🇺🇸 Участники рынка. Производители микросхем. США
Analog Devices прогнозирует сильные результаты 2fq2026
2-й финансовый квартал у компании начинается с 1 февраля 2026 года. Хорошим результатам способствовал спрос на продукцию Analog Devices со стороны промышленных предприятий и производителей серверов для ИИ ЦОД. Об этом сообщает Reuters.
Согласно данным LSEG, компания прогнозирует выручку за второй ф.квартал в размере $3,5 млрд, с погрешностью в плюс-минус $100 млн, по сравнению со средней оценкой аналитиков в $3,23 млрд. Выручка за 1-й ф.квартал составила $3,16 млрд, превысив прогнозы в $3,12 млрд.
Производитель микросхем прогнозирует скорректированную прибыль в размере $2,88 на акцию, плюс-минус 15 центов, по сравнению с консенсус-прогнозом аналитиков в $2,31 на акцию.
@RUSmicro
Analog Devices прогнозирует сильные результаты 2fq2026
2-й финансовый квартал у компании начинается с 1 февраля 2026 года. Хорошим результатам способствовал спрос на продукцию Analog Devices со стороны промышленных предприятий и производителей серверов для ИИ ЦОД. Об этом сообщает Reuters.
Согласно данным LSEG, компания прогнозирует выручку за второй ф.квартал в размере $3,5 млрд, с погрешностью в плюс-минус $100 млн, по сравнению со средней оценкой аналитиков в $3,23 млрд. Выручка за 1-й ф.квартал составила $3,16 млрд, превысив прогнозы в $3,12 млрд.
Производитель микросхем прогнозирует скорректированную прибыль в размере $2,88 на акцию, плюс-минус 15 центов, по сравнению с консенсус-прогнозом аналитиков в $2,31 на акцию.
@RUSmicro
🇨🇳 Производство полупроводников. Китай
Где в Китае производят полупроводники
Стремление Китая догнать конкурентов в полупроводниковой отрасли имеет как регуляторный, так и географический аспект. Централизованные планы отправляются в провинции, где их реализуют с различными приоритетами. Пятнадцатый пятилетний план центрального правительства, охватывающий период с 2026 по 2030 год, сосредоточен на достижении самообеспеченности полупроводниками и развитии всех связанных с этим цепочек поставок.
Этот план ещё даже официально не принят, но его уже включают в местные пятилетние планы развития провинций, где расширяются целевые кластеры полупроводниковой промышленности в попытке постепенной специализации.
Хотя различные регионы Китая конкурируют друг с другом в качестве мест, где будут размещены производства, это «дифференцированная конкуренция», контролируемая Пекином для предотвращения чрезмерной дублированности.
Цель состоит в том, чтобы предотвратить производство одних и тех же товаров повсюду и чрезмерное усиление конкуренции внутри Китая, как это уже наблюдается в некоторых других отраслях.
Так где же сосредоточено производство микросхем в Китае?
Наиболее важными кластерами по производству микросхем являются Шанхай и дельта реки Янцзы с провинциями Цзянсу и Чжэцзян, за которыми следуют столица Пекин и неожиданно быстро развивающаяся провинция Хубэй. Два других важных региональных кластера можно найти в дельте реки Чжуцзян и провинциях Сычуань/Ганьсу.
Три кластера в дельте Янцзы, а именно Шанхай, Цзянсу и Чжэцзян, вместе привлекают более половины всех новых инвестиций в отрасль. Географическая концентрация производства полупроводников в Китае становится еще более очевидной, если учесть, что 5 упомянутых выше регионов привлекают более 80% всего капитала, несмотря на то, что в Китае насчитывается в общей сложности 21 провинция и город на уровне провинций.
Подробности
Шанхай и дельта реки Янцзы традиционно являются центрами литейного производства в Китае, и здесь расположены крупнейшие производители, такие как SMIC. Пекин и соседний Тяньцзинь обладают сильными позициями в области проектирования микросхем и полагаются на многочисленных выпускников своих ведущих университетов.
Дельта Жемчужной реки, которая в данном контексте также включает Гуанчжоу и Шэньчжэнь, а также их окрестности, известна своим бесфабричным проектированием и аутсорсингом производства специализированным литейным заводам. Другие региональные кластеры, такие как кластеры в провинции Сычуань (включая соседнюю Ганьсу) или перспективные технологические центры в провинциях Хубэй и Аньхой, развиваются за счет еще большей специализации на отдельных перспективных технологиях.
Ярким примером этого является крайне амбициозная провинция Аньхой, где сосредоточены на разработке микросхем памяти DRAM и недавно приняли решение о комплексном развитии ИИ, полупроводниковой и квантовой отраслей.
Пекин, Шанхай и Шэньчжэнь лидируют в развитии экосистем для производства логических микросхем (SMIC, Huahong, Huawei), в то время как Ухань в провинции Хубэй и Хэфэй в провинции Аньхой преуспевают в производстве микросхем памяти (YMTC, CXMT). В целенаправленном развитии кластеров правительство Китая придерживается принципа, который применялся ко всему населению в эпоху Дэн Сяопина: «Пусть кто-то сначала разбогатеет». На этот раз речь идет о нескольких регионах и промышленных кластерах, которые, как ожидается, постепенно обеспечат технологическую модернизацию и ускоренный рост ВВП всей страны в течение нескольких лет. (..)
@RUSmicro
Где в Китае производят полупроводники
Стремление Китая догнать конкурентов в полупроводниковой отрасли имеет как регуляторный, так и географический аспект. Централизованные планы отправляются в провинции, где их реализуют с различными приоритетами. Пятнадцатый пятилетний план центрального правительства, охватывающий период с 2026 по 2030 год, сосредоточен на достижении самообеспеченности полупроводниками и развитии всех связанных с этим цепочек поставок.
Этот план ещё даже официально не принят, но его уже включают в местные пятилетние планы развития провинций, где расширяются целевые кластеры полупроводниковой промышленности в попытке постепенной специализации.
Хотя различные регионы Китая конкурируют друг с другом в качестве мест, где будут размещены производства, это «дифференцированная конкуренция», контролируемая Пекином для предотвращения чрезмерной дублированности.
Цель состоит в том, чтобы предотвратить производство одних и тех же товаров повсюду и чрезмерное усиление конкуренции внутри Китая, как это уже наблюдается в некоторых других отраслях.
Так где же сосредоточено производство микросхем в Китае?
Наиболее важными кластерами по производству микросхем являются Шанхай и дельта реки Янцзы с провинциями Цзянсу и Чжэцзян, за которыми следуют столица Пекин и неожиданно быстро развивающаяся провинция Хубэй. Два других важных региональных кластера можно найти в дельте реки Чжуцзян и провинциях Сычуань/Ганьсу.
Три кластера в дельте Янцзы, а именно Шанхай, Цзянсу и Чжэцзян, вместе привлекают более половины всех новых инвестиций в отрасль. Географическая концентрация производства полупроводников в Китае становится еще более очевидной, если учесть, что 5 упомянутых выше регионов привлекают более 80% всего капитала, несмотря на то, что в Китае насчитывается в общей сложности 21 провинция и город на уровне провинций.
Подробности
Шанхай и дельта реки Янцзы традиционно являются центрами литейного производства в Китае, и здесь расположены крупнейшие производители, такие как SMIC. Пекин и соседний Тяньцзинь обладают сильными позициями в области проектирования микросхем и полагаются на многочисленных выпускников своих ведущих университетов.
Дельта Жемчужной реки, которая в данном контексте также включает Гуанчжоу и Шэньчжэнь, а также их окрестности, известна своим бесфабричным проектированием и аутсорсингом производства специализированным литейным заводам. Другие региональные кластеры, такие как кластеры в провинции Сычуань (включая соседнюю Ганьсу) или перспективные технологические центры в провинциях Хубэй и Аньхой, развиваются за счет еще большей специализации на отдельных перспективных технологиях.
Ярким примером этого является крайне амбициозная провинция Аньхой, где сосредоточены на разработке микросхем памяти DRAM и недавно приняли решение о комплексном развитии ИИ, полупроводниковой и квантовой отраслей.
Пекин, Шанхай и Шэньчжэнь лидируют в развитии экосистем для производства логических микросхем (SMIC, Huahong, Huawei), в то время как Ухань в провинции Хубэй и Хэфэй в провинции Аньхой преуспевают в производстве микросхем памяти (YMTC, CXMT). В целенаправленном развитии кластеров правительство Китая придерживается принципа, который применялся ко всему населению в эпоху Дэн Сяопина: «Пусть кто-то сначала разбогатеет». На этот раз речь идет о нескольких регионах и промышленных кластерах, которые, как ожидается, постепенно обеспечат технологическую модернизацию и ускоренный рост ВВП всей страны в течение нескольких лет. (..)
@RUSmicro
(2) Развитие в рамках пятилеток
Тем, кто хочет добиться успеха в бизнесе в Китае в ближайшие годы или просто ищет подходящее место для размещения производственных линий, следует внимательно изучить отдельные пятилетние планы. Например, Шэньчжэнь в своем плане относит интегральные схемы к стратегическим отраслям, а также упоминает конкретные прорывные и асимметричные технологии. Цель состоит в том, чтобы стать «первопроходцем» и играть ведущую роль в развитии передовых полупроводниковых технологий.
В своем пятилетнем плане провинция Чжэцзян также заявляет о своем стремлении в ближайшее время добиться прорывов в диапазоне от 3 до 7нм и уделяет особое внимание таким сегментам, как чипы для ИИ и чипы с архитектурой RISC последнего поколения.
Пекин активно развивает несколько локальных кластеров. Среди них – северный район Хайдянь, который иногда называют «китайской Кремниевой долиной», и который сейчас стремится сосредоточиться на фундаментальных исследованиях в области архитектуры микросхем, современных полупроводников и программного обеспечения EDA. Здесь же расположен район Чжунгуаньцунь, известный высокой концентрацией высокотехнологичных компаний и находящийся в непосредственной близости от ведущих университетов страны.
Есть еще пригород Ичжуан на юге Пекина, где размещена Пекинская зона экономического и технологического развития (BDA) с ее чиповой промышленностью, робототехникой и автоматизацией, автономным вождением и другими высокотехнологичными отраслями. Вот уже немало лет, как она растет в среднем на 8% в год. Это один из нескольких китайских центров «воплощенного ИИ», который в Китае также поставили в центр стратегии развития пятилетки.
Помимо существующих заводов по производству микросхем, в Шанхае в последнее время все большое внимание уделяется интеграции чиповой индустрии с ИИ. С помощью таких программ, как «Шанхай, ориентированный на модели», например, планируется стимулировать разработку вертикальных моделей ИИ, одновременно продвигая исследования в области высококачественных микросхем для ИИ.
Для генеральных директоров и стратегов в других странах (и Россия здесь не исключение) дифференцированные технологические планы этих полупроводниковых регионов предоставляют важную информацию для поиска новых клиентов и рынков сбыта, а также конкретные указания по адаптации собственной корпоративной стратегии к возможностям роста в Китае.
@RUSmicro по материалам All-about-Industries, картинка - Asia Waypoint
Тем, кто хочет добиться успеха в бизнесе в Китае в ближайшие годы или просто ищет подходящее место для размещения производственных линий, следует внимательно изучить отдельные пятилетние планы. Например, Шэньчжэнь в своем плане относит интегральные схемы к стратегическим отраслям, а также упоминает конкретные прорывные и асимметричные технологии. Цель состоит в том, чтобы стать «первопроходцем» и играть ведущую роль в развитии передовых полупроводниковых технологий.
В своем пятилетнем плане провинция Чжэцзян также заявляет о своем стремлении в ближайшее время добиться прорывов в диапазоне от 3 до 7нм и уделяет особое внимание таким сегментам, как чипы для ИИ и чипы с архитектурой RISC последнего поколения.
Пекин активно развивает несколько локальных кластеров. Среди них – северный район Хайдянь, который иногда называют «китайской Кремниевой долиной», и который сейчас стремится сосредоточиться на фундаментальных исследованиях в области архитектуры микросхем, современных полупроводников и программного обеспечения EDA. Здесь же расположен район Чжунгуаньцунь, известный высокой концентрацией высокотехнологичных компаний и находящийся в непосредственной близости от ведущих университетов страны.
Есть еще пригород Ичжуан на юге Пекина, где размещена Пекинская зона экономического и технологического развития (BDA) с ее чиповой промышленностью, робототехникой и автоматизацией, автономным вождением и другими высокотехнологичными отраслями. Вот уже немало лет, как она растет в среднем на 8% в год. Это один из нескольких китайских центров «воплощенного ИИ», который в Китае также поставили в центр стратегии развития пятилетки.
Помимо существующих заводов по производству микросхем, в Шанхае в последнее время все большое внимание уделяется интеграции чиповой индустрии с ИИ. С помощью таких программ, как «Шанхай, ориентированный на модели», например, планируется стимулировать разработку вертикальных моделей ИИ, одновременно продвигая исследования в области высококачественных микросхем для ИИ.
Для генеральных директоров и стратегов в других странах (и Россия здесь не исключение) дифференцированные технологические планы этих полупроводниковых регионов предоставляют важную информацию для поиска новых клиентов и рынков сбыта, а также конкретные указания по адаптации собственной корпоративной стратегии к возможностям роста в Китае.
@RUSmicro по материалам All-about-Industries, картинка - Asia Waypoint
👍4✍1
🇺🇸 ИИ и спрос на чипы. Тренды. Участники рынка. США
Компания на M* закупит миллионы чипов Nvidia для ИИ
Компания заключила многолетнее соглашение на закупку и развертывание "миллионов" процессоров Nvidia для обеспечения развертывания следующей волны инфраструктуры ИИ.
Соглашение распространяется на локальные и облачные среды Заказчика, ориентированные на использование в гипермасштабных ЦОД, предназначенных для обработки как задач обучения ИИ, так и задач вывода.
Марк Цукерберг заявил, что компания планирует "создавать передовые кластеры", используя платформы NVidia для предоставления "персонального сверхинтеллекта каждому человеку в мире".
Сделка охватывает текущее поколение ускорителей ИИ Blackwell от Nvidia и будущую платформу Vera Rubin AI. Также Заказчик нарастит развертывание Arm-процессоров Nvidia Grace в производственных ЦОД, стремясь повысить производительность на ватт.
Заказчик планирует развернуть технологию Nvidia Confidential Computing, предназначенную для защиты данных и приложений, чтобы обеспечить работу функций AI на своей платформе мессенджера, сохраняя при этом конфиденциальность данных.
По данным Bloomberg, на Заказчика уже приходится около 9% выручки Nvidia, она является вторым по величине клиентом производителя. Только в прошлом финансовом году Компания потратила на закупку чипов Nvidia около $19 млрд (!)
Компания намерена инвестировать до $135 млрд в инфраструктуру ИИ в этом году.
@RUSmicro
Компания на M* закупит миллионы чипов Nvidia для ИИ
Компания заключила многолетнее соглашение на закупку и развертывание "миллионов" процессоров Nvidia для обеспечения развертывания следующей волны инфраструктуры ИИ.
Соглашение распространяется на локальные и облачные среды Заказчика, ориентированные на использование в гипермасштабных ЦОД, предназначенных для обработки как задач обучения ИИ, так и задач вывода.
Марк Цукерберг заявил, что компания планирует "создавать передовые кластеры", используя платформы NVidia для предоставления "персонального сверхинтеллекта каждому человеку в мире".
Сделка охватывает текущее поколение ускорителей ИИ Blackwell от Nvidia и будущую платформу Vera Rubin AI. Также Заказчик нарастит развертывание Arm-процессоров Nvidia Grace в производственных ЦОД, стремясь повысить производительность на ватт.
Заказчик планирует развернуть технологию Nvidia Confidential Computing, предназначенную для защиты данных и приложений, чтобы обеспечить работу функций AI на своей платформе мессенджера, сохраняя при этом конфиденциальность данных.
По данным Bloomberg, на Заказчика уже приходится около 9% выручки Nvidia, она является вторым по величине клиентом производителя. Только в прошлом финансовом году Компания потратила на закупку чипов Nvidia около $19 млрд (!)
Компания намерена инвестировать до $135 млрд в инфраструктуру ИИ в этом году.
@RUSmicro
❤3
🇷🇺 Производство микросхем. Датчики углового положения. Россия
Микрон завершает разработку микросхем абсолютного On-Axis магнитного датчика углового положения MIK5147 и микросхемы бесконтактного индуктивного датчика положения на основе вихревых токов MIK2200 (названия микросхем могут меняться).
🔹 Магнитный датчик MIK5147
Магнитный энкодер абсолютного положения, включающий сенсорную систему на основе элементов Холла, следящий преобразователь «угол-код», цифровую обработку и схемы интерфейса.
▫️Аналоги: iC-MHM, AS5147, AEAT-8811-Q204
▫️Разрешение: 10-14 бит (до 16384 отсчетов на оборот), программируемое.
▫️Скорость вращения:
-14 бит / 30 000 rpm;
-13 бит / 60 000 rpm;
-12 бит / 120 000 rpm;
-11 бит / 240 000 rpm;
-10 бит / 480 000 rpm
▫️Общая ошибка преобразования: ± 0.35°
▫️Ток потребления: не более 33 мА (без нагрузки)
▫️Диапазон рабочих температур: От -40 до +125 ℃
▫️Корпус: QFN-64, 8х8 мм, шаг 0.4мм.
🔹 Индуктивный датчик MIK2200
Для создания бесконтактных индуктивных датчиков положения с конструкцией сенсорной системы на основе плоской печатной платы и металлической мишени.
▫️Аналоги: AS5715, LX34070, IPS2200
▫️Частота LC генератора: От 1 до 6 МГц
▫️Разрешение: 10-14 бит (до 16384 отсчетов на оборот, 2.5’’), программируемое.
▫️Скорость вращения:
-14 бит / 30 000 rpm;
-13 бит / 60 000 rpm;
-12 бит / 120 000 rpm;
-11 бит / 240 000 rpm;
-10 бит / 480 000 rpm.
▫️Ток потребления: не более 30 мА (без нагрузки)
▫️Диапазон рабочих температур: От -40 до +125 ℃
▫️Корпус: QFN-64, 8х8 мм, шаг 0.4мм.
@RUSmicro
Микрон завершает разработку микросхем абсолютного On-Axis магнитного датчика углового положения MIK5147 и микросхемы бесконтактного индуктивного датчика положения на основе вихревых токов MIK2200 (названия микросхем могут меняться).
🔹 Магнитный датчик MIK5147
Магнитный энкодер абсолютного положения, включающий сенсорную систему на основе элементов Холла, следящий преобразователь «угол-код», цифровую обработку и схемы интерфейса.
▫️Аналоги: iC-MHM, AS5147, AEAT-8811-Q204
▫️Разрешение: 10-14 бит (до 16384 отсчетов на оборот), программируемое.
▫️Скорость вращения:
-14 бит / 30 000 rpm;
-13 бит / 60 000 rpm;
-12 бит / 120 000 rpm;
-11 бит / 240 000 rpm;
-10 бит / 480 000 rpm
▫️Общая ошибка преобразования: ± 0.35°
▫️Ток потребления: не более 33 мА (без нагрузки)
▫️Диапазон рабочих температур: От -40 до +125 ℃
▫️Корпус: QFN-64, 8х8 мм, шаг 0.4мм.
🔹 Индуктивный датчик MIK2200
Для создания бесконтактных индуктивных датчиков положения с конструкцией сенсорной системы на основе плоской печатной платы и металлической мишени.
▫️Аналоги: AS5715, LX34070, IPS2200
▫️Частота LC генератора: От 1 до 6 МГц
▫️Разрешение: 10-14 бит (до 16384 отсчетов на оборот, 2.5’’), программируемое.
▫️Скорость вращения:
-14 бит / 30 000 rpm;
-13 бит / 60 000 rpm;
-12 бит / 120 000 rpm;
-11 бит / 240 000 rpm;
-10 бит / 480 000 rpm.
▫️Ток потребления: не более 30 мА (без нагрузки)
▫️Диапазон рабочих температур: От -40 до +125 ℃
▫️Корпус: QFN-64, 8х8 мм, шаг 0.4мм.
@RUSmicro
👍23❤4🔥4
🇨🇦 ИИ-чипы. Стартапы. Инвестиции. Канада
Стартап Taalas привлек $169 млн для разработки ИИ-чипов «оптимизированных под LLM»
С этим раундом общий объем привлеченных компанией средств составил $169 млн, рассказывает Reuters.
Недавняя сделка Nvidia по лицензированию IP у чип-стартапа Groq за $20 млрд вызвала всплеск интереса к другим компаниям, активным на рынке разработки ИИ-чипов, особенно к тем, которые пока что только начали привлекать инвестиции.
В Taalas исповедуют технологию кастомных ИИ-процессоров, оптимизированных под конкретные модели. Например, под Llama от M*. Такие процессоры дополняют встроенной памятью SRAM, что обеспечивает повышенную скорость вычислений. Примерно 100 слоев чипа – «типовые», на двух последних формируется «настройка» под модель.
Производство обеспечивает незаменимая TSMC. Только здесь такие процессоры могут выпекать всего за пару месяцев, в 3 раза быстрее, чем чипы Nvidia Blackwell.
До сих пор Taalas могла выпускать чипы только для не самых больших моделей, но к концу 2026 года компания планирует создать процессор, способный работать с передовыми системами, уровня GPT-5.2.
В компании ставят на отказ от универсальности чипа в пользу его эффективности. Убрав все, что не требуется для конкретной модели и оптимизируя использование площади кристалла, в Taalas добились значительного прироста как скорости, так и энергоэффективности. А это выглядит перспективно.
@RUSmicro
Стартап Taalas привлек $169 млн для разработки ИИ-чипов «оптимизированных под LLM»
С этим раундом общий объем привлеченных компанией средств составил $169 млн, рассказывает Reuters.
Недавняя сделка Nvidia по лицензированию IP у чип-стартапа Groq за $20 млрд вызвала всплеск интереса к другим компаниям, активным на рынке разработки ИИ-чипов, особенно к тем, которые пока что только начали привлекать инвестиции.
В Taalas исповедуют технологию кастомных ИИ-процессоров, оптимизированных под конкретные модели. Например, под Llama от M*. Такие процессоры дополняют встроенной памятью SRAM, что обеспечивает повышенную скорость вычислений. Примерно 100 слоев чипа – «типовые», на двух последних формируется «настройка» под модель.
Производство обеспечивает незаменимая TSMC. Только здесь такие процессоры могут выпекать всего за пару месяцев, в 3 раза быстрее, чем чипы Nvidia Blackwell.
До сих пор Taalas могла выпускать чипы только для не самых больших моделей, но к концу 2026 года компания планирует создать процессор, способный работать с передовыми системами, уровня GPT-5.2.
В компании ставят на отказ от универсальности чипа в пользу его эффективности. Убрав все, что не требуется для конкретной модели и оптимизируя использование площади кристалла, в Taalas добились значительного прироста как скорости, так и энергоэффективности. А это выглядит перспективно.
@RUSmicro
❤3🤔1
🇷🇺 Фотоника. Научные исследования. Россия
В России разработали сверхминиатюрный интегральный электрооптический модулятор
Рекордно малые размеры и низкие потери сигнала в разработанном учеными МГТУ им. Н.Э.Баумана и ВНИИА им. Н.Л.Духова интегральном электрооптическом модуляторе достигаются за счёт использования технологического подхода, основанного на использовании нитрида кремния (SiN) и прозрачных проводящих оксидов (transparent conductive oxide, TCO), а также применения сверхтонких плёнок активного материала с прецизионным контролем их свойств.
До сих пор модуляторы, как правило, формировали на основе ниобата лития, типовые размеры таких устройств измеряются в миллиметрах. Новая российская разработка позволяет сократить размеры примерно на 2 порядка.
Нитрид кремния пробовали применить и раньше, поскольку этот материал обещает низкие потери сигнала, но не получалось добиться быстрого управления сигналом.
В основе новой разработки:
🔹 Структура из 5 тонких слоев, что позволило создать модулятор с размерами менее 10 мкм, способный управлять сигналом с частотой выше 1 ГГц;
🔹 Использование активного слоя из прозрачного проводящего оксида (например, это может быть оксид индия-олова, ITO) толщиной 10-20нм. Этот материал демонстрирует выраженный электрооптический эффект: при подаче электрического потенциала изменяется концентрация свободных носителей заряда, что вызывает изменение оптических свойств материала, позволяя регулировать прохождение светового сигнала;
🔹 Была разработана технология формирования ультратонких пленок (ITO), позволяющая получать воспроизводимые, стабильные характеристики;
🔹 За счет прецизионного контроля оптических и электрических параметров активного слоя на всех этапах технологического процесса, ученые смогли добиться низкого уровня вносимых потерь в 5.7 дБ.
🔹 Нитрид кремния хорош тем, что это технология хорошо сочетается с существующими кремниевыми техпроцессами, что обещает возможность создания компактных ФИС.
Работы над проектом шли с 2018 года. Результаты были опубликованы в научных журналах, таких как Scientific Reports и Applied Physics Letters.
@RUSmicro, по материалам Функциональные микро / наносистемы, фото - источника
В России разработали сверхминиатюрный интегральный электрооптический модулятор
Рекордно малые размеры и низкие потери сигнала в разработанном учеными МГТУ им. Н.Э.Баумана и ВНИИА им. Н.Л.Духова интегральном электрооптическом модуляторе достигаются за счёт использования технологического подхода, основанного на использовании нитрида кремния (SiN) и прозрачных проводящих оксидов (transparent conductive oxide, TCO), а также применения сверхтонких плёнок активного материала с прецизионным контролем их свойств.
До сих пор модуляторы, как правило, формировали на основе ниобата лития, типовые размеры таких устройств измеряются в миллиметрах. Новая российская разработка позволяет сократить размеры примерно на 2 порядка.
Нитрид кремния пробовали применить и раньше, поскольку этот материал обещает низкие потери сигнала, но не получалось добиться быстрого управления сигналом.
В основе новой разработки:
🔹 Структура из 5 тонких слоев, что позволило создать модулятор с размерами менее 10 мкм, способный управлять сигналом с частотой выше 1 ГГц;
🔹 Использование активного слоя из прозрачного проводящего оксида (например, это может быть оксид индия-олова, ITO) толщиной 10-20нм. Этот материал демонстрирует выраженный электрооптический эффект: при подаче электрического потенциала изменяется концентрация свободных носителей заряда, что вызывает изменение оптических свойств материала, позволяя регулировать прохождение светового сигнала;
🔹 Была разработана технология формирования ультратонких пленок (ITO), позволяющая получать воспроизводимые, стабильные характеристики;
🔹 За счет прецизионного контроля оптических и электрических параметров активного слоя на всех этапах технологического процесса, ученые смогли добиться низкого уровня вносимых потерь в 5.7 дБ.
🔹 Нитрид кремния хорош тем, что это технология хорошо сочетается с существующими кремниевыми техпроцессами, что обещает возможность создания компактных ФИС.
Работы над проектом шли с 2018 года. Результаты были опубликованы в научных журналах, таких как Scientific Reports и Applied Physics Letters.
@RUSmicro, по материалам Функциональные микро / наносистемы, фото - источника
🔥17👍8❤3
🇫🇷 🇮🇱 Фотоника. DWDM. ИИ. Технологии. Франция. Италия
Французы и израильтяне научились интегрировать DWDM-лазеры в инфраструктуру ИИ
Компании Tower Semiconductor (Израиль) и Scintil Photonics (Франция) объявили о доступности первых в мире гетерогенно интегрированных DWDM-лазеров, предназначенных для инфраструктуры искусственного интеллекта следующего поколения.
Что разработано?
Продукт получил название LEAF Light. Это первый в отрасли однокристальный DWDM-модуль, созданный на базе платформы SHIP (Scintil Heterogeneous Integrated Photonics), которая объединяет монолитные лазерные источники с проверенной платформой кремниевой фотоники Tower, предназначенной для массового производства.
Зачем это нужно?
DWDM-лазеры — ключевой компонент архитектуры Co-Packaged Optics (CPO), которая считается будущим для соединений в кластерах ИИ. Такие решения позволяют:
🔹 Обеспечить более высокую плотность полосы пропускания;
🔹 Добиться сверхнизкой задержки (латентности);
🔹 Снизить энергопотребление на бит передаваемых данных;
🔹 Повысить эффективность использования GPU и рентабельность инвестиций гиперскейлеров
Рынок CPO к 2030 году может занять существенную часть от $200-миллиардного рынка ИИ-сетей.
Что говорят в компаниях?
Мэтт Кроули, генеральный директор Scintil Photonics: «Инфраструктура ИИ следующего поколения требует оптических межсоединений с большей пропускной способностью на волокно при меньшей мощности на бит. DWDM CPO соответствует этой планке. LEAF Light дает технологию, а платформа Tower - масштабирование производства».
Доктор Эд Прайслер, вице-президент Tower Semiconductor: технология Scintil дополняет платформу PH18M, которая уже в массовом производстве для оптических трансиверов по всему миру.
Scintil Photonics базируется в Гренобле и ранее получила финансирование от французского правительства в рамках программы France 2030 на проект CanopAI по развитию фотонных интегральных схем. Tower Semiconductor, в свою очередь, активно сотрудничает с NVIDIA над созданием 1,6-Тбит/с трансиверов.
@RUSmicro, фото - Scintil Photonics LEAF Light
Французы и израильтяне научились интегрировать DWDM-лазеры в инфраструктуру ИИ
Компании Tower Semiconductor (Израиль) и Scintil Photonics (Франция) объявили о доступности первых в мире гетерогенно интегрированных DWDM-лазеров, предназначенных для инфраструктуры искусственного интеллекта следующего поколения.
Что разработано?
Продукт получил название LEAF Light. Это первый в отрасли однокристальный DWDM-модуль, созданный на базе платформы SHIP (Scintil Heterogeneous Integrated Photonics), которая объединяет монолитные лазерные источники с проверенной платформой кремниевой фотоники Tower, предназначенной для массового производства.
Зачем это нужно?
DWDM-лазеры — ключевой компонент архитектуры Co-Packaged Optics (CPO), которая считается будущим для соединений в кластерах ИИ. Такие решения позволяют:
🔹 Обеспечить более высокую плотность полосы пропускания;
🔹 Добиться сверхнизкой задержки (латентности);
🔹 Снизить энергопотребление на бит передаваемых данных;
🔹 Повысить эффективность использования GPU и рентабельность инвестиций гиперскейлеров
Рынок CPO к 2030 году может занять существенную часть от $200-миллиардного рынка ИИ-сетей.
Что говорят в компаниях?
Мэтт Кроули, генеральный директор Scintil Photonics: «Инфраструктура ИИ следующего поколения требует оптических межсоединений с большей пропускной способностью на волокно при меньшей мощности на бит. DWDM CPO соответствует этой планке. LEAF Light дает технологию, а платформа Tower - масштабирование производства».
Доктор Эд Прайслер, вице-президент Tower Semiconductor: технология Scintil дополняет платформу PH18M, которая уже в массовом производстве для оптических трансиверов по всему миру.
Scintil Photonics базируется в Гренобле и ранее получила финансирование от французского правительства в рамках программы France 2030 на проект CanopAI по развитию фотонных интегральных схем. Tower Semiconductor, в свою очередь, активно сотрудничает с NVIDIA над созданием 1,6-Тбит/с трансиверов.
@RUSmicro, фото - Scintil Photonics LEAF Light
❤3
🇷🇺 Безфабричные производители. Участники рынка. Россия
Байкал Электроникс по итогам 2026 года надеется выйти на результаты 2021 года
И в целом в ближайшие годы «существенно улучшить» финансовое положение компании. Об этом рассказал РБК глава компании Андрей Евдокимов.
В 2021-м году компания показывала 163 млн выручки, в 2022-м – 400 млн рублей.
Компания по-прежнему является безфабричной, занимается разработкой чипов, заказывает их изготовление на контрактных производствах, названия которых не разглашаются.
Компания не раскрывает финансовые показатели, но признает, что «формально» чистый убыток сохраняется, отмечая, что одновременно растет капитализация компании в виде нематериальных активов.
Кроме микропроцессоров, компания также начала производить (разрабатывать и заказывать производство) микроконтроллеров. В 2026 году компания планирует произвести и поставить покупателям более 1 млн штук.
@RUSmicro
Байкал Электроникс по итогам 2026 года надеется выйти на результаты 2021 года
И в целом в ближайшие годы «существенно улучшить» финансовое положение компании. Об этом рассказал РБК глава компании Андрей Евдокимов.
В 2021-м году компания показывала 163 млн выручки, в 2022-м – 400 млн рублей.
Компания по-прежнему является безфабричной, занимается разработкой чипов, заказывает их изготовление на контрактных производствах, названия которых не разглашаются.
Компания не раскрывает финансовые показатели, но признает, что «формально» чистый убыток сохраняется, отмечая, что одновременно растет капитализация компании в виде нематериальных активов.
Кроме микропроцессоров, компания также начала производить (разрабатывать и заказывать производство) микроконтроллеров. В 2026 году компания планирует произвести и поставить покупателям более 1 млн штук.
@RUSmicro
👍13🤣6❤2
🇷🇺 Фотолитографы. Рентгеновские. Россия
В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?
Источником рентгеновского излучения для нового литографа, как ожидается, станет сооружаемый в Кольцово под Новосибирском синхротрон СКИФ (Сибирский кольцевой источник фотонов), который может стать первым в мире источником синхротронного излучения с энергией 3 ГэВ и малым эмиттансом (менее 100 пм.рад).
Фотолитограф Орёл-7 - опытный литограф, который планируется создать на базе СКИФ. От него ожидают возможности поддержать техпроцессы ниже 28нм. Об этом сообщает Интерфакс.
Разработкой занимаются ученые Центра искусственного интеллекта НГУ, Института физики полупроводников СО РАН и Института вычислительной математики и математической геофизики СО РАН.
Промышленный рентгеновский литограф можно будет развернуть на базе синхротрона в Зеленограде.
Не будем забывать, что даже если с литографом все "срастется", для промышленного производства микросхем по техпроцессам ниже 28 нм требуется около 100 различных установок. Которых на сегодня в России нет, как импортных, так и отечественных. Разработать их за 1-2 года вряд ли возможно.
Так что хорошо, что какое-то движение вперед осуществляется, но на быстрый практический "выхлоп" я бы не рассчитывал.
@RUSmicro
В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?
Источником рентгеновского излучения для нового литографа, как ожидается, станет сооружаемый в Кольцово под Новосибирском синхротрон СКИФ (Сибирский кольцевой источник фотонов), который может стать первым в мире источником синхротронного излучения с энергией 3 ГэВ и малым эмиттансом (менее 100 пм.рад).
Фотолитограф Орёл-7 - опытный литограф, который планируется создать на базе СКИФ. От него ожидают возможности поддержать техпроцессы ниже 28нм. Об этом сообщает Интерфакс.
Разработкой занимаются ученые Центра искусственного интеллекта НГУ, Института физики полупроводников СО РАН и Института вычислительной математики и математической геофизики СО РАН.
Промышленный рентгеновский литограф можно будет развернуть на базе синхротрона в Зеленограде.
Не будем забывать, что даже если с литографом все "срастется", для промышленного производства микросхем по техпроцессам ниже 28 нм требуется около 100 различных установок. Которых на сегодня в России нет, как импортных, так и отечественных. Разработать их за 1-2 года вряд ли возможно.
Так что хорошо, что какое-то движение вперед осуществляется, но на быстрый практический "выхлоп" я бы не рассчитывал.
@RUSmicro
👍18❤5💯4
🇳🇱 Фотолитографы. Нидерланды
ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах
Это сулит серьезный рост производительности при производстве наиболее передовых микросхем.
Мощность источника удалось поднять с 600 Вт до 1 кВт (ок, не удвоила, лишь почти удвоила).
Как этого удалось достичь?
В EUV-машинах излучение 13.5 нм создает плазма олова. Чтобы создать плазму, в вакуумной камере поток из капель расплавленного олова обстреливают мощным лазером.
Для увеличения мощности в ASML удвоили частоту подачи капель - до фантастичных 100 тысяч капель в секунду. Кроме того, теперь используют ни один лазерный импульс на каплю а два. Первый придает капле нужную форму, второй - превращает ее в плазму. Так удается получить больше энергии.
Это не эксперимент, в ASML говорят о том, что это полностью работоспособная система, готовая к использованию в производстве.
Как это скажется на производительности фотолитографов EUV?
Если сейчас они могут выдавать по 220 пластин в час, то к 2030 году производительность, как ожидается, вырастет до 330 пластин в час.
Это значит, что можно будет нарастить объемы выпуска полупроводниковых пластин почти на 50%, без необходимости строительства новых фабрик и дорогостоящих "чистых комнат". Это обещает снижение себестоимости чипов, что принципиально важно для таких гигантов отрасли, как TSMC, Intel и Samsung.
В ASML планируют предложить своим клиентам специальные "пакеты обновления", которые позволят интегрировать новую технологию в закупленные ими ранее системы.
А еще в ASML знают как достичь мощности в 1500 Вт. Более того, по словам ученых, нет фундаментальных ограничений для выхода на 2000 Вт. Это означает, что "традиционные" источники света для литографов еще поживут и даже позволят продолжить развитие технологии. Что позволит не спешить с переходом на куда более громоздкий и сложный подход, в основе которого - использование ускорителей частиц.
Это, конечно, не отменит стремления США (Substrate и xLight), Китая и России создать собственные фотолитографы для техпроцессов ниже 10 нм и ниже 1нм.
@RUSmicro
ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах
Это сулит серьезный рост производительности при производстве наиболее передовых микросхем.
Мощность источника удалось поднять с 600 Вт до 1 кВт (ок, не удвоила, лишь почти удвоила).
Как этого удалось достичь?
В EUV-машинах излучение 13.5 нм создает плазма олова. Чтобы создать плазму, в вакуумной камере поток из капель расплавленного олова обстреливают мощным лазером.
Для увеличения мощности в ASML удвоили частоту подачи капель - до фантастичных 100 тысяч капель в секунду. Кроме того, теперь используют ни один лазерный импульс на каплю а два. Первый придает капле нужную форму, второй - превращает ее в плазму. Так удается получить больше энергии.
Это не эксперимент, в ASML говорят о том, что это полностью работоспособная система, готовая к использованию в производстве.
Как это скажется на производительности фотолитографов EUV?
Если сейчас они могут выдавать по 220 пластин в час, то к 2030 году производительность, как ожидается, вырастет до 330 пластин в час.
Это значит, что можно будет нарастить объемы выпуска полупроводниковых пластин почти на 50%, без необходимости строительства новых фабрик и дорогостоящих "чистых комнат". Это обещает снижение себестоимости чипов, что принципиально важно для таких гигантов отрасли, как TSMC, Intel и Samsung.
В ASML планируют предложить своим клиентам специальные "пакеты обновления", которые позволят интегрировать новую технологию в закупленные ими ранее системы.
А еще в ASML знают как достичь мощности в 1500 Вт. Более того, по словам ученых, нет фундаментальных ограничений для выхода на 2000 Вт. Это означает, что "традиционные" источники света для литографов еще поживут и даже позволят продолжить развитие технологии. Что позволит не спешить с переходом на куда более громоздкий и сложный подход, в основе которого - использование ускорителей частиц.
Это, конечно, не отменит стремления США (Substrate и xLight), Китая и России создать собственные фотолитографы для техпроцессов ниже 10 нм и ниже 1нм.
@RUSmicro
🔥3❤2👍1
🇷🇺 Производственное оборудование. Россия
Микрон разработает установку измерения рассовмещения топологических слоев на пластинах 150 и 200 мм
Об этом узнал CNews. Это оборудование - необходимая часть технологической линии по производству полупроводниковых структур на кремниевых пластинах.
Речь идет не о создании какого-то оригинального оборудования с нуля, а, скорее, о реинжиниринге американской установки KLA Tencor Archer 10 XT.
Тем не менее, с инженерной точки зрения задача вовсе не ординарная и в этом плане сроки, в течение которых должна пройти разработка, кажутся жесткими - до 31 июля 2029 года.
Оборудование должно в автоматическом режиме справляться с замерами рассовмещений топологических слоев по специальным меткам совмещения (для техпроцесса 130 нм). Производительность должна составлять не менее 75 пластин в час.
Это разработка весьма сложной высокотехнологичной установки на стыке оптики, прецизионной механики и электроники, а также необходимого ПО.
От оптики потребуется высокая числовая апертура, очень жесткими должны быть и требования к контролю перемещений предметного столика. Разработку дополнительно усложняет требование работы установки с пластинами различного диаметра.
Мне представляется, что наибольшие сложности могут ожидать разработчиков с оптическим блоком, а также с управлением столиком. С ПО и электроникой тоже придется повозиться, но здесь я не ожидаю того же уровня сложности, что с механикой и оптикой.
Денег под проект выделят 1.56 млрд, что кажется приемлемым.
В активе у Микрона - возможность тестировать установку в условиях реального производства.
@RUSmicro
Микрон разработает установку измерения рассовмещения топологических слоев на пластинах 150 и 200 мм
Об этом узнал CNews. Это оборудование - необходимая часть технологической линии по производству полупроводниковых структур на кремниевых пластинах.
Речь идет не о создании какого-то оригинального оборудования с нуля, а, скорее, о реинжиниринге американской установки KLA Tencor Archer 10 XT.
Тем не менее, с инженерной точки зрения задача вовсе не ординарная и в этом плане сроки, в течение которых должна пройти разработка, кажутся жесткими - до 31 июля 2029 года.
Оборудование должно в автоматическом режиме справляться с замерами рассовмещений топологических слоев по специальным меткам совмещения (для техпроцесса 130 нм). Производительность должна составлять не менее 75 пластин в час.
Это разработка весьма сложной высокотехнологичной установки на стыке оптики, прецизионной механики и электроники, а также необходимого ПО.
От оптики потребуется высокая числовая апертура, очень жесткими должны быть и требования к контролю перемещений предметного столика. Разработку дополнительно усложняет требование работы установки с пластинами различного диаметра.
Мне представляется, что наибольшие сложности могут ожидать разработчиков с оптическим блоком, а также с управлением столиком. С ПО и электроникой тоже придется повозиться, но здесь я не ожидаю того же уровня сложности, что с механикой и оптикой.
Денег под проект выделят 1.56 млрд, что кажется приемлемым.
В активе у Микрона - возможность тестировать установку в условиях реального производства.
@RUSmicro
👍13🤔5❤2
📈 Чипы ИИ. Стартапы vs Nvidia. Европа. США
ИИ-чипы нужны всем. Еще два игрока подняли денег, чтобы создать альтернативу чипам Nvidia
Рынок ИИ-чипов продолжает кипение: еще два игрока привлекли крупные инвестиции.
🇳🇱 Нидерланды: Axelera AI
Европейский стартап закрыл раунд на $250 млн при лидерстве Innovation Industries и поддержке BlackRock. Это крупнейшая инвестиция в ИИ-полупроводники в истории ЕС! Компания делает ставку на edge-сегмент (роботы, компьютерное зрение, безопасность) и энергоэффективность: чип компании Europa потребляет всего 45 Вт, выдавая производительность уровня NVIDIA A100. Ключевая идея - обработка данных локально, без необходимости запроса к облачному дата-центру.
🇺🇸 США: SambaNova Systems
Американский стартап привлек $350 млн при участии Vista Equity и Intel Capital и анонсировал стратегический альянс с Intel. Новый чип SN50 компания позиционирует как самое быстрое решение для агентного AI. Заявлена скорость в 5 раз выше конкурентов и снижение совокупной стоимости владения в 3 раза по сравнению с GPU. SoftBank уже принял решение о закупке SN50 для своих ЦОД в Японии.
Тренд: всего за 2 дня три ИИ-чипмейкера (включая MatX с $500 млн) привлекли более $1.1 млрд!
Инвесторы деньгами голосуют за диверсификацию, кому-то нужны чипы для создания мощных облачных кластеров, кто-то ориентируется на "умные" камеры, обрабатывающие информацию на месте.
Шутки насчет "убийцы" Nvidia перестают быть шутками. Пусть пока что речь идет о сравнительно небольших компаниях, но уровень конкуренции таков, что в этом бульоне что-то обязательно родится. Да и Nvidia когда-то была всего лишь стартапом.
@RUSmicro
ИИ-чипы нужны всем. Еще два игрока подняли денег, чтобы создать альтернативу чипам Nvidia
Рынок ИИ-чипов продолжает кипение: еще два игрока привлекли крупные инвестиции.
🇳🇱 Нидерланды: Axelera AI
Европейский стартап закрыл раунд на $250 млн при лидерстве Innovation Industries и поддержке BlackRock. Это крупнейшая инвестиция в ИИ-полупроводники в истории ЕС! Компания делает ставку на edge-сегмент (роботы, компьютерное зрение, безопасность) и энергоэффективность: чип компании Europa потребляет всего 45 Вт, выдавая производительность уровня NVIDIA A100. Ключевая идея - обработка данных локально, без необходимости запроса к облачному дата-центру.
🇺🇸 США: SambaNova Systems
Американский стартап привлек $350 млн при участии Vista Equity и Intel Capital и анонсировал стратегический альянс с Intel. Новый чип SN50 компания позиционирует как самое быстрое решение для агентного AI. Заявлена скорость в 5 раз выше конкурентов и снижение совокупной стоимости владения в 3 раза по сравнению с GPU. SoftBank уже принял решение о закупке SN50 для своих ЦОД в Японии.
Тренд: всего за 2 дня три ИИ-чипмейкера (включая MatX с $500 млн) привлекли более $1.1 млрд!
Инвесторы деньгами голосуют за диверсификацию, кому-то нужны чипы для создания мощных облачных кластеров, кто-то ориентируется на "умные" камеры, обрабатывающие информацию на месте.
Шутки насчет "убийцы" Nvidia перестают быть шутками. Пусть пока что речь идет о сравнительно небольших компаниях, но уровень конкуренции таков, что в этом бульоне что-то обязательно родится. Да и Nvidia когда-то была всего лишь стартапом.
@RUSmicro
👍3🤔2❤1
🇨🇳 Производственные мощности. 7нм. 5нм. Китай
Китай нарастит производство передовых чипов в 5 раз за 2 года?
Шокирующий прогноз представило издание Nikkei Asia со ссылкой на «осведомленные источники». Речь идет не о всем объеме производства, а о микросхемах, выпускаемых с использованием техпроцессов 7нм и 5нм.
Сейчас китайские возможности оцениваются в 20 тысяч пластин. За 1-2 года в Китае его собираются нарастить до 100 тысяч пластин в месяц. А к 2030 году и вовсе – 500 тысяч пластин в месяц!
Как этого собираются достигнуть?
🔹 SMIC (Semiconductor Manufacturing International Co), крупнейший китайский контрактный производитель чипов, расширяет или строит новые производственные мощности. У компании есть оборудование ASML, которое позволяет создавать такие чипы путем многошагового процесса. Кроме того, компания ведет разработку собственного техпроцесса N+3, который также должен обеспечивать создание чипов 5нм.
🔹 Hua Hong Semiconductor, контрактный производитель, ранее фокусировался на зрелых технологиях, но под давлением правительства и при техподдержке Huawei (по слухам), также освоил передовые техпроцессы.
🔹 Huawei и по слухам связанные с ним компании (PengXinWei, Dongguan Guangmao и др.) активно развивают производство ИИ-кристаллов. В 2026 году мы ждем выхода Ascend 950 (PR и DT) с собственной HBM-памятью Huawei.
Производственные мощности между заказчиками, вероятно, будет распределять государство. Крупнейшим заказчиком чипов станет Huawei, также в очереди на ресурсы многочисленные китайские разработчики ИИ-чпиов: Cambricorn, T-Head, Moore Threads и другие, их количество уже около 2 десятков и растет.
За счет внутреннего спроса SMIC вышла на 3-е место в мире среди контрактных производителей чипов (после TSMC и Samsung) по итогам 3q2025.
В Китае все еще сталкиваются с проблемами ограниченного доступа к современному литографическому оборудованию. Затруднено легальное приобретение передовых литографов ASML и многого другого оборудования западных производителей. Китайское оборудование все еще заметно уступает импортному (говорят, что его активно испытывает компания JHICC. Связанная проблема- низкий выход годных, по слухам для 7нм техпроцесса SMIC это всего 30%, что бьет по себестоимости.
@RUSmicro
Китай нарастит производство передовых чипов в 5 раз за 2 года?
Шокирующий прогноз представило издание Nikkei Asia со ссылкой на «осведомленные источники». Речь идет не о всем объеме производства, а о микросхемах, выпускаемых с использованием техпроцессов 7нм и 5нм.
Сейчас китайские возможности оцениваются в 20 тысяч пластин. За 1-2 года в Китае его собираются нарастить до 100 тысяч пластин в месяц. А к 2030 году и вовсе – 500 тысяч пластин в месяц!
Как этого собираются достигнуть?
🔹 SMIC (Semiconductor Manufacturing International Co), крупнейший китайский контрактный производитель чипов, расширяет или строит новые производственные мощности. У компании есть оборудование ASML, которое позволяет создавать такие чипы путем многошагового процесса. Кроме того, компания ведет разработку собственного техпроцесса N+3, который также должен обеспечивать создание чипов 5нм.
🔹 Hua Hong Semiconductor, контрактный производитель, ранее фокусировался на зрелых технологиях, но под давлением правительства и при техподдержке Huawei (по слухам), также освоил передовые техпроцессы.
🔹 Huawei и по слухам связанные с ним компании (PengXinWei, Dongguan Guangmao и др.) активно развивают производство ИИ-кристаллов. В 2026 году мы ждем выхода Ascend 950 (PR и DT) с собственной HBM-памятью Huawei.
Производственные мощности между заказчиками, вероятно, будет распределять государство. Крупнейшим заказчиком чипов станет Huawei, также в очереди на ресурсы многочисленные китайские разработчики ИИ-чпиов: Cambricorn, T-Head, Moore Threads и другие, их количество уже около 2 десятков и растет.
За счет внутреннего спроса SMIC вышла на 3-е место в мире среди контрактных производителей чипов (после TSMC и Samsung) по итогам 3q2025.
В Китае все еще сталкиваются с проблемами ограниченного доступа к современному литографическому оборудованию. Затруднено легальное приобретение передовых литографов ASML и многого другого оборудования западных производителей. Китайское оборудование все еще заметно уступает импортному (говорят, что его активно испытывает компания JHICC. Связанная проблема- низкий выход годных, по слухам для 7нм техпроцесса SMIC это всего 30%, что бьет по себестоимости.
@RUSmicro
👍7✍3❤2
🇷🇺 Производство оптоволокна. Проблемы. Россия
Китайские поставщики подняли цены для российских покупателей в 2.5-4 раза
Такими сведениями делятся Ведомости. Причин для этого несколько. Одна из них – растущий дефицит оптоволокна в мире, связанный как с использованием дронов FPV с управлением по оптоволокну, так и массовое строительство ЦОД ИИ, в которых соединение серверов обеспечивается оптоволоконными кабелями.
Китай обеспечивает свыше 60% объемов мирового производства оптоволокна. Поскольку в России на текущий момент практически не выпускаются массово ни преформы, ни оптоволокно, его приходится закупать в Китае. Только за 2025 год и начало 2026 года цены выросли с 16 юаней за 1 км до 40 юаней за км, приводит газета данные Леонида Коника, ComNews.
Сейчас предпринимаются меры по созданию в России производства преформ. А когда будет восстановлено крупносерийное производство оптоволокна – не ясно. Так что наблюдается близкая к 100% зависимость от Китая в этом вопросе.
Потребление оптоволокна Россией в 2025 году выросло более, чем в 10 раз, ранее оно не превышало 1% от объемов мирового рынка, а по итогам 2025 года превысило 10%.
В сложившихся условиях, у российских кабельных заводов нет способа удерживать цены, они будут вынуждены отразить рост цен на сырье (оптоволокно) в росте цен на кабели. Но и по новым ценам закупить оптоволокно в объемах 2025 года будет сложно. Какое-то время ситуацию позволят сглаживать складские запасы, затем Россия может столкнуться с дефицитом оптоволоконного кабеля.
Далее по цепочке следствий можно ожидать повышения стоимости аренды темного волокна, удорожания и замедления строительства в России магистральных сетей и ЦОД ИИ. Как на грех, с каждым годом растет степень устаревания проложенных в 90-е годы в нашей стране оптоволоконных кабелей, уже подошло время их массовой замены. Проблемы с оптоволокном могут сказаться на качестве работы и темпах развития телекома, ЦОД и ИИ.
Выходом могло бы стать налаживание собственного крупномасштабного производства оптоволокна (и преформ). Но быстро это сделать вряд ли получится. Особенно это касается сложных видов оптоволокна – устойчивого к изгибам и высокопрозрачного.
@RUSmicro
Китайские поставщики подняли цены для российских покупателей в 2.5-4 раза
Такими сведениями делятся Ведомости. Причин для этого несколько. Одна из них – растущий дефицит оптоволокна в мире, связанный как с использованием дронов FPV с управлением по оптоволокну, так и массовое строительство ЦОД ИИ, в которых соединение серверов обеспечивается оптоволоконными кабелями.
Китай обеспечивает свыше 60% объемов мирового производства оптоволокна. Поскольку в России на текущий момент практически не выпускаются массово ни преформы, ни оптоволокно, его приходится закупать в Китае. Только за 2025 год и начало 2026 года цены выросли с 16 юаней за 1 км до 40 юаней за км, приводит газета данные Леонида Коника, ComNews.
Сейчас предпринимаются меры по созданию в России производства преформ. А когда будет восстановлено крупносерийное производство оптоволокна – не ясно. Так что наблюдается близкая к 100% зависимость от Китая в этом вопросе.
Потребление оптоволокна Россией в 2025 году выросло более, чем в 10 раз, ранее оно не превышало 1% от объемов мирового рынка, а по итогам 2025 года превысило 10%.
В сложившихся условиях, у российских кабельных заводов нет способа удерживать цены, они будут вынуждены отразить рост цен на сырье (оптоволокно) в росте цен на кабели. Но и по новым ценам закупить оптоволокно в объемах 2025 года будет сложно. Какое-то время ситуацию позволят сглаживать складские запасы, затем Россия может столкнуться с дефицитом оптоволоконного кабеля.
Далее по цепочке следствий можно ожидать повышения стоимости аренды темного волокна, удорожания и замедления строительства в России магистральных сетей и ЦОД ИИ. Как на грех, с каждым годом растет степень устаревания проложенных в 90-е годы в нашей стране оптоволоконных кабелей, уже подошло время их массовой замены. Проблемы с оптоволокном могут сказаться на качестве работы и темпах развития телекома, ЦОД и ИИ.
Выходом могло бы стать налаживание собственного крупномасштабного производства оптоволокна (и преформ). Но быстро это сделать вряд ли получится. Особенно это касается сложных видов оптоволокна – устойчивого к изгибам и высокопрозрачного.
@RUSmicro
👌8❤1👀1
🇰🇷 Производство памяти. Производственные мощности. Участники рынка. Корея
SK Hynix инвестирует $15 млрд в новый кластер по производству чипов для ИИ
Южнокорейский гигант полупроводниковой промышленности SK Hynix объявил о масштабных инвестициях, направленных на укрепление своих позиций на рынке памяти для искусственного интеллекта. Согласно заявлению компании, совет директоров одобрил выделение 21.6 трлн корейских вон (около $15 млрд) на строительство новых производственных мощностей.
Средства планируется осваивать в период с 1 марта 2026 года по 31 декабря 2030 года. На них будет развиваться производственный кластер в городе Йонгин (к югу от Сеула).
Проект включает в себя завершение строительства первой фабрики к маю 2027 года и возведение 5 чистых комнат для второй-шестой очередей проекта. Объем 21.6 трлн вон включает ранее заявленные 9.4 трлн вон (о них компания заявляла в 2024 году).
Цель проекта – расширить производство памяти (HBM), которая требуется для ускорителей ИИ. Спрос на них сейчас буквально неутолимый.
Можно ожидать, что это усилит и без того передовые позиции Кореи на мировом рынке производства современной памяти. У SK Hynix, насколько мне известно, действуют заводы в Китае – в Даляне и в Уси, а также в Чунцине. В Корее производственные мощности компании сосредоточены в Чхонджу, в США – в Вест-Лафайете, Индиана. К ним должен добавиться кластер в Йонгине.
@RUSmicro
SK Hynix инвестирует $15 млрд в новый кластер по производству чипов для ИИ
Южнокорейский гигант полупроводниковой промышленности SK Hynix объявил о масштабных инвестициях, направленных на укрепление своих позиций на рынке памяти для искусственного интеллекта. Согласно заявлению компании, совет директоров одобрил выделение 21.6 трлн корейских вон (около $15 млрд) на строительство новых производственных мощностей.
Средства планируется осваивать в период с 1 марта 2026 года по 31 декабря 2030 года. На них будет развиваться производственный кластер в городе Йонгин (к югу от Сеула).
Проект включает в себя завершение строительства первой фабрики к маю 2027 года и возведение 5 чистых комнат для второй-шестой очередей проекта. Объем 21.6 трлн вон включает ранее заявленные 9.4 трлн вон (о них компания заявляла в 2024 году).
Цель проекта – расширить производство памяти (HBM), которая требуется для ускорителей ИИ. Спрос на них сейчас буквально неутолимый.
Можно ожидать, что это усилит и без того передовые позиции Кореи на мировом рынке производства современной памяти. У SK Hynix, насколько мне известно, действуют заводы в Китае – в Даляне и в Уси, а также в Чунцине. В Корее производственные мощности компании сосредоточены в Чхонджу, в США – в Вест-Лафайете, Индиана. К ним должен добавиться кластер в Йонгине.
@RUSmicro
🤔3
🇺🇸 Современная упаковка. Новые техпроцессы. США
Broadcom рассчитывает продать 1 млн чипов, упакованных по технологии 3.5D в 2026 году
Компания Broadcom, разработчик чипов для искусственного интеллекта, заявила, что рассчитывает продать к 2027 году не менее 1 миллиона чипов, собранных по технологии «многослойной структуры». Речь идет о техпроцессе 3.5D eXtreme Dimension System in Package (3.5D XDSiP), предназначенном для создания высокопроизводительных процессоров под задачи ИИ и HPC.
Особенность технологии в том, что она позволяет собрать на одной подложке кристаллы общей площадью более 6000 кв.мм, а также 12 стеков памяти HBM. В ее основе CoWoS-L, предусматривающий максимальный размер интерпозера примерно в 5.5 раз больше, чем размер сетки.
Чиплеты размещаются в стеке лицом к лицу (Face-to-Face, F2F). Это позволяет напрямую соединять верхние металлические слои верхней и нижней матрицы, достигая высокой механической прочности, высокой плотности и надежности соединения.
В отличие от «традиционного» метода «лицом к спине» (Face-to-Back, F2B), F2F обещает выигрыш в разы в количестве возможных сигнальных соединений. Это также позволяет говорить как о снижении энергопотребления в интерфейсах кристалл-кристалл на 90%, так и о минимизации задержек распространения сигналов.
Интерес к этой разработке проявляют Google, OpenAI и другие компании. Ожидается, что в Fujitsu уже изготавливают опытные образцы микросхем по этому техпроцессу с планами серийного выпуска микросхем ближе к концу 2026 года.
@RUSmicro
Broadcom рассчитывает продать 1 млн чипов, упакованных по технологии 3.5D в 2026 году
Компания Broadcom, разработчик чипов для искусственного интеллекта, заявила, что рассчитывает продать к 2027 году не менее 1 миллиона чипов, собранных по технологии «многослойной структуры». Речь идет о техпроцессе 3.5D eXtreme Dimension System in Package (3.5D XDSiP), предназначенном для создания высокопроизводительных процессоров под задачи ИИ и HPC.
Особенность технологии в том, что она позволяет собрать на одной подложке кристаллы общей площадью более 6000 кв.мм, а также 12 стеков памяти HBM. В ее основе CoWoS-L, предусматривающий максимальный размер интерпозера примерно в 5.5 раз больше, чем размер сетки.
Чиплеты размещаются в стеке лицом к лицу (Face-to-Face, F2F). Это позволяет напрямую соединять верхние металлические слои верхней и нижней матрицы, достигая высокой механической прочности, высокой плотности и надежности соединения.
В отличие от «традиционного» метода «лицом к спине» (Face-to-Back, F2B), F2F обещает выигрыш в разы в количестве возможных сигнальных соединений. Это также позволяет говорить как о снижении энергопотребления в интерфейсах кристалл-кристалл на 90%, так и о минимизации задержек распространения сигналов.
Интерес к этой разработке проявляют Google, OpenAI и другие компании. Ожидается, что в Fujitsu уже изготавливают опытные образцы микросхем по этому техпроцессу с планами серийного выпуска микросхем ближе к концу 2026 года.
@RUSmicro
👍4
🇷🇺 Штрафы. Разработка микросхем. Участники рынка. Россия
Минпромторг оштрафовал дизайн-центр НИИМА Прогресс почти на 0.5 млрд
Об этом сообщает CNews. Штраф в размере суммы контракта, заключенного в октябре 2017 года, начислен за просрочку освоения серийного производства микросхем.
Это не первый штраф, который начисляют чиновники в адрес НИИМА Прогресс. В том числе, по данному контракту уже был начислен штраф в размере 144,3 млн рублей, утверждает CNews. В 2025 году была информация о начислении штрафа и пеней и за просрочку разработки других изделий.
Удастся ли НИИМА Прогресс продолжать работу в условиях таких начислений? Надеюсь, что да, НИИМА «Прогресс» участвует в государственных программах, это может обеспечить дальнейшую поддержку. Но для того, чтобы можно было бы сделать какие-то обоснованные прогнозы данных явно не хватает – ни о текущем финансовом состоянии компании, ни о планах реструктуризации обязательств. Разве что соображения общего здравого смысла, что вряд ли кому-то нужно обанкротить известного участника рынка с высокими компетенциями в области разработки.
@RUSmicro
Минпромторг оштрафовал дизайн-центр НИИМА Прогресс почти на 0.5 млрд
Об этом сообщает CNews. Штраф в размере суммы контракта, заключенного в октябре 2017 года, начислен за просрочку освоения серийного производства микросхем.
Это не первый штраф, который начисляют чиновники в адрес НИИМА Прогресс. В том числе, по данному контракту уже был начислен штраф в размере 144,3 млн рублей, утверждает CNews. В 2025 году была информация о начислении штрафа и пеней и за просрочку разработки других изделий.
Удастся ли НИИМА Прогресс продолжать работу в условиях таких начислений? Надеюсь, что да, НИИМА «Прогресс» участвует в государственных программах, это может обеспечить дальнейшую поддержку. Но для того, чтобы можно было бы сделать какие-то обоснованные прогнозы данных явно не хватает – ни о текущем финансовом состоянии компании, ни о планах реструктуризации обязательств. Разве что соображения общего здравого смысла, что вряд ли кому-то нужно обанкротить известного участника рынка с высокими компетенциями в области разработки.
@RUSmicro
🙈11👌3❤1🤔1
🇨🇳 Горизонты технологий. FeFET. Китай
В Пекинском университете создали лабораторный прототип транзистора FeFET с графеновым затвором длиной 1нм
Исследователи из Пекинского университета под руководством Цю Чэньгуана и академика Пэн Ляньмао опубликовали в Science Advances работу, в которой продемонстрировали сегнетоэлектрический полевой транзистор (FeFET) с рекордными характеристиками. Главная особенность - использование углеродной нанотрубки в качестве затвора длиной всего 1 нанометр.
В основе – вертикальная структура MFMIS (металл-сегнетоэлектрик-металл-диэлектрик-полупроводник). В качестве канала - дисульфид молибдена (MoS₂), сегнетоэлектрик - CIPS (CuInP₂S₆), плавающий затвор - графен.
Наноразмерный затвор концентрирует электрическое поле подобно игле (используется эффект «наноострийного усиления электрического поля»). Это позволяет достичь локальной напряжённости поля 2,7×10⁶ В/см при напряжении всего 0,6 В, что ниже коэрцитивного напряжения самого сегнетоэлектрика. Эффективность по напряжению: 125% (работа ниже коэрцитивного поля за счёт геометрии).
В отличие от обычных транзисторов, где уменьшение длины канала ведёт к короткоканальным эффектам, в предложенной конструкции миниатюризация улучшает характеристики. Авторы называют это принципом масштабирования: чем меньше затвор, тем выше локальное поле и энергоэффективность.
💎 Напряжение питания в 0.6В - ниже «типового» напряжения в 0,7 В, которое используется для питания логических ядер. А если сравнивать с предыдущими разработками сегнетоэлектрических транзисторов, которые требовали напряжения 1.5В, то новый транзистор потребляет примерно в 10 раз меньше энергии - 0.45 фДж/мкм.
▫️Скорость переключения – 1.6 нс (при 3В, 20 нс при 0.6В).
▫️Соотношение токов включения/выключения - 2×10⁶.
💎 Заявляется, что FeFET транзисторы позволяют объединять в одной структуре функции хранения и обработки данных за счет выравнивания напряжения, необходимого для работы цифровой логики и кристаллов памяти, см. картинки.
▫️Потенциальная сфера применения – чипы ИИ следующего поколения
▫️Периферийные вычисления, где важна энергоэффективность
▫️Энергоэффективные ЦОД
▫️Нейроморфные вычисления
Авторы утверждают, что эффект концентрации поля может быть реализован в твердотельных нанозатворах, совместимых с CMOS-технологией (например, через атомно-слоевое осаждение).
Заявления амбициозные, но стоит еще дождаться результатов независимой проверки, масштабирования, исследований надежности.
@RUSmicro, иллюстрации - авторов исследования
В Пекинском университете создали лабораторный прототип транзистора FeFET с графеновым затвором длиной 1нм
Исследователи из Пекинского университета под руководством Цю Чэньгуана и академика Пэн Ляньмао опубликовали в Science Advances работу, в которой продемонстрировали сегнетоэлектрический полевой транзистор (FeFET) с рекордными характеристиками. Главная особенность - использование углеродной нанотрубки в качестве затвора длиной всего 1 нанометр.
В основе – вертикальная структура MFMIS (металл-сегнетоэлектрик-металл-диэлектрик-полупроводник). В качестве канала - дисульфид молибдена (MoS₂), сегнетоэлектрик - CIPS (CuInP₂S₆), плавающий затвор - графен.
Наноразмерный затвор концентрирует электрическое поле подобно игле (используется эффект «наноострийного усиления электрического поля»). Это позволяет достичь локальной напряжённости поля 2,7×10⁶ В/см при напряжении всего 0,6 В, что ниже коэрцитивного напряжения самого сегнетоэлектрика. Эффективность по напряжению: 125% (работа ниже коэрцитивного поля за счёт геометрии).
В отличие от обычных транзисторов, где уменьшение длины канала ведёт к короткоканальным эффектам, в предложенной конструкции миниатюризация улучшает характеристики. Авторы называют это принципом масштабирования: чем меньше затвор, тем выше локальное поле и энергоэффективность.
▫️Скорость переключения – 1.6 нс (при 3В, 20 нс при 0.6В).
▫️Соотношение токов включения/выключения - 2×10⁶.
▫️Потенциальная сфера применения – чипы ИИ следующего поколения
▫️Периферийные вычисления, где важна энергоэффективность
▫️Энергоэффективные ЦОД
▫️Нейроморфные вычисления
Авторы утверждают, что эффект концентрации поля может быть реализован в твердотельных нанозатворах, совместимых с CMOS-технологией (например, через атомно-слоевое осаждение).
Заявления амбициозные, но стоит еще дождаться результатов независимой проверки, масштабирования, исследований надежности.
@RUSmicro, иллюстрации - авторов исследования
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤4👍2🤨2🙈1