🇩🇪 Перспективные технологии. Память. FeRAM. Германия
В Германии собираются создать производство быстрой энергонезависимой памяти, выбрав потенциально перспективную технологию
Проект затевает германский стартап FMC (Ferroelectric Memory Co) с участием некоей Neumonda. Кто помнит историю разорившейся и пущенной с молотка Qimonda, тот наверняка поймет, на что намекает название этой компании. О соответствующих планах рассказывает Tom’s hardware.
Производить немцы собираются так называемую DRAM+ на основе энергонезависимой FeRAM.
Многие сохраняют предубеждение в отношении сегнетоэлектрической памяти на со времен, когда ее пробовали сделать на базе PZT (цирконат-титаната свинца) и она плохо стыковалась с КМОП-технологией. Но с тех пор практически все перешли на оксид гафния (HfO2), что дает совместимость с технологией КМОП и позволяет использовать современные техпроцессы 10нм и меньше. И теперь нас, возможно, ожидает ренессанс FeRAM. Возможно, в германском исполнении.
Когда это все дойдет до практического воплощения из заметки не ясно, но пока что фиксируем, что тема FeRAM опять муссируется, как типа памяти, который займет положение между DRAM и NAND и вместе с SRAM может занять значимое место на рынке памяти для ИИ-чипов.
Получится ли у европейцев сделать конкурентоспособный по цене продукт для SSD – вопрос, конечно, открытый. Но стоит помнить, что и американские Intel, и Micron ведут исследования в области FeRAM, и корейский Samsung, и, возможно, китайская Xincun Technology (но это не точно). Много дыма... может быть и огонек под этим есть.
@RUSmicro
#FeRAM
В Германии собираются создать производство быстрой энергонезависимой памяти, выбрав потенциально перспективную технологию
Проект затевает германский стартап FMC (Ferroelectric Memory Co) с участием некоей Neumonda. Кто помнит историю разорившейся и пущенной с молотка Qimonda, тот наверняка поймет, на что намекает название этой компании. О соответствующих планах рассказывает Tom’s hardware.
Производить немцы собираются так называемую DRAM+ на основе энергонезависимой FeRAM.
Многие сохраняют предубеждение в отношении сегнетоэлектрической памяти на со времен, когда ее пробовали сделать на базе PZT (цирконат-титаната свинца) и она плохо стыковалась с КМОП-технологией. Но с тех пор практически все перешли на оксид гафния (HfO2), что дает совместимость с технологией КМОП и позволяет использовать современные техпроцессы 10нм и меньше. И теперь нас, возможно, ожидает ренессанс FeRAM. Возможно, в германском исполнении.
Когда это все дойдет до практического воплощения из заметки не ясно, но пока что фиксируем, что тема FeRAM опять муссируется, как типа памяти, который займет положение между DRAM и NAND и вместе с SRAM может занять значимое место на рынке памяти для ИИ-чипов.
Получится ли у европейцев сделать конкурентоспособный по цене продукт для SSD – вопрос, конечно, открытый. Но стоит помнить, что и американские Intel, и Micron ведут исследования в области FeRAM, и корейский Samsung, и, возможно, китайская Xincun Technology (но это не точно). Много дыма... может быть и огонек под этим есть.
@RUSmicro
#FeRAM
Tom's Hardware
New 'DRAM+' memory designed to provide DRAM performance with SSD-like storage capabilities, uses FeRAM tech
Hafnium oxide FeRAM can combine high capacity and non-volatility.
👍6
🇺🇸 Чипы ИИ. США
Google представила чип Ironwood для ускорения приложений ИИ
Aphabet представила чип ИИ «7-го поколения» под названием Ironwood, который, по заявлению компании, предназначен для использования в ускорителях вычислений ИИ. Об этом сообщает Reuters.
Тензорные процессоры (TPU) Google не поступают в продажу, они предназначены для использования либо инженерами компании, либо в рамках использования облачного сервиса компании.
Ironwood предназначен для инференса и предназначен для работы в группах до 9216 чипов, заявил Амин Вахдат, вице-президент Google.
Чип Ironwood обладает повышенным объемом памяти, что расширяет его возможности обслуживания ИИ приложений. Но в качестве основного достоинства заявляется удвоенная производительность при том же энергопотреблении, что было у Thrillium, представленном в 2024 году.
@RUSmicro
#чипыИИ
Google представила чип Ironwood для ускорения приложений ИИ
Aphabet представила чип ИИ «7-го поколения» под названием Ironwood, который, по заявлению компании, предназначен для использования в ускорителях вычислений ИИ. Об этом сообщает Reuters.
Тензорные процессоры (TPU) Google не поступают в продажу, они предназначены для использования либо инженерами компании, либо в рамках использования облачного сервиса компании.
Ironwood предназначен для инференса и предназначен для работы в группах до 9216 чипов, заявил Амин Вахдат, вице-президент Google.
Чип Ironwood обладает повышенным объемом памяти, что расширяет его возможности обслуживания ИИ приложений. Но в качестве основного достоинства заявляется удвоенная производительность при том же энергопотреблении, что было у Thrillium, представленном в 2024 году.
@RUSmicro
#чипыИИ
Reuters
Google launches new Ironwood chip to speed AI applications
Alphabet's on Wednesday unveiled its seventh-generation artificial intelligence chip named Ironwood, which the company said is designed to speed the performance of AI applications.
👍3
🇹🇼 Участники рынка. Геополитика. Тайвань
США могут начислить TSMC штраф на $1 млрд за чипы, попавшие к Huawei
Основание для преследований важного «партнера», который послушно строит заводы в США за свой счет, - непреднамеренная поставка Huawei вычислительных чиплетов для ускорителей ИИ Ascend 910. Об этом пишет Tom's Hardware.
Штраф такой величины должен показать всем, что время «дыр в заборе» завершилось? Или чипов утекло столько, что американцы рассержены не на шутку? А может быть есть сомнения в непреднамеренности поставки?
Самое вероятное - второе, поскольку используется экспортное правило, согласно которому штраф может составлять двукратную стоимость несанкционированной транзакции. До оборотных штрафов за эти нарушения в США еще не додумались.
В 2023 году Seagate была оштрафована на $300 млн за оправку Huawei жестких дисков на $1.1 млрд.
В 2024 году выяснилось, что вычислительные чиплеты, которые TSMC выпустила для Sophgo, считая, что они заказан для майнинга криптовалют, оказались чиплетами, которые затем «всплыли» в ИИ-процессорах Ascend 910.
Не сообщается, сколько чиплетов было передано Sophgo и сколько попало в Huawei. Учитывая обсуждаемый размер штрафа, число чиплетов может измеряться даже миллионами.
Жертвой аналогичного «развода» может стать по сути любое контрактное производство, а потому возникает ставит вопрос – а, что, собственно, делать производителям в такой ситуации, чтобы не попасть на гигантские штрафы? Обзаводиться собственными разведслужбами?
@RUSmicro
#геополитика #санкции
США могут начислить TSMC штраф на $1 млрд за чипы, попавшие к Huawei
Основание для преследований важного «партнера», который послушно строит заводы в США за свой счет, - непреднамеренная поставка Huawei вычислительных чиплетов для ускорителей ИИ Ascend 910. Об этом пишет Tom's Hardware.
Штраф такой величины должен показать всем, что время «дыр в заборе» завершилось? Или чипов утекло столько, что американцы рассержены не на шутку? А может быть есть сомнения в непреднамеренности поставки?
Самое вероятное - второе, поскольку используется экспортное правило, согласно которому штраф может составлять двукратную стоимость несанкционированной транзакции. До оборотных штрафов за эти нарушения в США еще не додумались.
В 2023 году Seagate была оштрафована на $300 млн за оправку Huawei жестких дисков на $1.1 млрд.
В 2024 году выяснилось, что вычислительные чиплеты, которые TSMC выпустила для Sophgo, считая, что они заказан для майнинга криптовалют, оказались чиплетами, которые затем «всплыли» в ИИ-процессорах Ascend 910.
Не сообщается, сколько чиплетов было передано Sophgo и сколько попало в Huawei. Учитывая обсуждаемый размер штрафа, число чиплетов может измеряться даже миллионами.
Жертвой аналогичного «развода» может стать по сути любое контрактное производство, а потому возникает ставит вопрос – а, что, собственно, делать производителям в такой ситуации, чтобы не попасть на гигантские штрафы? Обзаводиться собственными разведслужбами?
@RUSmicro
#геополитика #санкции
Tom's Hardware
TSMC faces $1 billion US fine for making chips for blacklisted Huawei
The company is cooperating.
👍3
🇺🇸 Кадры. США
Пикантные подробности о новом гендиректоре Intel - г-не Лип-Бу Тане
Reuters сегодня веселит заявлениями, что новый гендиректор компании Intel, производящей передовые чипы для Минобороны США, оказывается инвестировал в сотни китайских технологических компаний, включая, минимум 8, связанных с НОАК (армией Китая).
В целом это вроде бы ненаказуемая деятельность, разве нельзя инвестировать свои деньги в компании, котирующиеся на мировых биржах? По крайней мере гражданам США еще не запрещено владеть акциями китайских компаний, даже тех, которые связаны с китайскими военными, если только эти компании не были добавлены в список компаний военно-промышленного комплекса Китая Министерства финансов США, который прямо запрещает такие инвестиции.
Но пикантная, в США новость вызывает эмоции, в частности, у некоторых опрошенных инвесторов. Высказываются сомнения, - нет ли здесь, минимум, конфликта интересов, а то и чего похуже.
Некоторые высказывания достаточно резкие, например: "Простой факт заключается в том, что г-н Тан не имеет квалификации для того, чтобы быть главой любой компании, конкурирующей с Китаем, не говоря уже о компании с реальными разведывательными функциями (?) и ролью в обеспечении нацбезопасности".
Intel занимается разведкой? Как интересно...
Других, как обычно, это не смущает. Что плохого, что у человека есть опыт инвестирования в китайские стартапы? Это, как минимум, означает, что он хорошо разбирается в отрасли и потому годен для руководства компанией Intel. Тоже аргумент.
Сумма инвестиций из-за которых разгорелся сыр-бор - пара сотен миллионов долларов.
А вы бы доверили Intel такому менеджеру, если бы были американцем и крупным акционером этой компании?
@RUSmicro
Пикантные подробности о новом гендиректоре Intel - г-не Лип-Бу Тане
Reuters сегодня веселит заявлениями, что новый гендиректор компании Intel, производящей передовые чипы для Минобороны США, оказывается инвестировал в сотни китайских технологических компаний, включая, минимум 8, связанных с НОАК (армией Китая).
В целом это вроде бы ненаказуемая деятельность, разве нельзя инвестировать свои деньги в компании, котирующиеся на мировых биржах? По крайней мере гражданам США еще не запрещено владеть акциями китайских компаний, даже тех, которые связаны с китайскими военными, если только эти компании не были добавлены в список компаний военно-промышленного комплекса Китая Министерства финансов США, который прямо запрещает такие инвестиции.
Но пикантная, в США новость вызывает эмоции, в частности, у некоторых опрошенных инвесторов. Высказываются сомнения, - нет ли здесь, минимум, конфликта интересов, а то и чего похуже.
Некоторые высказывания достаточно резкие, например: "Простой факт заключается в том, что г-н Тан не имеет квалификации для того, чтобы быть главой любой компании, конкурирующей с Китаем, не говоря уже о компании с реальными разведывательными функциями (?) и ролью в обеспечении нацбезопасности".
Intel занимается разведкой? Как интересно...
Других, как обычно, это не смущает. Что плохого, что у человека есть опыт инвестирования в китайские стартапы? Это, как минимум, означает, что он хорошо разбирается в отрасли и потому годен для руководства компанией Intel. Тоже аргумент.
Сумма инвестиций из-за которых разгорелся сыр-бор - пара сотен миллионов долларов.
А вы бы доверили Intel такому менеджеру, если бы были американцем и крупным акционером этой компании?
@RUSmicro
Reuters
Insight: Intel CEO invested in hundreds of Chinese companies, some with military ties
At least eight have links to the People's Liberation Army.
😁9👍1
🇷🇺 Горизонты технологий. Алмазные подложки. Инвестиции. Россия
«Алмазная» НДТ получила инвестиции на 1 млрд руб
Компания НДТ (New Diamond Technology) хорошо известна в узких кругах, как российских производитель алмазных пластин. Которые могут использоваться и в микроэлектроники.
Компанию, наконец, заметили, венчурный фонд «Восход», якорным инвестором которого выступает «Интеррос», инвестировал в компанию 1 млрд руб, получив 40,7% в капитале. Об этом сегодня сообщили Ведомости, в статье Ники Сизовой.
Компания с производством в Санкт-Петербурге в 2024 году была убыточной, причем с солидным дисбалансом – 500,3 млн руб. убытка при выручке 183,3 млн. Так что инвестиции в нее можно считать рисковыми. Но и выигрыш, потенциально, может оказаться немалым.
НДТ умеет выращивать искусственные алмазы в 100 карат и более, далее из них можно вырезать прямоугольные пластины длиной до 15 мм. В теории, это открывает путь для разработок полупроводниковых структур на алмазных подложках.
"Алмазной" темой в приложении к полупроводникам занимается несколько десятков компаний, в основном из США, Японии, Китая и ЕС, Великобритании, а также Кореи и Сингапура. В России темой занимаются ЛЭТИ и New Diamond Technology (НДТ), последняя разработала метод создания алмазных пластин методом HPHT и их легирования бором методом газофазного напыления. А, например, московская компания Лазеры и аппаратура выпускает установку для прецизионной микрообработки и разделения пластин, включая алмазные.
Алмазные технологии можно применять там, где требуется одновременно способность работать с высокими мощностями и высокими частотами. Т.к. по сочетанию этих двух параметров, алмазные технологии обещают полное превосходство не только над кремниевыми, но также над SiC, GaAs, InP и GaN. Сейчас наиболее перспективным выглядит применение этой технологии в силовой электроники и в квантовой электронике.
Получится ли применять технологию в России или пока что пластины пойдут на экспорт?
Для ответа на этот вопрос, предстоит пройти путь от лабораторных образцов до серийного производства. Появление пластин - необходимый шаг в правильном направлении, но рабочих электронных силовых или СВЧ устройств на базе отечественных алмазных пластин я пока не видел даже на фотографиях.
В чем основная уникальность алмазных подложек?
Кремниевые технологии пользуются максимальным спросом в силу сравнительной дешевизны производственных процессов, отработанных технологий и цепочек поставки. Алмазные технологии - безусловно перспективны, но их коммерческое использование только-только начинается и еще долго будет по массовости уступать кремниевому. Внедрение сдерживается, например, сложностью создания алмазных пластин большого диаметра (в мире выпускают пластины как правило диаметров не более 4 дюймов, важна также плотность дислокаций и концентрация азота), проблем с легированием и обработкой этого твердого материала.
Поэтому массовое внедрение алмазных полупроводников ожидается не ранее, чем после 2035 года.
Технологические преимущества алмаза: например, его теплопроводность в 5 раз выше, чем у карбида кремния (SiC) и в 15 раз выше, чем у кристаллического кремния. (900–2300 Вт/(м·К); 490 Вт/(м·К).149 Вт/(м·К) соответственно). Добавим к этому очень высокую подвижность электронов в алмазе и высокое поле пробоя - не материал, а сказка.
В целом алмазные подложки – одно из наиболее перспективных направлений в микроэлектронике, наряду с 2D (тонкопленочными) технологиями, 3.5D-упаковкой, графеновыми технологиями, кремниевой фотоникой и квантовыми технологиями.
Оно обязательно будет развито, хотя бы ради электромобилей и космоса.
В целом алмазное направление, в том числе, за пределами микроэлектроники, это будущее человечества, если у нас в будущем сохранится возможность продолжать развитие технологий.
@RUSmicro
#алмазные #алмазы
«Алмазная» НДТ получила инвестиции на 1 млрд руб
Компания НДТ (New Diamond Technology) хорошо известна в узких кругах, как российских производитель алмазных пластин. Которые могут использоваться и в микроэлектроники.
Компанию, наконец, заметили, венчурный фонд «Восход», якорным инвестором которого выступает «Интеррос», инвестировал в компанию 1 млрд руб, получив 40,7% в капитале. Об этом сегодня сообщили Ведомости, в статье Ники Сизовой.
Компания с производством в Санкт-Петербурге в 2024 году была убыточной, причем с солидным дисбалансом – 500,3 млн руб. убытка при выручке 183,3 млн. Так что инвестиции в нее можно считать рисковыми. Но и выигрыш, потенциально, может оказаться немалым.
НДТ умеет выращивать искусственные алмазы в 100 карат и более, далее из них можно вырезать прямоугольные пластины длиной до 15 мм. В теории, это открывает путь для разработок полупроводниковых структур на алмазных подложках.
"Алмазной" темой в приложении к полупроводникам занимается несколько десятков компаний, в основном из США, Японии, Китая и ЕС, Великобритании, а также Кореи и Сингапура. В России темой занимаются ЛЭТИ и New Diamond Technology (НДТ), последняя разработала метод создания алмазных пластин методом HPHT и их легирования бором методом газофазного напыления. А, например, московская компания Лазеры и аппаратура выпускает установку для прецизионной микрообработки и разделения пластин, включая алмазные.
Алмазные технологии можно применять там, где требуется одновременно способность работать с высокими мощностями и высокими частотами. Т.к. по сочетанию этих двух параметров, алмазные технологии обещают полное превосходство не только над кремниевыми, но также над SiC, GaAs, InP и GaN. Сейчас наиболее перспективным выглядит применение этой технологии в силовой электроники и в квантовой электронике.
Получится ли применять технологию в России или пока что пластины пойдут на экспорт?
Для ответа на этот вопрос, предстоит пройти путь от лабораторных образцов до серийного производства. Появление пластин - необходимый шаг в правильном направлении, но рабочих электронных силовых или СВЧ устройств на базе отечественных алмазных пластин я пока не видел даже на фотографиях.
В чем основная уникальность алмазных подложек?
Кремниевые технологии пользуются максимальным спросом в силу сравнительной дешевизны производственных процессов, отработанных технологий и цепочек поставки. Алмазные технологии - безусловно перспективны, но их коммерческое использование только-только начинается и еще долго будет по массовости уступать кремниевому. Внедрение сдерживается, например, сложностью создания алмазных пластин большого диаметра (в мире выпускают пластины как правило диаметров не более 4 дюймов, важна также плотность дислокаций и концентрация азота), проблем с легированием и обработкой этого твердого материала.
Поэтому массовое внедрение алмазных полупроводников ожидается не ранее, чем после 2035 года.
Технологические преимущества алмаза: например, его теплопроводность в 5 раз выше, чем у карбида кремния (SiC) и в 15 раз выше, чем у кристаллического кремния. (900–2300 Вт/(м·К); 490 Вт/(м·К).149 Вт/(м·К) соответственно). Добавим к этому очень высокую подвижность электронов в алмазе и высокое поле пробоя - не материал, а сказка.
В целом алмазные подложки – одно из наиболее перспективных направлений в микроэлектронике, наряду с 2D (тонкопленочными) технологиями, 3.5D-упаковкой, графеновыми технологиями, кремниевой фотоникой и квантовыми технологиями.
Оно обязательно будет развито, хотя бы ради электромобилей и космоса.
В целом алмазное направление, в том числе, за пределами микроэлектроники, это будущее человечества, если у нас в будущем сохранится возможность продолжать развитие технологий.
@RUSmicro
#алмазные #алмазы
Ведомости
Инвестфонд Потанина вложил 1 млрд рублей в «алмазные» технологии для чипов
Эксперты считают, что это наиболее перспективное направление для развития отечественной электроники
👍13❤3🔥1
🇷🇺 Кадры. Образование. Россия
НИИМЭ продолжает расширять сотрудничество с ВУЗами ради подготовки качественных кадров
Поводом об этом поговорить стало сегодняшнее сообщение зеленоградского НИИМЭ (ГК Элемент, Технополис Москва) о подписании договора о совместной подготовке специалистов для электронной промышленности с ДВГУПС (Дальневосточный госуниверситет путей сообщения). Речь идет о объединении «кадрового и научного потенциала» для целевой подготовки инженеров в области создания сверхчистой химии для производства микроэлектроники.
Планируется наладить подготовку, переподготовку, повышение квалификации специалистов, включая стажировку и практику студентов, а также возможности трудоустройства выпускников.
НИИМЭ уже сотрудничает с 27 вузами из 11 регионов России в области целевой подготовки специалистов по ряду ключевых для отрасли направлений. В основе сотрудничества практикоориентированный подход в обучении. НИИМЭ ведет базовые кафедры микро- и наноэлектроники, участвует в профориентационных мероприятиях, принимает студентов на практику и учебную стажировку. Только за 2024 год НИИМЭ провел более 120 мероприятий и проектных работ в области карьеры со школьниками и сотрудниками.
Что же, это очень правильно. В текущих условиях только активная работа участников отрасли с вузами, подключение практикующих специалистов к процессу подготовки кадров может дать необходимое повышение качества образования и востребованные в отрасли практические навыки.
@RUSmicro
#кадры #образование
НИИМЭ продолжает расширять сотрудничество с ВУЗами ради подготовки качественных кадров
Поводом об этом поговорить стало сегодняшнее сообщение зеленоградского НИИМЭ (ГК Элемент, Технополис Москва) о подписании договора о совместной подготовке специалистов для электронной промышленности с ДВГУПС (Дальневосточный госуниверситет путей сообщения). Речь идет о объединении «кадрового и научного потенциала» для целевой подготовки инженеров в области создания сверхчистой химии для производства микроэлектроники.
Планируется наладить подготовку, переподготовку, повышение квалификации специалистов, включая стажировку и практику студентов, а также возможности трудоустройства выпускников.
НИИМЭ уже сотрудничает с 27 вузами из 11 регионов России в области целевой подготовки специалистов по ряду ключевых для отрасли направлений. В основе сотрудничества практикоориентированный подход в обучении. НИИМЭ ведет базовые кафедры микро- и наноэлектроники, участвует в профориентационных мероприятиях, принимает студентов на практику и учебную стажировку. Только за 2024 год НИИМЭ провел более 120 мероприятий и проектных работ в области карьеры со школьниками и сотрудниками.
Что же, это очень правильно. В текущих условиях только активная работа участников отрасли с вузами, подключение практикующих специалистов к процессу подготовки кадров может дать необходимое повышение качества образования и востребованные в отрасли практические навыки.
@RUSmicro
#кадры #образование
👍9❤2
🇷🇺 Производство электроники. Рынок сборки ТВ. Россия
Воронежский завод Квант остановил сборку отечественных «реестровых» ТВ
КоммерсантЪ сообщил об остановке заводом Квант сборки «реестровых» ТВ под брендом Irbis по всем диагоналям от 32 до 65 дюймов.
Представители завода утверждают, что виной тому - низкий спрос и указывают, что даже в рамках госзакупок заказчики в основном приобретают телевизоры иностранных брендов.
Теперь, в отсутствие российской альтернативы, госкомпании будет поддерживать своими деньгами прежде всего китайских вендоров, если не вернутся корейские. Такое вот импортзамещение. Продукция, которую собирал Квант занимала порядка 10-15% рынка РФ.
Розница закрытие Кванта вряд ли заметит, не так, чтобы кто-то рвался купить себе домой телевизор Irbis, прежде всего, из-за их цены.
В 2024 году российские производители просили Минпромторг снизить порог попадания в реестр, желаемого не добились и преференции от проделанных усилий по вхождению в реестр получал только Irbis. В итоге, как видим, даже «монопольная» реестровость Кванту не помогла. Но тогда зачем тратить на попадание в реестр силы и средства?
Рынок ТВ-приемников – низкомаржинальный, с ним в плане регулирования нужно работать очень бережно.
@RUSmicro
#сборкаТВ #производствоТВ #рынокТВ
Воронежский завод Квант остановил сборку отечественных «реестровых» ТВ
КоммерсантЪ сообщил об остановке заводом Квант сборки «реестровых» ТВ под брендом Irbis по всем диагоналям от 32 до 65 дюймов.
Представители завода утверждают, что виной тому - низкий спрос и указывают, что даже в рамках госзакупок заказчики в основном приобретают телевизоры иностранных брендов.
Теперь, в отсутствие российской альтернативы, госкомпании будет поддерживать своими деньгами прежде всего китайских вендоров, если не вернутся корейские. Такое вот импортзамещение. Продукция, которую собирал Квант занимала порядка 10-15% рынка РФ.
Розница закрытие Кванта вряд ли заметит, не так, чтобы кто-то рвался купить себе домой телевизор Irbis, прежде всего, из-за их цены.
В 2024 году российские производители просили Минпромторг снизить порог попадания в реестр, желаемого не добились и преференции от проделанных усилий по вхождению в реестр получал только Irbis. В итоге, как видим, даже «монопольная» реестровость Кванту не помогла. Но тогда зачем тратить на попадание в реестр силы и средства?
Рынок ТВ-приемников – низкомаржинальный, с ним в плане регулирования нужно работать очень бережно.
@RUSmicro
#сборкаТВ #производствоТВ #рынокТВ
Коммерсантъ
«Квант» больше не виден
Производство единственного российского телевизора из реестра Минпромторга остановлено за ненадобностью
🤔7👍3
📈 Производственное оборудование микроэлектроники. Оценки мирового рынка
Мировые продажи оборудования для производства полупроводников выросли на 10% до $117,1 млрд в 2024 году
Это оценка отраслевой ассоциации SEMI.
В частности, в 2024 году рост продаж оборудования для обработки пластин оценивается на уровне 9%, продажи другого оборудования фронт-энд сегмента (FEOL) подросли на 5% год к году. Этот рост в значительной степени был обусловлен наращиванием инвестиций в расширение мощностей производства как передовой, так и зрелой логики, усовершенствованной упаковки и памяти с высокой пропускной способностью (HBM), а также значительным ростом инвестиций в Китае.
Сегмент бэк-энд (BEOL) оборудования после двух лет спада, показал устойчивое восстановление в 2024 году, что обусловлено растущей сложностью производства решений ИИ. Продажи оборудования для сборки и упаковки выросли на 25%, продажи контрольно-измерительного оборудования – на 20%.
Благодаря этому рынок производственного оборудования в 2024 году достиг рекордных $117 млрд.
В региональном плане Китай, Корея и Тайвань остаются Топ-3 рынков по расходам на производственное оборудование с общей долей 74%. Все грандиозные планы США пока что не поменяли эту картину.
🇨🇳 Кто реально укрепил свои позиции на рынке покупателей производственного оборудования, так это лидер этого рынка – Китай. Инвестиции этой страны в 2024 году выросли на 35% год к году до $49,6 млрд, что объясняется агрессивным расширением производственных мощностей и поддерживаемыми правительством инициативами, направленными на стимулирование внутреннего производства микросхем.
🇰🇷 Корея, второй по величине рынок, показала скромное увеличение расходов на оборудование, всего на 3%, до $20,5 млрд, поскольку рынки памяти стабилизировались, но резко вырос спрос на память HBM.
🇹🇼 Тайвань показал 16% снижение продаж оборудования год к году, инвестиции сократились до $16.6 млрд, что отражает снижение востребованности новых мощностей.
🇺🇸 Северная Америка показала рост на 14%, но в абсолюте это $13.7 млрд, что обусловлено повышением вниманию к внутреннему производству и попыткам восстановить производство передовых технологических узлов.
🇪🇺 Европа, которая на словах планирует удвоение своей доли рынка на мировом рынке полупроводников, на деле продемонстрировала снижения расходов на оборудование на 25% год к году до $4.9 млрд из-за ослабления спроса в автомобильном и промышленном секторах.
🇯🇵 Япония была более стабильна, спад составил лишь 1%, а общий объем – $7.8 млрд.
🌍 Остальной мир показал рост на 15%, с абсолютной суммой в $4.2 млрд, в основном за счет развивающихся рынков, наращивающих производство микросхем.
@RUSmicro
#оборудование
Мировые продажи оборудования для производства полупроводников выросли на 10% до $117,1 млрд в 2024 году
Это оценка отраслевой ассоциации SEMI.
В частности, в 2024 году рост продаж оборудования для обработки пластин оценивается на уровне 9%, продажи другого оборудования фронт-энд сегмента (FEOL) подросли на 5% год к году. Этот рост в значительной степени был обусловлен наращиванием инвестиций в расширение мощностей производства как передовой, так и зрелой логики, усовершенствованной упаковки и памяти с высокой пропускной способностью (HBM), а также значительным ростом инвестиций в Китае.
Сегмент бэк-энд (BEOL) оборудования после двух лет спада, показал устойчивое восстановление в 2024 году, что обусловлено растущей сложностью производства решений ИИ. Продажи оборудования для сборки и упаковки выросли на 25%, продажи контрольно-измерительного оборудования – на 20%.
Благодаря этому рынок производственного оборудования в 2024 году достиг рекордных $117 млрд.
В региональном плане Китай, Корея и Тайвань остаются Топ-3 рынков по расходам на производственное оборудование с общей долей 74%. Все грандиозные планы США пока что не поменяли эту картину.
🇨🇳 Кто реально укрепил свои позиции на рынке покупателей производственного оборудования, так это лидер этого рынка – Китай. Инвестиции этой страны в 2024 году выросли на 35% год к году до $49,6 млрд, что объясняется агрессивным расширением производственных мощностей и поддерживаемыми правительством инициативами, направленными на стимулирование внутреннего производства микросхем.
🇰🇷 Корея, второй по величине рынок, показала скромное увеличение расходов на оборудование, всего на 3%, до $20,5 млрд, поскольку рынки памяти стабилизировались, но резко вырос спрос на память HBM.
🇹🇼 Тайвань показал 16% снижение продаж оборудования год к году, инвестиции сократились до $16.6 млрд, что отражает снижение востребованности новых мощностей.
🇺🇸 Северная Америка показала рост на 14%, но в абсолюте это $13.7 млрд, что обусловлено повышением вниманию к внутреннему производству и попыткам восстановить производство передовых технологических узлов.
🇪🇺 Европа, которая на словах планирует удвоение своей доли рынка на мировом рынке полупроводников, на деле продемонстрировала снижения расходов на оборудование на 25% год к году до $4.9 млрд из-за ослабления спроса в автомобильном и промышленном секторах.
🇯🇵 Япония была более стабильна, спад составил лишь 1%, а общий объем – $7.8 млрд.
🌍 Остальной мир показал рост на 15%, с абсолютной суммой в $4.2 млрд, в основном за счет развивающихся рынков, наращивающих производство микросхем.
@RUSmicro
#оборудование
❤2
🇹🇼 Процессоры для мобильных устройств. Платформы. Тайвань
MediaTek представил платформу Dimensity 9400+ с поддержкой LLM
В повестке значится спуск ИИ на уровень пользовательских устройств (контролироваться должно все). И вот MediaTek, как видим, как настоящий передовик выкатывает новую платформу, отвечающую трендам.
Заявляется, понятно, чуть другое - появление поддержки больших моделей ИИ на уровне платформы обеспечит повышенную производительность мобильных устройств премиального сегмента, сделает возможным появление на них агентского ИИ.
Это не должно негативно сказаться на энерговооруженности устройств и времени их непрерывной автономной работы. В том числе за счет используемого техпроцесса. По неподтвержденным пока данным это 3нм (TSMC).
Компания отметила, что 12-ядерный графический процессор с системой команд ARM Immortalis-G925 оптимизирован для игр на смартфонах и «обеспечивает сильные визуальные впечатления».
Также заявлено улучшения по части Bluetooth для подключения телефонов друг к другу, поддержки китайской спутниковой GNSS BeiDou и улучшения работы Wi-Fi. Платформа поддерживает 2 SIM-карты.
Первые аппараты на базе новой платформы выйдут уже в апреле 2025. ИИ все ближе, ура?
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
#ИИчипы #мобильныеплатформы
MediaTek представил платформу Dimensity 9400+ с поддержкой LLM
В повестке значится спуск ИИ на уровень пользовательских устройств (контролироваться должно все). И вот MediaTek, как видим, как настоящий передовик выкатывает новую платформу, отвечающую трендам.
Заявляется, понятно, чуть другое - появление поддержки больших моделей ИИ на уровне платформы обеспечит повышенную производительность мобильных устройств премиального сегмента, сделает возможным появление на них агентского ИИ.
Это не должно негативно сказаться на энерговооруженности устройств и времени их непрерывной автономной работы. В том числе за счет используемого техпроцесса. По неподтвержденным пока данным это 3нм (TSMC).
Компания отметила, что 12-ядерный графический процессор с системой команд ARM Immortalis-G925 оптимизирован для игр на смартфонах и «обеспечивает сильные визуальные впечатления».
Также заявлено улучшения по части Bluetooth для подключения телефонов друг к другу, поддержки китайской спутниковой GNSS BeiDou и улучшения работы Wi-Fi. Платформа поддерживает 2 SIM-карты.
Первые аппараты на базе новой платформы выйдут уже в апреле 2025. ИИ все ближе, ура?
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
#ИИчипы #мобильныеплатформы
Mobile World Live
MediaTek adds further AI plus points to flagship chip
MediaTek unveiled the Dimensity 9400+ mobile platform, an upgrade to its flagship offering for smartphones released last year.
👍2🔥1🙈1
🇨🇳 🇺🇸 Торговые войны. Госрегулирование. Китай
Американским производителям микросхем в Китае предлагают лазейку
Для такой отрасли, как микроэлектроника с ее многоступенчатыми цепочками поставок, включающими многие страны, «битва пошлин», которую затеяли чиновники США и Китая, весьма болезненна.
В Китае пытаются «подстелить соломку». В «срочном уведомлении» в своем аккаунте WeChat Китайская ассоциация полупроводниковой промышленности (CSIA), представляющая крупнейшие компании Китая в области производства микросхем, сообщает, что «для всех интегральных схем, как упакованных, так и неупакованных, заявленной страной происхождения для импортных таможенных закупок, является местонахождение завода по производству пластин». Об этом сообщает Reuters.
Это важное замечание, которое, если соответствует официальной позиции Китая, означает что продукцию американских компаний Nvidia, Qualcomm и AMD, которые выпускают свои пластины на TSMC, таможенные органы Китая готовы рассматривать как «тайваньскую», не применяя к ней запретительные пошлины, введенные против американских товаров. В отличие от продукции Texas Instruments, ADI, On Semi и других, кто выпускает свою продукцию на фабах в США.
Эта лазейка, если она будет действовать, обещает светлое будущее для контрактных производств за пределами США, Китай продолжит закупать произведенную на них американскую продукцию без санкций, что будет стимулировать американские предприятия к размещению своих заказов на таких предприятиях за пределами США.
@RUSmicro
#торговыевойны
Американским производителям микросхем в Китае предлагают лазейку
Для такой отрасли, как микроэлектроника с ее многоступенчатыми цепочками поставок, включающими многие страны, «битва пошлин», которую затеяли чиновники США и Китая, весьма болезненна.
В Китае пытаются «подстелить соломку». В «срочном уведомлении» в своем аккаунте WeChat Китайская ассоциация полупроводниковой промышленности (CSIA), представляющая крупнейшие компании Китая в области производства микросхем, сообщает, что «для всех интегральных схем, как упакованных, так и неупакованных, заявленной страной происхождения для импортных таможенных закупок, является местонахождение завода по производству пластин». Об этом сообщает Reuters.
Это важное замечание, которое, если соответствует официальной позиции Китая, означает что продукцию американских компаний Nvidia, Qualcomm и AMD, которые выпускают свои пластины на TSMC, таможенные органы Китая готовы рассматривать как «тайваньскую», не применяя к ней запретительные пошлины, введенные против американских товаров. В отличие от продукции Texas Instruments, ADI, On Semi и других, кто выпускает свою продукцию на фабах в США.
Эта лазейка, если она будет действовать, обещает светлое будущее для контрактных производств за пределами США, Китай продолжит закупать произведенную на них американскую продукцию без санкций, что будет стимулировать американские предприятия к размещению своих заказов на таких предприятиях за пределами США.
@RUSmicro
#торговыевойны
👍3
🇺🇸 Горизонты технологий. Охлаждение микропроцессоров. США
Как охладить чип точно там, где необходимо? Лазером!
Американский стартап Maxwell Labs при поддержке Sandia National Labs работает над новой технологией, которая должна будет охлаждать высокопроизводительную вычислительную технику с помощью лазеров. Об этом пишет Tom’s hardware со ссылкой на The Register.
Рассеяние тепла – серьезная проблема для ЦОД. Много лет подряд эта отрасль полагалась на воздушное охлаждение, фрикулинг и т.п., затем передовые компании начали экспериментировать с жидкостным охлаждением – теплой и холодной водой, а также с иммерсионным охлаждением. А вот лазеры пока что не использовали. Настало время попробовать и этот способ?
Стартап Maxwell Labs при поддержке Sandia National Labs работает над новым способом охлаждения высокопроизводительного вычислительного оборудования. Способ основан на использовании «холодильных пластин» из сверхчистого арсенида галлия (GaAs).
Такие пластины, если на них падает сфокусированные пучки когерентного лазерного света определенной длины волны, не нагреваются, как можно ожидать на основе опыта взаимодействия с лазерами, а наоборот, охлаждается. Что позволяет отводить тепло там, где это требуется.
Конечно, это не способ замены традиционных систем охлаждения, но дальнейшее их технологическое усложнение ради повышения эффективности.
В практическом приложении из сверхчистого GaAs формируют тонкие компоненты, располагая их на высокотемпературных участках процессора. Структура внутри полупроводника GaAs направляет когерентные пучки точно в необходимые «горячие точки», что вызывает их высоколокализованное охлаждение.
Технологией занимаются не первый год, в 2021 году в Копенгагенском университете аналогичным образом охладили небольшую мембрану до -269 °C.
Интересно, что технология в теории позволяет еще и рекуперировать часть потраченной на охлаждение энергии. Тепло, снятое с чипа, можно преобразовать в световое излучение, а его – в электрическую энергию. Не сообщается, насколько высокий к.п.д. может быть у этого процесса, скорее всего, не очень высокий, но в современных ЦОД важен каждый процент энергоэффективности.
Есть немало проблем на пути новой технологии. В частности, производство сверхчистых пластин GaAs требует сложных и энергоемких методов, таких как молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE) или химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD). Уровень дефектов тоже может влиять на затраты. Цена не будет скромной. Например, 200 мм пластина GaAs сейчас может стоить около $5000, тогда как кремниевая пластина того же размера - $5.
GaAs транзисторы пока не научились бесшовно интегрировать с традиционными кремниевыми в рамках одной пластины. Но сейчас, конечно, возможна гетерогенная 3D-интеграция, соединение пластин. Это тоже дорого, но не так дорого, если сравнивать с ценой пластины GaAs.
В общем, пока что эта технология еще на стадии экспериментов и моделей. Еще никто не доходил до стадии даже опытной установки. В Maxwell Labs рассчитывают соорудить функционирующий прототип к осени 2025 года. Несмотря на это, компания уже нашла покупателей, которые готовы приобрести первую версию такой системы MXL-Gen1 и готовится поставить ей коммерческие решения в 2026 или 2027 году. Если все пройдет по плану, то с конца 2027 года технологию начнут коммерциализовать.
@RUSmicro
#горизонты #охлаждение
Как охладить чип точно там, где необходимо? Лазером!
Американский стартап Maxwell Labs при поддержке Sandia National Labs работает над новой технологией, которая должна будет охлаждать высокопроизводительную вычислительную технику с помощью лазеров. Об этом пишет Tom’s hardware со ссылкой на The Register.
Рассеяние тепла – серьезная проблема для ЦОД. Много лет подряд эта отрасль полагалась на воздушное охлаждение, фрикулинг и т.п., затем передовые компании начали экспериментировать с жидкостным охлаждением – теплой и холодной водой, а также с иммерсионным охлаждением. А вот лазеры пока что не использовали. Настало время попробовать и этот способ?
Стартап Maxwell Labs при поддержке Sandia National Labs работает над новым способом охлаждения высокопроизводительного вычислительного оборудования. Способ основан на использовании «холодильных пластин» из сверхчистого арсенида галлия (GaAs).
Такие пластины, если на них падает сфокусированные пучки когерентного лазерного света определенной длины волны, не нагреваются, как можно ожидать на основе опыта взаимодействия с лазерами, а наоборот, охлаждается. Что позволяет отводить тепло там, где это требуется.
Конечно, это не способ замены традиционных систем охлаждения, но дальнейшее их технологическое усложнение ради повышения эффективности.
В практическом приложении из сверхчистого GaAs формируют тонкие компоненты, располагая их на высокотемпературных участках процессора. Структура внутри полупроводника GaAs направляет когерентные пучки точно в необходимые «горячие точки», что вызывает их высоколокализованное охлаждение.
Технологией занимаются не первый год, в 2021 году в Копенгагенском университете аналогичным образом охладили небольшую мембрану до -269 °C.
Интересно, что технология в теории позволяет еще и рекуперировать часть потраченной на охлаждение энергии. Тепло, снятое с чипа, можно преобразовать в световое излучение, а его – в электрическую энергию. Не сообщается, насколько высокий к.п.д. может быть у этого процесса, скорее всего, не очень высокий, но в современных ЦОД важен каждый процент энергоэффективности.
Есть немало проблем на пути новой технологии. В частности, производство сверхчистых пластин GaAs требует сложных и энергоемких методов, таких как молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE) или химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD). Уровень дефектов тоже может влиять на затраты. Цена не будет скромной. Например, 200 мм пластина GaAs сейчас может стоить около $5000, тогда как кремниевая пластина того же размера - $5.
GaAs транзисторы пока не научились бесшовно интегрировать с традиционными кремниевыми в рамках одной пластины. Но сейчас, конечно, возможна гетерогенная 3D-интеграция, соединение пластин. Это тоже дорого, но не так дорого, если сравнивать с ценой пластины GaAs.
В общем, пока что эта технология еще на стадии экспериментов и моделей. Еще никто не доходил до стадии даже опытной установки. В Maxwell Labs рассчитывают соорудить функционирующий прототип к осени 2025 года. Несмотря на это, компания уже нашла покупателей, которые готовы приобрести первую версию такой системы MXL-Gen1 и готовится поставить ей коммерческие решения в 2026 или 2027 году. Если все пройдет по плану, то с конца 2027 года технологию начнут коммерциализовать.
@RUSmicro
#горизонты #охлаждение
Tom's Hardware
Cooling chips with lasers: Innovative cooling method removes heat precisely from hot spots, recycles heat into energy
Well, if it ever reaches commercial phase.
👍6🔥1
🇷🇺 Тендеры. BMS. Россия
Росатом ищет разработчика микросхемы управления АКБ электромобиля
Соответствующий тендер CNews обнаружил на сайте госзакупок 7.04.2025.
Как я понимаю, речь идет о BMS-контроллере (Battery Management System) или AFE (Analog Front End), как правило это ASIC или комбинированное решение, от которого требуются такие функции как измерение напряжения ячеек батареи (то есть встроенные АЦП), балансировка заряда (пассивная/активная), поддержка коммуникации по SPI, isoSPI, I²C и, конечно, защита от перегрева, перезаряда и коротких замыканий.
От микросхемы требуется соответствие требованиям уровня ASIL D (Automotive Safety Integrity Level D) стандарта ISO 26262 то есть по ГОСТ Р ИСО 26262, наивысшему в классификации ASIL. Аналогичные требования предъявляют к системам рулевого управления, тормозам и подушкам безопасности.
В мире таких микросхем немало, например, Texas Instruments BQ76952, Analog Devices LTC68xx, NXP MC3377x.
Это не обязательно микроконтроллер, т.к. решение не является универсальным, обычно оно «заточено» под конкретный набор функций. Но BMS-контроллеры могут работать как в паре с MCU (LTC6813+STM32), так и содержать его внутри (TI BQ40Zxx), тогда они программируемые и более универсальные.
Специфические для BMS блоки – это мультиплексоры для измерений множества ячеек АКБ; высокоточные АЦП (12-16 бит); изолированные интерфейсы (isoSPI), чтобы работать с высоким напряжением; интерфейсы I2C; это встроенные балансировочные цепи, которые могут включать встроенные MOSFET ключи или хотя бы драйверы внешних ключей. Если программируемость логики не требуется, то вся логика реализуется внутри чипа и MCU внутри или снаружи не нужен.
Требования Росатома – работа с 12 ячейками, измерение напряжений до 5В с точностью до 2.8 мВ в нормальном режиме и до 10 мВ в ускоренном. На все про все разрешается потреблять не более 20 мА в активном режиме и не более 10 мкА в спящем. Предусматривается два исполнения: Industrial (-40°C до +85°C) и Automotive (-40°C до +125°C). Наработка на отказ – не менее 25 тысяч часов при сроке службы 15 лет. Защита от статики до 1500 В. И даже требования к экобезопасности – что-то насчет озонразрушающих веществ, видимо, чтобы их не было.
На реализацию проекта выделено 84 млн рублей. Но требуется, чтобы себестоимость серийного образца была не выше 400 рублей при выпуске 1 млн экземпляров в год – вот этот пункт будет реализовать сложнее всего. Впрочем, 1 млн – это уже объем.
Есть желающие разработать? Подробнее – в заметке CNews или на сайте госзакупок.
@RUSmicro
#BMS
Росатом ищет разработчика микросхемы управления АКБ электромобиля
Соответствующий тендер CNews обнаружил на сайте госзакупок 7.04.2025.
Как я понимаю, речь идет о BMS-контроллере (Battery Management System) или AFE (Analog Front End), как правило это ASIC или комбинированное решение, от которого требуются такие функции как измерение напряжения ячеек батареи (то есть встроенные АЦП), балансировка заряда (пассивная/активная), поддержка коммуникации по SPI, isoSPI, I²C и, конечно, защита от перегрева, перезаряда и коротких замыканий.
От микросхемы требуется соответствие требованиям уровня ASIL D (Automotive Safety Integrity Level D) стандарта ISO 26262 то есть по ГОСТ Р ИСО 26262, наивысшему в классификации ASIL. Аналогичные требования предъявляют к системам рулевого управления, тормозам и подушкам безопасности.
В мире таких микросхем немало, например, Texas Instruments BQ76952, Analog Devices LTC68xx, NXP MC3377x.
Это не обязательно микроконтроллер, т.к. решение не является универсальным, обычно оно «заточено» под конкретный набор функций. Но BMS-контроллеры могут работать как в паре с MCU (LTC6813+STM32), так и содержать его внутри (TI BQ40Zxx), тогда они программируемые и более универсальные.
Специфические для BMS блоки – это мультиплексоры для измерений множества ячеек АКБ; высокоточные АЦП (12-16 бит); изолированные интерфейсы (isoSPI), чтобы работать с высоким напряжением; интерфейсы I2C; это встроенные балансировочные цепи, которые могут включать встроенные MOSFET ключи или хотя бы драйверы внешних ключей. Если программируемость логики не требуется, то вся логика реализуется внутри чипа и MCU внутри или снаружи не нужен.
Требования Росатома – работа с 12 ячейками, измерение напряжений до 5В с точностью до 2.8 мВ в нормальном режиме и до 10 мВ в ускоренном. На все про все разрешается потреблять не более 20 мА в активном режиме и не более 10 мкА в спящем. Предусматривается два исполнения: Industrial (-40°C до +85°C) и Automotive (-40°C до +125°C). Наработка на отказ – не менее 25 тысяч часов при сроке службы 15 лет. Защита от статики до 1500 В. И даже требования к экобезопасности – что-то насчет озонразрушающих веществ, видимо, чтобы их не было.
На реализацию проекта выделено 84 млн рублей. Но требуется, чтобы себестоимость серийного образца была не выше 400 рублей при выпуске 1 млн экземпляров в год – вот этот пункт будет реализовать сложнее всего. Впрочем, 1 млн – это уже объем.
Есть желающие разработать? Подробнее – в заметке CNews или на сайте госзакупок.
@RUSmicro
#BMS
CNews.ru
«Росатом» разрабатывает отечественный чип с себестоимостью 400 рублей за штуку - CNews
«Росатом» опубликовал тендер на разработку микросхемы контроля и управления процессами заряда и разряда автомобильных...
👍12🤔3
🇨🇳 РЗЭ. Торговые войны. Китай
Китайский редкоземельный удар
На днях мы уже обсуждали новые ограничения Китая на экспорт РЗЭ, но тогда я знал только об ограничениях на скандий (Sc, 21) и диспрозий (Dy, 66). А оказывается, в список добавили не только их, но еще и гадолиний (Gd, 64), иттербий (Yb, 70), лютеций (Lu, 71), самарий (Sm, 62), иттрий (Y, 39).
Поставки этих РЗЭ прекратились с 4 апреля 2025 года. Теперь экспортеры должны обращаться за лицензиями в Минторг Китая. Это непрозрачный процесс, который может длиться от 1.5 месяцев до нескольких месяцев. Например, после того, как Китай включил сурьму в список экспортного контроля в сентябре 2024 года, она еще так и не попадала в ЕС.
Типовые запасы РЗЭ у клиентов-производителей – примерно на 2 месяца работы (у кого-то, может, больше). После этого у клиентов будут возникать сложности, которые могут вызывать самые разные виды дефицита тех или иных изделий.
Контроль экспорта РЗЭ – мощное оружие Китая. Но, как и в случае экспортных ограничений США, таким оружием не получится пользоваться долго. Поскольку зарубежные покупатели будут вынуждены искать новых поставщиков, подальше от зоны контроля Китая. Даже если им придется платить больше и дольше ждать. В итоге если сейчас Китай доминирует на рынке РЗЭ с долей в 90%, то в перспективе его доля рынка может снизиться. Впрочем, в Китае это понимают и возможно мы еще увидим «временные отмены», льготы или другие варианты смягчения конфронтации.
А пока что – все очень серьезно:
▫️ Гадолиний используется в атомных реакторах, в контрастных веществах для МРТ и в микроволновках;
▫️ Иттербий – в высокоточном оружии, гидроакустике, в топливных элементах;
▫️ Лютеций – (действительно редкий РЗЭ) в катализаторах и в системах визуализации в медицине;
▫️ Самарий – в самарий-кобальтовых магнитах, применяемых в аэрокосмической и оборонной промышленности;
▫️ Иттрий – критически важен для создания термобарьерных покрытий на компонентах реактивных двигателей и в прецизионных лазерах.
Очевидно, что Запад не был готов к такому развитию событий. Пока Китай десятилетиями стратегически инвестировал в РЗЭ, на Западе считали, что этот бизнес одновременно экологически слишком грязный и низкорентабельный (то и другое - правда, но без РЗЭ не прожить, по крайней мере в нынешней парадигме). И теперь последствия могут быть существенными в моменте. Но преодолимыми в перспективе.
@RUSmicro
#РЗЭ #торговыевойны
Китайский редкоземельный удар
На днях мы уже обсуждали новые ограничения Китая на экспорт РЗЭ, но тогда я знал только об ограничениях на скандий (Sc, 21) и диспрозий (Dy, 66). А оказывается, в список добавили не только их, но еще и гадолиний (Gd, 64), иттербий (Yb, 70), лютеций (Lu, 71), самарий (Sm, 62), иттрий (Y, 39).
Поставки этих РЗЭ прекратились с 4 апреля 2025 года. Теперь экспортеры должны обращаться за лицензиями в Минторг Китая. Это непрозрачный процесс, который может длиться от 1.5 месяцев до нескольких месяцев. Например, после того, как Китай включил сурьму в список экспортного контроля в сентябре 2024 года, она еще так и не попадала в ЕС.
Типовые запасы РЗЭ у клиентов-производителей – примерно на 2 месяца работы (у кого-то, может, больше). После этого у клиентов будут возникать сложности, которые могут вызывать самые разные виды дефицита тех или иных изделий.
Контроль экспорта РЗЭ – мощное оружие Китая. Но, как и в случае экспортных ограничений США, таким оружием не получится пользоваться долго. Поскольку зарубежные покупатели будут вынуждены искать новых поставщиков, подальше от зоны контроля Китая. Даже если им придется платить больше и дольше ждать. В итоге если сейчас Китай доминирует на рынке РЗЭ с долей в 90%, то в перспективе его доля рынка может снизиться. Впрочем, в Китае это понимают и возможно мы еще увидим «временные отмены», льготы или другие варианты смягчения конфронтации.
А пока что – все очень серьезно:
▫️ Гадолиний используется в атомных реакторах, в контрастных веществах для МРТ и в микроволновках;
▫️ Иттербий – в высокоточном оружии, гидроакустике, в топливных элементах;
▫️ Лютеций – (действительно редкий РЗЭ) в катализаторах и в системах визуализации в медицине;
▫️ Самарий – в самарий-кобальтовых магнитах, применяемых в аэрокосмической и оборонной промышленности;
▫️ Иттрий – критически важен для создания термобарьерных покрытий на компонентах реактивных двигателей и в прецизионных лазерах.
Очевидно, что Запад не был готов к такому развитию событий. Пока Китай десятилетиями стратегически инвестировал в РЗЭ, на Западе считали, что этот бизнес одновременно экологически слишком грязный и низкорентабельный (то и другое - правда, но без РЗЭ не прожить, по крайней мере в нынешней парадигме). И теперь последствия могут быть существенными в моменте. Но преодолимыми в перспективе.
@RUSmicro
#РЗЭ #торговыевойны
👍9❤3
🇺🇸 Тарифные войны. Полупроводники. США
В США временно освободили бытовую электронику и полупроводники (включая оборудование для их производства) от тарифа 125% для Китая (остался отдельный "фентанильный" тариф 20%) и 10% фиксированной ставки для других стран (пока что будет 0%). Об этом сообщает Bloomberg.
Вместе с тем, Трамп заявил, что отсрочка временная, что более высокие пошлины на телефоны, компьютеры и другую популярную бытовую электронику, полупроводники и оборудование для их производства еще появятся: "Никто не сойдет с крючка". Позднее (вероятно через несколько недель, месяц или 2 месяца) будет введен специфический секторальный налог. Впрочем, многие уверены, что этот налог даже для Китая будет ниже 125%. Прогнозировать его величину сложно, пока что можно ориентироваться разве что на секторальные пошлины, которые уже введены в других отраслях и установлены на уровне 25%.
В Китае эти действия называют "небольшим шагом США к исправлению своих неправомерных действий в виде односторонних "взаимных тарифов".
Согласно оценкам центра RAND China, временные исключения по налогу охватывают импорт США примерно на 390 млрд, включая более 101 млрд импорта из Китая.
Вся эта чехарда продолжит давить на рынок, причем разнонаправленно. Кто-то постарается снизить цены, чтобы продать побольше, пока пошлины не действуют. Кто-то начнет повышать цены, закладывая в них грядущие повышения из-за пошлин. Цепочки поставок, которые еще несколько лет тому назад в "первый период глобализации" работали как хорошие часы, вновь будет лихорадить, что почувствуют на себе не только в США, но, например, и в РФ.
@RUSmicro
#геополитика
В США временно освободили бытовую электронику и полупроводники (включая оборудование для их производства) от тарифа 125% для Китая (остался отдельный "фентанильный" тариф 20%) и 10% фиксированной ставки для других стран (пока что будет 0%). Об этом сообщает Bloomberg.
Вместе с тем, Трамп заявил, что отсрочка временная, что более высокие пошлины на телефоны, компьютеры и другую популярную бытовую электронику, полупроводники и оборудование для их производства еще появятся: "Никто не сойдет с крючка". Позднее (вероятно через несколько недель, месяц или 2 месяца) будет введен специфический секторальный налог. Впрочем, многие уверены, что этот налог даже для Китая будет ниже 125%. Прогнозировать его величину сложно, пока что можно ориентироваться разве что на секторальные пошлины, которые уже введены в других отраслях и установлены на уровне 25%.
В Китае эти действия называют "небольшим шагом США к исправлению своих неправомерных действий в виде односторонних "взаимных тарифов".
Согласно оценкам центра RAND China, временные исключения по налогу охватывают импорт США примерно на 390 млрд, включая более 101 млрд импорта из Китая.
Вся эта чехарда продолжит давить на рынок, причем разнонаправленно. Кто-то постарается снизить цены, чтобы продать побольше, пока пошлины не действуют. Кто-то начнет повышать цены, закладывая в них грядущие повышения из-за пошлин. Цепочки поставок, которые еще несколько лет тому назад в "первый период глобализации" работали как хорошие часы, вновь будет лихорадить, что почувствуют на себе не только в США, но, например, и в РФ.
@RUSmicro
#геополитика
🇷🇺 Разработки. Принтеры. Аддитивные технологии. Россия
В МФТИ разработали принтер сухой аэрозольной микропечати
В 2025 году, как ожидается, завершится тестирование принтера, который разрабатывался в течение 9 лет. Об этом сообщает сайт МФТИ.
Ожидаемые применения: формирование монолитных проводящих микроструктур СВЧ-электроники; формирование плазмонных наноструктур для использования в оптоэлектронике.
Принтер может формировать на подложке микроструктуры с шириной линий от 30 до 400 мкм. Для этого принтер синтезирует и модифицирует наночастицы размером от 50нм до 300нм. Печать проводится аэрозольным пучком. Лазер обеспечивает спекание массива наночастиц на подложке. Варьируя размеры наносимых на подложку наночастиц, можно настраивать резонансные свойства структуры для конкретных задач. Отмечается высокая адгезия наночастиц к поверхности подложки.
После завершения тестирования опытного образца будет подготовлена конструкторская документация для серийного производства принтеров.
@RUSmicro, фото - МФТИ
#микропечать
В МФТИ разработали принтер сухой аэрозольной микропечати
В 2025 году, как ожидается, завершится тестирование принтера, который разрабатывался в течение 9 лет. Об этом сообщает сайт МФТИ.
Ожидаемые применения: формирование монолитных проводящих микроструктур СВЧ-электроники; формирование плазмонных наноструктур для использования в оптоэлектронике.
Принтер может формировать на подложке микроструктуры с шириной линий от 30 до 400 мкм. Для этого принтер синтезирует и модифицирует наночастицы размером от 50нм до 300нм. Печать проводится аэрозольным пучком. Лазер обеспечивает спекание массива наночастиц на подложке. Варьируя размеры наносимых на подложку наночастиц, можно настраивать резонансные свойства структуры для конкретных задач. Отмечается высокая адгезия наночастиц к поверхности подложки.
После завершения тестирования опытного образца будет подготовлена конструкторская документация для серийного производства принтеров.
@RUSmicro, фото - МФТИ
#микропечать
👍22🔥1🤔1
🇪🇺 Горизонты технологий. 2D-структуры. Европа
Imec обещает скорый приход 2D-материалов в цифровые микросхемы
В цепочке постов попробую пересказать видение исследователей Imec по данной теме.
Дорожная карта масштабирования кремниевой логики
Уже не менее 20 лет, как стало понятно, что вдохновленное законом Мура размерное масштабирование более не обеспечивает необходимую эволюцию узлов технологии КМОП. Еще около 2005 года улучшение производительности при переходе к новым, более компактным узлам при фиксированной мощности (так называемый эффект Деннарда), начало снижаться. Пришлось дополнять масштабирование, основанное на повышении разрешения фотолитографии, другими технологическими инновациями. Это требовалось для того, чтобы поддерживать необходимую динамику улучшения баланса таких показателей как производительность - мощность - площадь - стоимость. Это потребовало исследований материалов и новых архитектур, оптимизации проектирования и 3D-упаковки.
На уровне транзисторов ухудшение производительности при масштабировании возникло из-за так называемого явления короткого канала. Сокращение длины затвора и укорочение канала проводимости приводило к росту тока утечки, который стал значительным даже в ситуации, когда напряжение на затвор не подается. Значительно возросло влияние истока и стока на область сужения канала.
Эти эффекты заставили индустрию перейти от планарных МОП-транзисторов к FinFET, а сравнительно недавно начался переход к транзисторам на основе нанолистов Gate-all-around (GAA). Это позволило восстановить электростатический контроль затвора над каналом проводимости.
Это дало возможность продолжать сокращение размеров узлов и повышать плотность их размещения. Кроме того, были придуманы усовершенствованные схемы межсоединений, а также внедрена подача питания с тыльной стороны кристалла (BSPDN).
Как ожидается, далее последует переход от GAA к CFET, комплиментарному полевому транзистору, который в очередной раз позволит сократить площадь узла за счет наложения каналов n и p друг на друга. В Imec ожидают, что такие структуры будут внедряться, начиная с размера узла A7 (7 ангстрем) и далее, минимум, до А3. Как и в транзисторах GAA nanosheet, затвор, теперь общий для n и p, полностью охватывает и находится между каналами, обеспечивая максимальный электростатический контроль узла. (..)
@RUSmicro по материалам Imec
#CFET
Imec обещает скорый приход 2D-материалов в цифровые микросхемы
В цепочке постов попробую пересказать видение исследователей Imec по данной теме.
Дорожная карта масштабирования кремниевой логики
Уже не менее 20 лет, как стало понятно, что вдохновленное законом Мура размерное масштабирование более не обеспечивает необходимую эволюцию узлов технологии КМОП. Еще около 2005 года улучшение производительности при переходе к новым, более компактным узлам при фиксированной мощности (так называемый эффект Деннарда), начало снижаться. Пришлось дополнять масштабирование, основанное на повышении разрешения фотолитографии, другими технологическими инновациями. Это требовалось для того, чтобы поддерживать необходимую динамику улучшения баланса таких показателей как производительность - мощность - площадь - стоимость. Это потребовало исследований материалов и новых архитектур, оптимизации проектирования и 3D-упаковки.
На уровне транзисторов ухудшение производительности при масштабировании возникло из-за так называемого явления короткого канала. Сокращение длины затвора и укорочение канала проводимости приводило к росту тока утечки, который стал значительным даже в ситуации, когда напряжение на затвор не подается. Значительно возросло влияние истока и стока на область сужения канала.
Эти эффекты заставили индустрию перейти от планарных МОП-транзисторов к FinFET, а сравнительно недавно начался переход к транзисторам на основе нанолистов Gate-all-around (GAA). Это позволило восстановить электростатический контроль затвора над каналом проводимости.
Это дало возможность продолжать сокращение размеров узлов и повышать плотность их размещения. Кроме того, были придуманы усовершенствованные схемы межсоединений, а также внедрена подача питания с тыльной стороны кристалла (BSPDN).
Как ожидается, далее последует переход от GAA к CFET, комплиментарному полевому транзистору, который в очередной раз позволит сократить площадь узла за счет наложения каналов n и p друг на друга. В Imec ожидают, что такие структуры будут внедряться, начиная с размера узла A7 (7 ангстрем) и далее, минимум, до А3. Как и в транзисторах GAA nanosheet, затвор, теперь общий для n и p, полностью охватывает и находится между каналами, обеспечивая максимальный электростатический контроль узла. (..)
@RUSmicro по материалам Imec
#CFET
👍6❤1🔥1
(2) 2D-материалы
Хотя GAAFET и CFET и дают временную передышку, но эффекты короткого канала неизбежно усложнят дальнейшее масштибирование.
Постоянное уменьшение длины затвора и канала требуют все более тонких каналов, чтобы ограничить пути протекания тока, тем самым ограничивая возможность утечки носителей заряда при выключении устройства. Чтобы, например, масштабировать транзистор CFET в узел A2 с длиной канала проводимости менее 10нм, толщины Si-каналов тоже должны снизиться до значений менее 10нм. Но в настолько тонких Si-каналах мобильность носителей зарядов и ток транзистора в открытом состоянии начинают резко снижаться.
Именно здесь 2D-полупроводники, в частности, дихалькогениды переходных металлов (MX2) обещают интересные возможности. В этих полупроводниках атомы расположены в слоистых кристаллах, причем толщина одного слоя составляет всего лишь около 0.7 нм, что позволяет формировать очень тонкие каналы. Мало этого, они обещают поддерживать сравнительно высокую подвижность носителей зарядов, независимо от толщины канала. Это обеспечивает максимум возможностей масштабирования длины затвора и канала, не беспокоясь об эффектах короткого канала. (..)
Хотя GAAFET и CFET и дают временную передышку, но эффекты короткого канала неизбежно усложнят дальнейшее масштибирование.
Постоянное уменьшение длины затвора и канала требуют все более тонких каналов, чтобы ограничить пути протекания тока, тем самым ограничивая возможность утечки носителей заряда при выключении устройства. Чтобы, например, масштабировать транзистор CFET в узел A2 с длиной канала проводимости менее 10нм, толщины Si-каналов тоже должны снизиться до значений менее 10нм. Но в настолько тонких Si-каналах мобильность носителей зарядов и ток транзистора в открытом состоянии начинают резко снижаться.
Именно здесь 2D-полупроводники, в частности, дихалькогениды переходных металлов (MX2) обещают интересные возможности. В этих полупроводниках атомы расположены в слоистых кристаллах, причем толщина одного слоя составляет всего лишь около 0.7 нм, что позволяет формировать очень тонкие каналы. Мало этого, они обещают поддерживать сравнительно высокую подвижность носителей зарядов, независимо от толщины канала. Это обеспечивает максимум возможностей масштабирования длины затвора и канала, не беспокоясь об эффектах короткого канала. (..)
👍2
(3) Проблемы интеграции 2D материалов в перспективные узлы
Значительный скачок производительности, который мы ожидаем получить от применения 2D-канальных материалов для новых узлов, вызвал интерес у крупных производителей микросхем и в научных организациях. Можно отметить значительные инвестиции в исследования и разработки в этой теме, чтобы преодолеть препятствия на пути внедрения 2D-материалов. Такая интеграция действительно представила целый набор проблем, что увеличивает затраты и усилия, которые необходимы для движения к узлу A2.
Осаждение 2D-материалов
Прежде всего, стоит помнить о сложностях формирования слоев 2D-материалов методом осаждения. Для применения в высокопроизводительных устройствах обычно используют 2 пути:
🔸 Прямое выращивание 2D-слоя на целевой подложке;
🔸 Выращивание 2D-слоя на "подложке роста" с последующим отслаиванием и переносом слоя на целевую подложку
Прямое выращивание 2D-слоя обычно требует определенных подложек и высоких температур (порядка 1000 °C). Если требуется применять процессы и материалы, характерные для современного производства (а не лабораторные методы), то оказывается, что подложка скорее всего будет не идеальной для того, чтобы достичь высокой степени кристаллизации, а это негативно скажется на характеристиках сформированной пленки. И все же, этот пут может обеспечить необходимую конформность, покрытие на уровне пластины и совместимость с промышленными процессами.
При втором подходе вырастить 2D-слои можно на "идеальной" подложке (в этом качестве нередко используют сапфир), что облегчит получение высококачественных пленок и их последующий перенос на целевую пластину. Для переноса достаточно гораздо более скромных температур (около 300 °C). Но, очевидно, что этот метод состоит из большего количества этапов, что может негативно влиять, как на стоимость, так и на показатель выхода годных процесса изготовления чипа, что опять-таки окажет негативное влияние на стоимость.
Интеграция стека затворов
Вторая проблема связана с интеграцией стека затворов и осаждением диэлектрика. По иронии судьбы, именно та причина, которая позволяет делать столь тонкими 2D-материалы, усложняет осаждение диэлектрика. Слои 2D-материала вертикально связаны друг с другом очень слабыми силами Ван-дер-Ваальса (vdW), оставляя поверхность материала в основном пассивированной, без оборванных связей. Это создает проблему использования "классических" методов осаждения, которые так хорошо себя зарекомендовали в традиционных кремниевых процессах, включая метод осаждения атомных слоев (ALD), поскольку они основываются на взаимодействии с оборванными связями на поверхности слоя.
В последние годы imec и ведущие производители микросхем добились значительного прогресса. Были показаны нанолистовые 2D-каналы n-типа с интегрированными стеками затворов. Хотя и, в основном, в лабораторных устройствах [1-6].
Контакты исток / сток с низким сопротивлением
Третья важная пробема связана с формированием контактов исток / сток с низким сопротивлением. В случае кремния, контакты формируются за счет того, что металл приводят в соприкосновение с областями истока / стока, что создает барьер Шоттки на границе раздела. Затем носители зарядов могут быть инжектированы в источник посредством туннелирования. Для обеспечения низкоомности применяют 2 ключевых метода: (1) - сильное легирование областей истока/стока; (2) - образование силицидов. Проблема в том, что эти методы очень трудно реализовать на тонких слоях 2D-материалов, что побуждает исследователей искать альтернативные решения [7-9]. (..)
На картинке - слои 2D-материала (WS2), связанные по вертикали слабыми силами Ван-дер-Ваальса.
Значительный скачок производительности, который мы ожидаем получить от применения 2D-канальных материалов для новых узлов, вызвал интерес у крупных производителей микросхем и в научных организациях. Можно отметить значительные инвестиции в исследования и разработки в этой теме, чтобы преодолеть препятствия на пути внедрения 2D-материалов. Такая интеграция действительно представила целый набор проблем, что увеличивает затраты и усилия, которые необходимы для движения к узлу A2.
Осаждение 2D-материалов
Прежде всего, стоит помнить о сложностях формирования слоев 2D-материалов методом осаждения. Для применения в высокопроизводительных устройствах обычно используют 2 пути:
🔸 Прямое выращивание 2D-слоя на целевой подложке;
🔸 Выращивание 2D-слоя на "подложке роста" с последующим отслаиванием и переносом слоя на целевую подложку
Прямое выращивание 2D-слоя обычно требует определенных подложек и высоких температур (порядка 1000 °C). Если требуется применять процессы и материалы, характерные для современного производства (а не лабораторные методы), то оказывается, что подложка скорее всего будет не идеальной для того, чтобы достичь высокой степени кристаллизации, а это негативно скажется на характеристиках сформированной пленки. И все же, этот пут может обеспечить необходимую конформность, покрытие на уровне пластины и совместимость с промышленными процессами.
При втором подходе вырастить 2D-слои можно на "идеальной" подложке (в этом качестве нередко используют сапфир), что облегчит получение высококачественных пленок и их последующий перенос на целевую пластину. Для переноса достаточно гораздо более скромных температур (около 300 °C). Но, очевидно, что этот метод состоит из большего количества этапов, что может негативно влиять, как на стоимость, так и на показатель выхода годных процесса изготовления чипа, что опять-таки окажет негативное влияние на стоимость.
Интеграция стека затворов
Вторая проблема связана с интеграцией стека затворов и осаждением диэлектрика. По иронии судьбы, именно та причина, которая позволяет делать столь тонкими 2D-материалы, усложняет осаждение диэлектрика. Слои 2D-материала вертикально связаны друг с другом очень слабыми силами Ван-дер-Ваальса (vdW), оставляя поверхность материала в основном пассивированной, без оборванных связей. Это создает проблему использования "классических" методов осаждения, которые так хорошо себя зарекомендовали в традиционных кремниевых процессах, включая метод осаждения атомных слоев (ALD), поскольку они основываются на взаимодействии с оборванными связями на поверхности слоя.
В последние годы imec и ведущие производители микросхем добились значительного прогресса. Были показаны нанолистовые 2D-каналы n-типа с интегрированными стеками затворов. Хотя и, в основном, в лабораторных устройствах [1-6].
Контакты исток / сток с низким сопротивлением
Третья важная пробема связана с формированием контактов исток / сток с низким сопротивлением. В случае кремния, контакты формируются за счет того, что металл приводят в соприкосновение с областями истока / стока, что создает барьер Шоттки на границе раздела. Затем носители зарядов могут быть инжектированы в источник посредством туннелирования. Для обеспечения низкоомности применяют 2 ключевых метода: (1) - сильное легирование областей истока/стока; (2) - образование силицидов. Проблема в том, что эти методы очень трудно реализовать на тонких слоях 2D-материалов, что побуждает исследователей искать альтернативные решения [7-9]. (..)
На картинке - слои 2D-материала (WS2), связанные по вертикали слабыми силами Ван-дер-Ваальса.
❤4
(4) Легирование 2D-материалов
Легирование 2D-материалов имеет ключевое значение не только для формирования низкоомных контактов. Оно также необходимо для настройки порогового напряжения (Vth) в канале и для снижения сопротивления доступа. В отличие от 3D-аналогов, замещающее легирование в 2D-материалах с использованием обычной ионно-лучевой имплантации, значительно ухудшает транспортные свойства материала. Из-за тонкости слоев, замена даже одного атома в решетке, в 2D-материале приводит к более значимым эффектам, чем в 3D-материалах. Изучаются альтернативные методы легирования, например, электростатическое легирование или поверхностное легирование, но пока что не найдено оптимального решения.
Полевые транзисторы МОП p и n типа
Технология КМОП основана на комбинации полевых транзисторов с каналами n и p типа. В стандартных технологиях для формирования обоих типов полевых транзисторов используют кремний. Но пока что не найдено ни одного 2D-материала, который бы сделал это возможным. Например, используемый для n-каналов материал MoS2, не является оптимальным для p-типа. Наиболее перспективным сейчас считается WSe2.
Интеграция технологии и реального производства, необходимость повышения надежности и снижения разброса
До недавнего времени исследования 2D-материалов шли в основном в лабораториях, где могли получаться "рекордные" устройства. Но необходимы значительные усилия по дальнейшей разработки, чтобы довести технологию до возможности внедрения на производстве в масштабах пластин 300 мм [10]. Одновременно с этим потребуется повысить надежность и добиться снижения отклонений параметров получаемых устройств в ходе массового производства.
Внедрение 2D-материалов в менее производительные устройства - подходы imec
Пока ведущие производители микросхем и ученые ищут решения для внедрения 2D-материалов в каналы проводимости самых передовых транзисторов CFET, imec озаботился иным направлением, под влиянием проблем интеграции и ожидаемых затрат.
Чтобы сократить усилия и затраты на внедрение 2D-материалов в практику микроэлектроники, в imec решили поэтапно внедрять эту технологию в производство менее продвинутых узлов и в менее производительные устройства. Компания начинает фокусировать свои разработки модулей и производственного процесса работы с пластинами 300 мм для создания планарных 2D-устройств.
Как ожидается, к моменту, когда понадобится интегрировать 2D в очень сложные архитектуры CFET, мы сможем задействовать то, чем мы научимся. 2D-материалы уже будут внедрены в практику фаба, работающего с пластинами 300 мм, будут готовы решения для диэлектрического осаждения и формирования контактов исток / сток. Будут изучены пути повышения надежности и снижения вариативности. Далее - подробности. (..)
Легирование 2D-материалов имеет ключевое значение не только для формирования низкоомных контактов. Оно также необходимо для настройки порогового напряжения (Vth) в канале и для снижения сопротивления доступа. В отличие от 3D-аналогов, замещающее легирование в 2D-материалах с использованием обычной ионно-лучевой имплантации, значительно ухудшает транспортные свойства материала. Из-за тонкости слоев, замена даже одного атома в решетке, в 2D-материале приводит к более значимым эффектам, чем в 3D-материалах. Изучаются альтернативные методы легирования, например, электростатическое легирование или поверхностное легирование, но пока что не найдено оптимального решения.
Полевые транзисторы МОП p и n типа
Технология КМОП основана на комбинации полевых транзисторов с каналами n и p типа. В стандартных технологиях для формирования обоих типов полевых транзисторов используют кремний. Но пока что не найдено ни одного 2D-материала, который бы сделал это возможным. Например, используемый для n-каналов материал MoS2, не является оптимальным для p-типа. Наиболее перспективным сейчас считается WSe2.
Интеграция технологии и реального производства, необходимость повышения надежности и снижения разброса
До недавнего времени исследования 2D-материалов шли в основном в лабораториях, где могли получаться "рекордные" устройства. Но необходимы значительные усилия по дальнейшей разработки, чтобы довести технологию до возможности внедрения на производстве в масштабах пластин 300 мм [10]. Одновременно с этим потребуется повысить надежность и добиться снижения отклонений параметров получаемых устройств в ходе массового производства.
Внедрение 2D-материалов в менее производительные устройства - подходы imec
Пока ведущие производители микросхем и ученые ищут решения для внедрения 2D-материалов в каналы проводимости самых передовых транзисторов CFET, imec озаботился иным направлением, под влиянием проблем интеграции и ожидаемых затрат.
Чтобы сократить усилия и затраты на внедрение 2D-материалов в практику микроэлектроники, в imec решили поэтапно внедрять эту технологию в производство менее продвинутых узлов и в менее производительные устройства. Компания начинает фокусировать свои разработки модулей и производственного процесса работы с пластинами 300 мм для создания планарных 2D-устройств.
Как ожидается, к моменту, когда понадобится интегрировать 2D в очень сложные архитектуры CFET, мы сможем задействовать то, чем мы научимся. 2D-материалы уже будут внедрены в практику фаба, работающего с пластинами 300 мм, будут готовы решения для диэлектрического осаждения и формирования контактов исток / сток. Будут изучены пути повышения надежности и снижения вариативности. Далее - подробности. (..)
❤5👍1
(5) Планарные, основанные на 2D, n или pFET, в узле по техпроцессу А7
В imec работают над внедрением 2D-устройств на основе MX2 в узле A7. В этом новом поколении технологии, транзисторы CFET с каналами на основе кремния будут использованы для формирования высокопроизводительной логики КМОП, питание будет обеспечиваться снизу по технологии BSPDN, а кэш-память последнего уровня может подключаться к КМОП-логике с использованием передовых технологий 3D-упаковки.
Соответствующие планарные 2D-устройства на основе MX2 могут использоваться в качестве периферии, находясь в back-end-of-line (BEOL) или даже на тыльной стороне пластины. Вообразим, например, регулятор напряжения с малым падением напряжения (LDO) или менее производительные силовые переключатели, которые могли бы включать или выключать целые блоки логических КМПО-устройств.
Моделирование, проведенное в imec, показывает, что планарные nMOS (или p FET) устройства с каналом MX2 очень перспективны для таких приложений. На тыльной стороне пластины или в рамках BEOL будет больше места для их размещения. Таким образом можно снизить их площадь.
Для этих приложений предпочтительным методом осаждения видится перенос слоев: BEOL и обработка задней стороны ограничат доступный температурный бюджет до уровня ниже 400 °C, чтобы не ухудшать производительность устройств, уже присутствующих на передней стороне.
Прямое выращивание 2D-материалов при таких низких температурах (в промышленно совместимом режиме) - сложная задача, поскольку это может привести к формированию слоев низкого качества. (..)
В imec работают над внедрением 2D-устройств на основе MX2 в узле A7. В этом новом поколении технологии, транзисторы CFET с каналами на основе кремния будут использованы для формирования высокопроизводительной логики КМОП, питание будет обеспечиваться снизу по технологии BSPDN, а кэш-память последнего уровня может подключаться к КМОП-логике с использованием передовых технологий 3D-упаковки.
Соответствующие планарные 2D-устройства на основе MX2 могут использоваться в качестве периферии, находясь в back-end-of-line (BEOL) или даже на тыльной стороне пластины. Вообразим, например, регулятор напряжения с малым падением напряжения (LDO) или менее производительные силовые переключатели, которые могли бы включать или выключать целые блоки логических КМПО-устройств.
Моделирование, проведенное в imec, показывает, что планарные nMOS (или p FET) устройства с каналом MX2 очень перспективны для таких приложений. На тыльной стороне пластины или в рамках BEOL будет больше места для их размещения. Таким образом можно снизить их площадь.
Для этих приложений предпочтительным методом осаждения видится перенос слоев: BEOL и обработка задней стороны ограничат доступный температурный бюджет до уровня ниже 400 °C, чтобы не ухудшать производительность устройств, уже присутствующих на передней стороне.
Прямое выращивание 2D-материалов при таких низких температурах (в промышленно совместимом режиме) - сложная задача, поскольку это может привести к формированию слоев низкого качества. (..)
❤5
(6) Планарные 2D- и pFET транзисторы узла A3
Параллельно идут разработки по внедрению 2D-материала в технологический узел A3 imec. Здесь ожидается постепенный переход к CMOS 2.0, что позволит вновь вернуться к прогрессу в рамках закону Мура, внедряя гибридную интеграцию в вычислительную систему на кристалле (SoC) [11].
Этого планируется достигнуть за счет разбиения SoC на различные функциональные слои (с помощью STCO) и их объединения с использованием передовых методов 3D-упаковки и технологий, использующих тыльную сторону. Вместо использования самых передовых узлов в каждой функциональной части SoC, можно формировать функциональные слои с использованием наиболее подходящих для этого технологий. В частности, слои, требующие экстремальной плотности узлов (например, плотная логика) будут формироваться с использованием самой передовой технологии, например, CFET).
CMOS 2.0 позволяет плавно внедрять 2D-материалы в различные слои SoC. Например, силовые переключатели как часть активных межсоединений на тыльной стороне пластины или планарные устройства MX2 как часть слоев "пирога памяти". (..)
На картинке (горизонтальной) - пример возможного разделения SoC в эпоху CMOS2. Другая картинка (вертикальная) - техпроцесс A3 imec.
Параллельно идут разработки по внедрению 2D-материала в технологический узел A3 imec. Здесь ожидается постепенный переход к CMOS 2.0, что позволит вновь вернуться к прогрессу в рамках закону Мура, внедряя гибридную интеграцию в вычислительную систему на кристалле (SoC) [11].
Этого планируется достигнуть за счет разбиения SoC на различные функциональные слои (с помощью STCO) и их объединения с использованием передовых методов 3D-упаковки и технологий, использующих тыльную сторону. Вместо использования самых передовых узлов в каждой функциональной части SoC, можно формировать функциональные слои с использованием наиболее подходящих для этого технологий. В частности, слои, требующие экстремальной плотности узлов (например, плотная логика) будут формироваться с использованием самой передовой технологии, например, CFET).
CMOS 2.0 позволяет плавно внедрять 2D-материалы в различные слои SoC. Например, силовые переключатели как часть активных межсоединений на тыльной стороне пластины или планарные устройства MX2 как часть слоев "пирога памяти". (..)
На картинке (горизонтальной) - пример возможного разделения SoC в эпоху CMOS2. Другая картинка (вертикальная) - техпроцесс A3 imec.
❤5