Концерн Samsung Electronics разработал новый графический чип динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), отличающийся высокой скоростью и улучшенной энергоэффективностью. Микросхема GDDR6 изготовлена по 10-нанометровому технологическому процессу третьего поколения (EUV – литография в глубоком ультрафиолете), обладает на 30% большей скоростью обработки данных (24 Гбит/с против 18 Гбит/с) и улучшенной более чем на 20% энергоэффективностью. Новый чип DRAM способен обрабатывать графические изображения со скоростью до 1,1 терабайт в секунду, что, по утверждению Samsung, является самым высоким показателем в мире и эквивалентно обработке 275 фильмов в формате Full HD в секунду. Устройство предназначено для использования в персональных компьютерах, ноутбуках, игровых приставках или оборудовании для воспроизводства видео с высоким разрешением. Ожидается, что в дальнейшем оно найдёт своих потребителей в области высокопроизводительных вычислений, электромобилях и беспилотных транспортных средствах. С помощью нового чипа Samsung стремится укрепить лидирующие позиции на рынке графической памяти DRAM следующего поколения. В прошлом году доля ведущего южнокорейского концерна на мировом рынке видеопамяти DRAM составила 38,9%. Следом расположились американская Micron Technology Inc. - 33,3% и корейская SK Hynix Inc. - 27,8%.

https://www.koreaherald.com/view.php?ud=20220714000601

#Новости #Корея #Технологии #Полупроводники #Чипы #Samsung #DRAM #GDDR6 #Прогресс #EUV