✅ Nvidia представит Arm-процессор для мощных ПК в сентябре 2025 года
Nvidia разрабатывает новую потребительскую платформу для ПК на архитектуре Arm, которая планируется к запуску примерно через год — в сентябре 2025 года, согласно информации от DigiTimes. Эта платформа будет ориентирована на компьютеры под Windows в премиальном сегменте рынка.
Платформа будет включать как процессоры собственной разработки Nvidia, так и чипы, созданные в сотрудничестве с MediaTek. Однако формулировка источника оставляет неясность в отношении сроков развертывания: возможно, анонс Arm-платформы состоится в сентябре 2025 года, с выходом на рынок в марте 2026 года, или же потребительский процессор будет представлен в сентябре 2025 года, а его бизнес-ориентированный аналог — в марте 2026 года.
Эксперты отмечают, что у Nvidia есть все шансы на успешный старт в сегменте клиентских ПК. Компания занимает лидирующие позиции на рынках серверных ускорителей для искусственного интеллекта и дискретной графики, а также имеет опыт в разработке центральных процессоров, таких как Grace и мобильные чипы Tegra. В сегменте массовых ПК Nvidia столкнется с конкуренцией со стороны AMD, Intel и Qualcomm, а через год к ним может присоединиться и MediaTek со своими процессорами Dimensity. Однако для Nvidia, учитывая её опыт с Tegra, это не будет новинкой.
Ожидается, что Nvidia сможет создать высокопроизводительный центральный процессор, оптимизированный для игр, в сочетании с мощной графикой, что позволит ей конкурировать с предложениями на архитектуре x86 от AMD и Intel. Также стоит отметить, что компания активно сотрудничает с разработчиками игр, что может обеспечить совместимость множества популярных игр с Arm-чипами.
Nvidia давно проявляет интерес к выходу на рынок ПК, и у неё есть потенциал для конкуренции с доминирующими игроками, такими как AMD и Intel. В прошлом, в 2011 году, Microsoft выпустила Windows RT для чипов Nvidia, Qualcomm и Texas Instruments, но эта попытка не увенчалась успехом. В середине 2010-х Qualcomm была единственным игроком на рынке Windows on Arm, но не смогла добиться массового успеха. Новые чипы Qualcomm Snapdragon X Elite, предлагающие высокую производительность и совместимость с приложениями Windows, могут открыть двери для других игроков, включая Nvidia и MediaTek.
#ssd #prossd #nvidia #MediaTek
Nvidia разрабатывает новую потребительскую платформу для ПК на архитектуре Arm, которая планируется к запуску примерно через год — в сентябре 2025 года, согласно информации от DigiTimes. Эта платформа будет ориентирована на компьютеры под Windows в премиальном сегменте рынка.
Платформа будет включать как процессоры собственной разработки Nvidia, так и чипы, созданные в сотрудничестве с MediaTek. Однако формулировка источника оставляет неясность в отношении сроков развертывания: возможно, анонс Arm-платформы состоится в сентябре 2025 года, с выходом на рынок в марте 2026 года, или же потребительский процессор будет представлен в сентябре 2025 года, а его бизнес-ориентированный аналог — в марте 2026 года.
Эксперты отмечают, что у Nvidia есть все шансы на успешный старт в сегменте клиентских ПК. Компания занимает лидирующие позиции на рынках серверных ускорителей для искусственного интеллекта и дискретной графики, а также имеет опыт в разработке центральных процессоров, таких как Grace и мобильные чипы Tegra. В сегменте массовых ПК Nvidia столкнется с конкуренцией со стороны AMD, Intel и Qualcomm, а через год к ним может присоединиться и MediaTek со своими процессорами Dimensity. Однако для Nvidia, учитывая её опыт с Tegra, это не будет новинкой.
Ожидается, что Nvidia сможет создать высокопроизводительный центральный процессор, оптимизированный для игр, в сочетании с мощной графикой, что позволит ей конкурировать с предложениями на архитектуре x86 от AMD и Intel. Также стоит отметить, что компания активно сотрудничает с разработчиками игр, что может обеспечить совместимость множества популярных игр с Arm-чипами.
Nvidia давно проявляет интерес к выходу на рынок ПК, и у неё есть потенциал для конкуренции с доминирующими игроками, такими как AMD и Intel. В прошлом, в 2011 году, Microsoft выпустила Windows RT для чипов Nvidia, Qualcomm и Texas Instruments, но эта попытка не увенчалась успехом. В середине 2010-х Qualcomm была единственным игроком на рынке Windows on Arm, но не смогла добиться массового успеха. Новые чипы Qualcomm Snapdragon X Elite, предлагающие высокую производительность и совместимость с приложениями Windows, могут открыть двери для других игроков, включая Nvidia и MediaTek.
#ssd #prossd #nvidia #MediaTek
✅ Правительство запретило незарегистрированным майнерам расходовать более 6000 кВт·ч электроэнергии в месяц
Правительство Российской Федерации утвердило новые требования к операторам майнинговой инфраструктуры и майнерам криптовалют, согласно информации, опубликованной ТАСС. Это решение стало результатом завершения работы над нормативной правовой базой, регулирующей сферу майнинга цифровых валют.
Согласно новым постановлениям, физические лица смогут заниматься майнингом без регистрации в качестве индивидуального предпринимателя, однако им установлен лимит энергопотребления на уровне 6000 кВт·ч. Если этот лимит будет превышен, физическое лицо должно будет зарегистрироваться как ИП и включиться в специальные реестры, которые ведёт Федеральная налоговая служба (ФНС). Это требование также распространяется на организации, занимающиеся майнингом. Важно отметить, что в регионах с дефицитом электроэнергии майнинг будет запрещён.
Информация из реестров будет доступна различным органам власти, включая суды, Центральный банк, территориальные сетевые организации и «Системного оператора ЕЭС».
Майнеры обязаны предоставлять ФНС данные о количестве добытой цифровой валюты и адресе-идентификаторе, на который она поступила. Эти сведения могут также быть запрошены федеральными органами исполнительной власти, прокуратурой, следственными органами и службами оперативно-розыскной деятельности.
С 1 ноября 2023 года в России вступили в силу положения закона, подписанного президентом Владимиром Путиным в августе, включая создание реестра операторов майнинговой инфраструктуры и майнеров цифровой валюты.
#ssd #prossd
Правительство Российской Федерации утвердило новые требования к операторам майнинговой инфраструктуры и майнерам криптовалют, согласно информации, опубликованной ТАСС. Это решение стало результатом завершения работы над нормативной правовой базой, регулирующей сферу майнинга цифровых валют.
Согласно новым постановлениям, физические лица смогут заниматься майнингом без регистрации в качестве индивидуального предпринимателя, однако им установлен лимит энергопотребления на уровне 6000 кВт·ч. Если этот лимит будет превышен, физическое лицо должно будет зарегистрироваться как ИП и включиться в специальные реестры, которые ведёт Федеральная налоговая служба (ФНС). Это требование также распространяется на организации, занимающиеся майнингом. Важно отметить, что в регионах с дефицитом электроэнергии майнинг будет запрещён.
Информация из реестров будет доступна различным органам власти, включая суды, Центральный банк, территориальные сетевые организации и «Системного оператора ЕЭС».
Майнеры обязаны предоставлять ФНС данные о количестве добытой цифровой валюты и адресе-идентификаторе, на который она поступила. Эти сведения могут также быть запрошены федеральными органами исполнительной власти, прокуратурой, следственными органами и службами оперативно-розыскной деятельности.
С 1 ноября 2023 года в России вступили в силу положения закона, подписанного президентом Владимиром Путиным в августе, включая создание реестра операторов майнинговой инфраструктуры и майнеров цифровой валюты.
#ssd #prossd
✅ SK hynix ускорит создание памяти HBM4, потому что об этом попросил глава Nvidia
SK hynix ускорит выпуск нового поколения чипов памяти HBM для задач, связанных с искусственным интеллектом (ИИ), после запроса главы Nvidia Дженсена Хуанга о возможности начать поставки образцов новой памяти на шесть месяцев раньше запланированного срока. Это решение подчеркивает сохраняющийся мировой спрос на передовые полупроводники, сообщает Bloomberg.
Хуанг поднял вопрос о высокопроизводительной памяти HBM4 на встрече с председателем SK Group Чеем Тэ Воном в рамках саммита SK AI, где обсуждали технологии ИИ. Чей отметил, что успех Хуанга как лидера во многом связан с его акцентом на быстром внедрении новых решений на рынок.
Ранее SK hynix сообщала о планах начать поставки памяти HBM4 во второй половине 2025 года. Однако судьба поставок будет зависеть от успешного завершения квалификации микросхем со стороны Nvidia. По словам топ-менеджера SK Group, обе компании находятся на одной волне относительно графика выпуска HBM4. В то же время Nvidia сталкивается с дефицитом ИИ-чипов, и обе компании работают над решением этой проблемы.
Кроме того, SK hynix анонсировала выпуск 16-слойных чипов памяти HBM3E в начале 2025 года и планирует выпустить HBM5 и HBM5E в 2028-2030 годах. В прошлом месяце компания сообщила о рекордной квартальной выручке и планах начать поставки своих 12-слойных чипов HBM3E в четвёртом квартале текущего года.
Samsung Electronics, стремящаяся догнать SK hynix в производстве ИИ-чипов, также объявила о планах массового производства HBM4 во второй половине следующего года, надеясь, что её продукты помогут конкурировать с SK hynix в поставках для Nvidia.
#ssd #prossd #samsung #nvidia
SK hynix ускорит выпуск нового поколения чипов памяти HBM для задач, связанных с искусственным интеллектом (ИИ), после запроса главы Nvidia Дженсена Хуанга о возможности начать поставки образцов новой памяти на шесть месяцев раньше запланированного срока. Это решение подчеркивает сохраняющийся мировой спрос на передовые полупроводники, сообщает Bloomberg.
Хуанг поднял вопрос о высокопроизводительной памяти HBM4 на встрече с председателем SK Group Чеем Тэ Воном в рамках саммита SK AI, где обсуждали технологии ИИ. Чей отметил, что успех Хуанга как лидера во многом связан с его акцентом на быстром внедрении новых решений на рынок.
Ранее SK hynix сообщала о планах начать поставки памяти HBM4 во второй половине 2025 года. Однако судьба поставок будет зависеть от успешного завершения квалификации микросхем со стороны Nvidia. По словам топ-менеджера SK Group, обе компании находятся на одной волне относительно графика выпуска HBM4. В то же время Nvidia сталкивается с дефицитом ИИ-чипов, и обе компании работают над решением этой проблемы.
Кроме того, SK hynix анонсировала выпуск 16-слойных чипов памяти HBM3E в начале 2025 года и планирует выпустить HBM5 и HBM5E в 2028-2030 годах. В прошлом месяце компания сообщила о рекордной квартальной выручке и планах начать поставки своих 12-слойных чипов HBM3E в четвёртом квартале текущего года.
Samsung Electronics, стремящаяся догнать SK hynix в производстве ИИ-чипов, также объявила о планах массового производства HBM4 во второй половине следующего года, надеясь, что её продукты помогут конкурировать с SK hynix в поставках для Nvidia.
#ssd #prossd #samsung #nvidia
✅ MSI и Kingston похвастались новым рекордом разгона DDR5 — 12 196 МТ/с
Компании MSI и Kingston установили новый мировой рекорд разгона оперативной памяти. Тайваньский оверклокер Кован Янг (Kovan Yang) использовал материнскую плату MSI MEG Z890 UNIFY-X для разгона модуля памяти Kingston Fury Renegade DDR5 CUDIMM объёмом 24 Гбайт до впечатляющей скорости 12 196 МТ/с.
Этот результат превзошёл предыдущий рекорд, установленный Янгом, на 88 МТ/с — тогда модуль памяти был разогнан до 12 108 МТ/с. Согласно подтверждённым данным, модуль работал на эффективной частоте 6097,6 МГц (12 196 МТ/с) с таймингами CL48-120-120-127-2.
В процессе разгона использовался процессор Core Ultra 7 265KF из новой серии Arrow Lake-S, который был замедлён до 400 МГц, при этом почти все ядра были отключены, оставив лишь два активными. Для обеспечения экстремального разгона была применена система охлаждения с использованием жидкого азота.
#ssd #prossd #MSI #Kingston #DDR5 #CUDIMM
Компании MSI и Kingston установили новый мировой рекорд разгона оперативной памяти. Тайваньский оверклокер Кован Янг (Kovan Yang) использовал материнскую плату MSI MEG Z890 UNIFY-X для разгона модуля памяти Kingston Fury Renegade DDR5 CUDIMM объёмом 24 Гбайт до впечатляющей скорости 12 196 МТ/с.
Этот результат превзошёл предыдущий рекорд, установленный Янгом, на 88 МТ/с — тогда модуль памяти был разогнан до 12 108 МТ/с. Согласно подтверждённым данным, модуль работал на эффективной частоте 6097,6 МГц (12 196 МТ/с) с таймингами CL48-120-120-127-2.
В процессе разгона использовался процессор Core Ultra 7 265KF из новой серии Arrow Lake-S, который был замедлён до 400 МГц, при этом почти все ядра были отключены, оставив лишь два активными. Для обеспечения экстремального разгона была применена система охлаждения с использованием жидкого азота.
#ssd #prossd #MSI #Kingston #DDR5 #CUDIMM
✅ SK hynix представила первые в мире стеки HBM3E из 16 кристаллов — 48 Гбайт в одном модуле
SK hynix представила первые в мире стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт, состоящие из 16 кристаллов, что стало новым рекордом для архитектуры 16-Hi. Об этом было объявлено на SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральным директором компании Кваком Но Чуном. Он подчеркнул стратегию SK hynix по превращению в поставщика полного ассортимента решений на базе памяти DRAM и NAND, ориентированных на искусственный интеллект (ИИ).
Квак отметил, что роль памяти значительно изменилась за последние десятилетия, и с развитием ИИ она будет играть ещё более важную роль в создании новых форм взаимодействия и творчества. Концепция «Креативной памяти», разработанная SK hynix, основана на использовании полупроводников нового поколения, обеспечивающих мощные вычислительные возможности для решения сложных задач.
Компания активно стремится к инновациям, предлагая уникальные решения, включая продукцию категории Beyond Best, которая отличается высокой конкурентоспособностью и инновациями, ориентированными на потребности ИИ-систем. В начале следующего года SK hynix планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, подчеркивая свою готовность внедрять передовые достижения в области памяти для ИИ.
HBM3E с архитектурой 16-Hi обеспечивает повышение производительности до 18% в обучении ИИ-моделей и до 32% в обработке данных по сравнению с решениями на основе 12-Hi. Это решение поможет SK hynix укрепить своё положение на рынке памяти для ИИ, особенно с ростом спроса на ИИ-ускорители для обработки данных. Для массового производства 16-слойной HBM3E будет использоваться усовершенствованная технология Advanced MR-MUF.
Кроме HBM3E, SK hynix разрабатывает решения для других секторов, включая модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6. В планах компании также интеграция логики в базовый кристалл в памяти HBM4, что позволит разрабатывать кастомизированные HBM-решения, адаптированные к специфическим запросам клиентов.
Память HBM3E обеспечивает максимальную скорость передачи данных на контакт 9,2 Гбит/с, что позволяет достичь пропускной способности свыше 1,2 Тбайт/с. В ответ на растущие потребности ИИ-систем в увеличении объёма памяти SK hynix разрабатывает решения на основе CXL-сетей для интеграции различных типов памяти в массивы высокой ёмкости. Также компания работает над eSSD с ультравысокой ёмкостью для эффективного хранения больших объёмов данных.
SK hynix стремится преодолеть «барьер памяти», разрабатывая технологии с встроенными вычислительными возможностями, такие как Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage, что позволит обрабатывать большие объёмы данных с минимальными задержками и высокой пропускной способностью, открывая новые перспективы для ИИ-систем нового поколения.
#ssd #prossd #hynix #nvidia
SK hynix представила первые в мире стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт, состоящие из 16 кристаллов, что стало новым рекордом для архитектуры 16-Hi. Об этом было объявлено на SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральным директором компании Кваком Но Чуном. Он подчеркнул стратегию SK hynix по превращению в поставщика полного ассортимента решений на базе памяти DRAM и NAND, ориентированных на искусственный интеллект (ИИ).
Квак отметил, что роль памяти значительно изменилась за последние десятилетия, и с развитием ИИ она будет играть ещё более важную роль в создании новых форм взаимодействия и творчества. Концепция «Креативной памяти», разработанная SK hynix, основана на использовании полупроводников нового поколения, обеспечивающих мощные вычислительные возможности для решения сложных задач.
Компания активно стремится к инновациям, предлагая уникальные решения, включая продукцию категории Beyond Best, которая отличается высокой конкурентоспособностью и инновациями, ориентированными на потребности ИИ-систем. В начале следующего года SK hynix планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, подчеркивая свою готовность внедрять передовые достижения в области памяти для ИИ.
HBM3E с архитектурой 16-Hi обеспечивает повышение производительности до 18% в обучении ИИ-моделей и до 32% в обработке данных по сравнению с решениями на основе 12-Hi. Это решение поможет SK hynix укрепить своё положение на рынке памяти для ИИ, особенно с ростом спроса на ИИ-ускорители для обработки данных. Для массового производства 16-слойной HBM3E будет использоваться усовершенствованная технология Advanced MR-MUF.
Кроме HBM3E, SK hynix разрабатывает решения для других секторов, включая модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6. В планах компании также интеграция логики в базовый кристалл в памяти HBM4, что позволит разрабатывать кастомизированные HBM-решения, адаптированные к специфическим запросам клиентов.
Память HBM3E обеспечивает максимальную скорость передачи данных на контакт 9,2 Гбит/с, что позволяет достичь пропускной способности свыше 1,2 Тбайт/с. В ответ на растущие потребности ИИ-систем в увеличении объёма памяти SK hynix разрабатывает решения на основе CXL-сетей для интеграции различных типов памяти в массивы высокой ёмкости. Также компания работает над eSSD с ультравысокой ёмкостью для эффективного хранения больших объёмов данных.
SK hynix стремится преодолеть «барьер памяти», разрабатывая технологии с встроенными вычислительными возможностями, такие как Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage, что позволит обрабатывать большие объёмы данных с минимальными задержками и высокой пропускной способностью, открывая новые перспективы для ИИ-систем нового поколения.
#ssd #prossd #hynix #nvidia
✅ IRDM представила накопители IRDM PRO GEN 5 SSD — до 4 Тбайт и до 12 000 Мбайт/с
Игровой бренд IRDM, принадлежащий польскому производителю оперативной памяти и твердотельных накопителей Wilk Electronik SA (более известному под брендом Goodram), представил новую серию твердотельных накопителей IRDM PRO GEN 5 SSD. В эту серию вошли модели объёмом 1, 2 и 4 Тбайт.
Накопители IRDM PRO GEN 5 используют флеш-память 3D TLC NAND и контроллер Phison PS5026-E26. Для модели объёмом 1 Тбайт производитель указывает скорости последовательного чтения и записи на уровне 11 500 и 9 500 Мбайт/с соответственно. Модели объёмом 2 и 4 Тбайт обеспечивают ещё более высокие скорости — 12 000 Мбайт/с при чтении и 11 000 Мбайт/с при записи.
Что касается производительности в операциях случайного чтения и записи, то для накопителя объёмом 1 Тбайт заявлены показатели 1,3 млн IOPS для чтения и 1,4 млн IOPS для записи. Для моделей объёмом 2 и 4 Тбайт эти показатели составляют 1,4 млн IOPS в обоих случаях.
Ресурс перезаписи для модели на 1 Тбайт составляет 700 TBW (терабайт перезаписанной информации), а для накопителей объёмом 2 и 4 Тбайт — 1400 и 3000 TBW соответственно. Все накопители оснащены тонкими графеновыми радиаторами с двойным слоем, которые, по заявлению производителя, в 20 раз эффективнее алюминия по показателям рассеивания тепла.
На накопители IRDM PRO GEN 5 предоставляется пятилетняя гарантия производителя, однако информация о стоимости новинок пока не раскрыта.
#ssd #prossd #irdm #Goodram
Игровой бренд IRDM, принадлежащий польскому производителю оперативной памяти и твердотельных накопителей Wilk Electronik SA (более известному под брендом Goodram), представил новую серию твердотельных накопителей IRDM PRO GEN 5 SSD. В эту серию вошли модели объёмом 1, 2 и 4 Тбайт.
Накопители IRDM PRO GEN 5 используют флеш-память 3D TLC NAND и контроллер Phison PS5026-E26. Для модели объёмом 1 Тбайт производитель указывает скорости последовательного чтения и записи на уровне 11 500 и 9 500 Мбайт/с соответственно. Модели объёмом 2 и 4 Тбайт обеспечивают ещё более высокие скорости — 12 000 Мбайт/с при чтении и 11 000 Мбайт/с при записи.
Что касается производительности в операциях случайного чтения и записи, то для накопителя объёмом 1 Тбайт заявлены показатели 1,3 млн IOPS для чтения и 1,4 млн IOPS для записи. Для моделей объёмом 2 и 4 Тбайт эти показатели составляют 1,4 млн IOPS в обоих случаях.
Ресурс перезаписи для модели на 1 Тбайт составляет 700 TBW (терабайт перезаписанной информации), а для накопителей объёмом 2 и 4 Тбайт — 1400 и 3000 TBW соответственно. Все накопители оснащены тонкими графеновыми радиаторами с двойным слоем, которые, по заявлению производителя, в 20 раз эффективнее алюминия по показателям рассеивания тепла.
На накопители IRDM PRO GEN 5 предоставляется пятилетняя гарантия производителя, однако информация о стоимости новинок пока не раскрыта.
#ssd #prossd #irdm #Goodram
💬 Занимаюсь новым компом для бати. На днях будет видос.
❗ Но! Пока не знаю на какой канал залить ролик, поэтому подписывайтесь на лайв канал - proSSD live
👉🏻 https://youtube.com/@prossd_live
❗ Но! Пока не знаю на какой канал залить ролик, поэтому подписывайтесь на лайв канал - proSSD live
👉🏻 https://youtube.com/@prossd_live
✅ Corsair выпустила MP700 Elite — доступные SSD с PCIe 5.0 объёмом до 2 Тбайт со скоростью до 10 000 Мбайт/с
Компания Corsair продолжает расширять свою серию твердотельных накопителей MP700 стандарта PCIe 5.0, добавляя новую модель MP700 Elite. Эта новинка, несмотря на своё название, предлагает несколько меньшую производительность по сравнению с ранее выпущенными моделями, такими как MP700 Pro, MP700 Pro SE и MP700 Pro Hydro, и имеет более доступную цену.
В MP700 Elite используется 218-слойная флеш-память Kioxia BiCS8 3D TLC NAND в сочетании с контроллером Phison E31T. Накопитель предлагается в версиях объёмом 1 и 2 Тбайт. Для обеих моделей заявлены скорости последовательного чтения и записи до 10 000 и 8 500 Мбайт/с соответственно, а также производительность в операциях случайного чтения и записи до 1,3 и 1,4 млн IOPS.
Ресурс перезаписи для версии на 1 Тбайт составляет 600 TBW (терабайт перезаписанной информации), а для модели на 2 Тбайт — 1200 TBW. На все накопители предоставляется пятилетняя гарантия производителя.
Corsair также предлагает SSD как с радиаторами, так и без них. Хотя стоимость версий с радиаторами пока не раскрыта, вариант SSD объёмом 1 Тбайт без радиатора оценён в $144,99, а модель на 2 Тбайт — в $254,99. Новинки уже доступны для покупки через официальный сайт Corsair.
#ssd #prossd #Corsair #Kioxia
Компания Corsair продолжает расширять свою серию твердотельных накопителей MP700 стандарта PCIe 5.0, добавляя новую модель MP700 Elite. Эта новинка, несмотря на своё название, предлагает несколько меньшую производительность по сравнению с ранее выпущенными моделями, такими как MP700 Pro, MP700 Pro SE и MP700 Pro Hydro, и имеет более доступную цену.
В MP700 Elite используется 218-слойная флеш-память Kioxia BiCS8 3D TLC NAND в сочетании с контроллером Phison E31T. Накопитель предлагается в версиях объёмом 1 и 2 Тбайт. Для обеих моделей заявлены скорости последовательного чтения и записи до 10 000 и 8 500 Мбайт/с соответственно, а также производительность в операциях случайного чтения и записи до 1,3 и 1,4 млн IOPS.
Ресурс перезаписи для версии на 1 Тбайт составляет 600 TBW (терабайт перезаписанной информации), а для модели на 2 Тбайт — 1200 TBW. На все накопители предоставляется пятилетняя гарантия производителя.
Corsair также предлагает SSD как с радиаторами, так и без них. Хотя стоимость версий с радиаторами пока не раскрыта, вариант SSD объёмом 1 Тбайт без радиатора оценён в $144,99, а модель на 2 Тбайт — в $254,99. Новинки уже доступны для покупки через официальный сайт Corsair.
#ssd #prossd #Corsair #Kioxia