🤩 «Корпорация Роботов» вошла в Консорциум Робототехники и систем интеллектуального управления

24 сентября на полях форума «Микроэлектроника 2025» подписано соглашение о вступлении АО «Корпорация Роботов», развивающего направление робототехники в ГК «Элемент», в Консорциум Робототехники и систем интеллектуального управления. Документ подписали заместитель председателя правления, директор Консорциума Робототехники Виктор Толмачёв и генеральный директор АО «Корпорация Роботов» Александр Алексеев.

🤩 Подробнее

#корпорацияроботов
#микроэлектроника2025


🤩 Форум Микроэлектроника

🤩Круглый стол «Научный отчет vs КД и ТД: как привести прорывные научные результаты в реальный сектор? Обсуждение конкретных кейсов и выработка рекомендаций»: самые интересные цитаты спикеров

🤩 Ваграмян Тигран Ашотович, РХТУ им. Д.И. Менделеева:

Мы выполнили ряд государственных проектов, в частности композиции, разработанные для обработки поверхности в рамках госзадания. Разработали порядка 17 всевозможных композиций, сделали на них технические условия, организовали участок по производству. Ннекоторые наши разработки успешно выпускаются и внедряются в промышленности, но не все. Потому что мы столкнулись с тем, что есть отраслевые стандарты, в которых новые процессы, принципиально новые, не прописаны, и туда войти довольно сложно.

🤩 Харламов Максим Сергеевич, руководитель проекта, ФПИ:

Моё мнение, в том числе как специалиста и разработчика в недавнем прошлом, что реально эффективные и хорошие результаты не получаются без инициативы "снизу". Можно дать цель "сверху", можно организовать условия, поставить задачу или даже её навязать, но успех и качество выполнения зависит прежде всего от заинтересованности исполнителя. А особенно инициативные могут сами найти себе и задачу, и мотивацию и "пробить лбом" путь к её реализации. Успешные проекты идут бок о бок с настойчивостью и упорством, и это нормальная часть естественного отбора.

🤩 Нагаев Николай Александрович, технический директор, АО «ЗПП»:

Для разработчиков какая-то технология – это уже результат. Для производства результат – это техпроцесс, отлаженный новый продукт, возможность применить разработку практически.
Когда есть возможность соединить разработчиков и производство, когда производство ставит задачу, разработчики под эту задачу что-то придумывают, и производство тут же это все реализовывает, тогда результат появляется. Поэтому результат появляется тогда, когда люди объединяются на одной площадке.

🤩 Владимирова Витта Георгиевна, генеральный директор, ООО «Свободная энергия»:

Для решения проблемы повышения инновационной восприимчивости экономики, динамичного развития высокотехнологичных отраслей нам не хватает специального субъекта, который своей целью имел бы обеспечение плодотворного и эффективного взаимодействия сектора исследований и разработок, с одной стороны, и промышленного сектора, с другой стороны. Находился бы между ними, занимал деятельную позицию, умел говорить на языке и тех, и других, и умел бы продавать. Нужен “научный продюсер”.
В сегодняшнем действующем законодательстве даже есть обозначение этого субъекта: «Малая технологическая компания».

#цитата
#Ваграмян
#Харламов
#Нагаев
#Владимирова
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

#фотоцитата
#Янакова
#микроэлектроника2025


🤩 Форум Микроэлектроника

#фотоцитата
#Демихов
#микроэлектроника2025


🤩 Форум Микроэлектроника

🤩 Секция № 2 «Высокопроизводительные вычислительные системы»: цитаты докладчиков

🤩 Федоткин Алексей Сергеевич, зам. зав. лабораторией средств проектирования микроэлектроники, МФТИ:

Задача создания быстрой СУБД для многослойных технических объектов (МТО) возникла при разработке САПР для корпусирования сложных чипов, но применима и для других объектов проектирования электроники: печатных плат, микросхем и др. Для отечественных разработчиков требуется кроссплатформенная реализация, не заточенная под узкую западную платформу. Нами была предложена структура и кроссплатформенная реализация СУБД SDB для обработки и хранения МТО. Время отрисовки БД, содержащей 1 млн объектов, составило менее 12 мс при использовании современных графических карт и процессоров "Эльбрус" или x86.

🤩 Земков Савва Игоревич, м.н.с., НИЦ «Курчатовский институт» - НИИСИ:

Задача выбора рабочих параметров памяти DDR растет экспоненциально по мере усложения памяти и применения нестандартных режимов ее эксплуатации. Учесть всё возрастающее количество параметров настройки помогает интеллектуальная система адаптивной настройки параметров на базе машинного обучения на синтетическом массиве параметров. Нами был создан ПАК для автоматизированного перебора коэффициентов DDR3, и на базе собранного массива проведено обучение машинной модели. В дальнейшем планируется адаптация этой модели для памяти DDR4 и DDR5, где параметров оптимизации значительно больше.

🤩 Манеркин Алексей Дмитриевич, м.н.с. НИЦ «Курчатовский институт» - НИИСИ:

Применение гибридных методов машинного обучения для ускорения верификации проектов микросхем на блочном уровне позволяет достигать необходимого уровня тестового покрытия в 2 раза быстрее по сравнению с традиционными методами. Нами планируется создание методики применения методов машинного обучения на различных этапах тестирования RTL-моделей.

🤩 Аряшев Сергей Иванович, зам. директора, НИЦ «Курчатовский институт» – НИИСИ:

Совместно с ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» мы создали коммуникационную систему (интерконнект) для компьютеров и серверов на базе отечественного коммуникационного ядра-микросхемы К1890КП38, в которой применены контроллеры, соответствующие спецификации PCI Express 3.0 шириной x16 и высокоскоростные приемопередатчики данных интерконнекта со скоростью передачи до 25 Гбит/с на линию. Микросхема содержится 12 Мбайт SRAM, произведена по техпроцессу 28 нм и корпусируется в России или Китае. Разработаны модули для связи в высокопроизводительных серверах на отечественных процессорах «Эльбрус» и на зарубежных.

🤩 Ларионов Александр Владимирович, зав. сектором НИЦ «Курчатовский институт» – НИИСИ:

Нами создана высокочастотная система тактирования сигнала для четырехканального мультистандартного последовательного приемопередатчика на 28 Гбит/с, изготавливаемого по КМОП-технологии 28 нм. Одно из решений при реализации – использование активных индуктивностей – позволило создать высокочастотный приемопередатчик с энергоэффективностю 8 мВт/Гбит/с, что превосходит непосредственные зарубежные аналоги.

#Федоткин
#Земков
#Манеркин
#Аряшев
#Ларионов
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

#фотоцитата
#Силантьев
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

#фотоцитата

к.ф.-м.н., Иванов Владимир Викторович, зам. руководителя приоритетного технологического направления «Электронные технологии» по формированию и переносу изображения, НИИМЭ:

Современные методы вычислительной литографии обеспечивают высокую точность моделирования, однако сопровождаются значительными вычислительными затратами и сложностями с производительностью. Совместное использование физического моделирования и машинного обучения открывает путь к созданию нового поколения гибридных вычислительных систем, способных не только предсказывать, но и активно оптимизировать любые технологические процессы Дальнейшее развитие этого направления через создание отраслевых стандартов и открытых датасетов будет иметь критическое значение для поддержания темпов технологического прогресса.

#Иванов
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

#фотоцитата

к.т.н. Усачев Николай Александрович, НИЯУ МИФИ:

Характеризация технологических процессов (ТП) является необходимым условием контрактного производства ЭКБ как общего применения, так и для систем критической инфраструктуры. В ходе этапов характеризации формируется массив данных, необходимых для проектирования и понимания возможности использования ТП для создания доверенной ЭКБ.

🤩 ТРЕК ОБЗОРНО-ДИСКУССИОННЫХ ЗАСЕДАНИЙ
«Доверенные ПАК и ЭКБ для критической гражданской инфраструктуры»

#Усачев
#трек
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

🤩 Дмитрий Иванов раскрывает стратегию импортозамещения «Диполь Технологии» на форуме «Микроэлектроника 2025»

В ходе форума «Микроэлектроника 2025» состоялась серия интервью с ключевыми игроками отрасли. На площадке сообщества Electronica Connect о современных вызовах и путях развития отечественной электроники побеседовали с Дмитрием Ивановым, генеральным директором АО «Диполь Технологии».

🤩 Смотреть ролик:
🤩 ВКонтакте
🤩 Rutube

#интервью
#Диполь
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

🤩 Отечественная ЭКБ для ИИ: ниши и векторы развития обсудили на Форуме

23 сентября на форуме «Микроэлектроника 2025» при поддержке Минпромторга России и ФГАУ «ЦИТ» прошел круглый стол «Отечественная электронная компонентная база и программно-аппаратные комплексы для систем искусственного интеллекта: ниши, вызовы и векторы развития». Модератором выступил директор ФГАУ «ЦИТ» Эдуард Шантаев.

🤩 Смотрите ролик на официальных ресурсах Форума:
🤩 ВКонтакте 🤩 Rutube

#круглыйстол
#дневникфорума
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

🤩 Как из вуза получить готовых инженеров?

25 сентября на Форуме НИУ МИЭТ организовал круглый стол «Передовые инженерные школы для электронной промышленности», многие из участников которого знают ответ на вопрос, вынесенный в заголовок.

Руководителями мероприятия выступили д.т.н. Алексей Переверзев, проректор по инновационному развитию НИУ МИЭТ, директор Передовой инженерной школы (ПИШ) МИЭТ, и Роман Вовчук, начальник отдела взаимодействия с индустриальными партнерами ПИШ Методического центра «Передовые инженерные школы» НИЯУ МИФИ.

🤩 Подробнее

#круглыйстол
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

#фотоцитата

Андрей Щербинин, Заместитель начальника управления программ и проектов, Российский научный фонд:

Только благодаря вовлечению научных исследований в цепочку создания продукции можно открыть возможность для технологических прорывов.
Программы российского научного фонда решают первый, самый рискованный шаг на пути прикладного внедрения науки.

🤩 Круглый стол «Технологии электроники и подходы к научным исследованиям»

#Щербинин
#микроэлектроника2025


🤩 Форум Микроэлектроника

🤩Продолжаем делиться цитатами участников форума «Микроэлектроника 2025».
О чем говорили на Секции № 9 «Специальное технологическое оборудование»:

🤩 Петров Станислав Игоревич, к.ф.-м.н., заместитель генерального директора по науке и технологиям:

Производители ЭКБ остро нуждаются в современном технологическом оборудовании для широкого спектра применений: от СВЧ-транзисторов и лазеров до фотоприемников и компонентов квантовых компьютеров. В 2025 году, в рамках Комплексной программы «Развитие электронного машиностроения до 2030 года», завершится тестирование установок МОС-гидридной и молекулярно-лучевой эпитаксии для роста структур на подложках до 150 мм. С 2026 года будут доступны установки физического осаждения и плазмохимической обработки для серийного производства СВЧ-транзисторов и МИС на пластинах Ø100-150 мм.

🤩 Плотников Дмитрий Сергеевич, технический руководитель направления химической обработки, АО «Нанотроника»:

Идея нашего ОКР в том, что мы разрабатываем узлы под оригинальное оборудование с точным соответствием ему. Каждый разработанный узел проверяется на работающем оборудовании. Такой подход позволяет сделать не просто близкую копию, а в дальнейшем разработать вариации: увеличение числа зон давления от 3 до 5 для более тонкой настройки профиля полировки, оптимизация удерживающего кольца и др.

🤩 Барков Валерий Николаевич, заместитель начальника Специального конструкторского бюро, АО «ЭЗАН»:

Для автоматизации техпроцессов необходима целая экосистема, которая позволит технологическим и инжиниринговым компаниям строить различные масштабируемые системы управления. «ЭЗАН» предлагает набор технических и программных средств, на основе которых можно построить законченную систему АСУ ТП. В частности, нами ведется работа по созданию системы автоматизации технологического процесса установки эпитаксии карбида кремния на подложках диаметром до 150 мм методом химического газофазного осаждения.

🤩 Старостенко Александр Анатольевич, к.ф.н., ИЯФ СО РАН:

Исследовательские работы на испытательном стенде ионного источника в самом разгаре. Результаты обнадеживают. Завершается изготовление деталей и узлов экспериментальной версии инжектора ионов для установки ионной имплантации ТМ-200Т.

🤩 Постников Александр Сергеевич, руководитель проектов, ООО «ФОРМ»:

Синергия разработки российских силовых полупроводниковых приборов и отечественных Тестеров для измерений статических и динамических, зарядовых, емкостных и энергетических характеристик мощных IGBT, MOSFET и FRD (до 4000 В/300 А), а также автоматических комплексов для измерений супервысоковольтных транзисторов и диодов (до 7000 В/100 А) на пластине позволяет достичь технологического суверенитета РФ в области силовой электроники.

🤩 Малышев Роман Анатольевич, главный конструктор, ООО «Совтест АТЕ»:

Развитие микроэлектронной промышленности неизбежно приведет к потребности в оборудовании для зондового контроля пластин, ориентированного на массовый выпуск продукции. Это ключ к переходу на следующий уровень технологического суверенитета. Комбинация системы перемещений на базе аэростатических опор и применение алгоритмов нейронных сетей в системе технического зрения – технологический скачок, который позволил сразу встать на уровень с мировыми производителями систем такого класса точности.

🤩 Новиков Сергей Андреевич, руководитель Прикладной лаборатории, АО «НТО»:

Современные технологии микро- и наноэлектроники требуют высокой точности, воспроизводимости и гибкости производственных процессов. Сегодня важно целенаправленно создавать готовые, оптимизированные технологические решения, которые позволят производителям ЭКБ быстрее внедрять производство новой продукции. Мы значительно повысили точность, воспроизводимость и расширили номенклатуру процессов, в частности, для плазмохимического травления сложных гетероструктур и прецизионного окисления.

#цитата
#Петров
#Плотников
#Барков
#Старостенко
#Постников
#Малышев
#Новиков
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

🤩Секция № 4 «Технологии и компоненты микро-и наноэлектроники»: яркие цитаты докладчиков

🤩 Константинов Вячеслав Сергеевич, старший научный сотрудник, АО «НИИМЭ»:

Нами предложен алгоритм для MC FeRAM на основе дифференциальной 2Т2C-ячейки, который позволяет выявить ошибки чтения долговременного хранения МС. Алгоритм позволяет выявить все ошибки длительнного хранения, кроме случая, когда деградация поляризации близка к 100%. Алгоритм специфичен, т.е не работает для ошибок, которые не связаны с долговременным хранением: например, ошибки ввиду электрического пробоя или ввиду воздействия спецфакторов.

🤩 Маркеев Андрей Михайлович, д.т.н., главный научный сотрудник, МФТИ:

При атомно-слоевом осаждении TIO2 нанометровой толщины на двумерные полупроводниковые материалы MoS2 показано, что на MoS2 стандартный TDMAT/H20 ACO TiO2 процесс в силу дефицита поверхностный центров не позволяет получить сплошные слои нанометрового уровня. Функционализация поверхности MoS2 ионами гелия низких энергий позволяет получать методом ACO сплошные 1-нанометровые слои TiO2.

🤩 Чхало Николай Иванович, член-корр. РАН, заведующий отделом, ИФМ РАН:

ИФМ РАН разработана концепция рентгеновского литографа, базирующаяся на достижениях последних лет в области твердотельных гибридных лазеров, ксенонового лазерно-плазменного источника на длине волны 11.2 нм, более эффективных Ru/Be многослойных рентгеновских зеркал. Это позволит создать отечественный литограф, конкурентоспособный, в том числе на мировом рынке. При сопоставимой производительности ожидается уменьшение почти на порядок энергопотребления, цены и стоимости эксплуатации.

🤩 Суханов Дмитрий Александрович, заместитель технического директора, Остек-Микроэлектроника:

Основной принцип, принятый для оптимизации процесса осаждения золота, – это использование компактных реакторов фонтанного типа, которые проводят процесс на одной пластине. Предложенное нами решение позволяет достичь однородного покрытия поверхности (неравномерность <2% на пластине 150 мм - это полученный факт) и, таким образом, снизить стоимость создания общего слоя пленки и всего изделия.

🤩 Резванов Аскар Анварович, к.ф.-м.н., начальник лаборатории, АО «НИИМЭ»:

Как результат проведения исследований по использованию термически разлагаемого полимера, нанесенного газофазным осаждением, для травления low-k диэлектрика с малым повреждением представлен новый метод для защиты low-k в виде одноступенчатой последовательности заполнения пор. При этом данный подход позволяет заполнять любые low-k пористости 14%/радиуса пор 0,8 нм и снизить итоговые RC-задержки в системе металлизации более чем на 50% при шаге линий 100 нм и менее.

#цитата
#Константинов
#Маркеев
#Чхалов
#Суханов
#Резванов
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника