Мощное зарядное устройство URVNS 150 Вт USB C 100 Вт PD PPS 4-портовая станция GaN для быстрой зарядки телефонов и ноутбуков

https://ali.pub/6kbrg5
https://ali.pub/6kbrg5

Набор диодов 1N4148 1N4007 1N5819 1N5399 1N5408 1N5822 FR107 FR207,8 значений = 100 шт
US $1.34
https://aliclick.shop/r/c/1qzt0z9tafadedim?product_id=1431377764
https://aliclick.shop/r/c/1qzt0z9tafadedim?product_id=1431377764&from_content=wall_-43363264_571804&gaid=bfc0fd12-544f-4bc8-96c7-c6e5f5a06353&sns_params=%7B%22vk_id%22%3A10943591%2C%22exps%22%3A%5B%5D%7D

Не просто лампы :
Радиолюбитель и Arduino | Технари | IT DenisGeek (https://vk.com/club43363264)

Samsung Galaxy S23 Ultra ускорился перед выходом. Он гораздо увереннее выступил в Geekbench

Еще недавно инсайдер Ice Universe сетовал на то, что ни один из готовящихся к выпуску телефонов Samsung линейки Galaxy S23 не может пробить отметку в 5000 баллов в многопоточном тесте Geekbench, – и вот новый результат, которому информатор наверняка будет рад: перспективный Galaxy S23 Ultra в новом тесте набрал более 5150 баллов.

С одной стороны, они гораздо лучше прошлых, особенно если говорить о многопоточности. С другой стороны, результаты показаны на разогнанном CPU: частота суперядра Arm Cortex-X3 повышена до 3,36 ГГц против стандартных 3,19 ГГц. При этом даже Redmi K60, который построен на той же платформе, но с не разогнанным процессором, запросто набирает 5038 баллов в многопоточном тесте.

Напомним, официальная премьера Samsung Galaxy S23, Galaxu S23 Plus и Galaxy S23 Ultra ожидается 1 февраля 2023 года на мероприятии Unpacked.

Мосфеты 5 шт. IRL2505PBF TO-220 IRL2505 MOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC

https://ali.pub/6kbs1x
https://ali.pub/6kbs1x

Вольтметр