Наша задача – не прятаться от радиации, а создавать современные полупроводниковые приборы и микросхемы, которые будут предсказуемо работать в условиях воздействия ионизирующего излучения естественного и искусственного происхождения. Понимание доминирующих радиационных эффектов – ключ к созданию надежной техники будущего.

В рамках созданного дизайн-центра разработаны современные изделия ЭКБ, экспериментально подтверждено, что их электрические параметры и показатели радиационной стойкости соответствуют зарубежным аналогам.

Использование испытательных средств на основе лазерных источников позволяет в полной мере реализовывать методики испытаний, соответствующие положениям современных стандартов, при этом со значительным уменьшением временных, трудовых и финансовых затрат по сравнению с использованием «классических» радиационно-испытательных установок.

Применение методов расчёта локальной дозовой нагрузки за суммарной массовой защитой без учёта рассеяния частиц на конструкционных слоях, выступающих в качестве защиты, приводит к повышению консервативности результатов оценки тем больше (до порядка величины), чем больше количество таких слоев, и чем больше они пространственно разнесены друг от друга.

Проблема оценки показателей стойкости электронных модулей высокой степени интеграции к воздействию ИИ КП по одиночным радиационным эффектам требует нового подхода к проведению испытаний, основанного на получении сечения одиночных эффектов не покомпонентно, а в целом для модуля без привязки к их виду (SEU, SEFI и т.д.), с одновременной доработкой существующей нормативной базы.