Компания Samsung Electronics продолжает погружение в техпроцесс класса 10 нм. На этот раз всего через 16 месяцев после начала массового производства памяти DDR4 с использованием техпроцесса второго поколения 10-нм класса (1y-nm) южнокорейский производитель завершил разработку кристаллов памяти DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм (1z-nm). Что важно, техпроцесс третьего поколения 10-нм класса по-прежнему использует 193-нм литографические сканеры и не опирается на малопроизводительные пока сканеры диапазона EUV. Это означает, что переход к массовому выпуску памяти с использованием новейшего техпроцесса 1z-nm будет сравнительно быстрым и без значительных финансовых затрат на переоснащение линий.
#samsungelectronics #ddr4 #10нм #производствомикросхем
https://3dnews.ru/984549?utm_source=nova&utm_medium=tg

Как и предполагалось ещё в конце прошлого года, стоимость модулей оперативной памяти ощутимо упала. Как сообщает ресурс TechPowerUp, на данный момент цена модулей DDR4 опустилась до минимальной отметки за последние три года.
#оперативнаяпамять #ddr4 #g.skill #dram
https://3dnews.ru/985345?utm_source=nova&utm_medium=tg

На прошлой неделе компания Intel представила новые серверные платформы, которые, в том числе, будут поддержаны первыми серийными модулями Optane DC Persistent Memory в формате «планок» DDR4. Появление систем с этой энергонезависимой памятью вместо обычных модулей с чипами DRAM ожидается в начале лета, и компания Intel пока не спешит озвучить цену вопроса. Но есть нетерпеливые, и у нас появилась возможность сказать нечто определённое по этому поводу.
#intel #optanememory #ddr4 #цены
https://3dnews.ru/985418?utm_source=nova&utm_medium=tg

Модули памяти, построенные на чипах Samsung B-die, пожалуй, являются одним из самых популярных вариантов в среде энтузиастов. Однако южнокорейский производитель считает их устаревшими и в настоящее время останавливает их производство, предлагая на смену другие микросхемы DDR4-памяти, для производства которых применяются более новые техпроцессы. Это значит, что жизненный цикл небуферизованных модулей DDR4-памяти Samsung, основанных на микросхемах B-die, к настоящему моменту завершился, и в скором времени они пропадут из продажи. Прекратят поставки подобных модулей и прочие производители, которые используют в своих изделиях микросхемы Samsung B-die.
#samsung #ddr4 #память
https://3dnews.ru/986981?utm_source=nova&utm_medium=tg

Перспективные 7-нм процессоры AMD Ryzen 3000-й серии на базе архитектуры Zen 2 смогут работать с модулями оперативной памяти DDR4-3200 прямо из коробки, без дополнительного разгона. Об этом изначально сообщил ресурс VideoCardz, получивший информацию от одного из производителей материнских плат, а следом её подтвердил известный источник утечек с псевдонимом momomo_us.
#ryzen3000 #ddr4 #оперативнаяпамять #процессор
https://3dnews.ru/988085?utm_source=nova&utm_medium=tg

G.Skill представила оптимизированные для Ryzen 3000 модули DDR4-3800

Компания G.Skill представила в серии Trident Z Neo новые комплекты модулей оперативной памяти DDR4-3800, которые наилучшим образом оптимизированы для использования с процессорами AMD Ryzen 3000-й серии и настольной платформой AMD X570.
#g.skill #ryzen3000 #оперативнаяпамять #ddr4

https://3dnews.ru/991701?utm_source=nova&utm_medium=tg

DDR4-5902: новый рекорд разгона памяти покорился компактной материнской плате MSI

Компания MSI на днях выступила спонсором одного важного для оверклокерского сообщества эксперимента. Материнская плата MSI Z390I GAMING EDGE AC в компактном исполнении mini-ITX обновила мировой рекорд разгона оперативной памяти типа DDR4, который данный производитель плат помог установить ещё в начале текущего года. Тогда частота памяти смогла покорить планку DDR4-5608, и на протяжении последующих тридцати недель никто из соперников превзойти этот результат не смог.
#msi #ddr4 #разгон #miniitx

https://3dnews.ru/992009?utm_source=nova&utm_medium=tg