института вычислительной математики и математической геофизики СО РАН.
Промышленный рентгеновский литограф можно будет развернуть на базе синхротрона в Зеленограде.
Не будем забывать, что даже если с литографом все "срастется", для промышленного производства микросхем по техпроцессам ниже 28 нм требуется около 100 различных установок. Которых на сегодня в России нет, как импортных, так и отечественных. Разработать их за 1-2 года вряд ли возможно.
Так что хорошо, что какое-то движение вперед осуществляется, но на быстрый практический "выхлоп" я бы не рассчитывал.
@RUSmicro
👍18❤5💯4
🇳🇱 Фотолитографы. Нидерланды
ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах
Это сулит серьезный рост производительности при производстве наиболее передовых микросхем.
Мощность источника удалось поднять с 600 Вт до 1 кВт (ок, не удвоила, лишь почти удвоила).
Как этого удалось достичь?
В EUV-машинах излучение 13.5 нм создает плазма олова. Чтобы создать плазму, в вакуумной камере поток из капель расплавленного олова обстреливают мощным лазером.
Для увеличения мощности в ASML удвоили частоту подачи капель - до фантастичных 100 тысяч капель в секунду. Кроме того, теперь используют ни один лазерный импульс на каплю а два. Первый придает капле нужную форму, второй - превращает ее в плазму. Так удается получить больше энергии.
Это не эксперимент, в ASML говорят о том, что это полностью работоспособная система, готовая к использованию в производстве.
Как это скажется на производительности фотолитографов EUV?
Если сейчас они могут выдавать по 220 пластин в час, то к 2030 году производительность, как ожидается, вырастет до 330 пластин в час.
Это значит, что можно будет нарастить объемы выпуска полупроводниковых пластин почти на 50%, без необходимости строительства новых фабрик и дорогостоящих "чистых комнат". Это обещает снижение себестоимости чипов, что принципиально важно для таких гигантов отрасли, как TSMC, Intel и Samsung.
В ASML планируют предложить своим клиентам специальные "пакеты обновления", которые позволят интегрировать новую технологию в закупленные ими ранее системы.
А еще в ASML знают как достичь мощности в 1500 Вт. Более того, по словам ученых, нет фундаментальных ограничений для выхода на 2000 Вт. Это означает, что "традиционные" источники света для литографов еще поживут и даже позволят продолжить развитие технологии. Что позволит не спешить с переходом на куда более громоздкий и сложный подход, в основе которого - использование ускорителей частиц.
Это, конечно, не отменит стремления США (Substrate и xLight), Китая и России создать собственные фотолитографы для техпроцессов ниже 10 нм и ниже 1нм.
@RUSmicro
ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах
Это сулит серьезный рост производительности при производстве наиболее передовых микросхем.
Мощность источника удалось поднять с 600 Вт до 1 кВт (ок, не удвоила, лишь почти удвоила).
Как этого удалось достичь?
В EUV-машинах излучение 13.5 нм создает плазма олова. Чтобы создать плазму, в вакуумной камере поток из капель расплавленного олова обстреливают мощным лазером.
Для увеличения мощности в ASML удвоили частоту подачи капель - до фантастичных 100 тысяч капель в секунду. Кроме того, теперь используют ни один лазерный импульс на каплю а два. Первый придает капле нужную форму, второй - превращает ее в плазму. Так удается получить больше энергии.
Это не эксперимент, в ASML говорят о том, что это полностью работоспособная система, готовая к использованию в производстве.
Как это скажется на производительности фотолитографов EUV?
Если сейчас они могут выдавать по 220 пластин в час, то к 2030 году производительность, как ожидается, вырастет до 330 пластин в час.
Это значит, что можно будет нарастить объемы выпуска полупроводниковых пластин почти на 50%, без необходимости строительства новых фабрик и дорогостоящих "чистых комнат". Это обещает снижение себестоимости чипов, что принципиально важно для таких гигантов отрасли, как TSMC, Intel и Samsung.
В ASML планируют предложить своим клиентам специальные "пакеты обновления", которые позволят интегрировать новую технологию в закупленные ими ранее системы.
А еще в ASML знают как достичь мощности в 1500 Вт. Более того, по словам ученых, нет фундаментальных ограничений для выхода на 2000 Вт. Это означает, что "традиционные" источники света для литографов еще поживут и даже позволят продолжить развитие технологии. Что позволит не спешить с переходом на куда более громоздкий и сложный подход, в основе которого - использование ускорителей частиц.
Это, конечно, не отменит стремления США (Substrate и xLight), Китая и России создать собственные фотолитографы для техпроцессов ниже 10 нм и ниже 1нм.
@RUSmicro
🔥3❤2👍1
🇷🇺 Производственное оборудование. Россия
Микрон разработает установку измерения рассовмещения топологических слоев на пластинах 150 и 200 мм
Об этом узнал CNews. Это оборудование - необходимая часть технологической линии по производству полупроводниковых структур на кремниевых пластинах.
Речь идет не о создании какого-то оригинального оборудования с нуля, а, скорее, о реинжиниринге американской установки KLA Tencor Archer 10 XT.
Тем не менее, с инженерной точки зрения задача вовсе не ординарная и в этом плане сроки, в течение которых должна пройти разработка, кажутся жесткими - до 31 июля 2029 года.
Оборудование должно в автоматическом режиме справляться с замерами рассовмещений топологических слоев по специальным меткам совмещения (для техпроцесса 130 нм). Производительность должна составлять не менее 75 пластин в час.
Это разработка весьма сложной высокотехнологичной установки на стыке оптики, прецизионной механики и электроники, а также необходимого ПО.
От оптики потребуется высокая числовая апертура, очень жесткими должны быть и требования к контролю перемещений предметного столика. Разработку дополнительно усложняет требование работы установки с пластинами различного диаметра.
Мне представляется, что наибольшие сложности могут ожидать разработчиков с оптическим блоком, а также с управлением столиком. С ПО и электроникой тоже придется повозиться, но здесь я не ожидаю того же уровня сложности, что с механикой и оптикой.
Денег под проект выделят 1.56 млрд, что кажется приемлемым.
В активе у Микрона - возможность тестировать установку в условиях реального производства.
@RUSmicro
Микрон разработает установку измерения рассовмещения топологических слоев на пластинах 150 и 200 мм
Об этом узнал CNews. Это оборудование - необходимая часть технологической линии по производству полупроводниковых структур на кремниевых пластинах.
Речь идет не о создании какого-то оригинального оборудования с нуля, а, скорее, о реинжиниринге американской установки KLA Tencor Archer 10 XT.
Тем не менее, с инженерной точки зрения задача вовсе не ординарная и в этом плане сроки, в течение которых должна пройти разработка, кажутся жесткими - до 31 июля 2029 года.
Оборудование должно в автоматическом режиме справляться с замерами рассовмещений топологических слоев по специальным меткам совмещения (для техпроцесса 130 нм). Производительность должна составлять не менее 75 пластин в час.
Это разработка весьма сложной высокотехнологичной установки на стыке оптики, прецизионной механики и электроники, а также необходимого ПО.
От оптики потребуется высокая числовая апертура, очень жесткими должны быть и требования к контролю перемещений предметного столика. Разработку дополнительно усложняет требование работы установки с пластинами различного диаметра.
Мне представляется, что наибольшие сложности могут ожидать разработчиков с оптическим блоком, а также с управлением столиком. С ПО и электроникой тоже придется повозиться, но здесь я не ожидаю того же уровня сложности, что с механикой и оптикой.
Денег под проект выделят 1.56 млрд, что кажется приемлемым.
В активе у Микрона - возможность тестировать установку в условиях реального производства.
@RUSmicro
👍13🤔5❤2
📈 Чипы ИИ. Стартапы vs Nvidia. Европа. США
ИИ-чипы нужны всем. Еще два игрока подняли денег, чтобы создать альтернативу чипам Nvidia
Рынок ИИ-чипов продолжает кипение: еще два игрока привлекли крупные инвестиции.
🇳🇱 Нидерланды: Axelera AI
Европейский стартап закрыл раунд на $250 млн при лидерстве Innovation Industries и поддержке BlackRock. Это крупнейшая инвестиция в ИИ-полупроводники в истории ЕС! Компания делает ставку на edge-сегмент (роботы, компьютерное зрение, безопасность) и энергоэффективность: чип компании Europa потребляет всего 45 Вт, выдавая производительность уровня NVIDIA A100. Ключевая идея - обработка данных локально, без необходимости запроса к облачному дата-центру.
🇺🇸 США: SambaNova Systems
Американский стартап привлек $350 млн при участии Vista Equity и Intel Capital и анонсировал стратегический альянс с Intel. Новый чип SN50 компания позиционирует как самое быстрое решение для агентного AI. Заявлена скорость в 5 раз выше конкурентов и снижение совокупной стоимости владения в 3 раза по сравнению с GPU. SoftBank уже принял решение о закупке SN50 для своих ЦОД в Японии.
Тренд: всего за 2 дня три ИИ-чипмейкера (включая MatX с $500 млн) привлекли более $1.1 млрд!
Инвесторы деньгами голосуют за диверсификацию, кому-то нужны чипы для создания мощных облачных кластеров, кто-то ориентируется на "умные" камеры, обрабатывающие информацию на месте.
Шутки насчет "убийцы" Nvidia перестают быть шутками. Пусть пока что речь идет о сравнительно небольших компаниях, но уровень конкуренции таков, что в этом бульоне что-то обязательно родится. Да и Nvidia когда-то была всего лишь стартапом.
@RUSmicro
ИИ-чипы нужны всем. Еще два игрока подняли денег, чтобы создать альтернативу чипам Nvidia
Рынок ИИ-чипов продолжает кипение: еще два игрока привлекли крупные инвестиции.
🇳🇱 Нидерланды: Axelera AI
Европейский стартап закрыл раунд на $250 млн при лидерстве Innovation Industries и поддержке BlackRock. Это крупнейшая инвестиция в ИИ-полупроводники в истории ЕС! Компания делает ставку на edge-сегмент (роботы, компьютерное зрение, безопасность) и энергоэффективность: чип компании Europa потребляет всего 45 Вт, выдавая производительность уровня NVIDIA A100. Ключевая идея - обработка данных локально, без необходимости запроса к облачному дата-центру.
🇺🇸 США: SambaNova Systems
Американский стартап привлек $350 млн при участии Vista Equity и Intel Capital и анонсировал стратегический альянс с Intel. Новый чип SN50 компания позиционирует как самое быстрое решение для агентного AI. Заявлена скорость в 5 раз выше конкурентов и снижение совокупной стоимости владения в 3 раза по сравнению с GPU. SoftBank уже принял решение о закупке SN50 для своих ЦОД в Японии.
Тренд: всего за 2 дня три ИИ-чипмейкера (включая MatX с $500 млн) привлекли более $1.1 млрд!
Инвесторы деньгами голосуют за диверсификацию, кому-то нужны чипы для создания мощных облачных кластеров, кто-то ориентируется на "умные" камеры, обрабатывающие информацию на месте.
Шутки насчет "убийцы" Nvidia перестают быть шутками. Пусть пока что речь идет о сравнительно небольших компаниях, но уровень конкуренции таков, что в этом бульоне что-то обязательно родится. Да и Nvidia когда-то была всего лишь стартапом.
@RUSmicro
👍3🤔2❤1
🇨🇳 Производственные мощности. 7нм. 5нм. Китай
Китай нарастит производство передовых чипов в 5 раз за 2 года?
Шокирующий прогноз представило издание Nikkei Asia со ссылкой на «осведомленные источники». Речь идет не о всем объеме производства, а о микросхемах, выпускаемых с использованием техпроцессов 7нм и 5нм.
Сейчас китайские возможности оцениваются в 20 тысяч пластин. За 1-2 года в Китае его собираются нарастить до 100 тысяч пластин в месяц. А к 2030 году и вовсе – 500 тысяч пластин в месяц!
Как этого собираются достигнуть?
🔹 SMIC (Semiconductor Manufacturing International Co), крупнейший китайский контрактный производитель чипов, расширяет или строит новые производственные мощности. У компании есть оборудование ASML, которое позволяет создавать такие чипы путем многошагового процесса. Кроме того, компания ведет разработку собственного техпроцесса N+3, который также должен обеспечивать создание чипов 5нм.
🔹 Hua Hong Semiconductor, контрактный производитель, ранее фокусировался на зрелых технологиях, но под давлением правительства и при техподдержке Huawei (по слухам), также освоил передовые техпроцессы.
🔹 Huawei и по слухам связанные с ним компании (PengXinWei, Dongguan Guangmao и др.) активно развивают производство ИИ-кристаллов. В 2026 году мы ждем выхода Ascend 950 (PR и DT) с собственной HBM-памятью Huawei.
Производственные мощности между заказчиками, вероятно, будет распределять государство. Крупнейшим заказчиком чипов станет Huawei, также в очереди на ресурсы многочисленные китайские разработчики ИИ-чпиов: Cambricorn, T-Head, Moore Threads и другие, их количество уже около 2 десятков и растет.
За счет внутреннего спроса SMIC вышла на 3-е место в мире среди контрактных производителей чипов (после TSMC и Samsung) по итогам 3q2025.
В Китае все еще сталкиваются с проблемами ограниченного доступа к современному литографическому оборудованию. Затруднено легальное приобретение передовых литографов ASML и многого другого оборудования западных производителей. Китайское оборудование все еще заметно уступает импортному (говорят, что его активно испытывает компания JHICC. Связанная проблема- низкий выход годных, по слухам для 7нм техпроцесса SMIC это всего 30%, что бьет по себестоимости.
@RUSmicro
Китай нарастит производство передовых чипов в 5 раз за 2 года?
Шокирующий прогноз представило издание Nikkei Asia со ссылкой на «осведомленные источники». Речь идет не о всем объеме производства, а о микросхемах, выпускаемых с использованием техпроцессов 7нм и 5нм.
Сейчас китайские возможности оцениваются в 20 тысяч пластин. За 1-2 года в Китае его собираются нарастить до 100 тысяч пластин в месяц. А к 2030 году и вовсе – 500 тысяч пластин в месяц!
Как этого собираются достигнуть?
🔹 SMIC (Semiconductor Manufacturing International Co), крупнейший китайский контрактный производитель чипов, расширяет или строит новые производственные мощности. У компании есть оборудование ASML, которое позволяет создавать такие чипы путем многошагового процесса. Кроме того, компания ведет разработку собственного техпроцесса N+3, который также должен обеспечивать создание чипов 5нм.
🔹 Hua Hong Semiconductor, контрактный производитель, ранее фокусировался на зрелых технологиях, но под давлением правительства и при техподдержке Huawei (по слухам), также освоил передовые техпроцессы.
🔹 Huawei и по слухам связанные с ним компании (PengXinWei, Dongguan Guangmao и др.) активно развивают производство ИИ-кристаллов. В 2026 году мы ждем выхода Ascend 950 (PR и DT) с собственной HBM-памятью Huawei.
Производственные мощности между заказчиками, вероятно, будет распределять государство. Крупнейшим заказчиком чипов станет Huawei, также в очереди на ресурсы многочисленные китайские разработчики ИИ-чпиов: Cambricorn, T-Head, Moore Threads и другие, их количество уже около 2 десятков и растет.
За счет внутреннего спроса SMIC вышла на 3-е место в мире среди контрактных производителей чипов (после TSMC и Samsung) по итогам 3q2025.
В Китае все еще сталкиваются с проблемами ограниченного доступа к современному литографическому оборудованию. Затруднено легальное приобретение передовых литографов ASML и многого другого оборудования западных производителей. Китайское оборудование все еще заметно уступает импортному (говорят, что его активно испытывает компания JHICC. Связанная проблема- низкий выход годных, по слухам для 7нм техпроцесса SMIC это всего 30%, что бьет по себестоимости.
@RUSmicro
👍7✍3❤2
🇷🇺 Производство оптоволокна. Проблемы. Россия
Китайские поставщики подняли цены для российских покупателей в 2.5-4 раза
Такими сведениями делятся Ведомости. Причин для этого несколько. Одна из них – растущий дефицит оптоволокна в мире, связанный как с использованием дронов FPV с управлением по оптоволокну, так и массовое строительство ЦОД ИИ, в которых соединение серверов обеспечивается оптоволоконными кабелями.
Китай обеспечивает свыше 60% объемов мирового производства оптоволокна. Поскольку в России на текущий момент практически не выпускаются массово ни преформы, ни оптоволокно, его приходится закупать в Китае. Только за 2025 год и начало 2026 года цены выросли с 16 юаней за 1 км до 40 юаней за км, приводит газета данные Леонида Коника, ComNews.
Сейчас предпринимаются меры по созданию в России производства преформ. А когда будет восстановлено крупносерийное производство оптоволокна – не ясно. Так что наблюдается близкая к 100% зависимость от Китая в этом вопросе.
Потребление оптоволокна Россией в 2025 году выросло более, чем в 10 раз, ранее оно не превышало 1% от объемов мирового рынка, а по итогам 2025 года превысило 10%.
В сложившихся условиях, у российских кабельных заводов нет способа удерживать цены, они будут вынуждены отразить рост цен на сырье (оптоволокно) в росте цен на кабели. Но и по новым ценам закупить оптоволокно в объемах 2025 года будет сложно. Какое-то время ситуацию позволят сглаживать складские запасы, затем Россия может столкнуться с дефицитом оптоволоконного кабеля.
Далее по цепочке следствий можно ожидать повышения стоимости аренды темного волокна, удорожания и замедления строительства в России магистральных сетей и ЦОД ИИ. Как на грех, с каждым годом растет степень устаревания проложенных в 90-е годы в нашей стране оптоволоконных кабелей, уже подошло время их массовой замены. Проблемы с оптоволокном могут сказаться на качестве работы и темпах развития телекома, ЦОД и ИИ.
Выходом могло бы стать налаживание собственного крупномасштабного производства оптоволокна (и преформ). Но быстро это сделать вряд ли получится. Особенно это касается сложных видов оптоволокна – устойчивого к изгибам и высокопрозрачного.
@RUSmicro
Китайские поставщики подняли цены для российских покупателей в 2.5-4 раза
Такими сведениями делятся Ведомости. Причин для этого несколько. Одна из них – растущий дефицит оптоволокна в мире, связанный как с использованием дронов FPV с управлением по оптоволокну, так и массовое строительство ЦОД ИИ, в которых соединение серверов обеспечивается оптоволоконными кабелями.
Китай обеспечивает свыше 60% объемов мирового производства оптоволокна. Поскольку в России на текущий момент практически не выпускаются массово ни преформы, ни оптоволокно, его приходится закупать в Китае. Только за 2025 год и начало 2026 года цены выросли с 16 юаней за 1 км до 40 юаней за км, приводит газета данные Леонида Коника, ComNews.
Сейчас предпринимаются меры по созданию в России производства преформ. А когда будет восстановлено крупносерийное производство оптоволокна – не ясно. Так что наблюдается близкая к 100% зависимость от Китая в этом вопросе.
Потребление оптоволокна Россией в 2025 году выросло более, чем в 10 раз, ранее оно не превышало 1% от объемов мирового рынка, а по итогам 2025 года превысило 10%.
В сложившихся условиях, у российских кабельных заводов нет способа удерживать цены, они будут вынуждены отразить рост цен на сырье (оптоволокно) в росте цен на кабели. Но и по новым ценам закупить оптоволокно в объемах 2025 года будет сложно. Какое-то время ситуацию позволят сглаживать складские запасы, затем Россия может столкнуться с дефицитом оптоволоконного кабеля.
Далее по цепочке следствий можно ожидать повышения стоимости аренды темного волокна, удорожания и замедления строительства в России магистральных сетей и ЦОД ИИ. Как на грех, с каждым годом растет степень устаревания проложенных в 90-е годы в нашей стране оптоволоконных кабелей, уже подошло время их массовой замены. Проблемы с оптоволокном могут сказаться на качестве работы и темпах развития телекома, ЦОД и ИИ.
Выходом могло бы стать налаживание собственного крупномасштабного производства оптоволокна (и преформ). Но быстро это сделать вряд ли получится. Особенно это касается сложных видов оптоволокна – устойчивого к изгибам и высокопрозрачного.
@RUSmicro
👌8❤1👀1
🇰🇷 Производство памяти. Производственные мощности. Участники рынка. Корея
SK Hynix инвестирует $15 млрд в новый кластер по производству чипов для ИИ
Южнокорейский гигант полупроводниковой промышленности SK Hynix объявил о масштабных инвестициях, направленных на укрепление своих позиций на рынке памяти для искусственного интеллекта. Согласно заявлению компании, совет директоров одобрил выделение 21.6 трлн корейских вон (около $15 млрд) на строительство новых производственных мощностей.
Средства планируется осваивать в период с 1 марта 2026 года по 31 декабря 2030 года. На них будет развиваться производственный кластер в городе Йонгин (к югу от Сеула).
Проект включает в себя завершение строительства первой фабрики к маю 2027 года и возведение 5 чистых комнат для второй-шестой очередей проекта. Объем 21.6 трлн вон включает ранее заявленные 9.4 трлн вон (о них компания заявляла в 2024 году).
Цель проекта – расширить производство памяти (HBM), которая требуется для ускорителей ИИ. Спрос на них сейчас буквально неутолимый.
Можно ожидать, что это усилит и без того передовые позиции Кореи на мировом рынке производства современной памяти. У SK Hynix, насколько мне известно, действуют заводы в Китае – в Даляне и в Уси, а также в Чунцине. В Корее производственные мощности компании сосредоточены в Чхонджу, в США – в Вест-Лафайете, Индиана. К ним должен добавиться кластер в Йонгине.
@RUSmicro
SK Hynix инвестирует $15 млрд в новый кластер по производству чипов для ИИ
Южнокорейский гигант полупроводниковой промышленности SK Hynix объявил о масштабных инвестициях, направленных на укрепление своих позиций на рынке памяти для искусственного интеллекта. Согласно заявлению компании, совет директоров одобрил выделение 21.6 трлн корейских вон (около $15 млрд) на строительство новых производственных мощностей.
Средства планируется осваивать в период с 1 марта 2026 года по 31 декабря 2030 года. На них будет развиваться производственный кластер в городе Йонгин (к югу от Сеула).
Проект включает в себя завершение строительства первой фабрики к маю 2027 года и возведение 5 чистых комнат для второй-шестой очередей проекта. Объем 21.6 трлн вон включает ранее заявленные 9.4 трлн вон (о них компания заявляла в 2024 году).
Цель проекта – расширить производство памяти (HBM), которая требуется для ускорителей ИИ. Спрос на них сейчас буквально неутолимый.
Можно ожидать, что это усилит и без того передовые позиции Кореи на мировом рынке производства современной памяти. У SK Hynix, насколько мне известно, действуют заводы в Китае – в Даляне и в Уси, а также в Чунцине. В Корее производственные мощности компании сосредоточены в Чхонджу, в США – в Вест-Лафайете, Индиана. К ним должен добавиться кластер в Йонгине.
@RUSmicro
🤔3
🇺🇸 Современная упаковка. Новые техпроцессы. США
Broadcom рассчитывает продать 1 млн чипов, упакованных по технологии 3.5D в 2026 году
Компания Broadcom, разработчик чипов для искусственного интеллекта, заявила, что рассчитывает продать к 2027 году не менее 1 миллиона чипов, собранных по технологии «многослойной структуры». Речь идет о техпроцессе 3.5D eXtreme Dimension System in Package (3.5D XDSiP), предназначенном для создания высокопроизводительных процессоров под задачи ИИ и HPC.
Особенность технологии в том, что она позволяет собрать на одной подложке кристаллы общей площадью более 6000 кв.мм, а также 12 стеков памяти HBM. В ее основе CoWoS-L, предусматривающий максимальный размер интерпозера примерно в 5.5 раз больше, чем размер сетки.
Чиплеты размещаются в стеке лицом к лицу (Face-to-Face, F2F). Это позволяет напрямую соединять верхние металлические слои верхней и нижней матрицы, достигая высокой механической прочности, высокой плотности и надежности соединения.
В отличие от «традиционного» метода «лицом к спине» (Face-to-Back, F2B), F2F обещает выигрыш в разы в количестве возможных сигнальных соединений. Это также позволяет говорить как о снижении энергопотребления в интерфейсах кристалл-кристалл на 90%, так и о минимизации задержек распространения сигналов.
Интерес к этой разработке проявляют Google, OpenAI и другие компании. Ожидается, что в Fujitsu уже изготавливают опытные образцы микросхем по этому техпроцессу с планами серийного выпуска микросхем ближе к концу 2026 года.
@RUSmicro
Broadcom рассчитывает продать 1 млн чипов, упакованных по технологии 3.5D в 2026 году
Компания Broadcom, разработчик чипов для искусственного интеллекта, заявила, что рассчитывает продать к 2027 году не менее 1 миллиона чипов, собранных по технологии «многослойной структуры». Речь идет о техпроцессе 3.5D eXtreme Dimension System in Package (3.5D XDSiP), предназначенном для создания высокопроизводительных процессоров под задачи ИИ и HPC.
Особенность технологии в том, что она позволяет собрать на одной подложке кристаллы общей площадью более 6000 кв.мм, а также 12 стеков памяти HBM. В ее основе CoWoS-L, предусматривающий максимальный размер интерпозера примерно в 5.5 раз больше, чем размер сетки.
Чиплеты размещаются в стеке лицом к лицу (Face-to-Face, F2F). Это позволяет напрямую соединять верхние металлические слои верхней и нижней матрицы, достигая высокой механической прочности, высокой плотности и надежности соединения.
В отличие от «традиционного» метода «лицом к спине» (Face-to-Back, F2B), F2F обещает выигрыш в разы в количестве возможных сигнальных соединений. Это также позволяет говорить как о снижении энергопотребления в интерфейсах кристалл-кристалл на 90%, так и о минимизации задержек распространения сигналов.
Интерес к этой разработке проявляют Google, OpenAI и другие компании. Ожидается, что в Fujitsu уже изготавливают опытные образцы микросхем по этому техпроцессу с планами серийного выпуска микросхем ближе к концу 2026 года.
@RUSmicro
👍4
🇷🇺 Штрафы. Разработка микросхем. Участники рынка. Россия
Минпромторг оштрафовал дизайн-центр НИИМА Прогресс почти на 0.5 млрд
Об этом сообщает CNews. Штраф в размере суммы контракта, заключенного в октябре 2017 года, начислен за просрочку освоения серийного производства микросхем.
Это не первый штраф, который начисляют чиновники в адрес НИИМА Прогресс. В том числе, по данному контракту уже был начислен штраф в размере 144,3 млн рублей, утверждает CNews. В 2025 году была информация о начислении штрафа и пеней и за просрочку разработки других изделий.
Удастся ли НИИМА Прогресс продолжать работу в условиях таких начислений? Надеюсь, что да, НИИМА «Прогресс» участвует в государственных программах, это может обеспечить дальнейшую поддержку. Но для того, чтобы можно было бы сделать какие-то обоснованные прогнозы данных явно не хватает – ни о текущем финансовом состоянии компании, ни о планах реструктуризации обязательств. Разве что соображения общего здравого смысла, что вряд ли кому-то нужно обанкротить известного участника рынка с высокими компетенциями в области разработки.
@RUSmicro
Минпромторг оштрафовал дизайн-центр НИИМА Прогресс почти на 0.5 млрд
Об этом сообщает CNews. Штраф в размере суммы контракта, заключенного в октябре 2017 года, начислен за просрочку освоения серийного производства микросхем.
Это не первый штраф, который начисляют чиновники в адрес НИИМА Прогресс. В том числе, по данному контракту уже был начислен штраф в размере 144,3 млн рублей, утверждает CNews. В 2025 году была информация о начислении штрафа и пеней и за просрочку разработки других изделий.
Удастся ли НИИМА Прогресс продолжать работу в условиях таких начислений? Надеюсь, что да, НИИМА «Прогресс» участвует в государственных программах, это может обеспечить дальнейшую поддержку. Но для того, чтобы можно было бы сделать какие-то обоснованные прогнозы данных явно не хватает – ни о текущем финансовом состоянии компании, ни о планах реструктуризации обязательств. Разве что соображения общего здравого смысла, что вряд ли кому-то нужно обанкротить известного участника рынка с высокими компетенциями в области разработки.
@RUSmicro
🙈11👌3❤1🤔1
🇨🇳 Горизонты технологий. FeFET. Китай
В Пекинском университете создали лабораторный прототип транзистора FeFET с графеновым затвором длиной 1нм
Исследователи из Пекинского университета под руководством Цю Чэньгуана и академика Пэн Ляньмао опубликовали в Science Advances работу, в которой продемонстрировали сегнетоэлектрический полевой транзистор (FeFET) с рекордными характеристиками. Главная особенность - использование углеродной нанотрубки в качестве затвора длиной всего 1 нанометр.
В основе – вертикальная структура MFMIS (металл-сегнетоэлектрик-металл-диэлектрик-полупроводник). В качестве канала - дисульфид молибдена (MoS₂), сегнетоэлектрик - CIPS (CuInP₂S₆), плавающий затвор - графен.
Наноразмерный затвор концентрирует электрическое поле подобно игле (используется эффект «наноострийного усиления электрического поля»). Это позволяет достичь локальной напряжённости поля 2,7×10⁶ В/см при напряжении всего 0,6 В, что ниже коэрцитивного напряжения самого сегнетоэлектрика. Эффективность по напряжению: 125% (работа ниже коэрцитивного поля за счёт геометрии).
В отличие от обычных транзисторов, где уменьшение длины канала ведёт к короткоканальным эффектам, в предложенной конструкции миниатюризация улучшает характеристики. Авторы называют это принципом масштабирования: чем меньше затвор, тем выше локальное поле и энергоэффективность.
💎 Напряжение питания в 0.6В - ниже «типового» напряжения в 0,7 В, которое используется для питания логических ядер. А если сравнивать с предыдущими разработками сегнетоэлектрических транзисторов, которые требовали напряжения 1.5В, то новый транзистор потребляет примерно в 10 раз меньше энергии - 0.45 фДж/мкм.
▫️Скорость переключения – 1.6 нс (при 3В, 20 нс при 0.6В).
▫️Соотношение токов включения/выключения - 2×10⁶.
💎 Заявляется, что FeFET транзисторы позволяют объединять в одной структуре функции хранения и обработки данных за счет выравнивания напряжения, необходимого для работы цифровой логики и кристаллов памяти, см. картинки.
▫️Потенциальная сфера применения – чипы ИИ следующего поколения
▫️Периферийные вычисления, где важна энергоэффективность
▫️Энергоэффективные ЦОД
▫️Нейроморфные вычисления
Авторы утверждают, что эффект концентрации поля может быть реализован в твердотельных нанозатворах, совместимых с CMOS-технологией (например, через атомно-слоевое осаждение).
Заявления амбициозные, но стоит еще дождаться результатов независимой проверки, масштабирования, исследований надежности.
@RUSmicro, иллюстрации - авторов исследования
В Пекинском университете создали лабораторный прототип транзистора FeFET с графеновым затвором длиной 1нм
Исследователи из Пекинского университета под руководством Цю Чэньгуана и академика Пэн Ляньмао опубликовали в Science Advances работу, в которой продемонстрировали сегнетоэлектрический полевой транзистор (FeFET) с рекордными характеристиками. Главная особенность - использование углеродной нанотрубки в качестве затвора длиной всего 1 нанометр.
В основе – вертикальная структура MFMIS (металл-сегнетоэлектрик-металл-диэлектрик-полупроводник). В качестве канала - дисульфид молибдена (MoS₂), сегнетоэлектрик - CIPS (CuInP₂S₆), плавающий затвор - графен.
Наноразмерный затвор концентрирует электрическое поле подобно игле (используется эффект «наноострийного усиления электрического поля»). Это позволяет достичь локальной напряжённости поля 2,7×10⁶ В/см при напряжении всего 0,6 В, что ниже коэрцитивного напряжения самого сегнетоэлектрика. Эффективность по напряжению: 125% (работа ниже коэрцитивного поля за счёт геометрии).
В отличие от обычных транзисторов, где уменьшение длины канала ведёт к короткоканальным эффектам, в предложенной конструкции миниатюризация улучшает характеристики. Авторы называют это принципом масштабирования: чем меньше затвор, тем выше локальное поле и энергоэффективность.
▫️Скорость переключения – 1.6 нс (при 3В, 20 нс при 0.6В).
▫️Соотношение токов включения/выключения - 2×10⁶.
▫️Потенциальная сфера применения – чипы ИИ следующего поколения
▫️Периферийные вычисления, где важна энергоэффективность
▫️Энергоэффективные ЦОД
▫️Нейроморфные вычисления
Авторы утверждают, что эффект концентрации поля может быть реализован в твердотельных нанозатворах, совместимых с CMOS-технологией (например, через атомно-слоевое осаждение).
Заявления амбициозные, но стоит еще дождаться результатов независимой проверки, масштабирования, исследований надежности.
@RUSmicro, иллюстрации - авторов исследования
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤4👍2🤨2🙈1
🔬 Горизонты технологий. Открытия
Физики обнаружили «обходные способы» туннелирования электронов
Учёные из МФТИ, Института проблем технологии микроэлектроники РАН и их зарубежные коллеги (из Японии (NIMS), Китая (Сямэньский университет), Сингапура и Армении (ЕГУ)) совершили открытие, которое меняет фундаментальные представления о работе нанотранзисторов. Исследование опубликовано в журнале npj 2D Materials and Applications.
Команда под руководством Дмитрия Свинцова (завлабораторией оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ) обнаружила новый механизм прохождения электронов через ультратонкие изолирующие барьеры (например, из нитрида бора).
Туннелирование - квантовомеханический процесс, при котором электрон преодолевает потенциальный барьер, даже если его энергия ниже высоты этого барьера. В нанотранзисторах часто используются ван-дер-ваальсовы гетероструктуры - слои из атомарно тонких материалов, например проводящего графена и изолирующего гексагонального нитрида бора (hBN). Ранее считалось, что электроны преодолевают такой барьер преимущественно упруго - без потери энергии, иногда используя отдельные дефекты в изоляторе как «ступени». Эксперимент показал: если в барьере есть два близко расположенных дефекта, электрону энергетически выгоднее пройти через оба, теряя энергию (испуская фонон или плазмон), чем туннелировать напрямую.
Это не просто еще одна находка, которая так и останется в стенах лаборатории.
Эффект уже лёг в основу метода туннельной спектроскопии с беспрецедентной точностью. Учёным удалось измерить ширину запрещённой зоны в двухслойном графене (42 мэВ) и угол поворота кристаллических решёток (~1°).
В перспективе понимание механизма неупругого туннелирования позволяет создавать транзисторы, переключение которых требует ещё более низких управляющих напряжений, чем в классических туннельных переключателях.
@RUSmicro, иллюстрации - авторов исследования
Физики обнаружили «обходные способы» туннелирования электронов
Учёные из МФТИ, Института проблем технологии микроэлектроники РАН и их зарубежные коллеги (из Японии (NIMS), Китая (Сямэньский университет), Сингапура и Армении (ЕГУ)) совершили открытие, которое меняет фундаментальные представления о работе нанотранзисторов. Исследование опубликовано в журнале npj 2D Materials and Applications.
Команда под руководством Дмитрия Свинцова (завлабораторией оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ) обнаружила новый механизм прохождения электронов через ультратонкие изолирующие барьеры (например, из нитрида бора).
Туннелирование - квантовомеханический процесс, при котором электрон преодолевает потенциальный барьер, даже если его энергия ниже высоты этого барьера. В нанотранзисторах часто используются ван-дер-ваальсовы гетероструктуры - слои из атомарно тонких материалов, например проводящего графена и изолирующего гексагонального нитрида бора (hBN). Ранее считалось, что электроны преодолевают такой барьер преимущественно упруго - без потери энергии, иногда используя отдельные дефекты в изоляторе как «ступени». Эксперимент показал: если в барьере есть два близко расположенных дефекта, электрону энергетически выгоднее пройти через оба, теряя энергию (испуская фонон или плазмон), чем туннелировать напрямую.
Д. ф.-м. наук Дмитрий Свинцов из МФТИ поясняет: «Представьте, что вы пытаетесь перепрыгнуть широкую реку. Прямой прыжок требует колоссальных усилий. Но если посередине есть два близко расположенных камня, вы предпочтёте сделать два коротких прыжка, даже если при переходе с камня на камень придётся немного оступиться. В наномасштабе такой «обходной путь» через соседние дефекты становится решающим преимуществом».
Это не просто еще одна находка, которая так и останется в стенах лаборатории.
Эффект уже лёг в основу метода туннельной спектроскопии с беспрецедентной точностью. Учёным удалось измерить ширину запрещённой зоны в двухслойном графене (42 мэВ) и угол поворота кристаллических решёток (~1°).
В перспективе понимание механизма неупругого туннелирования позволяет создавать транзисторы, переключение которых требует ещё более низких управляющих напряжений, чем в классических туннельных переключателях.
@RUSmicro, иллюстрации - авторов исследования
👍12❤4🤨2
🇳🇱 Фотолитография. Производственное оборудование. Нидерланды
ASML объявляет о готовности High-NA EUV к массовому производству AI-чипов
Голландская компания ASML, мировой монополист в производстве литографических систем, объявила о ключевом этапе готовности своих инструментов следующего поколения.
По словам технического директора Марко Питерса, новые High-NA EUV (высокоапертурные) сканеры достигли технической зрелости, необходимой для начала массового производства сложнейших чипов, включая процессоры для ИИ.
🔹 Оборудование уже обработало 500 000 кремниевых пластин и демонстрирует достаточную точность для печати современных наносхем.
🔹 В настоящий момент достигнута бесперебойная работа на уровне 80% (uptime). ASML планирует повысить этот показатель до 90% к концу 2026 года.
🔹 Новый инструмент позволяет заменить несколько циклов обработки на старом оборудовании одним проходом High-NA, что снижает сложность и себестоимость производства.
Стоимость одной системы High-NA примерно $400 млн - вдвое дороже предыдущего поколения EUV. Несмотря на это, крупнейшие производители (Intel, TSMC, Samsung) уже активно тестируют новые машины.
Питерс отметил, что хотя технологически машины готовы, производителям потребуется ещё 2–3 года на интеграцию новых сканеров в действующие производственные линии (фабрики). Тем не менее, накопленный опыт уже позволяет говорить о том, что отрасль получила инструмент для выполнения амбициозных "дорожных карт" в сфере искусственного интеллекта.
@RUSmicro
ASML объявляет о готовности High-NA EUV к массовому производству AI-чипов
Голландская компания ASML, мировой монополист в производстве литографических систем, объявила о ключевом этапе готовности своих инструментов следующего поколения.
По словам технического директора Марко Питерса, новые High-NA EUV (высокоапертурные) сканеры достигли технической зрелости, необходимой для начала массового производства сложнейших чипов, включая процессоры для ИИ.
🔹 Оборудование уже обработало 500 000 кремниевых пластин и демонстрирует достаточную точность для печати современных наносхем.
🔹 В настоящий момент достигнута бесперебойная работа на уровне 80% (uptime). ASML планирует повысить этот показатель до 90% к концу 2026 года.
🔹 Новый инструмент позволяет заменить несколько циклов обработки на старом оборудовании одним проходом High-NA, что снижает сложность и себестоимость производства.
Стоимость одной системы High-NA примерно $400 млн - вдвое дороже предыдущего поколения EUV. Несмотря на это, крупнейшие производители (Intel, TSMC, Samsung) уже активно тестируют новые машины.
Питерс отметил, что хотя технологически машины готовы, производителям потребуется ещё 2–3 года на интеграцию новых сканеров в действующие производственные линии (фабрики). Тем не менее, накопленный опыт уже позволяет говорить о том, что отрасль получила инструмент для выполнения амбициозных "дорожных карт" в сфере искусственного интеллекта.
@RUSmicro
❤3🤔3👍2
🇺🇸 Горизонты технологий. Квантовые вычисления. Микроэлектроника. США
В Калифорнийском университете обнаружили дефект в кремнии, который может стать основой для создания практических квантовых устройств
Речь идет о так называемых CN-центрах. Это кубит, состоящий из атомов углерода и азота, не содержащий водорода.
Чем он лучше других?
🎓 Кубиты на основе дефектов кристаллической решётки (как знаменитый NV-центр в алмазе) считаются одними из самых перспективных благодаря способности излучать одиночные фотоны и взаимодействовать с электронами. Ключевая проблема - интеграция таких центров в традиционные кремниевые технологии.
До недавнего времени основным кандидатом в кремнии был так называемый T-центр (содержит углерод и водород). Его главные достоинства - это долгое хранение квантовой информации (сопоставимо с NV-центрами) и излучение в "телеком-диапазоне", что критически важно для передачи данных по оптоволокну без потерь.
Но водород делает структуру избыточно хрупкой и чувствительной к условиям производства, что затрудняет создание надёжных и воспроизводимых устройств в промышленных масштабах.
CN-центр сохраняет ключевые свойства T-центра: излучает в телеком-диапазоне и обладает структурной стабильностью, при этом, согласно моделированию, более устойчив и потому более подходит к практическому применению.
Группа профессора Криса Ван де Валле использовала компьютерные симуляции для моделирования дефекта на атомном уровне. Такой подход позволяет предсказывать свойства материалов, ещё не созданных экспериментально.
Американские ученые утверждают, что это открытие открывает путь к созданию квантовых сетей и устройств связи, совместимых с существующей телекоммуникационной инфраструктурой — и всё это на базе проверенного и массового материала.
@RUSmicro, UC Santa Barbara, Physical Review B (DOI: 10.1103/PhysRevB.111.085305, картинка - Phys.org
В Калифорнийском университете обнаружили дефект в кремнии, который может стать основой для создания практических квантовых устройств
Речь идет о так называемых CN-центрах. Это кубит, состоящий из атомов углерода и азота, не содержащий водорода.
Чем он лучше других?
🎓 Кубиты на основе дефектов кристаллической решётки (как знаменитый NV-центр в алмазе) считаются одними из самых перспективных благодаря способности излучать одиночные фотоны и взаимодействовать с электронами. Ключевая проблема - интеграция таких центров в традиционные кремниевые технологии.
До недавнего времени основным кандидатом в кремнии был так называемый T-центр (содержит углерод и водород). Его главные достоинства - это долгое хранение квантовой информации (сопоставимо с NV-центрами) и излучение в "телеком-диапазоне", что критически важно для передачи данных по оптоволокну без потерь.
Но водород делает структуру избыточно хрупкой и чувствительной к условиям производства, что затрудняет создание надёжных и воспроизводимых устройств в промышленных масштабах.
CN-центр сохраняет ключевые свойства T-центра: излучает в телеком-диапазоне и обладает структурной стабильностью, при этом, согласно моделированию, более устойчив и потому более подходит к практическому применению.
Группа профессора Криса Ван де Валле использовала компьютерные симуляции для моделирования дефекта на атомном уровне. Такой подход позволяет предсказывать свойства материалов, ещё не созданных экспериментально.
Американские ученые утверждают, что это открытие открывает путь к созданию квантовых сетей и устройств связи, совместимых с существующей телекоммуникационной инфраструктурой — и всё это на базе проверенного и массового материала.
@RUSmicro, UC Santa Barbara, Physical Review B (DOI: 10.1103/PhysRevB.111.085305, картинка - Phys.org
Forwarded from Телекоммуналка
Ознакомились с интервью гендиректора НИИМЭ Александра Кравцова. По его словам, Россия уже не просто формулирует амбиции. Она методично, шаг за шагом, выстраивает собственную технологическую цепочку производства чипов, от материалов до оборудования, понимая, что без суверенной элементной базы невозможно ни развитие телекоммуникационной инфраструктуры, ни создание систем ИИ, ни независимость критически важных отраслей экономики.
• В мире начался необратимый процесс децентрализации микроэлектроники. США, Европа, Китай, Южная Корея инвестируют в собственные фабрики, понимая: зависеть от единственного источника производства стратегически опасно.
• Россия фактически 40 лет не готовила специалистов в области электронного машиностроения. Сейчас создание оборудования идет параллельно с восстановлением научной и производственной школ.
• Для разных задач – разные нормы, и это экономически обосновано. Транспортные карты работают на 180-90 нм. Выбор нормы определяется балансом функциональности и стоимости для конкретного изделия.
• Задача до 2030 года – стопроцентная замена иностранных материалов отечественными для техпроцессов вплоть до 90 нм. Исследования материалов для 65 нм и ниже уже начаты.
• Снижение топологических норм – это вопрос энергетической и вычислительной эффективности. Чем меньше норма, тем больше транзисторов на единицу площади, выше быстродействие и ниже энергопотребление.
• Отечественный фоторезист для технологии 90 нм уже внедрен на «Микроне» и не уступает зарубежному аналогу.
• НИИМЭ и НИИТМ представили две работающие установки: плазмохимического осаждения и плазмохимического травления для норм 65 нм с перспективой расширения до 28 нм, стоимостью около 2,5 млрд руб.
• 28 нм – технологическая граница планарного производства. Дальнейшее масштабирование требует перехода на FinFET (Gate-All-Around) объемные трехмерные транзисторы. В России ведутся фундаментальные исследования по нормам 10 нм и менее.
• Создание линейки оборудования для пластин 200 и 300 мм под технологию 28 нм – ключевая производственная задача программы
• Каждый переход по технологии требует новых материалов, нового комплекса оборудования и новых технологических операций. У мировых лидеров освоение 28-нм техпроцесса заняло около четырех лет.
• Реверс-инжиниринг применим лишь частично. Ключевые компоненты, например, реактор в установке плазмохимического травления, создаются с нуля: для корректной работы физических процессов их нельзя просто скопировать.
• Окупаемость инвестиций в микроэлектронику – стратегическая, а не коммерческая. Созданные установки должны в течение десяти лет заменить зарубежное оборудование и обеспечить производство продукции, которую при любых условиях не продадут.
• Российский рынок мал, но критическая инфраструктура платит премию за безопасность. Национальная микроэлектроника ориентирована прежде всего на обеспечение элементной базой объектов, где цена ошибки несравнимо выше стоимости отечественного чипа.
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
stimul.online
Микроэлектронные макрориски
Российское электронное машиностроение, преодолевая страх неудачи, ведет конкурентную борьбу на рынке оборудования для производства полупроводниковых изделий
👍16🙈5🔥4😭3😁2👏1
🇮🇳 Сборка микросхем. ATMP. Индия
Премьер Индии официально открыл сборочный завод Micron Technology в Сананде
Мы об этом проекте в Гуджарате знаем с июня 2023 года. Сравнительно большой и значимый для Индии проект. Инвестиции в него составили 22 516 крор рупий (примерно $2.6 млрд).
Завод будет обеспечивать упаковку и тестирование микросхем (ATMP - Assembly, Testing, Marking and Packaging), выпуская DRAM, NAND и SSD. О масштабах производства можно косвенно судить по тому, что персонал предприятия насчитывает 2 тысяч человек с планами расширения до 5 тысяч.
Рассуждая об этом проекте, стоит отметить, что он построен сравнительно быстро, несмотря на то что это Индия, со всей индийской спецификой. Завод уже выпустил первый продукт – серверный модуль Dell, который направлен заказчику.
Сборочный завод – это еще не производство полупроводников на пластинах, но серьезная часть усилий Индии в рамках программы «Полупроводники 2.0» по вступлению в клуб стран, занимающихся разработкой и производством микроэлектроники. Солидный строительный блок в основу экосистемы производства микроэлектроники в Индии.
А для американской Micron – это возможность организовать сборку не с такими высокими издержками, которые бы непременно возникли бы при попытке наладить такое производство в современных США. Впрочем, еще нужно будет посмотреть, насколько довольны будут в США этим сотрудничеством.
@RUSmicro
Премьер Индии официально открыл сборочный завод Micron Technology в Сананде
Мы об этом проекте в Гуджарате знаем с июня 2023 года. Сравнительно большой и значимый для Индии проект. Инвестиции в него составили 22 516 крор рупий (примерно $2.6 млрд).
Завод будет обеспечивать упаковку и тестирование микросхем (ATMP - Assembly, Testing, Marking and Packaging), выпуская DRAM, NAND и SSD. О масштабах производства можно косвенно судить по тому, что персонал предприятия насчитывает 2 тысяч человек с планами расширения до 5 тысяч.
Рассуждая об этом проекте, стоит отметить, что он построен сравнительно быстро, несмотря на то что это Индия, со всей индийской спецификой. Завод уже выпустил первый продукт – серверный модуль Dell, который направлен заказчику.
Сборочный завод – это еще не производство полупроводников на пластинах, но серьезная часть усилий Индии в рамках программы «Полупроводники 2.0» по вступлению в клуб стран, занимающихся разработкой и производством микроэлектроники. Солидный строительный блок в основу экосистемы производства микроэлектроники в Индии.
А для американской Micron – это возможность организовать сборку не с такими высокими издержками, которые бы непременно возникли бы при попытке наладить такое производство в современных США. Впрочем, еще нужно будет посмотреть, насколько довольны будут в США этим сотрудничеством.
@RUSmicro
👍4❤1
🇯🇵 Производство кристаллов. 2нм. Инвестиции. Япония
В Японии привлекли очередные миллиарды в проект Rapidus
После нескольких лет торможения в освоении современных техпроцессов, в Японии предпринимают попытку догнать топовый уровень технологий, пропустив ряд этапов. Это делается в рамках стартапа Rapidus, который получает воистину "общенародную" поддержку.
В этот проект поступают все новые и новые инвестиции, как государственные, так и частные. Очередная сумма составила 267.6 млрд иен ($1.8 млрд), к прежним инвесторам (Toyota, Sony, Softbank, NEC) присоединились еще 24 компании, включая Canon, Kyocera и Seiko Epson. Государственная доля в инвестициях - 100 млрд иен ($641 млн). Эти средства используются на строительство и оснащение фабрики IIM-1 в Титосе на Хоккайдо, где планируется начать массовый выпуск кристаллов по техпроцессу 2нм к 2027 году.
Не откладывая дела в "долгий ящик" под тем смешным предлогом, что производство еще не стартовало и техпроцесс 2HP GAA FET еще не отлажен, компания Rapidus ведет переговоры с 60 компаниями (в основном, с зарубежными, в Японии, как ни странно, нет спроса на топовые чипы). В планах компании - не только освоение 2нм, но также строительство второй фабрики, где будет поддерживаться процесс 1.4нм к 2029 году. В долгосрочной перспективе здесь целятся и в 1нм.
Для реализации этих планов японцы закупили установки High-NA UEV у их единственного в мире производителя - ASML из Нидерландов.
@RUSmicro
В Японии привлекли очередные миллиарды в проект Rapidus
После нескольких лет торможения в освоении современных техпроцессов, в Японии предпринимают попытку догнать топовый уровень технологий, пропустив ряд этапов. Это делается в рамках стартапа Rapidus, который получает воистину "общенародную" поддержку.
В этот проект поступают все новые и новые инвестиции, как государственные, так и частные. Очередная сумма составила 267.6 млрд иен ($1.8 млрд), к прежним инвесторам (Toyota, Sony, Softbank, NEC) присоединились еще 24 компании, включая Canon, Kyocera и Seiko Epson. Государственная доля в инвестициях - 100 млрд иен ($641 млн). Эти средства используются на строительство и оснащение фабрики IIM-1 в Титосе на Хоккайдо, где планируется начать массовый выпуск кристаллов по техпроцессу 2нм к 2027 году.
Не откладывая дела в "долгий ящик" под тем смешным предлогом, что производство еще не стартовало и техпроцесс 2HP GAA FET еще не отлажен, компания Rapidus ведет переговоры с 60 компаниями (в основном, с зарубежными, в Японии, как ни странно, нет спроса на топовые чипы). В планах компании - не только освоение 2нм, но также строительство второй фабрики, где будет поддерживаться процесс 1.4нм к 2029 году. В долгосрочной перспективе здесь целятся и в 1нм.
Для реализации этих планов японцы закупили установки High-NA UEV у их единственного в мире производителя - ASML из Нидерландов.
@RUSmicro
👍2