Наша задача – не прятаться от радиации, а создавать современные полупроводниковые приборы и микросхемы, которые будут предсказуемо работать в условиях воздействия ионизирующего излучения естественного и искусственного происхождения. Понимание доминирующих радиационных эффектов – ключ к созданию надежной техники будущего.

В рамках созданного дизайн-центра разработаны современные изделия ЭКБ, экспериментально подтверждено, что их электрические параметры и показатели радиационной стойкости соответствуют зарубежным аналогам.

Использование испытательных средств на основе лазерных источников позволяет в полной мере реализовывать методики испытаний, соответствующие положениям современных стандартов, при этом со значительным уменьшением временных, трудовых и финансовых затрат по сравнению с использованием «классических» радиационно-испытательных установок.

Применение методов расчёта локальной дозовой нагрузки за суммарной массовой защитой без учёта рассеяния частиц на конструкционных слоях, выступающих в качестве защиты, приводит к повышению консервативности результатов оценки тем больше (до порядка величины), чем больше количество таких слоев, и чем больше они пространственно разнесены друг от друга.

Проблема оценки показателей стойкости электронных модулей высокой степени интеграции к воздействию ИИ КП по одиночным радиационным эффектам требует нового подхода к проведению испытаний, основанного на получении сечения одиночных эффектов не покомпонентно, а в целом для модуля без привязки к их виду (SEU, SEFI и т.д.), с одновременной доработкой существующей нормативной базы.

Разработанные библиотеки радиационно-стойких элементов могут иметь существенное преимущество перед стандартными библиотеками для задач проектирования сложно-функциональных управляющих хаотических систем, предназначенных для радиационных условий. Актуальность разработки данных систем связана с возможностью применения технологий искусственного интеллекта как при формировании моделей-аттракторов, так и при оценке эффективности применяемых технологий изготовления ЭКБ в целом для конкретного проекта.

Проектирование радиационно-стойких и сбоеустойчивых компонентов это всегда набор методов, инженерных решений и компромиссов.

Развитие технологий микроэлектроники невозможно без опережающего развития специальных средств измерения. И заграница нам не поможет, даже если очень захочет. Обычные измерительные приборы по ряду характеристик непригодны для использования в составе автоматизированных производственных линий.

Цеховая тара – важная часть технологического развития и экономики микроэлектронных производств. Она продолжает эволюционировать, и для долгосрочного успеха её выбор при проектировании фабрик и разработке оборудования должен быть осознанным, с учётом сегодняшних реалий, трендов развития и требований завтрашнего дня.

Успешная стратегия разработки метрологического оборудования для технологических норм до 90 нм с возможностью дальнейшего перехода до 28 нм должна включать в себя такие факторы, как узловая унификация, кооперация с поставщиками, ценовая дисциплина и постоянный мониторинг мирового рынка; иначе это может обернуться разработкой вечного «макета».

Нехватка отечественных камер на основе КМОП сенсоров с глобальным затвором существенно ограничивает производительность и функционал систем машинного зрения, а отсутствие унификации с международными стандартами передачи видеоданных делает разрабатываемое программное обеспечение критически зависимым от используемой камеры.