‍Чем отличается импульсный диод от выпрямительного.

Огромное количество современных электронных устройств используют в своей работе электрические импульсы. Это могут быть слаботочные сигналы или токовые импульсы (что гораздо серьезнее в техническом отношении) в цепях блоков питания и прочих импульсных преобразователей, инверторов и т.д.

А действие импульсов в преобразователях — это всегда критичность к длительности форнтов и спадов, имеющих временные границы примерно того же порядка, что и переходные процессы в электронных компонентах, в частности — в тех же диодах. Поэтому, при использовании в импульсных схемах диодов, следует обязательно принимать во внимание переходные процессы в самих диодах — во время их включения и выключения (во время открывания и закрывания p-n-перехода).

В принципе, чтобы сократить время переключения диода из неповодящего состояния — в проводящее и обратно, в некоторых низковольтных схемах целесообразно прибегать к использованию диодов Шоттки.

Диоды данной технологии отличаются от обычных выпрямительных диодов наличием перехода металл-полупроводник, который хоть и обладает выраженным выпрямительным эффектом, но в то же самое время имеет сравнительно малую проходную емкость перехода, заряд в которой накапливается в настолько некритичных количествах и так быстро рассасывается, что схема с диодами Шоттки может работать на достаточно высокой частоте, когда время переключения имеет порядок единиц наносекунд.

Еще один плюс диодов Шоттки — падение напряженя на их переходе составляет всего около 0,3 вольт. Итак, главное достоинство диодов Шоттки — в них не затрачивается времени на накопление и рассасывание зарядов, быстродействие здесь зависит только от скорости перезаряда небольшой барьерной емкости.

Что касается выпрямительных диодов, то изначальное предназначение данных компонентов вообще не предполагает работу в импульсных режимах. Импульсный режим для выпрямительного диода — это нетипичный, нештатный рижим, поэтому и особо высоких требований к быстродействию выпрямительных диодов разработчиками не предъявляется.

Выпрямительные диоды используются в основном для преобразования низкочастотного переменного тока в постоянный или пульсирующий, где вовсе не требуется малая проходная емкость p-n-перехода и быстродействие, чаще нужны просто большая проводимость и соответственно высокая стойкость к относительно длительному непрерываному току.

Выпрямительные диоды отличаюстя поэтому малым сопротивлением в открытом состоянии, большей площадью p-n-перехода, способностью пропускать большие токи. Но за счет значительной площади перехода емкость диода получаетсвя больше - порядка сотен пикофарад. Это очень много для импульного диода. Для сравнения, у диодов Шоттки проходная емкость имеет порядок десятков пикофарад.

Итак, импульсные диоды — это специально разрабатываемые диоды для работы именно в импульсных режимах в высокочастотных цепях. Их принципиальной отличительной особенностью от выпрямительных диодов является кратковременность переходных процессов в силу очень малой емкости p-n-перехода, которая может доходить до единиц пикофарад и быть еще меньше.

Уменьшение емкости p-n-перехода в импульсных диодах достигается путем уменьшения площади перехода. Как следствие, рассеиваемая на корпусе диода мощность не должна быть очень большой, средний ток через переход малой площади не должен превышать максимально допустимого значения, указываемого к документации на диод.

Часто в качестве быстродействующих диодов используют диоды Шоттки, однако они редко отличаются высоким обратным напряжением, поэтому импульсные диоды выделены как отдельный тип диодов.

Топовая версия Redmi Note 10 получит чипсет Snapdragon 750G и камеру с разрешением 108 Мп

В китайской социальной сети Weibo была опубликована очередная утечка, касающаяся характеристик смартфона Redmi Note 10. Её автором является китайский инсайдер Digital Chat Station.

По данным источника, топовая версия смартфона Redmi Note 10 будет оснащена процессором Snapdragon 750G и главным модулем камеры на базе 108-мегапиксельного сенсора. Более доступная модификация будет довольствоваться системой-на-чипе MediaTek Dimensity 720, а главный модуль камеры получит сенсор с разрешением 48 Мп.

Также отмечается, что обе версии получат LCD дисплеи с круглым отверстием под фронтальную камеру. Что касается более производительной модификации, то для неё предусмотрено использование аккумулятора ёмкостью 4800 мАч. Устройство получит поддержку технологии быстрой зарядки мощностью 33 Вт.

По предварительным данным, топовая модель Redmi Note 10 будет фигурировать под модельным номером M2007J17C. В целом, она может быть очень похожа на недавно выпущенный смартфон Xiaomi Mi 10T Lite, но с обновлённой 108-мегапиксельной камерой.

Кабель менеджмент детектед :

Модуль зарядки QC4.0 QC3.0 Quick Charge 3,7 5В 9В 4.5A 18 Вт
US $4.96
https://ali.pub/4xg7s4
Свои параметры этот модуль обеспечивает. На простом выходе usb получил 5,9 и 12 Вольт с помощью внешнего qc20 триггера. При токе 3,39А выходное напряжение составило 4,92Вольта, при большей нагрузке выходное напряжение снижается: при токе 3,45А имеем на выходе 4,74Вольта. Для 9В: при выходном токе 2,13А имеем 9,15В выходного, но уже при токе 2,22А выходное снижается до 7,89В. Для 12В: при токе 1,69А имеем 12Вольт и при повышении тока нагрузки выходное напряжение снижается ниже 10,7Вольта. Модуль способен выдавать на выход свыше 18 Ватт при выходных напряжениях 5,9 и 12Вольт. Рекомендую к покупке модуль и продавца

Зарядное устройство для аккумуляторов LiPo LiHV NiMH Pb ISDT Q8 500 Вт 20A 2-8S / Q8 MAX 1000 Вт/Q6 Nano 200 Вт 8A 1-6S Lipo
US $19.30 - 89.00
https://ali.pub/5420il
Размер зарядника - огонь. Комлектация простецкая: стекло на экран, инструкция и сам прибор. Вход под питание тоже XT60, переходничок на штекер под обычный блок питания зажали, пришлось паять из того что есть. 20А проверить пока не на чем, а с этим самопальным переходничком не могу, там проводки до 5А наверное максимум. В общем пока доволен!