Микроэлектроника для УРФУ сквозная тема: математика, физика твердого тела, химия, радиохимия, электродинамика, материаловедение и искусственный интеллект.

В части электроники мы ориентируемся на подготовку разработчиков технологий и устройств. Главная особенность – персонализированный подход, заключающий в том, что студент уже после получения базового университетского образования, которое является крайне интенсивным, вовлекается в научную работу со 2, 3 или 4 курса. Причем эта научная работа прописана в рамках учебного процесса под руководством ведущих ученых.

Мы говорим о том, что необходима разработка отечественных САПР. Зачем мы тогда сейчас в образовательной траектории закладываем зарубежный САПР? Готовя сейчас специалистов по зарубежным САПР, мы закладываем агентов влияния на следующие 10-15-20 лет.

Учить надо не специальностям. Учить надо умению учиться. Навыкам учёбы. Нужно закладывать базовые знания, среди которых умение учиться должно быть на равных с физикой полупроводников, с квантовой механикой, с математикой.

Для подготовки кадров мы предлагаем создание сети лабораторий, оснащенных отечественным оборудованием. Мы, со своей стороны, способны удовлетворить спрос таких лабораторий во всех типах оборудования.

Мы смогли выработать пул инструментов, которые являются не только полезными для бизнес-сообщества, но и эффективными. Мы сопровождаем инвесторов от момента инициирования проекта до реализации бизнес-идеи. В городе функционирует «Московский фонд промышленности и предпринимательства», в рамках которого действует программа "555". Предприниматель может получить в любом банке кредит, и Москва 50% ключевой ставки субсидирует. Объем кредита - до 5 млрд рублей, срок до 5 лет.

Кульминацией поддержки отрасли силовой электроники являются инвестиционные проекты, которые направлены на создание отечественных кристальных производств. В дополнение к проекту «Кубик», реализуемому на заводе АО «Микрон», по созданию фабрики силовой электроники на основе кремния и карбида кремния, АО «НИИЭТ» запустил проект по созданию кристального производства силовых приборов на основе технологий широкозонного полупроводника нитрида галлия.